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[发明专利]一种数据读取的方法及数据读取设备-CN202111676436.9在审
发明人：田充足;王伙荣 -专利权人：西安钛铂锶电子科技有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：本申请适用于显示技术领域，本申请实施例提供了一种数据读取的方法及数据读取设备，该方法通过待读取图像数据在存储器中的地址进行分类，然后读取同一类的存储位置信息对应的图像数据，而由于在存储器读取同一类图像数据时一般效率较高，因此本申请实施例能够提高图像数据的读取效率，满足日益增长的LED显示屏的需求。
一种数据读取方法设备

[发明专利]闪存阵列及闪存芯片-CN202310341349.0在审
发明人：王春明;伍峰 -专利权人：北京知存科技有限公司
申请日： 2023-03-31 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种闪存阵列及闪存芯片。闪存阵列包括：阵列排布的存算单元；存算单元分为多组；多条擦除栅线，每条擦除栅线连接至少一组存算单元的擦除栅极；多条控制栅线，每条控制栅线连接一组存算单元的控制栅极；控制栅线用于对选中的存算单元进行读取操作时，向选中的存算单元提供第一电压；多个控制信号线，擦除栅线与至少一条控制信号线连接，控制信号线用于在对选中的存算单元进行读取操作时，向选中的存算单元对应的擦除栅线提供第二电压；第二电压大于0，且小于或等于第一电压。本发明实施例在对存算单元进行读取操作时，存算单元的控制栅极接收的第一电压可以设置较小，避免需要的第一电压过大而造成存算单元设计难度增大的问题。
闪存阵列芯片

[发明专利]对存储器装置中的多个块的并发扫描操作-CN202211698149.2在审
发明人： K·K·姆奇尔拉;J·A·拉克绍;J·S·麦克尼尔;V·莫斯基亚诺;P·Z·亥特;S·齐德日茨;E·N·李 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-12-28 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：本申请案涉及对存储器装置中的多个块的并发扫描操作。存储器装置中的控制逻辑在扫描操作期间选择多个块中的两个或更多个块以并发地进行扫描。所述控制逻辑可进一步致使将第一电压施加到所述两个或更多个块中的每一块的虚设字线以将所述两个或更多个块中的每一块中的存储器单元串选择性地耦合到与所述多个块耦合的感测放大器集合的不同感测放大器。所述控制逻辑可致使将第二电压施加到所述两个或更多个块中的每一块的选定字线以将存储于每一块中的所述存储器单元串的相应存储器单元处的位读出到所述感测放大器集合。
存储器装置中的多个块并发扫描操作

[发明专利]半导体存储装置-CN201810886816.7有效
发明人：野吕宽洋;藤田哲也;丸山圭司 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2018-08-06 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：本发明的实施方式提供一种能够提高可靠性的半导体存储装置。根据实施方式，半导体存储装置包含存储器单元阵列30、第1时钟信号线C1L、从一端朝向另一端依序连接着第1缓冲电路及第2缓冲电路35的第2时钟信号线P0C1L、连接在第2时钟信号线P0C1L的一端的第1三态缓冲器200、及连接在第2时钟信号线P0C1L的另一端的第2三态缓冲器201。写入动作时，对于第1及第2缓冲电路35，经由第1三态缓冲器200输入时钟信号CLK1，读出动作时，对于第1及第2缓冲电路35，经由第2三态缓冲器201输入时钟信号CLK1。
半导体存储装置

[发明专利]读取期间虚设字线电压的早期斜降以抑制选择栅极晶体管降档-CN201880062114.5有效
发明人： C-H·陆;V·狄普 -专利权人：闪迪技术有限公司
申请日： 2018-09-24 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：本发明提供了用于降低存储器设备中的选择栅极晶体管的阈值电压的降档的技术。由于NAND串中的电场，空穴可在电荷俘获层中从虚设存储器单元向选择栅极晶体管移动并且与所述晶体管中的电子结合，从而降低所述阈值电压。在一种方法中，通过在斜降所述选择栅极晶体管的电压之前斜降所述虚设存储器单元的电压来在感测操作结束时降低所述电场。选定存储器单元的电压的斜降可在斜降所述虚设存储器单元的所述电压之后并且在斜降所述选择栅极晶体管的所述电压之前发生。另一个选项涉及在所述选择栅极晶体管的所述电压斜降之前升高所述选择栅极晶体管的所述电压。
读取期间虚设电压早期抑制选择栅极晶体管

[发明专利]基于读取状态刷新相邻存储器胞元-CN202211649917.5在审
发明人：张立德;郎慕蓉;周振明 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-12-21 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：本公开涉及基于读取状态刷新相邻存储器胞元。本发明提供与存储器装置有关的系统、方法和设备。在一种方法中，交叉点存储器阵列包含存储器胞元。媒体控制器读取一或多个第一存储器胞元，且确定读取状态。所述读取状态指示读取所述第一存储器胞元时的错误。响应于此错误，所述控制器刷新所述第一存储器胞元。所述控制器使用所述读取状态来确定与所述第一存储器胞元相关联的零到一故障。如果这些故障的数目超出阈值，那么将刷新应用于所述第一存储器胞元的相邻存储器胞元。所述相邻存储器胞元的物理地址是由所述控制器依据所述第一存储器胞元的物理地址确定。
基于读取状态刷新相邻存储器

[发明专利]存储装置-CN202210735192.5在审
发明人：本间充祥;柴田昇 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2022-06-27 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：实施方式提供一种能效率较佳地执行读出动作的存储装置。实施方式的存储装置包含多个存储单元、字线及控制器。多个存储单元分别根据阈值电压，存储包含第1至第5位数据的5位数据。多个存储单元存储分别包含第1至第5位数据的第1至第5页。字线连接于多个存储单元。控制器执行通过对字线施加读出电压而从多个存储单元读出数据的读出动作。控制器在第1至第5页各页的读出动作中对字线施加互不相同的读出电压的次数分别为7次、6次、6次、6次及6次。
存储装置

[发明专利]一种数据读取电路及数据读取电路的控制方法-CN202080104836.X在审
发明人：张子玥;潘越;布明恩 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2020-10-26 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：一种数据读取电路及数据读取电路的控制方法，涉及电路技术领域，改善了现有技术中存储器的调整电路占板面积较大造成浪费，且读取速度较慢的问题。具体方案为：数据读取电路包括灵敏放大器、第一开关、第二开关、电流调节电路、数据单元和参考单元；其中，灵敏放大器的第一输入端与第一开关的第一端以及数据单元耦合连接，灵敏放大器的第二输入端与第二开关的第一端以及参考单元耦合连接，第一开关的第二端通过电流调节电路与第二开关的第二端耦合连接；电流调节电路用于调整灵敏放大器的第一输入端的电流，或者，调整灵敏放大器的第二输入端的电流。
一种数据读取电路控制方法

[发明专利]包括可作为剂量计操作的单元部分的数据存储装置及操作数据存储装置的方法-CN202180069442.X在审
发明人：托马索·温琴齐;格雷戈·沙特茨贝格尔 -专利权人： AMS国际有限公司
申请日： 2021-10-13 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：一种数据存储装置包括集成电路，所述集成电路还包括控制单元(100)和基于电荷的存储器单元的存储器阵列(400)。所述存储器阵列(400)包括可作为存储器操作的第一子部分(410)，并包括可作为剂量计操作的第二子部分(420)。所述控制单元(100)可操作以提供参考电流(Iref)并且参考所述参考电流(Iref)执行存储器访问操作以访问存储器。所述控制单元(100)还可操作以在所述第二子部分(420)中通过利用存储器访问操作来分析读取电流(Iread)的统计分布。所述分析涉及对所述存储器访问操作的逻辑读取错误进行计数以及根据计数的逻辑读取错误的数量校准所述参考电流(Iref)，该计数的逻辑读取错误的数量还指示总电离剂量TID。
包括作为剂量计操作单元部分数据存储装置方法

[发明专利]存储控制器及闪存芯片-CN202111563617.0在审
发明人：胡俊刚;卢中舟;宋思宪 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2021-12-20 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种存储控制器及闪存芯片，该存储控制器包括加速模块和控制器，控制器与加速模块电性连接；加速模块包括读操作硬件加速器、写操作硬件加速器以及擦除操作硬件加速器，读操作硬件加速器与控制器电性连接，读操作硬件加速器包括读操作硬件逻辑电路，用于加速执行读操作过程；写操作硬件加速器与控制器电性连接，写操作硬件加速器包括写操作硬件逻辑电路，用于加速执行写操作过程；擦除操作硬件加速器与控制器电性连接，擦除操作硬件加速器包括擦除操作硬件逻辑电路，用于加速执行擦除操作过程，通过控制器基于硬件逻辑电路构成而成的加速模块可以加速执行控制器中的各指令，进而提高了各种操作的执行速度/效率。
存储控制器闪存芯片

[发明专利]存储器装置-CN201810729273.8有效
发明人：严大成 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2018-07-05 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：一种存储器装置可包括第一半存储器块、第二半存储器块、行解码器组以及可设置在第一半存储器块和第二半存储器块之间的读/写电路。该读/写电路可通过第一位线和第二位线联接到第一半存储器块和第二半存储器块。该行解码器组可被配置为响应于单块选择信号而同时选择第一半存储器块和第二半存储器块。
存储器装置

[发明专利]数据锁存电路和半导体存储器件-CN202211626052.0在审
发明人：佐贯朋也;小原弘治;中塚圭祐 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2022-12-15 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：实施方式提供了一种能够小型化的数据锁存电路和半导体存储器件。总体上，根据一个实施方式，数据锁存电路包括第一导电型的第一晶体管和第一导电型的第二晶体管、以及第二导电型的第三晶体管和第二导电型的第四晶体管。对第三晶体管和第四晶体管进行控制，以执行第一控制动作以将数据存储在数据锁存电路中，并执行第二控制动作以读取所存储的数据。
数据电路半导体存储器件

[发明专利]闪存最优读电压的预测方法及装置-CN202310045063.8在审
发明人：王振中 -专利权人：合肥大唐存储科技有限公司
申请日： 2023-01-30 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：本申请公开了一种闪存最优读电压的预测方法及装置，该预测方法包括按照第一预设规则将目标闪存的当前存储单元电压曲线划分为第一数量的第一电压区间，其中，所述第一电压区间为所述目标闪存当前最优读电压所在的电压区间；按照第二预设规则将每个第一电压区间划分为第二数量的第二电压区间；将划分后的各电压区间的电压分布与预设样本数据的对应各电压区间的电压分布进行匹配；将匹配的预设样本数据的第二电压区间对应的读电压作为预测最优读电压；其中，所述预设样本数据的电压区间划分方式与所述目标闪存的电压区间划分方式一致。
闪存最优电压预测方法装置

[发明专利]存储器控制器及其操作方法-CN201811132695.3有效
发明人：金永东 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2018-09-27 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：本发明提供一种存储器控制器及其操作方法。存储器控制器可以包括：读取失败控制电路，被配置为当读取操作失败时执行确定待用于读取选择的存储器单元的最佳读取电压的辅助读取操作，并且基于通过读取操作和辅助读取操作获得的读取相关信息确定选择的存储器单元的阈值电压分布是否是异常分布；以及错误校正码(ECC)引擎，被配置为基于选择的存储器单元的阈值电压分布是否是异常分布，对通过使用最佳读取电压读取选择的存储器单元而获得的硬判决数据执行ECC解码操作。
存储器控制器及其操作方法

[发明专利]存储器装置及其操作方法-CN202210905427.0在审
发明人：金壮燮;尹相皓 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2022-07-29 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：一种存储装置，包括：存储器装置，包括多个存储器单元，存储器装置执行读取多个存储器单元之中的所选择的存储器单元中存储的数据的读取操作；以及存储器控制器，用于从主机接收读取请求，并且控制存储器装置执行与读取请求相对应的读取操作。存储器控制器包括读取电压推断器，读取电压推断器在读取操作完成时从存储器装置接收关于读取操作的读取信息，基于读取信息执行评估读取操作的读取质量评估操作，并且根据执行读取质量评估操作的结果执行推断与读取信息相对应的次优读取电平的读取电压推断操作。
存储器装置及其操作方法