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[发明专利]数据传输电路和存储器-CN202110545003.3在审
发明人：尚为兵;武贤君;何军 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-05-19 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：本申请实施例涉及一种数据传输电路和存储器，所述数据传输电路，包括数据写入模块，所述数据写入模块包括：逻辑运算单元，用于经数据写入节点从数据总线获取待写入数据信号，并响应于外部输入的写使能信号，根据所述待写入数据信号分别输出上拉使能信号和下拉使能信号，所述上拉使能信号和所述下拉使能信号分时使能有效；上拉单元，与所述逻辑运算单元连接，用于根据使能有效的所述上拉使能信号输出全局数据信号；下拉单元，与所述逻辑运算单元连接，用于根据使能有效的所述下拉使能信号输出全局数据信号；其中，所述全局数据信号的电平状态与所述待写入数据信号的电平状态相同，所述全局数据信号用于写入存储单元。
数据传输电路存储器

[发明专利]表项，SCM介质存储模块的读方法写方法，以及存储控制器-CN202210822429.3在审
发明人：程志渊;黄平洋;张哲宇;张以纯 -专利权人：浙江大学
申请日： 2022-07-12 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：本发明涉及一种表项，用于记载存储于存储级内存(Storage Class Memory，SCM)介质存储模块的流动数据的物理地址；所述流动数据为SCM介质存储模块中发生过迁移的数据；所述物理地址包括：流动数据迁移前的第一物理地址和迁移后的第二物理地址。根据所述表项，本发明还提供了一种SCM介质存储模块的寻址方法、一种SCM介质存储模块的读方法与一种SCM介质存储模块的写方法。本发明通过提供了一种表项以及配套的读写操作方案，可以减少读写时延，保证数据的高效处理。基于所述的表项，本发明还提供了一种存储控制器，解决了使用SCM存储介质时存储控制器的架构问题。本发明为实现反应灵敏，控制精准，算法简单的SCM存储介质控制器大规模商业化应用打下了深厚基础。
表项 scm 介质存储模块方法以及控制器

[发明专利]电压调节装置及采用其的存储器-CN202210943473.X在审
发明人：蔡友刚;史维华 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-12-15 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：本发明提供一种电压调节装置及采用其的存储器。所述电压调节装置能够根据预设采样点的反馈而调节预设采样点处的电压，使其保持稳定，提高预设采样点的电压稳定性及一致性。所述存储器能够通过所述电压调节装置钳位所述预设采样点的电压，使得其维持稳定，从而使得所述存储阵列的公共源极端电压维持稳定，提高公共源极端电压稳定性及一致性，进而提高存储器的读取精度。
电压调节装置采用存储器

[发明专利]存储器系统及其操作方法-CN201811103543.0有效
发明人：安致昱 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2018-09-20 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：本发明提供了一种存储器系统及其操作方法。该存储器系统包括：存储器装置，包括多个存储块，存储器装置对多个存储块之中的所选择存储块执行读取操作；以及存储器控制器，控制存储器装置执行读取操作，其中基于与所选择存储块的源极线共享块的擦除数量有关的信息来控制读取操作的初始导通时段。
存储器系统及其操作方法

[发明专利]半导体存储装置-CN201810149423.8有效
发明人：驹井宏充 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2018-02-13 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：实施方式提供一种能够提高处理能力的半导体存储装置。根据实施方式，半导体存储装置包含：第1至第6存储器单元(MT)；依次配置的第1至第3位线(BL)；依次配置的第4至第6位线(BL)；读出放大器(20)，包含分别连接在第1至第6位线(BL)的第1至第6读出电路(SAU)，且第1及第4读出电路(SAU)、第2及第5读出电路(SAU)、及第3及第6读出电路(SAU)分别相邻；数据寄存器(21)，包含连接在第1及第4读出电路(SAU)的第1及第4锁存电路(XDL)、连接在第2及第5读出电路(SAU)的第2及第5锁存电路(XDL)、及连接在第3及第6读出电路(SAU)的第3及第6锁存电路(XDL)；以及输入输出电路(10)。
半导体存储装置

[发明专利]3D NAND闪存的读取方法-CN201810864131.2有效
发明人：刘红涛;靳磊;黄莹;魏文喆;王启光 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2018-08-01 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：本发明涉及一种3D NAND闪存的读取方法，所述3D NAND闪存包括在三维空间内阵列排布的多个存储单元，构成多个存储串，每一个存储串的顶部的晶体管为上选择管，所述上选择管连接至位线，存储串底部的晶体管为下选择管，位于同一层内的多个存储单元组成存储行，位于同一存储行内的存储单元的栅极均连接至同一字线，待读取存储单元所在的存储串作为选中串，其特征在于，所述读取方法包括依次进行的预导通阶段和读取阶段步骤，其中，在所述预导通阶段中对位线施加持续的预充电压；同时，导通选中串的上选择管和非选中串的上选择管，关断选中串的下选择管和非选中串的下选择管。
nand 闪存读取方法

[发明专利]存储器设备和存储器设备的操作方法-CN202210099598.9在审
发明人：许民虎;金承日;李在珉;金明均;朴源奎 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2022-01-27 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：本公开的各实施例涉及存储器设备和存储器设备的操作方法。存储器设备被配置为通过将参考电流与感测电流进行比较来选择具有将出现不可纠正的错误纠正码(UECC)的概率的页，并且存储器设备被配置为根据比较来对对应页执行读取收回操作或附加脉冲施加操作。
存储器设备操作方法

[发明专利]页缓存器电路及存储装置-CN202210725735.5在审
发明人：卢中舟;胡俊刚 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2022-06-23 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：本申请提供一种页缓存器电路及存储装置。该页缓存器包括：多个寄存器和页缓存器；多个寄存器分别连接外设接口以通过所述外设接口依次接收输入数据；将所述输入数据依次转换成至少一个数据段；页缓存器连接所述多个寄存器，以将所述多个寄存器寄存的当前数据段写入至所述页缓存器中，从而将所述输入数据以转换成所述至少一个数据段的方式写入至所述页缓存器中。该页缓存器电路的页缓存器的写入速度并不受外设接口的外设接口协议规定的写入速度的限制，多个寄存器可以按照需求将寄存的数据写入至页缓存器中，其降低了对页缓存器的写入速度的性能要求。
缓存电路存储装置

[发明专利]一种控制读操作的方法、装置以及Nand flash存储器-CN201910400127.5有效
发明人：张晓伟 -专利权人：兆易创新科技集团股份有限公司;西安格易安创集成电路有限公司
申请日： 2019-05-14 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：本发明提供了一种控制读操作的方法、装置以及Nand flash存储器。所述方法包括：接收第一读操作指令，执行对应的第一读操作，当第一读操作发生数据读取错误时，通过选通管检测隔离字线是否处于未被选通的状态，若隔离字线处于未被选通的状态，则通过隔离字线电荷泵调整隔离字线的工作电压。本发明的方案检测隔离字线的选通状态，若是未选通状态，则调整给隔离字线提供工作电压的电荷泵的供电电压，实现隔离字线处于被选通状态，从而正确读取存储单元中字线上的数据，提高了Nand flash存储器字线读操作的可靠性，同时减少了读操作中读循环的次数，有利于延长Nand flash存储器中存储单元的使用寿命。
一种控制操作方法装置以及 nand flash 存储器

[发明专利]半导体存储装置-CN201810088572.8有效
发明人：驹井宏充 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2018-01-30 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：实施方式提供一种能够提高处理能力的半导体存储装置。根据实施方式，半导体存储装置包含：连结电路(BHU)，包含分别连接于第一及第二位线(BL0)及(BL1)的第一及第二电路(50_0)及(50_1)；第一组(GP0)，包含经由第一数据总线(DBUS0)而与连接于第一电路(50_0)的第一读出放大器电路(SAU0)连接的第一数据寄存器(21_0)；第二组(GP1)，包含经由第二数据总线(DBUS1)而与连接于第二电路(50_1)的第二读出放大器电路(SAU1)连接的第二数据寄存器(21_1)；及存储单元阵列(18)。沿着与半导体衬底平行的第一方向，依次排列有第一组(GP0)、连结电路(BHU)、第二组(GP1)。
半导体存储装置

[发明专利]存储器装置、其操作方法及包括存储器装置的存储器系统-CN202210281446.0在审
发明人：朴宽;崔正吉 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2022-03-22 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：本申请涉及存储器装置、其操作方法及包括存储器装置的存储器系统。一种存储器装置包括：页缓冲器，其包括第一锁存器和第二锁存器；控制电路，其被配置为执行读取被选字线的数据并将数据存储在第一锁存器中的操作，然后执行使被选字线放电的操作，然后执行将第一锁存器的数据移动到第二锁存器的操作，然后执行将第二锁存器的数据输出到外部的操作；以及控制逻辑，其被配置为控制控制电路，使得当在响应于针对第一字线的第一高速缓存读取命令的输入而执行针对第一字线的储存或放电的区间中输入了第二高速缓存读取命令或第三高速缓存读取命令时，针对第一字线的放电的执行区间和移动的执行区间彼此至少部分交叠。
存储器装置操作方法包括系统

[发明专利]将高读取数据存储在存储器装置的低影响读取干扰页面处-CN202210429938.X在审
发明人： K·K·姆奇尔拉;G·普齐利;V·P·拉亚普鲁;A·马尔谢;J·菲兹帕特里克;S·S·瑞胡那森;V·莫斯基亚诺;T·吉拉尔迪 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-04-22 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：本申请案涉及将高读取数据存储在存储器装置的低影响读取干扰页面处。存储器装置的高读取数据管理器接收在存储器装置的多个字线中的第一字线上执行数据重定位操作的请求，所述存储器装置包括多个多电平存储器单元，其中每一多电平存储器单元包括多个页面；确定所述第一字线包括存储在所述多个页面中的一或多个高读取干扰页面处的数据；确定所述数据是否包括满足与存储在所述多个字线中的额外字线上的额外数据有关的阈值准则的特性；响应于确定所述数据包括满足所述阈值准则的所述特性，识别用于重定位所述数据的目标字线的所述多个页面中的一或多个低读取干扰页面；及响应于识别所述目标字线的所述一或多个低读取干扰页面，将所述数据的至少一部分存储在所述目标字线的所述一或多个低读取干扰页面处。
读取数据存储存储器装置影响干扰页面

[发明专利]基于电压阈值预测的存储器管理-CN202210404517.1在审
发明人：杨春森;胡广;罗婷;罗涛 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-04-18 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：本申请案涉及基于电压阈值预测的存储器管理。一种方法包含：使用第一电压执行涉及一组存储器单元的第一读取操作；基于所述第一读取操作确定与所述组存储器单元相关联的位的数量；当所述位的数量高于所述组存储器单元的阈值位数量时，使用大于所述第一电压的第二电压执行涉及所述组存储器单元的第二读取操作；及当所述位的数量低于所述组存储器单元的所述阈值位数量时，使用小于所述第一单元的第三电压执行涉及所述组存储器单元的所述第二读取操作。
基于电压阈值预测存储器管理

[发明专利]存储器系统及存储器系统的操作方法-CN202111615476.2在审
发明人：郑在亨;金大成;安成浩 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2021-12-27 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：本申请涉及一种存储器系统，该存储器系统包括存储器装置和存储器控制器。存储器控制器将数据读取命令传输到存储器装置，将N个读取使能触发信号输入到存储器装置以便存储器装置输出数据读取命令所请求的数据，并且将附加的读取使能触发信号输入到存储器装置。存储器装置响应于附加的读取使能触发信号，将存储器装置的状态信息输出到存储器控制器。
存储器系统操作方法

[发明专利]存储装置及其操作方法-CN202210024048.0在审
发明人：李宗夏;文敏焕 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2022-01-11 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：本发明涉及一种存储装置，该存储装置包括存储器装置和存储器控制器。存储器装置存储历史读取表，并基于历史读取表执行读取多个存储块中存储的数据的读取操作，该历史读取表包括关于多个存储块中的每一个的根位信息、读取电压信息和错误位信息。当读取操作失败时，存储器控制器改变读取电压的电平，并控制存储器装置通过使用改变后的读取电压执行重试读取操作的读取重试操作。当读取重试操作通过时，存储器控制器通过将读取重试操作的根位信息与历史读取表的根位信息进行比较来确定是否要更新所述历史读取表。
存储装置及其操作方法