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[发明专利]一种最优读电压确定方法、装置及电子设备-CN202210141259.2在审
发明人：刘璨;霍文捷;万婷;冯星 -专利权人：杭州海康存储科技有限公司
申请日： 2022-02-16 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种最优读电压确定方法、装置及电子设备。其中，方法包括：获取用于表示存储块的目标读写状态的目标状态参数、存储块处于目标读写状态时第一最优读电压的取值对应的第一概率分布和第一最优读电压的第一电压值、以及存储块处于目标读写状态时第二最优读电压的取值对应的第二概率分布，第一电压值通过在存储块的阈值电压分布中搜索得到；根据目标状态参数、第一概率分布、第一电压值以及第二概率分布，预测存储块处于目标读写状态时第二最优读电压的第二电压值。应用本申请实施例提供的方案，能够通过预测确定最优读电压，有效减少确定最优读电压过程中所需进行的电压搜索操作、读操作的次数，提高最优读电压确定效率。
一种最优电压确定方法装置电子设备

[发明专利]使用元信息自适应地确定读取阈值电压的系统-CN202111132794.3在审
发明人：美萨姆·阿沙迪;哈曼·巴蒂亚;张帆 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2021-09-27 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：本申请涉及一种使用元信息自适应地确定读取阈值电压的系统。本申请的实施例使用从先前失败的读取数据收集的元信息自适应地确定用于下一次读取操作的读取重试阈值电压。控制器获得与对选择页面的读取操作相关联的元信息，该元信息包括读取阈值电压组。控制器使用读取阈值电压组的设定函数以及设定校验和值来确定用于估计与下一次读取操作相关联的数据的校验和值的数学模型。控制器通过对数学模型执行多项式回归来确定一组参数。控制器基于该组参数来估计下一次读取操作的下一个读取阈值电压。
使用信息自适应确定读取阈值电压系统

[发明专利]存储器装置和存储器系统-CN202110763317.0在审
发明人：金大成;安成浩;梁信镐;郑在亨 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2021-07-06 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：本发明涉及存储器装置和存储器系统。存储器装置包括：多个存储器单元；软读取逻辑，被配置成响应于来自控制器的软读取命令而通过从多个存储器单元读取数据来生成软数据，该软数据包括至少一个主要符号和至少一个次要符号；压缩器，被配置成通过以下方式生成压缩数据：将软数据中包括的多个源字母表之中的主要源字母表编码为具有第二长度的代码字母表，该主要源字母表包括主要符号按第一长度进行的重复，并且将次要源字母表编码为长度长于第二长度的代码字母表，该次要源字母表包括主要符号按短于第一长度的长度进行的重复并且以一个次要符号结尾；以及接口，被配置成将压缩数据提供到控制器。
存储器装置系统

[发明专利]控制器及其操作方法-CN202110719176.2在审
发明人：金大成 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2021-06-28 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：本申请提供了一种控制器，用于控制包括存储器单元的存储器装置，该控制器包括：存储器，适用于存储偏移电平信息，该偏移电平信息基于根据存储器单元的特性和存储器单元的高斯建模的样本读取电平来确定；以及处理器，适用于基于高斯建模和从存储器单元读取的数据生成估计读取电平，并且施加补偿读取电压来控制存储器装置以执行存储器单元的读取操作，其中补偿读取电压通过将偏移电平信息应用于估计读取电平来生成。
控制器及其操作方法

[发明专利]一种基于读数据的电压分布分析方法-CN202210184370.X有效
发明人：雷莉;冯立晖;廖莎 -专利权人：杭州阿姆科技有限公司
申请日： 2022-02-28 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于读数据的电压分布分析方法，应用于NAND Flash，包括：根据已知的标准电压分布图，确定待测电压的范围；在待测电压的范围内确定若干个待测电压档位，待测电压档位是指读取NAND Flash中原始数据时使用的电压阈值点的档位；将所有电压阈值点绑定一起调档，读取NAND Flash中的原始数据并保存；计算每个电压阈值点对应的每一个待测电压档位所判定的存储状态的相对个数，用CountX（i）表示；预画出电压分布图，基于预画出的电压分布图对CountX（i）进行处理，得到最终的电压分布图。本发明对所有电压阈值点绑定统一调档读取，且只基于读数据，就可以快速获得电压分布情况，从而判断测试的物理块的状态是否异常。
一种基于读数电压分布分析方法

[发明专利]NAND读取命令的动态延迟-CN202110441080.4有效
发明人： D·A·帕尔默 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2019-10-29 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：本申请涉及NAND读取命令的动态延迟。在一些实例中公开通过在发布命令之前引入延迟来提高读取命令可以并行执行的几率从而增加读取处理量的方法、系统、存储器装置和机器可读媒体。在接收到读取命令后，如果在裸片的给定部分(例如，平面或平面群组)的命令队列中不存在其它读取命令，那么控制器可以使用定时器延迟发布所述读取命令达一延迟时段。如果在所述延迟时段期间接收到合格读取命令，那么使用多平面读取并行发布延迟命令和最新接收到的命令。如果在所述延迟时段期间没有接收到合格读取命令，那么在所述延迟时段到期之后发布所述读取命令。
nand 读取命令动态延迟

[发明专利]一种非易失存储器及操作方法-CN202110508760.3在审
发明人：陈汉松;陈重光 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2021-05-10 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：本公开提供一种非易失存储器及操作方法，具有多个区块的存储器与具有用于执行读取设置操作的逻辑的控制电路耦接，读取设置操作包括将读取设置偏压同时施加至多个区块中的被选择区块的多个存储单元。涵盖多个区块中的多个区块的逻辑可将读取设置操作施加至多个区块。多个区块中的多个区块可分别包括多个子区块。读取设置操作可涵盖区块中的多个子区块，以将读取设置偏压同时施加至被选择区块中的一或多个的单一子区块。区块状态表可用于识别多个过时区块，以进行读取设置操作。此外，多个区块可被涵盖以作为独立于定址多个区块的多个读取指令的一背景操作。
一种非易失存储器操作方法

[发明专利]存储装置及操作存储装置的方法-CN202110870252.X在审
发明人：罗充彦 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2021-07-30 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：本公开涉及一种电子装置。根据本技术，一种存储装置包括：存储器装置，被配置成包括用于存储数据的存储器单元和被构造成生成电压信息的电路，该电压信息指示用于对存储器单元执行操作的电压是否包括在预设电压范围内；以及存储器控制器，与存储器装置通信，并且被配置成向存储器装置传输请求指示操作的状态的状态响应的状态命令，并且基于从存储器装置提供并且包括电压信息的状态响应，控制存储器装置改变用于执行操作的电压。
存储装置操作方法

[发明专利]非易失性存储器件、包括其的存储装置以及其读取方法-CN202111203478.0在审
发明人：金珉奭;金炯坤 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-10-15 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：本申请提供了非易失性存储器件、包括其的存储装置以及其读取方法。所述非易失性存储器件从控制器接收读取命令和地址，并且响应于所述读取命令执行数据恢复读取操作。在所述数据恢复读取操作中，对多个干扰源组中的每一个干扰源组重复地执行从连接到与根据所述地址选择的字线相邻的字线的存储单元获得干扰源组信息的操作以及恢复与连接到根据所述地址选择的字线的存储单元中的所获得的干扰源组信息相对应的数据的操作。
非易失性存储器包括存储装置及其读取方法

[发明专利]存储装置的读取方法及非易失性存储器装置-CN202111085058.7在审
发明人：朴世桓;金真怜;徐荣德;朴一汉 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-09-16 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：公开了存储装置的读取方法及非易失性存储器装置。存储装置包括至少一个非易失性存储器装置和被配置为控制所述至少一个非易失性存储器装置的控制器。所述至少一个非易失性存储器装置通过根据命令锁存启用(CLE)信号和地址锁存启用(ALE)信号在写入启用(WE)信号的边沿锁存读取命令来执行片上谷搜索(OVS)操作。响应于特定命令，控制器从所述至少一个非易失性存储器装置接收根据OVS操作的检测信息。OVS操作包括使用读取电平的第一OVS操作和使用改变后的读取电平的第二OVS操作。
存储装置读取方法非易失性存储器

[发明专利]一种NOR闪存的读取电路-CN201910059450.0有效
发明人：汤小虎 -专利权人：上海汉容微电子有限公司
申请日： 2019-01-22 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：本申请公开了一种NOR闪存的读取电路，包括参考电压生成模块和比较输出模块；参考电压生成模块包括第一电流源、与第一电流源串联的第一电流转电压电路、与第一电流转电压电路的输出端连接的缓冲电路，缓冲电路的输出端作为参考电压生成模块的输出端，用于进行电路缓冲并根据第一电流转电压电路的输出电压生成参考电压；比较输出模块分别与NOR存储阵列和参考电压生成模块的输出端连接，用于获取NOR存储阵列的存储状态电压信号，并将存储状态电压信号与参考电压的比较结果信号作为读取结果信号进行输出。本申请利用设置有缓冲电路的参考电压生成模块输出参考电压，有效地提高了读取速度，并且结构简单，节省了芯片面积。
一种 nor 闪存读取电路

[发明专利]一种新型的全位线读出电路及其控制信号输出波形的方法-CN202210110268.5在审
发明人：孙蕊善;谢小英 -专利权人：至讯创新科技（无锡）有限公司
申请日： 2022-01-29 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型的全位线读出电路及控制信号输出波形的方法，其技术方案要点是：包括电源vdd，所述电源vdd的一端电性连接有MOS管MP0，所述MOS管MP0的一引脚上电性连接有MOS管MN1，所述MOS管MN1的一引脚的一侧电性连接有Ctdc电容，所述MOS管MN1的一引脚另一侧电性连接有MOS管MN2，所述MOS管MN2的一引脚上电性连接有Ctc电容；利用装置解决了现有技术在电源电压在编程与读取之间的变化、温度变化、电源抖动方面的问题，可以在几乎不增加面积的基础上有效提高全位线读出的精度。
一种新型全位线读出电路及其控制信号输出波形方法

[发明专利]存储器装置、存储装置以及操作存储器控制器的方法-CN202110774030.8在审
发明人：朴珥领;金贤燮;李东燮 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2021-07-08 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：本技术涉及一种电子装置。更特别地，本技术涉及存储器装置、存储装置以及操作存储器控制器的方法。根据实施例，一种存储器装置，响应于从存储器控制器提供的读取使能信号而输出读取数据，该存储器装置包括：多个存储器单元，被配置成存储数据；多个页面缓冲器，被配置成通过多个位线感测多个存储器单元中存储的数据；以及数据输出控制器，被配置成在输入读取使能信号时，根据从存储器控制器提供的页面缓冲器地址控制信号从多个页面缓冲器之中选择输出数据的目标页面缓冲器，并且根据读取使能信号控制所选择的目标页面缓冲器以输出所选择的目标页面缓冲器中存储的数据。
存储器装置存储以及操作控制器方法

[发明专利]闪存器的数据读取方法及装置、存储设备-CN202110351844.0有效
发明人：陈子龙;曹华敏;付祥;高帅;姜柯;向斌;安阳;王瑜;王颀 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2018-11-05 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种闪存器的数据读取方法及装置、存储设备。所述方法包括：在干扰抑制阶段，向闪存器选择的字线施加用于抑制读取干扰的第一电压；在读取阶段，向所述闪存器选择的字线施加用于读取数据的第二电压；所述在干扰抑制阶段，向闪存器选择的字线施加用于抑制读取干扰的第一电压，包括：在位于所述读取阶段之前的第一干扰抑制阶段，向所述闪存器选择的字线施加第一子电压；所述第一电压包括所述第一子电压；所述第一子电压高于所述第二电压。
闪存数据读取方法装置存储设备

[发明专利]非易失性存储器装置及其读取方法和控制器-CN202111082318.5在审
发明人：金真怜;朴世桓;徐荣德;朴一汉 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-09-15 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：公开了非易失性存储器装置及其读取方法和控制器。非易失性存储器装置包括多个存储器块和控制逻辑电路，控制逻辑电路被配置为响应于第一读取命令而对连接到所述多个存储器块之中的响应于地址而选择的存储器块的一条字线的存储器单元执行第一页片上谷搜索(OVS)操作。控制逻辑电路还被配置为使用第一页OVS操作的检测信息来改变至少一个状态的读取电平，并且响应于第二读取命令而使用改变的读取电平对存储器单元执行第二页读取操作。
非易失性存储器装置及其读取方法控制器