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[实用新型]雪崩光电二极管增益稳定的偏置电压源电路-CN201921772371.6有效
发明人：洪鹏达;陈奇芝;洪鹏辉;洪宝璇 -专利权人：深圳市矽赫科技有限公司
申请日： 2019-10-22 - 公布日： 2020-06-02 - 主分类号： H02M3/156 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种雪崩光电二极管增益稳定的偏置电压源电路，其中偏置电压源电路包括：雪崩光电二极管；电源；升压模块，其连接在电源和雪崩光电二极管的阴极之间，用于将电源电压进行升压后为雪崩光电二极管提供偏置电压；分压反馈模块，其连接在雪崩光电二极管的阴极和地之间，且分压反馈模块的分压节点与升压模块的反馈端相连，分压反馈模块用于在不同环境温度下对偏置电压形成不同的分压，并将分压输入到升压模块的反馈端，升压模块根据反馈端输入的分压调节偏置电压的大小本实用新型采用随温度变化的分压反馈到升压模块来调节升压模块输出偏置电压的大小，使其根据雪崩光电二极管工作温度的不同而同步变化。
雪崩光电二极管增益稳定偏置电压电路

[发明专利]雪崩光电探测器(变型)及其制造方法(变型)-CN202080020508.1在审
发明人：尼古拉·阿法纳塞维奇·科洛博夫;康斯坦丁·尤列维奇·西塔斯基;维塔利·埃马努伊洛维奇·舒宾;德米特里·阿列克谢耶维奇·舒沙科夫;谢尔盖·维塔利维奇·博格达诺夫 -专利权人：蒂凡有限责任公司
申请日： 2020-03-04 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：本发明涉及雪崩光电探测器(APD)，该APD能够记录微弱光信号，并且能够用于LiDAR、通信系统、机器视觉、机器人、医学、生物学、环境监测等。要求保护的APD包括晶片，该晶片承载将要检测的光信号转换为自由电荷载流子电流的光电转换器和该电流的至少一个雪崩放大器，放大器包括两层‑‑接触层和倍增层，其中倍增层形成在整个导电晶片上。至少一个雪崩放大器的接触层形成在倍增层的某一区域中，同时在接触层外部，倍增层作为光电转换器起作用。因此，已由光电转换器引发的光载流子将不受阻碍、高效地进入雪崩放大器的倍增区，这使仪器具有更高的阈值灵敏度。具有从晶片渗出的较少暗电流并抑制来自相邻雪崩放大器的光电通信噪声的光电探测器的变型使得制造多通道雪崩仪器成为可能，该多通道雪崩仪器的阈值灵敏度是常规APD的阈值灵敏度的数倍，尤其是在过度背景照明的情况下
雪崩光电探测器变型及其制造方法

[发明专利]基于雪崩管并联递增结构的高幅值高重频亚纳秒脉冲源-CN202310109759.2在审
发明人：谢彦召;杨宇;仇杨鑫;王绍飞;王异凡;郑一鸣;张恬波;曾明全;龚金龙 -专利权人：西安交通大学;国网浙江省电力有限公司电力科学研究院
申请日： 2023-02-13 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H03K3/335 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于雪崩管并联递增结构的高幅值高重频亚纳秒脉冲源，包括：将第一微带线T1、充电电容C1、第二微带线T2和雪崩三极管Q1依次进行连接；雪崩三极管Q1连接第三微带线T3；第三微带线T3、充电电容C2、第四微带线T4和雪崩三极管本发明通过雪崩三级管并联递增结构的使用，在尽可能减小了微带线宽度增加对输出脉冲波形的不利影响的情况下，有效地增大了高幅值脉冲源的通流能力。而且雪崩管并联递增结构减小了雪崩管的使用个数，节约了成本。
基于雪崩并联递增结构高幅值高重频亚纳秒脉冲

[发明专利]雪崩光电二极管的驱动电路及装置-CN201811402414.1在审
发明人：花渊;姚海军;庄礼杰 -专利权人：深圳市亚派光电器件有限公司
申请日： 2018-11-21 - 公布日： 2019-02-26 - 主分类号： H03K17/082 文献下载
摘要：本发明公开一种雪崩光电二极管的驱动电路及装置，所述雪崩光电二极管的驱动电路包括电源输入端、升压电路、电压调节电路和驱动信号输出端，所述驱动信号输出端用于连接雪崩光电二极管。所述电源输入端输入电源电压，所述升压电路对所述电源电压进行升压处理并输出，所述电压调节电路对所述升压电路升压后的电源电压进行电压调节后输出至所述驱动信号输出端，以控制所述驱动信号输出端的电压按照预设升压速率逐渐上升，直至达到雪崩光电二极管的工作电压本发明用于现有的雪崩光电二极管浪涌电流过大的技术问题。
雪崩光电二极管驱动信号输出端驱动电路升压电路电压调节电路电源输入端电源电压升压驱动信号输出输入电源电压输出电压调节工作电压升压处理浪涌预设

[发明专利]带高压保护的雪崩焦平面图像传感器-CN201710084169.3在审
发明人：罗木昌;申志辉;周勋 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十四研究所
申请日： 2017-02-16 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： H04N5/374 文献下载
摘要：本发明提出了一种带高压保护的雪崩焦平面图像传感器，其创新在于所述带高压保护的雪崩焦平面图像传感器由雪崩焦平面探测器阵列、CMOS读出电路和多个高压保护单元组成；本发明的有益技术效果是提出了一种带高压保护的雪崩焦平面图像传感器，该传感器内设置有高压保护单元，传感器正常工作时，高压保护单元对光生电流无影响，当雪崩焦平面探测器阵列发生短路时，高压保护单元可阻止高压和大电流进入CTIA型读出单元，对后级电路起到保护作用，高压保护单元采用常规的硅集成电路工艺制作
高压保护雪崩平面图像传感器

[发明专利]一种应用于单光子探测器的淬灭和限流电路-CN201610062185.8在审
发明人：卜晓峰;马浩文;沈寒冰;吴俊辉 -专利权人：苏州超锐微电子有限公司
申请日： 2016-01-29 - 公布日： 2017-08-08 - 主分类号： G01J11/00 文献下载
摘要：本发明提供一种应用于单光子探测器的淬灭和限流电路，包括应用于单光子雪崩二极管(SPAD)的淬灭电路和限流电路。该电路通过限制雪崩二极管的雪崩电流，有效的减小工作电流，降低功耗，并且能够快速抑制二极管的雪崩效应，减小死区时间，提高工作速度。Metal‑Oxide‑Semiconductor Field‑Effect Transistor,以下简称MOSFET）实现电路的全部功能，有效减小电路所占面积，并且工作电流得到有效限制，有利于实现单光子雪崩二极管的大规模集成
一种应用于光子探测器限流电路

[发明专利]基于InGaAs/InAlAs/InP雪崩光电探测器的结构优化方法-CN201911065409.0在审
发明人：王航;谭明;吴渊渊;黄欣萍;陆书龙 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所南昌研究院
申请日： 2019-11-04 - 公布日： 2020-06-12 - 主分类号： H01L31/0304 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于InGaAs/InAlAs/InP雪崩光电探测器的结构优化方法，所述结构优化方法包括：根据雪崩探测器的实际结构和类型建立起相应仿真模型，并将所述雪崩探测器的实际性能与仿真模型的仿真实验结果进行拟合，之后依据拟合结果优化该雪崩探测器的倍增层掺杂浓度、电荷层掺杂浓度和电荷层厚度等，最终得到优化后的器件结构。本发明提供的方法能够通过模拟计算优化器件的外延结构，从而有效地控制雪崩光电二极管器件内部电场分布情况，进而实现对器件贯穿电压、击穿电压等特性的有效控制，从而提高器件性能并满足实际需求，具有广泛应用前景。
基于 ingaas inalas inp 雪崩光电探测器结构优化方法

[发明专利]一种基于SCD文件的智能变电站雪崩测试方法、系统及终端设备-CN201911380876.2在审
发明人：李均强;李宣义;栗会峰;李铁成;赵宇皓;王亚军 -专利权人：国网河北省电力有限公司电力科学研究院;国家电网有限公司
申请日： 2019-12-27 - 公布日： 2020-05-08 - 主分类号： G01R31/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于SCD文件的智能变电站雪崩测试方法、系统及终端设备，测试方法包括从智能变电站SCD文件中解析出遥信信号和遥测信号，然后对遥信信号进行置位处理，对遥测信号进行遥测置处理，然后向变电站发送一定数量的遥信变位信号和/或遥测信号以检测监控系统是否正确收到第一预设数量的雪崩遥信变位信号以及是否运行正常；本发明基于智能变电站SCD文件，可以将SCD文件遥信、遥测信号解析，用于完成遥信、遥测雪崩试验。通过将SCD文件中解析的遥信信号置位方式，模拟大量遥信变位，实现遥信雪崩；通过将SCD文件遥测信号同时置数的方式，模拟大量遥测越限，实现遥测雪崩。
一种基于 scd 文件智能变电站雪崩测试方法系统终端设备

[发明专利]单光子雪崩二极管及其制作方法-CN202111070688.7在审
发明人：周雨薇 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2021-09-13 - 公布日： 2021-11-23 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：本发明涉及一种单光子雪崩二极管及其制作方法。所述单光子雪崩二极管包括由第一掺杂类型的衬底与在所述衬底中形成的第二掺杂类型阱区构成的pn结，所述第二掺杂类型阱区的宽度随着深度增大逐渐收窄。由于第二掺杂类型阱区的宽度随着深度增大逐渐收窄，反向击穿容易在第二掺杂类型阱区的下方发生，可降低击穿发生在第二掺杂类型阱区边角处的风险，确保单光子雪崩二极管击穿性能的稳定性，有助于节约工艺成本，且优化了单光子雪崩二极管的结构所述制作方法可用于制作上述单光子雪崩二极管。
光子雪崩二极管及其制作方法

[发明专利]一种实现量子点发射光子雪崩荧光的方法-CN202210459950.5在审
发明人：赵琪;吴蕙;邬楚妍;詹求强 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2022-04-28 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： C09K11/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种实现量子点发射光子雪崩荧光的方法，所述方法包括以下步骤：制备光子雪崩上转换稀土纳米颗粒；去除雪崩上转换颗粒表面的油酸配体；连接无配体上转换颗粒与水溶性量子点，将无油酸配体的上转换颗粒水溶液与水溶性量子点混合搅拌过夜基于本发明的方法可使量子点与能发生雪崩过程的上转换纳米颗粒进行连接，通过荧光能量共振转移(FRET)过程使得在光子雪崩上转换样品被近红外波段的低能光子激发并发射出大量高能光子之后，这些高能光子能进一步被量子点有效吸收并产生荧光
一种实现量子发射光子雪崩荧光方法

[发明专利]一种屏蔽栅功率MOSFET的终端结构及其制造方法-CN202210939737.4在审
发明人：李学会;汪之涵;傅俊寅 -专利权人：深圳基本半导体有限公司
申请日： 2022-08-05 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，提供一种屏蔽栅功率MOSFET的终端结构及其制造方法，所述屏蔽栅功率MOSFET的终端结构含有P阱区以及N+源区的区域，在常规屏蔽栅功率MOSFET划片槽区域基础上增加一个雪崩耐量增强结构，所述雪崩耐量增强结构包括附加沟槽场氧和附加沟槽多晶硅。通过在常规屏蔽栅功率MOSFET晶圆的划片槽中增加一个附加终端沟槽结构，减少了源区总的雪崩空穴电流的电流强度和电流密度，提高了器件抗雪崩击穿的特性，增大了雪崩耐量EAS，从而提高了器件的可靠性；减少了一次
一种屏蔽功率 mosfet 终端结构及其制造方法

[发明专利]铟镓砷盖革雪崩二极管自淬灭环结构制备方法-CN202211690411.9在审
发明人：代千;李宛励;袁菲;谢修敏;刘绍斌;梁丕刚;舒域鑫;陈庆敏;孔繁林;路小龙;梁晨宇;袁鎏;郑博仁;柯尊贵;郭雨航;李潇;宋海智 -专利权人：西南技术物理研究所
申请日： 2022-12-27 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明属于半导体光电器件技术领域，公开了一种铟镓砷盖革雪崩二极管自淬灭环结构制备方法，采用表面浅层Zn扩散工艺，在铟镓砷盖革雪崩二极管表面的i InP顶层上直接进行浅层Zn扩散，制备Zn掺杂自淬灭环结构，作为铟镓砷盖革雪崩二极管自身的被动淬灭电阻。本发明解决自由模式光子计数用铟镓砷盖革雪崩二极管存在的后脉冲高、死时间长的问题，通过实现低寄生效应的原位被动淬灭，有效提升铟镓砷盖革雪崩二极管的最大计数率，满足单光子计数探测需求。
铟镓砷盖革雪崩二极管自淬灭环结构制备方法

[发明专利]基于雪崩三极管的电火花脉冲源发生电路、电源及系统-CN202210725575.4在审
发明人：张勇斌;范颖;沈杰;戴越;刘广民 -专利权人：中国工程物理研究院机械制造工艺研究所
申请日： 2022-06-24 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H03K3/57 文献下载
摘要：本发明公开了基于雪崩三极管的电火花脉冲源发生电路、电源及系统，涉及脉冲电源技术领域，其技术方案要点是：包括多个并联设置的充电回路以及与充电回路一一对应设置的多个雪崩三极管M；所述充电回路一端接地，另一端外接直流电源VCC；所述雪崩三极管M将所对应的相邻充电回路连接以构成Marx电路。本发明利用雪崩三极管的雪崩效应形成高速的等效开关，从而利用储能电容的充放电得到比较窄的脉冲信号，且将电路连接成Marx电路的形式进一步提高输出波形的幅值并减小脉冲宽度。
基于雪崩三极管电火花脉冲发生电路电源系统

[发明专利]高重复频率、高电压、亚纳秒前沿的脉冲产生装置及方法-CN201510833941.8有效
发明人：胡龙;苏建仓;丁臻捷;浩庆松;袁雪林;方旭;樊亚军 -专利权人：西北核技术研究所
申请日： 2015-11-25 - 公布日： 2018-06-19 - 主分类号： H03K4/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种高重复频率、高电压、亚纳秒前沿的脉冲产生装置及方法，脉冲产生装置包括多级阶梯状脉冲形成线，多级阶梯状脉冲形成线的输入端并联设置至少两只半绝缘砷化镓雪崩开关，各半绝缘砷化镓雪崩开关在时间上顺次导通；工作时，半绝缘砷化镓雪崩开关由光脉冲触发导通，每只开关以固定的重复频率工作。各并联的半绝缘砷化镓雪崩开关在时间上顺次导通。如果时间间隔为单只开关工作的时间周期除以开关联数量，本发明基于半绝缘砷化镓雪崩开关的脉冲产生装置及方法可实现高重复频率、高输出电压和亚纳秒脉冲前沿的脉冲输出。 1
半绝缘砷化镓雪崩脉冲产生装置高重复频率多级阶梯状脉冲形成线高电压导通高输出电压输入端并联触发导通脉冲输出纳秒脉冲时间周期重复频率固定的光脉冲并联关联

[发明专利]一种硅雪崩光电二极管组件及其制作方法-CN201510755091.4有效
发明人：吕志勤;吕强;黄臻 -专利权人：中蕊（武汉）光电科技有限公司
申请日： 2015-11-09 - 公布日： 2018-04-27 - 主分类号： H01L31/0232 文献下载
摘要：本发明提供一种硅雪崩光电二极管组件及其制作方法，硅雪崩光电二极管和距离所述硅雪崩光电二极管的衬底至少3倍光波波长处的超材料，所述超材料的电磁共振波长位于400nm‑780nm之间，入射光通过超材料之后再进入硅雪崩光电二极管本发明采用了制作工艺成熟和低成本的硅探测器件，借助超材料对可见光的强烈电磁共振吸收作用，将可见光阻挡在硅雪崩光电二极管之外，从而减小可见光对紫外探测的干扰，实现具有较高紫外/可见光识别比的紫外探测。
一种雪崩光电二极管组件及其制作方法