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[发明专利]随机值产生器-CN202210374109.6在审
发明人：鹿中原;王虹美;R·J·格莱克斯纳 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-04-11 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：本公开涉及随机值产生器。本公开包含与产生随机数据值相关的系统、设备及方法。例如，可对编程为第一状态的存储器单元执行第一读取操作，其中所述第一读取操作是使用在对应于所述第一状态的预定阈值电压分布内的第一读取电压来执行。可响应于所述第一读取操作导致骤回事件而将编程信号施加到所述存储器单元，其中所述编程信号经配置以将所述存储器单元置于第二状态。可使用在对应于所述第一状态的所述预定阈值电压分布与对应于所述第二状态的第二阈值电压分布之间的第二读取电压来执行第二读取操作以确定所述存储器单元是处于所述第一状态还是所述第二状态。
随机产生器

[发明专利]存储器系统及操作存储器系统的方法-CN202210052292.8在审
发明人：裵柱雄 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2022-01-18 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：本公开涉及一种存储器控制器，该存储器控制器可以控制包括多个存储块的存储器装置，每个存储块包括多个页面。该存储器控制器可以包括：扫描电压控制器，被配置为控制存储器装置以向多个页面中的任意一个页面施加多个扫描电压；计数器，被配置为基于通过利用多个扫描电压读取任意一个页面而获得的感测数据，获得任意一个页面中包括的多个存储器单元之中、具有由多个扫描电压限定的至少一个电压范围中包括的阈值电压的存储器单元的数量；以及数据管理器，被配置为基于存储器单元的数量，控制存储器装置以将包括该任意一个页面的存储块中存储的数据存储在另一存储块中。
存储器系统操作方法

[发明专利]半导体存储器装置及操作半导体存储器装置的方法-CN202111676695.1在审
发明人：蔡洙悦 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：本申请涉及半导体存储器装置及操作半导体存储器装置的方法。本技术提供了一种操作半导体存储器装置的方法，该方法检测从多个存储器单元当中选择的页中包括的存储器单元的阈值电压分布。该操作半导体存储器装置的方法包括：选择阈值电压分布要被检测的目标状态；确定用于划分所选择的目标状态的阈值电压所分布于的电压范围的多个读取电压；以及对被选页执行使用多个读取电压的多个感测操作。在多个感测操作中的每一个中应用对目标状态的掩蔽。
半导体存储器装置操作方法

[发明专利]一种控制读操作的方法和装置-CN201910399692.4有效
发明人：张晓伟 -专利权人：兆易创新科技集团股份有限公司;西安格易安创集成电路有限公司
申请日： 2019-05-14 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：本发明提供了一种控制读操作的方法和装置。所述方法包括：接收读操作指令，确定所需执行读操作的存储单元的地址所属的字线为目标字线，并判断目标字线是否属于边缘字线，若目标字线属于边缘字线，则通过边缘字线电荷泵调整针对目标字线的读验证电压，根据调整后的读验证电压，对目标字线所在的边缘字线，执行读操作指令对应的读操作。本发明的方案判断所需读取数据的存储单元所属的字线是否为边缘字线，若是为边缘字线则调整给边缘字线提供读验证电压的电荷泵的供电电压，实现正确读取边缘字线上存储单元的内容，提高了Nand flash存储器字线读操作的可靠性。
一种控制操作方法装置

[发明专利]存储设备和操作存储设备的方法-CN201810472963.X有效
发明人：车相守;沈荣燮;金大原 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-05-17 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：一种操作存储设备的方法，包括：通过使用默认读取电压电平来对非易失性存储器执行后台读取操作；当后台读取操作失败时通过使用校正后的读取电压电平对非易失性存储器执行读取重试操作；当读取重试操作成功时将校正后的读取电压电平存储在历史缓冲器中；以及响应于从主机所接收到的读取请求通过使用历史缓冲器来对非易失性存储器执行主机读取操作。
存储设备操作方法

[发明专利]操作非易失性存储器设备的方法-CN201710111215.4有效
发明人：尹铉竣 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-02-28 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：本申请公开了操作非易失性存储器设备的方法，该方法包括：使用第一感测电压执行第一感测操作；根据由于第一感测操作而存储在页缓冲器的第一锁存器单元中的第一数据，对多个位线当中的一些位线预充电；复位第一锁存器单元；以及使用第二感测电压执行第二感测操作。
操作非易失性存储器设备方法

[发明专利]用于闪存存储器的多遍编程的预读取技术-CN202210774226.1在审
发明人：杨昕 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2018-12-10 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：一种闪存存储器件包括：闪存存储器阵列；以及控制逻辑单元。所述控制逻辑单元耦合到所述闪存存储器阵列。所述控制逻辑单元被布置为：在第一编程遍中根据至少一个第一页的数据对所述闪存存储器阵列的多个存储单元进行编程；感测在所述第一编程遍中被编程的所述存储单元的状态以获得所述至少一个第一页的数据，并且在第二编程遍之前将所述至少一个第一页的数据保存在所述闪存存储器件内的第一寄存器电路中；以及在所述第二编程遍中根据所述至少一个第一页的数据和第二页的数据对所述存储单元进行编程。
用于闪存存储器编程读取技术

[发明专利]一种读操作处理方法、装置及可读存储介质-CN202010750795.3有效
发明人：万红波;陈祥;林格;杨亚飞 -专利权人：深圳大普微电子科技有限公司
申请日： 2020-07-30 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：本申请公开了一种读操作处理方法、装置及可读存储介质。本申请公开的方法包括：记录对目标地址进行读操作的操作信息；读操作包括执行成功的重读操作和正常读操作；基于操作信息统计目标地址发生重读操作的概率；根据概率调整目标地址的参考电压偏移值。本申请能够根据目标地址上发生重读操作的概率给目标地址赋合适的参考电压偏移值，从而可提高读命中率，减少遍历retry表的次数和重读操作发生的概率，也不会因为重读操作较多影响读写IO的性能，从而提高了固态硬盘性能。相应地，本申请提供的一种读操作处理装置及可读存储介质，也同样具有上述技术效果。
一种操作处理方法装置可读存储介质

[发明专利]寻找多颗粒的公共最佳读取电压的方法、存储系统-CN202210793889.8在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：英韧科技（上海）有限公司
申请日： 2022-07-05 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：本申请涉及数据存储技术领域，公开了一种寻找多颗粒的公共最佳读取电压的方法、存储系统。所述方法包括：获取多颗粒中各个块在不同读写温度和/或不同P/E循环次数下的电压分布；确定所述多颗粒中所有块的最佳读取电压；根据所述多颗粒中所有块的最佳读取电压获取不同最佳读取电压对应的块的数量；根据所述不同最佳读取电压对应的块的数量选取出现次最多的最佳读取电压为公共最佳读取电压。本申请可以精确调整多颗粒的公共参考电压。
寻找颗粒公共最佳读取电压方法存储系统

[发明专利]一种闪存数据读取架构、方法及装置、芯片及存储介质-CN202210976432.0在审
发明人：武晓伟;马继荣 -专利权人：北京紫光青藤微系统有限公司
申请日： 2022-08-15 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：本申请涉及存储器技术领域，公开一种闪存数据读取架构、方法及装置、芯片及存储介质，其中，所述闪存数据读取架构，包括：读取操作控制模块，用于产生读取模式选择信号；第一电流比较模块，用于在复合数据读取模式下，将双分离栅存储单元输出的电流与基准电流进行比较，生成第一复合数据读取结果；第二电流比较模块，用于在复合数据读取模式下，将双分离栅存储单元输出的电流与基准电流和参考电流进行比较，生成第二复合数据读取结果；逻辑运算模块，用于得到混合复合数据读取结果；数据输出选择模块，用于在常规数据读取模式下，输出常规数据读取结果，在复合数据读取模式下，输出混合复合数据读取结果。
一种闪存数据读取架构方法装置芯片存储介质

[发明专利]半导体装置及连续读出方法-CN202010142354.5有效
发明人：须藤直昭;葛西央伦;加贺浩之 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2020-03-04 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：本发明提供一种能够实现连续读出的高速化的半导体存储装置。本发明的NAND型闪速存储器的连续读出方法包括：将与连续读出时的存储单元阵列的读出定时相关的设定信息保持在寄存器中的步骤；在基于设定信息的读出定时从存储单元阵列读出数据的步骤；将读出的数据保持在锁存器(L1)、锁存器(L2)中的步骤；以及与对应于设定信息的外部时钟信号同步地输出所保持的数据的步骤。
半导体装置连续读出方法

[发明专利]一种读取系数计算方法、装置、设备及介质-CN202210764599.0在审
发明人：李栋;郑善龙;苏军 -专利权人：苏州浪潮智能科技有限公司
申请日： 2022-06-30 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：本申请公开了一种读取系数计算方法、装置、设备及介质，涉及集成电路领域，包括：按照预设第一读取次数对第一组数据进行块读取以得到第一电压图，对第二组数据进行页读取以得到第二电压图，从第一电压图和第二电压图中确定第一电压值和第二电压值的位置关系；判断第一电压值与第二电压值的位置关系是否发生改变，若否，则确定出第二读取次数，并基于第二读取次数对第二组数据进行页读取以得到第三电压图，从第一电压图和第三电压图中确定出第一电压值和第三电压值的位置关系；判断第一电压值与第三电压值的位置关系是否发生改变，若是，则计算出页读取次数，以计算出块读取和页读取之间的系数。本申请能够精确得到块读取与页读取的之间换算关系。
一种读取系数计算方法装置设备介质

[发明专利]优化存储电荷损失管理-CN202210297413.5在审
发明人： G·F·贝桑格;R·C·帕迪拉;T·欧帕斯特拉库恩;S·K·瑞特南;M·G·米勒;C·M·斯米奇赫盖尔;V·P·拉亚普鲁;A·马尔谢 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-03-24 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：本公开涉及优化存储电荷损失管理。一种系统包含存储器装置及处理装置，所述处理装置可操作地与所述存储器装置耦合以执行包含以下的操作：接收所述存储器装置的块的一组读取偏移，所述一组读取偏移包括默认读取偏移；基于一或多个准则从所述一组读取偏移选择所述默认读取偏移；将所述默认读取偏移应用到关于所述块执行的读取操作；确定满足与移除所述默认读取偏移相关联的第二组准则；及响应于确定满足所述第二组准则而移除所述默认读取偏移。
优化存储电荷损失管理

[发明专利]半导体存储器设备和操作该半导体存储器设备的方法-CN202111197314.1在审
发明人：李熙烈 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2021-10-14 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：本公开涉及半导体存储器设备和操作该半导体存储器设备的方法。一种半导体存储器设备包括单元串和外围电路。单元串包括连接到位线的至少一个漏极选择晶体管、连接到共用源极线的至少一个源极选择晶体管、以及连接在漏极选择晶体管与源极选择晶体管之间的多个存储器单元。外围电路对该多个存储器单元之中的被选择的存储器单元执行读取操作。外围电路被配置成：通过向连接到该多个存储器单元的字线之中的被选择的字线施加读取电压，并且通过向未被选择的字线施加通过电压，来读取存储在被选择的存储器单元中的数据，并且外围电路被配置成：在向字线施加均衡电压的同时，向单元串中的通道区传输升压防止电压。
半导体存储器设备操作方法

[发明专利]固态硬盘跨温数据读取方法、存储介质及SSD设备-CN202111176963.3有效
发明人：刘晓健 -专利权人：北京得瑞领新科技有限公司
申请日： 2021-10-09 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种固态硬盘跨温数据读取方法、存储介质及SSD设备，所述方法包括：当进行数据读取时，获取固态硬盘所处工作环境的当前温度信息，将当前温度信息作为读数据温度；获取所读取数据的写数据温度，所述写数据温度为数据写入存储单元时固态硬盘所处工作环境的温度信息；根据读数据温度与写数据温度的温度差对当前存储单元的读取电压进行补偿；根据补偿后的读取电压进行数据读取。本发明实施例提出的固态硬盘跨温数据读取方法、存储介质及SSD设备，能够消除跨温读取对NAND阈值电压的影响，减少由跨温读写引起的数据错误，降低重读概率，提升SSD性能。
固态硬盘数据读取方法存储介质 ssd 设备