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[实用新型]一种多漂移环结构的紫外雪崩漂移探测器-CN201721050852.7有效
发明人：袁俊;倪炜江;黄兴;杨永江;张敬伟;牛喜平;李明山;徐妙玲;窦娟娟 -专利权人：北京世纪金光半导体有限公司
申请日： 2017-08-22 - 公布日： 2018-07-03 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种多漂移环结构的紫外雪崩漂移探测器，所述探测器的每个器件单元从上至下依次包括SiO2层、P‑well或N‑well、衬底和背面电极；其中，所述SiO2层的中心设置有CE电极，SiO2层下方的所述本申请采用宽禁带半导体材料来制作，雪崩区与光子收集区域分开，雪崩结区较小，能制作出比较低雪崩电压的器件；同时全耗尽的P‑Well区能减少载流子的复合；同时在雪崩倍增高场区域比较小的同时保证大面积的光探测区域，提高了量子效率；减小雪崩区域的面积，有助于减小暗电流和暗激发，同时对于晶片质量和缺陷的容忍度提高，防止了大面积雪崩倍增高场区在缺陷位置的提前击穿。
漂移雪崩探测器周向设置环结构减小倍增载流子宽禁带半导体材料本实用新型光探测区域背面电极从上至下量子效率器件单元区域比较缺陷位置收集区域雪崩电压雪崩区域中心设置暗电流高场区接地环容忍度雪崩区电极光子衬底高场击穿结区晶片耗尽外围复合激发申请制作保证

[实用新型]飞行时间装置的发射模组、飞行时间装置和电子设备-CN202120367865.7有效
发明人：王小明;吕晨晋;李佳鹏 -专利权人：深圳阜时科技有限公司
申请日： 2021-02-07 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： G01S17/08 文献下载
摘要：驱动电路包括：第一开关，连接在第一供电电源与第一节点之间；雪崩型光电二极管，与感测光源串联连接在第一节点与地之间；储能电容，连接在第一节点与地之间；其中，第一供电电源用于给储能电容充电，以及在需要雪崩型光电二极管发生雪崩时将雪崩型光电二极管上的电压预充电至预设雪崩电压；激发电路用于在需要感测光源发射感测光脉冲时，发射激发光束；储能电容用于在需要雪崩型光电二极管发生雪崩时，向感测光源放电，触发感测光源发射所述感测光脉冲。
飞行时间装置发射模组电子设备

[发明专利]一种基于SPAD的高速图像传感器像素结构-CN201910454960.8在审
发明人：高静;牛洪星;聂凯明;徐江涛 -专利权人：天津大学
申请日： 2019-05-29 - 公布日： 2019-09-06 - 主分类号： H04N5/369 文献下载
摘要：本发明公开一种基于SPAD的高速图像传感器像素结构，包括：第一检测处理电路，用于检测光子的第一雪崩光电二极管APD及用于通过反馈回路输出对第一雪崩光电二极管APD进行淬灭的第一淬灭电路；第二检测处理电路，用于检测光子的第二雪崩光电二极管及用于通过反馈回路输出对第二雪崩光电二极管APD进行淬灭的第二淬灭电路；本发明通过在基于SPAD的图像传感器中的像素内增加一个雪崩光电二极管和淬灭电路，可使两个雪崩光电二极管在对方进入死时间时交替探测入射光子
雪崩光电二极管淬灭光子高速图像传感器图像传感器电路处理电路反馈回路像素结构检测输出第二检测入射像素成像探测

[发明专利]功率器件雪崩耐量测试系统及测试方法-CN202010331303.7在审
发明人：依志强;李强 -专利权人：吉林华微电子股份有限公司
申请日： 2020-04-24 - 公布日： 2020-07-07 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本申请提供一种功率器件雪崩耐量测试系统及测试方法，涉及半导体器件测试技术领域。所述系统包括功率器件测试电路、电信号采集电路、雪崩耐量计算子系统及为所述待测试功率器件提供可调工作环境温度的环境温度控制子系统。电信号采集电路与功率器件测试电路中的待测试功率器件连接。雪崩耐量计算子系统与电信号采集电路连接，用于根据电信号采集电路采集的压降及电流计算得到待测试功率器件发生二次击穿所需的雪崩耐量。如此，通过改变待测试功率器件的工作环境温度，对不同工作环境温度下待测试功率器件的雪崩耐量的进行测试，以便对待测试功率器件的雪崩耐量进行比对和分析。
功率器件雪崩测试系统方法

[发明专利]传感器以及距离测量装置-CN201910686114.9在审
发明人：久保田宽;松本展 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2019-07-29 - 公布日： 2020-10-13 - 主分类号： G01S17/10 文献下载
摘要：实施方式的传感器具有第一雪崩光电二极管、第一淬灭元件、第二雪崩光电二极管和第二淬灭元件。第一淬灭元件的一端连接于各个第一雪崩光电二极管的电流输出端子，另一端连接于输出端子。第二雪崩光电二极管以与第一雪崩光电二极管相邻的方式配置。第二淬灭元件的一端连接于各个所述第二雪崩光电二极管的电流输出端子，另一端连接于特定的电位。
传感器以及距离测量装置

[发明专利]基于门控雪崩光电二极管的光通信接收装置及方法-CN202110155913.0在审
发明人：江木生;鲍皖苏;周淳;汪洋;汪翔;李家骥;张海龙;刘帆 -专利权人：中国人民解放军战略支援部队信息工程大学
申请日： 2021-02-04 - 公布日： 2021-06-25 - 主分类号： H04B10/69 文献下载
摘要：本发明属于光通信技术领域，特别涉及一种基于门控雪崩光电二极管的光通信接收装置及方法，该装置包含：用于探测光信号并将其转换为电信号进行雪崩放大处理的雪崩光电二极管模块，雪崩光电二极管模块提供直流偏执电压的偏置电压模块，及用于通过产生门控信号使雪崩光电二极管交替工作在线性模式与盖革模式下的门控信号模块，通过直流偏执电压和门控信号共同作用来增加雪崩光电二极管盖革工作模式下的增益以探测微弱光信号。
基于门控雪崩光电二极管光通信接收装置方法

[发明专利]一种单光子雪崩二极管性能参数的计算方法-CN202210071445.3在审
发明人：何蕤;兰潇健;刘超晖;马四光 -专利权人：季华实验室
申请日： 2022-01-21 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： G06F30/367 文献下载
摘要：本申请涉及一种单光子雪崩二极管性能参数的计算方法，该方法包括：建立单光子雪崩二极管仿真模型进行仿真计算；基于所述仿真计算的结果，得出沿着所述单光子雪崩二极管长度方向上不同位置的性能参数值；所述性能参数值包括光子探测效率和/或暗计数；对所述单光子雪崩二极管不同位置的所述性能参数值进行线积分计算；确定线积分计算结果为所述单光子雪崩二极管的性能参数值。本申请提供的一种单光子雪崩二极管性能参数的计算方法，能够更好的反映SPAD横向不同长度部位的光子探测效率和/或暗计数的分布，并且能够获得符合实际的光子探测效率和/或暗计数。
一种光子雪崩二极管性能参数计算方法

[发明专利]一种单光子雪崩二极管及其制造方法、光检测器件及系统-CN202080099985.1在审
发明人：杨玉怀;高桥秀和;何志宏;谢承志 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2020-07-17 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： H01L27/144 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种单光子雪崩二极管及其制造方法、光检测器件及系统，第一掺杂结构形成于第二掺杂结构的一侧水平表面以及侧壁，第一掺杂结构与第二掺杂结构相邻近的区域用于形成雪崩区，而第二掺杂结构和第一掺杂结构相邻近的拐角区域的高场区更容易形成雪崩区，即雪崩效应发生在第二掺杂结构和第一掺杂结构的边缘区，因此产生雪崩效应的概率较大，而覆盖材料能够提供使第一掺杂材料层中的多子从边缘向中心运动的电场，利于第一掺杂材料层中的光生载流子向雪崩区移动，因此在一定程度上提高电荷收集效率
一种光子雪崩二极管及其制造方法检测器件系统

[发明专利]半导体装置及其形成方法以及像素阵列-CN202210764693.6在审
发明人：欧育伶;许家荣;魏嘉余;李国政 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-06-29 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种半导体装置及其形成方法以及像素阵列，半导体装置可包括一单光子雪崩二极管(SPAD)，该单光子雪崩二极管经配置用于一基板的一背表面处的照射。该半导体装置可包括该半导体装置的该单光子雪崩二极管与一相邻单光子雪崩二极管之间的一全深沟槽隔离(FDTI)结构。该全深沟槽隔离可与使该单光子雪崩二极管与该相邻单光子雪崩二极管隔离相关联。
半导体装置及其形成方法以及像素阵列

[发明专利]一种短波拓展InGaAs雪崩焦平面探测器及其制作方法-CN202211509913.7在审
发明人：陈一仁;张志伟;宋航;蒋红;缪国庆 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2022-11-29 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开了一种短波拓展InGaAs雪崩焦平面探测器及其制作方法，克服了现有短波拓展InGaAs雪崩焦平面探测器技术中依赖于深度刻蚀和电极爬坡等复杂工艺和低成品率的问题。该探测器包括：去除衬底后自上而下依次设置的平面结构InGaAs雪崩光电二极管阵列、In柱阵列、Si基读出电路阵列和公共电极引线；所述平面结构InGaAs雪崩光电二极管阵列和Si基读出电路阵列之间通过所述In柱阵列连接，由树脂填充所述平面结构InGaAs雪崩光电二极管阵列和Si基读出电路阵列之间的空隙；所述公共电极引线的两端分别连接在平面结构InGaAs雪崩光电二极管阵列与Si基读出电路阵列上。
一种短波拓展 ingaas 雪崩平面探测器及其制作方法

[发明专利]一种紫外雪崩光电二极管探测器及其制作方法-CN201010506422.8有效
发明人：汪莱;郝智彪;熊兵;孙长征;罗毅 -专利权人：清华大学
申请日： 2010-10-13 - 公布日： 2011-05-25 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：一种紫外雪崩光电二极管探测器，包括蓝宝石衬底，蓝宝石衬底的侧面附着AlN缓冲层，AlN缓冲层的外侧附着p型AlxGa1-xN层，蓝宝石衬底的底部为倾斜斜面，在p型AlxGa1-xN层靠近底部的一侧面附着i-Si雪崩区层，在i-Si雪崩区层的外侧面附着n-Si层，而其制作方法将Si材料和AlGaN材料结合起来，可实现既适于紫外探测又具有良好性能的半导体雪崩光电二极管APD，采用p型AlxGa1-xN层作为紫外光的吸收层，采用i-Si作为雪崩区，让p型AlxGa1-xN层中的光生电子在i-Si中发生雪崩，从而实现微弱紫外光的检测。
一种紫外雪崩光电二极管探测器及其制作方法

[发明专利]一种频率可调节、功率可调谐的太赫兹雪崩振荡器-CN201310446051.2有效
发明人：朱忠博;崔万兆;刘丰;胡天存 -专利权人：西安空间无线电技术研究所
申请日： 2013-09-26 - 公布日： 2014-01-08 - 主分类号： H01P1/20 文献下载
摘要：一种频率可调节、功率可调谐的太赫兹雪崩振荡器，雪崩振荡器的振荡腔由上腔体与下腔体组合而成，下腔体的腔体顶面加工有波导槽，波导槽与上腔体组合构成了标准波导腔；雪崩二极管通过管座装配顶针装配在下腔体顶面中心的波导腔中，且通过旋转管座装配顶针能够调整雪崩二极管在波导腔中的高低位置，调整到位后通过锁紧螺母固定；调谐活塞中自上而下依次安装弹簧顶针、弹簧和调谐帽盘，装配有调谐帽盘、弹簧、弹簧顶针的调谐活塞从上腔压块中旋入直达波导腔，由弹簧保证调谐帽盘在雪崩二极管不同的高低位置时始终保持与雪崩二极管物理接触；调谐活塞的位置通过活塞锁紧螺母固定。
一种频率调节功率调谐赫兹雪崩振荡器

[发明专利]一种单光子Si-APD探测器及其制造方法-CN201910957824.0有效
发明人：郭安然;雷仁方;李睿智;高建威;向华兵 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十四研究所
申请日： 2019-10-10 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明提出了一种单光子Si‑APD探测器，包括：吸收区、P+接触区、N+接触区、雪崩区、介质层，所述P型衬底表面中部设置吸收区，所述吸收区下方设置P+接触区，所述P+接触区下方设置有下电极；所述吸收区上部的两端位置设置有截止环；所述吸收区的上部的中间位置设置雪崩区，且雪崩区由P型杂质和N型杂质补偿掺杂形成；所述雪崩区之上设置N+接触区；所述雪崩区两侧各设有一个保护环，所述保护环上方设置有上电极；所述N+接触区上方设置介质层。该单光子Si‑APD探测器具有较宽的雪崩区且制造过程引入缺陷很少，可实现高探测效率低暗计数的器件性能。
一种光子 si apd 探测器及其制造方法

[发明专利]一种用于单光子雪崩二极管探测器的淬灭复位电路-CN201611127824.0有效
发明人：徐跃;李斌;罗瑞明;李鼎;赵庭晨 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2016-12-09 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H03K17/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于单光子雪崩二极管探测器的淬灭复位电路，复位电路包括三部分：淬灭回路，由5个MOS管组成，这5个MOS管构成了一个对a节点电压变化的正反馈电路；复位回路，由17个MOS管组成；雪崩信号输出部分本发明的优点是淬灭复位电路可靠性高，由于采用具有高阈值电平的施密特触发器，确保了SPAD探测器产生的雪崩电流被充分淬灭之后才进行复位操作。而且，本发明电路产生的雪崩脉冲波形质量较高，通过一个或非门将雪崩信号变成窄脉冲，之后两级反相器将这窄脉冲整形之后作为最终输出雪崩脉冲，使得输出脉冲更加陡直，易于计数电路的处理。
一种用于光子雪崩二极管探测器复位电路

[发明专利]功率MOSFET器件雪崩能量测试仪-CN200910219513.0无效
发明人：李志强 -专利权人：西安明泰半导体测试有限公司
申请日： 2009-12-16 - 公布日： 2010-06-23 - 主分类号： G01R22/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种功率MOSFET器件雪崩能量测试仪，包括前端雪崩测试电路和后端雪崩电流采样电路，所述前端雪崩测试电路的硬件结构是，包括可调直流电源，可调直流电源与保险丝、MOSFET器件、电感、电流感应器、待测MOSFET器件依次连接构成回路；MOSFET器件的漏极与待测MOSFET器件的源极之间并联有电解电容和瓷片电容；MOSFET器件的源极与待测MOSFET器件的源极之间连接有二极管；所述后端雪崩电流采样电路的结构是本发明的测试仪能提供高瞬间电流进行雪崩能量测试。
功率 mosfet 器件雪崩能量测试仪