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[发明专利]用于以电流积分感测产生概率信息的设备及方法-CN201780056490.9有效
发明人：帕特里克·R·哈亚特;西瓦格纳纳穆·帕塔萨拉蒂;穆斯塔法·N·凯纳克;马克·A·赫尔姆;阿龙·S·叶 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2017-08-22 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：本发明揭示用于使用电流积分产生用于错误校正的概率信息的方法及设备。实例方法包括：基于第一感测阈值感测第一多个存储器单元；响应于感测所述第一多个单元，使第一组概率信息与所述第一多个存储器单元相关联；基于第二感测阈值感测第二多个存储器单元；响应于感测所述第二多个存储器单元，使第二组概率信息与所述第二多个存储器单元相关联；及至少部分基于第一值及第二值而对所述第一多个存储器单元及所述第二多个存储器单元执行错误校正操作。
用于电流积分产生概率信息设备方法

[发明专利]电子装置、数据选通闸控信号产生电路以及方法-CN202111500387.3在审
发明人：余俊锜;张志伟;周格至 -专利权人：瑞昱半导体股份有限公司
申请日： 2021-12-09 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：一种电子装置包含处理电路以及存储电路。处理电路发出读取请求。处理电路的时钟信号对应于第一计数值。存储电路储存多个数据且响应于读取请求发出数据选通信号。数据选通信号对应于第二计数值。处理电路包含数据选通闸控信号产生电路。数据选通闸控信号产生电路包含选择电路以及反馈电路。选择电路依据第二计数值从多个标志控制信号中选择输出标志信号。反馈信号依据相关于第一计数值的设置信号、相关于第二计数值的标志信号以及数据选通闸控信号产生使能信号，且依据使能信号以及数据选通信号产生数据选通闸控信号。处理电路依据数据选通闸控信号读取多个数据。
电子装置数据选通闸控信号产生电路以及方法

[发明专利]存储器控制器、存储器系统以及操作存储器系统的方法-CN202210459056.8在审
发明人：林钟淳 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2022-04-27 - 公布日： 2023-04-21 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及存储器控制器、存储器系统以及操作存储器系统的方法。存储器控制器包括读取操作控制器、错误校正电路和读取电压控制器。读取操作控制器控制存储器设备通过具有不同电平的读取电压从存储器设备的被选择的页读取数据段。错误校正电路确定数据段的失效位数。读取电压控制器基于存储器设备的擦写循环计数以及指示失效位数中的最大失效位数的参考失效位数，从在第一读取电压表中包括的电压变化之中选择参考电压变化，并且基于参考电压变化以及失效位数中的对应的一个失效位数与参考失效位数的比值来调整读取电压中的每个读取电压的电平。
存储器控制器系统以及操作方法

[发明专利]存算一体的数据处理方法及存算一体的电路系统-CN202211580639.2在审
发明人：黄健;张莘睿;刘显平;虞志益 -专利权人：中山大学
申请日： 2022-12-09 - 公布日： 2023-04-21 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：本发明提供的存算一体的数据处理方法及系统，方法包括以下步骤：获取目标数据的权重数据，将权重数据按位存储至存算阵列中的对应字线的存储单元；获取目标数据输入至存算阵列的位线，根据目标数据的数据值以及当前输入的数位确定位线的第一变化值；根据目标数据的数位以及权重数据的数位确定字线的第二变化值；将第一变化值与第二变化值进行汇总输出得到阵列电流，将阵列电流进行汇总得到目标结果；方案无需额外的数模转换电路，具有简化输入电路的优点，可大幅减少权重写入所耗时间，且可大幅减少阈值电压漂移对计算精度的影响，具有高可靠性的优点，可广泛应用于计算机内存技术领域。
一体数据处理方法电路系统

[发明专利]搜索非易失性存储器装置的读取电压的方法-CN202210916834.1在审
发明人：李卫稙;鲁官宇;宋弦锺 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-08-01 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：公开了搜索非易失性存储器装置的读取电压的方法。非易失性存储器装置包括具有彼此不同的第一状态和第二状态的多个存储器单元。搜索非易失性存储器装置的读取电压的方法包括：确定表示数据读取操作被执行的次数的数量n；选择读取电压的n个读取电压电平，使得读取电压电平的数量等于数据读取操作的次数，其中，所述n个读取电压电平彼此不同；通过使用全部的所述n个读取电压电平对所述多个存储器单元执行n次数据读取操作来生成n个单元计数值；以及通过使用所述n个读取电压电平和所述n个单元计数值执行基于一阶多项式的回归分析来生成读取电压的最佳读取电压电平。
搜索非易失性存储器装置读取电压方法

[发明专利]半导体存储器装置和操作半导体存储器装置的方法-CN202210548948.5在审
发明人：张晶植;崔允植 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2022-05-20 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：本技术涉及半导体存储器装置和操作半导体存储器装置的方法。半导体存储器装置包括：存储块，该存储块包括多个存储器单元，该多个存储器单元被配置成编程为擦除状态和多个编程状态；电压发生电路，该电压发生电路被配置成生成在读取操作期间要施加到存储块的字线的读取电压；以及读写电路，该读写电路被连接到存储块的位线并且被配置成在读取操作期间通过在预定时间单元内对感测节点的基于多个存储器单元的单元电流的电位电平进行感测来锁存数据；其中，读取电压在预定时段中连续地施加到字线，并且在预定时段中根据时间逐渐增大。
半导体存储器装置操作方法

[发明专利]存储单元的读取电压优化方法、3D存储器的控制器及其操作方法-CN202110441613.9有效
发明人：张旭航;喻小帆;肖自铧;曹芮 -专利权人：联芸科技（杭州）股份有限公司
申请日： 2021-04-23 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种存储单元的读取电压优化方法，存储单元选自与选定物理页对应的多个存储单元；读取电压的优化方法包括：对具有第一阈值电压的存储单元的数量进行统计，得到第一数量；对具有第二阈值电压的存储单元的数量进行统计，得到第二数量；基于第一数量、第二数量以及调节参数，设置最优读取电压；其中，根据数据保存时间、读干扰、交叉温度和编程/擦除次数的不同，设置不同的调节参数；本发明提供的存储单元的读取电压优化方法、3D存储器的控制器及其操作方法，在设置最优读取电压时，只需读取有限次数，有效降低了确定最优读取电压的时延，并且基于读干扰、编程/擦除次数等参数来设置调节参数，提高产品的准确性和可靠性。
存储单元读取电压优化方法存储器控制器及其操作方法

[发明专利]多场景的闪存数据偏移方法、装置、电子设备及介质-CN202211639626.8在审
发明人：贺乐;赖鼐;龚晖 -专利权人：珠海妙存科技有限公司
申请日： 2022-12-20 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：本发明公开一种多场景的闪存数据偏移方法、装置、电子设备及介质，其中，多场景的闪存数据偏移方法包括：在第一场景下，记录闪存的数据块的原始数据；在第二场景下，对数据块的数据页进行偏移设置，得到与数据页对应的偏移数据，其中，第二场景为对第一场景进行场景调节得到；将原始数据与偏移数据进行对比，得到比特翻转信息；对比特翻转信息进行筛选，得到数据页的最佳读电压偏移。在本发明实施例中，能够在任何场景下，准确获取数据页的最佳读电压偏移。
场景闪存数据偏移方法装置电子设备介质

[发明专利]在非易失性存储器(NVM)装置中读取数据的方法和NVM装置-CN202211224415.8在审
发明人：张孝正;金真怜;朴世桓;李知尚 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-10-08 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：公开了在包括具有多个状态的多个存储器单元的非易失性存储器装置中读数据的方法和非易失性存储器装置，该多个状态包括第一状态和第二状态。在该方法中，执行针对第一状态的第一读取操作，执行针对第二状态的第二读取操作。为了执行第一读取操作，通过执行针对第一状态的谷单元计数操作获得针对第一状态的谷的单元计数，基于单元计数和针对第一状态的至少一个第一参考参数确定针对第一状态的第一读取电压电平，通过使用第一读取电压电平来执行针对第一状态的第一感测操作。为了执行第二读取操作，基于单元计数和第二状态的至少一个第二参考参数确定针对第二状态的第二读取电压电平，通过使用针对第二读取电压电平执行针对第二状态的第二感测操作。
非易失性存储器 nvm 装置读取数据方法

[发明专利]确定错误计数的存储控制器、操作其的方法以及操作包括其的存储设备的方法-CN202210858214.7在审
发明人：姜宇现;徐荣德;金炫我;吴玄教;李熙元;林东厚 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-07-20 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：公开一种操作与非易失性存储器件通信的存储控制器的方法。该方法包括：向非易失性存储器件输出包括对非易失性存储器件的存储区域的片上谷搜索OVS计数数据的请求的第一命令，其中OVS计数数据包括第一读取电压的第一计数值和第二读取电压的第二计数值；从非易失性存储器件接收OVS计数数据；基于OVS计数数据来确定针对第一读取电压的第一错误计数值和针对第二读取电压的第二错误计数值；以及基于第一错误计数值和第二错误计数值来确定后续操作。
确定错误计数存储控制器操作方法以及包括设备

[发明专利]一种非易失存储器读处理方法及装置-CN201910400130.7有效
发明人：张晓伟 -专利权人：兆易创新科技集团股份有限公司;西安格易安创集成电路有限公司
申请日： 2019-05-14 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种非易失存储器读处理方法及装置，该方法包括：在对所述待处理存储块执行读操作时，确定选中的目标字线；其中，所述待处理存储块为：已经进行过大于预设次数的读操作的存储块；确定所述待处理存储块中边沿字线的导通阈值电压；其中，所述边沿字线为所述待处理存储块中的起始字线，和/或，末尾字线；对所述目标字线施加第一电压，且，对所述边沿字线施加第二电压；其中，所述第二电压大于所述第一电压，且所述第二电压大于所述导通阈值电压。本发明实施例在边沿字线施加大于该导通阈值电压的第二电压，可以确保边沿字线导通，因此可以避免已经进行过较多次数读操作的存储块中，因边沿字线造成的读取错误现象。
一种非易失存储器处理方法装置

[发明专利]一种3D NAND存储器的读取方法及装置-CN202110728980.7有效
发明人：王礼维 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-09-09 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：本发明提供一种3D NAND存储器的读取方法及装置，在时钟触发信号之前，将每个组中参考位线预充至预设电压，在地址译码之后，在目标位线与参考位线不同时，通过将目标位线与参考位线连接，使得目标位线处于可读取电压的状态，进而，在选中目标字线后，获取目标位线上的感应电流。这样，参考位线的预充无需占用时钟时间，而目标位线通过与参考位线的连接而处于可读取电压的状态，这种耦合方式较预充方式几乎无需占用时钟时间，可以大大减少读取操作的时钟时间，同时，可以大大降低功耗。
一种 nand 存储器读取方法装置

[发明专利]存储器控制器及具有该存储器控制器的存储器系统-CN201910075826.7有效
发明人：洪志满;金台勋 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2019-01-25 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：本发明公开一种存储器控制器，该存储器控制器包括：命令生成器，生成分别与具有不同电平的多个读取电压中的每一个对应的第一读取命令，并且将该第一读取命令传输到存储器装置，使得针对读取电压中的每一个对多个存储器单元执行多次第一读取操作；以及反转单元计数器，基于从存储器装置接收的读取结果数据，确定在针对每一个读取电压执行多次的第一读取操作期间显示不同位值的反转单元。
存储器控制器具有系统

[发明专利]存储器系统及其操作方法-CN201811564553.4有效
发明人：洪志满 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2018-12-20 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：本发明提供了一种存储器系统。该存储器系统包括：存储器装置，存储数据，并且在读取操作中读取并输出所存储的数据；以及存储器控制器，对在读取操作中从存储器装置接收到的数据执行错误校正操作，并基于错误校正操作的结果控制存储器装置执行读取重试操作，其中当在读取重试操作中读取的数据之中的特定数据的数量在设定范围内时，存储器装置将在读取重试操作中读取的数据输出至存储器控制器。
存储器系统及其操作方法

[发明专利]存储器控制器、存储器系统以及存储器控制器的操作方法-CN202210540102.7在审
发明人：鲁官宇;宋弦钟;李伟植;孙弘乐;申东旻;崔城赫 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-05-17 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：提供一种计算最佳读取电平的存储器控制器、一种包括存储器控制器的存储器系统、以及一种存储器控制器的操作方法。存储器控制器包括处理器和读取电平计算模块，处理器被配置为控制对存储器件的存储器操作，读取电平计算模块被配置为：接收基于对使用多个电平读取的数据的计数操作生成的N个计数值，N个计数值分别对应于N个读取电平，以从N个读取电平选择的选定读取电平作为输入并且以与选定读取电平相对应的计数值作为输出，建模出至少两个单元计数函数，并且基于从至少两个单元计数函数选择的最佳单元计数函数来计算最佳读取电平，其中，N是等于或大于四的整数，其中，N个计数值包括与不同的至少四个读取电平相对应的计数值。
存储器控制器系统以及操作方法