专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]数据读取方法、装置、设备及可读存储介质-CN202310254874.9在审
  • 任子木 - 腾讯科技(深圳)有限公司
  • 2023-03-09 - 2023-10-27 - G11C16/26
  • 本申请公开了一种数据读取方法、装置、设备及可读存储介质,属于计算机技术领域。方法包括:获取第一权重读请求和第一特征映射读请求;获取参考状态标识,参考状态标识表征参考延迟时间后脉动阵列中权重属性寄存器的状态;若参考状态标识满足第一条件,基于第一权重读请求将存储单元存储的权重属性数据读取至脉动阵列;若参考状态标识满足第二条件,基于第一特征映射读请求将存储单元存储的特征映射属性数据读取至脉动阵列,脉动阵列用于对权重属性数据和特征映射属性数据进行计算。相对于队列所需的寄存资源来说,参考状态标识所需的寄存资源更少。该方法可应用于芯片中,由于寄存资源越少芯片面积越小,因此能降低芯片面积。
  • 数据读取方法装置设备可读存储介质
  • [发明专利]半导体存储装置及其数据读出方法-CN201910015555.6有效
  • 犬塚雄贵;中里高明 - 铠侠股份有限公司
  • 2019-01-08 - 2023-10-27 - G11C16/26
  • 实施方式提供一种使存储容量增加的半导体存储装置及其数据读出方法。实施方式的半导体存储装置具备存储单元,该存储单元具有:第1电阻变化元件,能够在第1状态与电阻值比所述第1状态高的第2状态之间变化;及第2电阻变化元件,与所述第1电阻变化元件串联连接,能够在第3状态与电阻值比所述第3状态高的第4状态之间变化。所述存储单元在第1阈值电流及第1阈值电压下,发生第1急速折回,在大于所述第1阈值电流的第2阈值电流、及大于所述第1阈值电压的第2阈值电压下,发生第2急速折回。
  • 半导体存储装置及其数据读出方法
  • [发明专利]半导体存储装置-CN201910743609.0有效
  • 野吕宽洋;越智悠介;杉本贵宏;金川直晃 - 铠侠股份有限公司
  • 2019-08-13 - 2023-10-27 - G11C16/26
  • 实施方式提供一种能提高可靠性的半导体存储装置。根据实施方式,本发明的半导体存储装置具备:主数据总线(MDB),包含能在具有多个存储单元的存储单元阵列与串行/并行转换电路(12)之间分别并列传输数据信号的第1及第2数据线(200);第1及第2中继缓冲器电路(19),设置在第1数据线;及第3中继缓冲器电路(19),设置在第2数据线(200)。主数据总线包含第1配线部,该第1配线部是沿着第1方向而设置,第1及第2缓冲器相互分隔而设置在第1配线部中的第1数据线,第3缓冲器设置在第1配线部中的第2数据线,第1至第3缓冲器的沿着第1方向的位置互不相同。
  • 半导体存储装置
  • [发明专利]半导体存储装置-CN202210936472.2在审
  • 萩原洋介;白石圭 - 铠侠股份有限公司
  • 2022-08-05 - 2023-10-24 - G11C16/26
  • 本发明提供一种半导体存储装置,尽管构成为能够进行切换信号的占空比的修正,却仍能抑制大型化。半导体存储装置(2)具备:比较器(51),产生并输出与来自外部的读取赋能信号(RE)同步切换的信号(RE_in);及修正电路(60),调整信号(RE_in)的占空比。修正电路(60)具有与比较器(51)的第1输出部(513)连接的可变电流源(61)、及与比较器(51)的第2输出部(514)连接的可变电流源(62),通过调整从电流源(61、62)输出的电流的大小,来调整信号(/RE_c、RE_c)的占空比。
  • 半导体存储装置
  • [发明专利]嵌入式快闪存储单元数据读取电路-CN202010210569.6有效
  • 黄明永;肖军 - 上海华虹宏力半导体制造有限公司
  • 2020-03-24 - 2023-10-20 - G11C16/26
  • 本申请涉及存储器技术领域,具体涉及一种嵌入式快闪存储单元数据读取电路。包括:开关电路、电流钳位电路、电流镜像电路、参考电流源、预充电电路和比较电路;开关电路包括传输门,传输门的一传输端通过位线连接嵌入式快闪存储单元的漏极,传输门的另一端连接电流钳位电路的检测端;传输门在第一控制端接收到第一开关控制电压,和/或第二控制端接收到第二开关控制电压时导通;电流钳位电路的响应端连接数据节点;电流镜像电路连接参考电流源和数据节点;预充电电路的输出端连接数据节点;比较电路的一输入端连接数据节点,另一输入端连接参考电压。本申请通过其电路结构能够解决相关技术中因开关控制电压过小而使得开关电路无法正常连通的问题。
  • 嵌入式闪存单元数据读取电路
  • [发明专利]非易失性存储器装置及其读出方法-CN201811019623.8有效
  • 刘忠昊;边大锡;方真培;李仟颜 - 三星电子株式会社
  • 2018-09-03 - 2023-10-20 - G11C16/26
  • 一种非易失性存储器装置包括多电平单元。所述非易失性存储器装置的读出方法包括:在第一预充电间隔期间,对位线和感测输出节点进行预充电;通过在第一发展时间期间使所述感测输出节点发展并读出所述感测输出节点的第一电压电平来识别所选择的存储器单元的第一状态;将所述感测输出节点预充电至第二感测输出预充电电压;以及通过在不同于所述第一发展时间的第二发展时间期间使所述感测输出节点发展并读出所述感测输出节点的第二电压电平,从与所述第一状态相邻的第二状态识别所选择的存储器单元的所述第一状态。
  • 非易失性存储器装置及其读出方法
  • [发明专利]读控制电路-CN202310695146.1在审
  • 杨光军 - 上海华虹宏力半导体制造有限公司
  • 2023-06-13 - 2023-10-13 - G11C16/26
  • 本发明公开了一种读控制电路包括:灵敏放大器,多个锁存器,数据判断器。灵敏放大器的输出端同时连接到各锁存器的输入端。各锁存器的控制端分别连接一个全局时钟信号。各锁存器的输出端分别连接到数据判断器的一个输入端。在读取阶段中:灵敏放大器的输出端输出读取放大电压。各锁存器在所连接的全局时钟信号有效时进入取样输出阶段且在取样输出阶段形成一位由读取放大电压确定的第一读取数字信号。各锁存器的取样输出阶段依次错开。数据判断器对各第一读取数字信号进行逻辑运算得到第二读取数字信号,逻辑运算实现第二读取数字信号取各第一读取数字信号中出现次数多的值。本发明是能防止出现读错误,提高读数据的稳定性。
  • 控制电路
  • [发明专利]读定时电路-CN202310696819.5在审
  • 杨光军 - 上海华虹宏力半导体制造有限公司
  • 2023-06-13 - 2023-10-13 - G11C16/26
  • 本发明公开了一种读定时电路包括:反相延时单元和反相器。反相延时单元的输入端连接输入信号,输出端为中间节点并输出中间信号。反相器的输入端连接中间节点,输出端输出第一输出信号。反相延时单元包括第一上拉路径、第一下拉路径和第一电容。第一电容连接在中间节点和地之间。第一下拉路径中设置有第一下拉电阻。中间节点通过第一下拉电阻和第一电容形成的第一RC电路放电。反相器电源端连接电源电压。在电源电压和中间节点之间连接有第二电容;在电源电压具有噪声波动时,第二电容保持电源电压和中间信号之间的电压差不变,以消除第一输出信号中的毛刺。本发明是能在翻转点附近消除由电源噪声而产生的输出信号毛刺,提高电路的稳定性。
  • 定时电路
  • [发明专利]nor flash的读取方法、装置、存储芯片及设备-CN202310766806.0有效
  • 韩志永;王晨辉 - 芯天下技术股份有限公司;上海芯存天下电子科技有限公司
  • 2023-06-27 - 2023-10-13 - G11C16/26
  • 本发明涉及存储芯片技术领域,具体公开了一种nor flash的读取方法、装置、存储芯片及设备,其中,读取方法包括步骤:在接收到指令信息中第一位代码且该代码与读取指令对应时,打开预读取使能以将待操作区域的存储数据输出到数据总线上;在接收到完整的指令信息后,若指令信息为读取指令,输出数据总线上的存储数据;若指令信息为非读取指令,关闭预读取使能并清除数据总线上的存储数据;该读取方法在出现疑似为读取指令的指令信息时,基于预读取使能提前将待操作区域的存储数据输出到数据总线上,使得指令信息确定为读取指令时,便能直接输出数据总线上的数据以完成该数据读取操作,有效提高了nor flash的读取效率。
  • norflash读取方法装置存储芯片设备
  • [发明专利]非易失性存储器件的读取电路和方法-CN201811180366.6有效
  • C·鲍里诺;A·康特;A·R·M·里帕尼 - 意法半导体股份有限公司
  • 2018-10-10 - 2023-10-13 - G11C16/26
  • 本公开的实施例涉及非易失性存储器件的读取电路和方法。感测放大器电路可以与具有存储器阵列的非易失性存储器器件一起使用,该存储器阵列具有布置在字线和位线中并且耦合到相应源极线的存储器单元。该电路具有第一电路分支和第二电路分支,其在对存储在存储器单元中的数据的读取步骤期间在相应的第一比较输入和第二比较输入上接收来自与存储器单元相关联的位线的单元电流和参考电流,所述参考电流在差分读取操作中来自参考位线或者在单端读取操作中来自参考电流发生器。在数据读取步骤期间,第一和第二电路分支根据单元电流和参考电流之间的差值产生第一输出电压和第二输出电压。
  • 非易失性存储器读取电路方法
  • [发明专利]存储器系统和确定半导体存储器的最佳读取电压的方法-CN202211209818.5在审
  • 中川贵史 - 铠侠股份有限公司
  • 2022-09-30 - 2023-09-26 - G11C16/26
  • 本公开涉及存储器系统和确定半导体存储器的最佳读取电压的方法。实施例提供了具有改善的可靠性的存储器系统和确定半导体存储器的最佳读取电压的方法。一种存储器系统包括第一和第二存储器基元以及控制器,该控制器被配置为将具有第一值的数据写入第一存储器基元中并且将具有第二值的数据写入第二存储器基元中,通过执行跟踪过程确定第一电压,以及使用第一电压从存储器基元读取数据。在跟踪过程中,控制器执行多次读取操作以确定存储器基元的第一分布,基于第一分布估计第一存储器基元的第二分布,基于第一分布和第二分布之间的差异计算第二存储器基元的第三分布,并基于第二分布和第三分布将第三电压内的电压确定为第一电压。
  • 存储器系统确定半导体最佳读取电压方法
  • [发明专利]半导体存储装置-CN202210704968.7在审
  • 林真太郎;阿部光弘;金川直晃 - 铠侠股份有限公司
  • 2022-06-21 - 2023-09-22 - G11C16/26
  • 本发明的实施方式提供一种能稳定地输出读出数据的半导体存储装置。本发明的半导体存储装置(2)的定序器(41)将与存储器控制器(1)所请求的数据不同的非正规数据作为与最初以指定次数接收到的各读出信号对应的数据,使其从第2保存部(520)向输出部发送,将存储器控制器(1)所请求的数据即正规数据作为与后来所接收到的读出信号对应的数据,使其从第2保存部(520)向所述输出部发送。定序器(41)通过根据所述指定次数预先调整读指针(Rptr),而使非正规数据从第2保存部(520)发送,所述读指针(Rptr)指示第2保存部(520)内保存的多个数据中接下来要向输出部发送的数据的保存位置。
  • 半导体存储装置

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