[发明专利]一种单光子雪崩二极管及其制造方法、光检测器件及系统在审

申请号：	202080099985.1	申请日：	2020-07-17
公开（公告）号：	CN115428152A	公开（公告）日：	2022-12-02
发明（设计）人：	杨玉怀;高桥秀和;何志宏;谢承志	申请（专利权）人：	华为技术有限公司
主分类号：	H01L27/144	分类号：	H01L27/144;H01L31/107
代理公司：	深圳市深佳知识产权代理事务所(普通合伙) 44285	代理人：	孙超
地址：	518129 广东***	国省代码：	广东;44
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摘要：	本申请实施例提供一种单光子雪崩二极管及其制造方法、光检测器件及系统，第一掺杂结构形成于第二掺杂结构的一侧水平表面以及侧壁，第一掺杂结构与第二掺杂结构相邻近的区域用于形成雪崩区，而第二掺杂结构和第一掺杂结构相邻近的拐角区域的高场区更容易形成雪崩区，即雪崩效应发生在第二掺杂结构和第一掺杂结构的边缘区，因此产生雪崩效应的概率较大，而覆盖材料能够提供使第一掺杂材料层中的多子从边缘向中心运动的电场，利于第一掺杂材料层中的光生载流子向雪崩区移动，因此在一定程度上提高电荷收集效率，因此该器件具有较高的量子效率，从而可以具有较高的光探测效率。
搜索关键词：	一种光子雪崩二极管及其制造方法检测器件系统
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发明人：金姜佑;尹视藕;申世镇 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2018-12-19 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01L27/144
摘要：本发明构思涉及一种X射线检测器。该X射线检测器包括：第一栅极线和第二栅极线，其布置为在基板上彼此间隔开；数据线和偏置线，其布置为在与第一栅极线和第二栅极线交叉的方向上彼此间隔开并且限定单位像素区域；存储电容器，其布置在单位像素区域中并且具有连接到地的一端；光电晶体管，其由施加至第一栅极线的复位信号导通并且将由入射光源生成的电荷提供给存储电容器；以及薄膜晶体管，其由施加至第二栅极线的栅极信号导通并且将存储在存储电容器中的电荷提供给数据线。

具有对电子器件的对准光学通路的分层衬底结构-202180076364.6
发明人： S·盖茨;R·巴德;K·彼得拉尔卡;V·阿迪加;D·吉尔 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2021-11-08 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L27/144
摘要：本发明涉及分层的衬底结构，其具有到形成于其上的电气器件的经对准的光学通路以用于激光处理及电气装置调谐。根据一个实施例，提供了一种分层衬底结构，该分层衬底结构包括具有第一表面和第二表面的光学衬底以及形成在第二表面上的图案化接合层，该图案化接合层包括接合区和开口区，其中开口区暴露第二表面的一部分。分层衬底结构还包括器件芯片，该器件芯片经由接合区而接合到图案化的接合层，并且包括与光学衬底和所述开口区对准的至少一个电气部件。至少一个电气部件可以包括例如薄膜布线、空气桥、量子位、电极、电容器或谐振器。

一种低串扰平面型单光子探测器阵列及其制备方法-202310169583.X
发明人：王兴;尹飞;郭可飞;乔凯;汪韬;李鸣 -专利权人：中国科学院西安光学精密机械研究所
申请日： 2023-02-27 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01L27/144
摘要：本发明公开了一种低串扰平面型单光子探测器阵列及其制备方法，主要解决现有平面型单光子探测器的像元占空比低，像元吸收区隔离效果较差等技术问题。本发明的探测器阵列在两个相邻的P型掺杂区之间设置绝缘隔离沟道，从而降低了像元间的串扰，具有较好的隔离效果；同时台阶孔状的P型掺杂区也提高了像元的占空比，从而提高了该类探测器阵列对应的探测器的综合性能。本发明的制备方法包括以下步骤：对衬底层双面抛光；生长外延层；制作钝化层；通过两次Zn扩散，得到P型掺杂区；在两个相邻的P型掺杂区之间制作隔离沟道；制作P型电极和N型电极，进而得到探测器阵列。

异质半导体结构及其制造方法-201811213720.0
发明人： D.卡罗瑟斯 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-10-18 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01L27/144
摘要：本发明涉及一种异质半导体结构及其制造方法。该异质半导体结构包括第一集成电路和第二集成电路，第二集成电路是光子集成电路。该异质半导体结构可以通过以倒装芯片的方式将多层源管芯接合到第一集成电路、去除源管芯的衬底、以及使用蚀刻和/或沉积工艺在源管芯上制造一个或更多个部件以形成第二集成电路来制造。第二集成电路可以包括由立方相镓氮化物化合物制成的部件，并且被配置为在短于450nm的波长下工作。

一种与SOI波导集成的阵列平衡探测器-202211666997.5
发明人：胡卫英;徐强;陈剑;谢修敏;蒋若梅;路小龙;黄海华;谭杨;黄帅;王顺艳;宋海智;周鼎福 -专利权人：西南技术物理研究所
申请日： 2022-12-22 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01L27/144
摘要：本发明涉及一种与SOI波导集成的阵列平衡探测器，属于光通信有源器件、光互连器件技术领域。本发明提出一种有机键合技术，采用中间媒介(BCB胶)的辅助粘合方式，将InGaAsPIN平衡探测器光敏芯片通过高精度对准工艺倒扣式键合在SOI波导结构上，键合层低于150nm，利用高分子聚合物的热固性或热塑性来达到粘合效果，设置微纳光栅将光信号垂直向上引出SOI波导，进入到平衡探测器中。通过以上措施，完成平衡探测器PIN光敏芯片与干涉光波导结构的高精度光耦合异质集成，实现激光雷达相干探测系统接收模块的芯片化。

距离传感器及距离图像传感器-201780052894.0
发明人：间瀬光人;平光纯;岛田明洋 -专利权人：浜松光子学株式会社
申请日： 2017-05-30 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L27/144
摘要：距离传感器具备硅基板和传送电极。硅基板具备相互相对的第一主面和第二主面。在硅基板的第一主面侧设置有根据入射光产生电荷的电荷产生区域和收集来自电荷产生区域的电荷的电荷收集区域。传送电极在第一主面上配置于电荷产生区域和电荷收集区域之间。传送电极根据输入的信号使电荷从电荷产生区域流入电荷收集区域。在第二主面的至少与电荷产生区域对应的区域形成有多个凸部。多个凸部具有相对于硅基板的厚度方向倾斜的斜面。在凸部中硅基板的(111)面作为斜面露出。凸部的高度为200nm以上。

一种光电突触器件及其应用-202110537677.9
发明人：朱锐;梁会力;王燕;刘尧平;梅增霞 -专利权人：松山湖材料实验室
申请日： 2021-05-17 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： H01L27/144
摘要：本申请提供一种光电突触器件及其应用，属于人工突触技术领域。光电突触器件包括多个电性连接的光电突触元器件。每个光电突触元器件包括层叠设置的基片、非晶氧化镓层以及收集电极，非晶氧化镓层与收集电极相邻设置，非晶氧化镓层中氧空位浓度的控制可通过在0～0.2sccm的氧流量条件下磁控溅射沉积得以实现。光电突触器件具备较稳定的突触性能和较低的突触触发能耗；光电突触器件用作模拟生物突触行为的器件在人工神经网络硬件中的应用，能以较低能耗执行突触事件；光电突触器件用作图像处理的器件在图像传感设备中的应用，能有效实现抑噪。

专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的

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[发明专利]一种单光子雪崩二极管及其制造方法、光检测器件及系统在审

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