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[发明专利]突触存储器-CN201980009438.7有效
发明人：安田岳雄;细川浩二 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2019-01-10 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：一种突触存储器包括被配置成存储权重值的存储器件。所述存储器件包含读取端子、写入端子及公共端子，所述读取端子被配置以接收读信号，所述写入端子被配置以接收写信号，且所述公共端子被配置以输出来自所述存储器件的输出信号。所述突触存储器还包括设置在所述存储器件的所述写入端子和被配置为发送所述写信号的写信号线之间的写晶体管。所述突触存储器还包括设置在所述存储器件的所述公共端子与所述树突线的其中一个之间的公共晶体管。
突触存储器

[发明专利]SSD读延迟优化方法、装置、计算机设备及存储介质-CN202211689422.5在审
发明人：王猛;徐伟华;李建;韩道静 -专利权人：苏州忆联信息系统有限公司
申请日： 2022-12-27 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：本发明涉及SSD读延迟优化方法、装置、计算机设备及存储介质，该方法，包括：将最佳读电压表及最近扫描时间戳表初始化，写入到NAND中；加载对应的最佳读电压表及最近扫描时间戳表到内存中；判断SSD是否满足后台电压扫描条件；对物理块进行数据扫描，将能正确读回数据且错误bit数据最少的电压值写入到最佳读电压表中,同时更新最近扫描时间戳表；获取主机下发的命令；判断该命令是否为读命令；查找最佳读电压；进行NAND读取，并返回正确数据至主机。本发明在SSD内部后台对数据进行扫描，使用各个读参考电压进行读取并统计错误bit数量，将最佳的读参考电压记录到最佳读参考电压表中，提升了性能，保障了命令的响应延迟。
ssd 延迟优化方法装置计算机设备存储介质

[发明专利]非易失性存储器及其数据读取方法、计算机系统-CN202211503529.6在审
发明人：王潇潇 -专利权人：东芯半导体股份有限公司
申请日： 2022-11-28 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：本公开提供了非易失性存储器及其数据读取方法、计算机系统。其中用于非易失性存储器的数据读取方法包括：仅基于第一操作信号中的第一命令子序列，将非易失性存储器配置成连续读模式，其中连续读模式用于允许非易失性存储器连续执行多个数据读取周期。该方法还包括在非易失性存储器被配置成连续读模式之后，执行一个或多个数据读取周期，直到接收到第二命令子序列，其中第二命令子序列不同于所述第一命令子序列。本公开提供的数据读取方法提高NOR闪存的读取操作效率。
非易失性存储器及其数据读取方法计算机系统

[发明专利]确定分布类型的存储控制器及其操作方法以及操作包括所述存储控制器的存储设备的方法-CN202210776544.1在审
发明人：姜宇现;徐荣德;金炫我;吴玄教;林东厚 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-06-30 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：公开了一种操作与非易失性存储器件通信的存储控制器的方法。所述方法包括：向非易失性存储器件输出第一命令，该第一命令包括对非易失性存储器件的存储区域的片上谷搜索(OVS)计数数据的请求，其中，OVS计数数据包括具有第一读取电压的第一计数值和第二计数值以及具有第二读取电压的第三计数值和第四计数值；从非易失性存储器件接收OVS计数数据；基于OVS计数数据从多个分布类型中确定存储区域的分布类型以作为预测分布类型；以及基于预测分布类型来确定后续操作。
确定分布类型存储控制器及其操作方法以及操作包括设备方法

[发明专利]存储器控制方法、存储器存储装置及存储器控制电路单元-CN202010759677.9有效
发明人：曾士家;杨宇翔;陈思玮;林纬 -专利权人：群联电子股份有限公司
申请日： 2020-07-31 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：本发明提供一种存储器控制方法、存储器存储装置及存储器控制电路单元。所述方法包括：根据解码历史信息决定重试门槛值，其中所述解码历史信息包括与过去执行过的至少一第一解码操作有关的信息；以及在基于第一解码模式所执行的至少一第二解码操作失败后，根据所述重试门槛值决定是否进入第二解码模式，其中所述第二解码模式的解码能力高于所述第一解码模式的解码能力。藉此，可更佳的在数据的解码速度与解码成功率之间取得平衡。
存储器控制方法存储装置控制电路单元

[发明专利]存储器设备和操作存储器设备的方法-CN202210397484.2在审
发明人：郑栋在;裴成原 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2022-04-15 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及存储器设备和操作存储器设备的方法。本技术涉及电子设备。根据本技术，存储器设备可以包括存储器单元、外围电路以及读取操作控制器，存储器单元被分别连接到多个字线；外围电路被配置为执行读取在存储器单元之中的与被选择的字线连接的被选择的存储器单元中存储的数据的读取操作；读取操作控制器被配置为控制外围电路以：在读取操作期间，将通过电压施加到与被选择的字线相邻的相邻字线；在经过预定时间之后，将通过电压放电至小于通过电压的目标通过电压；以及在施加到相邻字线的电压被放电至目标通过电压之后，在经过目标读取时间之后，通过与被选择的存储器单元连接的位线来获得在被选择的存储器单元中存储的数据。
存储器设备操作方法

[发明专利]一种扫描TLC NANDFlash最优读参数的方法-CN202010987450.X有效
发明人：刘凯;曹成;王璞 -专利权人：山东华芯半导体有限公司
申请日： 2020-09-18 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：本发明公开一种扫描TLC NANDFlash最优读参数的方法，使用阈值梯度下降方法对NAND Flash进行扫描，执行扫描时不需要了解Block内存储的数据内容，并且不受NAND Flash的磨损状况限制，根据用户输入的阈值快速准确的找到NAND Flash的最优读参数，扫描过程不需要用户参与，扫描的基准数据长度可以灵活配置。本方法在NAND Flash shift read基础上通过对NAND Flash错误数的扫描获取当前状态下NAND Flash的最优读取参数，从而进一步提升NAND Flash保存数据的稳定性。
一种扫描 tlc nandflash 最优参数方法

[发明专利]一种NAND Flash单元数据的读取方法和装置-CN201910684774.3有效
发明人：邸士伟 -专利权人：西安格易安创集成电路有限公司;兆易创新科技集团股份有限公司
申请日： 2019-07-26 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种NAND Flash单元数据的读取方法，其特征在于，包括：检测NAND Flash存储单元的当前温度；根据所述当前温度，调整所述NAND Flash存储单元的源极电压，得到调整后的源极电压；在保持所述调整后的源极电压不变的情况下，检测所述NAND Flash存储单元的当前漏极特征值；根据所述当前漏极特征值和参考漏极特征值，确定漏极特征值变化量；根据所述漏极特征值变化量，读取所述NAND Flash存储单元的存储数据。本发明能够根据温度调节存储单元的源极电压，对随温度变化的阈值电压所造成的读取误差进行补偿，提高NAND Flash读取操作的准确性。
一种 nand flash 单元数据读取方法装置

[发明专利]用于控制非易失性存储器中的读电流的装置和过程-CN201810792305.9有效
发明人： F·塔耶特 -专利权人：意法半导体(鲁塞)公司
申请日： 2018-07-18 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：本公开涉及用于控制非易失性存储器中的感测电流的装置和过程。在一个实施例中，提供了一种用于控制由电源电压供电的非易失性存储器中的读电流的水平的方法。基于电源电压的值来确定模型电流，模型电流表示能够在读出期间流过存储器的读取路径的实际电流。模型电流与具有参考值的参考电流进行比较。生成控制信号。控制信号用于控制读电流的生成，读电流具有等于模型电流的值的分数与参考值之间的最低值的水平。
用于控制非易失性存储器中的电流装置过程

[发明专利]压缩存储器装置中使用的深度神经网络-CN202210221777.5在审
发明人：赛汉·卡拉库拉克;王浩博;哈曼·巴蒂亚;张帆 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2022-03-09 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：描述了用于提高存储器装置的性能的装置、系统和方法。示例方法包括：接收与对存储器装置的页面的多个先前读取操作相关联的一个或多个参数，其中先前读取操作基于多个读取电压；使用一个或多个参数作为包括多个层的深度神经网络的输入来确定更新的多个读取电压，其中多个层中的每一层都是全连接层；并且将更新的多个读取电压施加到存储器装置，以从存储器装置检索信息，其中深度神经网络使用已经使用(a)剪枝操作、(b)非均匀量化操作或(c)霍夫曼编码操作中的至少一个进行了处理的多个权重。
压缩存储器装置使用深度神经网络

[发明专利]非易失性存储器的多平面切换-CN202210960840.7在审
发明人： R·G·菲舍尔;C·M·斯坦梅茨 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-08-11 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：本公开涉及非易失性存储器的多平面切换。一种方法包含将数据传送出耦合到存储器组件的多个平面中的第一平面的第一缓冲器，其中所述数据在先前响应于感测存储于所述存储器组件的所述多个平面中的数据的存取请求从所述第一平面传送到所述第一缓冲器。所述方法进一步包含在将所述数据传送出所述第一缓冲器之后且独立于来自处理装置的命令，将数据传送出耦合到所述存储器组件的所述多个平面中的第二平面的第二缓冲器，其中传送出所述第二缓冲器的所述数据在先前响应于所述存取请求而从所述第二平面传送到所述第二缓冲器。
非易失性存储器平面切换

[发明专利]用于存储器装置的预读取扫描的系统和方法-CN202210898101.X在审
发明人： K·萨尔帕特瓦里;F·佩里兹;N·N·加杰拉;李延纯;F·贝代斯基 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-07-28 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：本申请针对用于存储器装置的预读取扫描的系统和方法。方法和系统包含具有包括多个存储器单元的存储器阵列的存储器装置。所述存储器装置包含控制电路，其以操作方式耦合到所述存储器阵列且被配置成接收针对数据的读取请求，并基于所述读取请求将多个读取电压施加到所述存储器阵列。所述控制电路进一步被配置成执行基于所述多个读取电压的所述施加读取的第一数据集的数据分析，且基于所述数据分析导出分界偏置电压VDM。所述控制电路还被配置成将所述VDM施加到所述存储器阵列以读取第二数据集合。
用于存储器装置读取扫描系统方法

[发明专利]数据读取方法、存储器以及设备-CN202211426254.0在审
发明人：丁浩;朱峰;欧兆熊 -专利权人：阿里巴巴（中国）有限公司
申请日： 2022-11-14 - 公布日： 2023-02-24 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：本申请提供一种数据读取方法、存储器以及设备。该方法包括：根据对存储区间的M次数据读取分别采用的读取电压，确定第一读取电压，该存储区间包括至少一个存储单元，对存储区间的前i‑1次数据读取包括该M次数据读取，M小于i，M和i均为正整数，并根据第一读取电压，对存储区间进行第i次数据读取。避免在每次数据读取时总是采用固定的读取电压，导致数据读取失败，提高了数据读取的准确性。
数据读取方法存储器以及设备

[发明专利]在存储器装置中的读取操作期间的电荷损失补偿-CN202210986595.7在审
发明人： V·V·卡尔鲁;M·皮卡尔迪;金泰贤;T·T·皮耶克尼 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-08-17 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：本公开涉及在存储器装置中的读取操作期间的电荷损失补偿。存储器装置中的控制逻辑在所述存储器装置的存储器阵列上发起读取操作并且执行校准操作以检测所述存储器阵列中的串电阻的改变。所述控制逻辑确定所述串电阻的改变是否可归因于所述存储器阵列中的电荷损失，并且响应于确定所述串电阻的改变可归因于所述存储器阵列中的电荷损失，使用经校准读取电压电平执行所述读取操作以从所述存储器阵列读取数据。
存储器装置中的读取操作期间电荷损失补偿

[发明专利]用于执行读取操作的存储器装置及其操作方法-CN202210258069.9在审
发明人：金宗佑;辛泳哲 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2022-03-16 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：本申请涉及用于执行读取操作的存储器装置及其操作方法。本技术涉及电子装置。根据本技术的存储器装置包括：多个存储器单元，其连接至字线；操作控制器，其被配置为向字线施加第一读取电压或第二读取电压，并且通过分别连接至多个存储器单元的位线获得多个存储器单元中存储的数据；以及读取电压控制器，其被配置为响应于读取命令，控制操作控制器以通过使用第二读取电压来读取多个存储器单元中存储的数据，以及根据基于通过使用第二读取电压而读取的数据计数的截止单元的数量，通过使用第一读取电压来读取多个存储器单元中存储的数据。
用于执行读取操作存储器装置及其操作方法