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[实用新型]一种背面照射的单光子雪崩二极管-CN202120762893.9有效
发明人：潘劲旅;赵天琦;储童 -专利权人：中国计量大学
申请日： 2021-04-14 - 公布日： 2022-01-14 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：本发明公开了一种背面照射的单光子雪崩二极管，属于单光子探测技术领域。该背面照射的单光子雪崩二极管，包括P型外延层，在所述的P型外延层的内部设置P+重掺杂区，在所述的P+重掺杂区的外围同轴设置P‑低掺杂区，在所述的P‑低掺杂区的下方同轴设置P型雪崩掺杂区，在所述的P+重掺杂区的两侧设置N+重掺杂区，在所述的N+重掺杂区的下方同轴设置N阱区，在所述的P型雪崩掺杂区下方间隔设置N型雪崩掺杂区，在所述的N型雪崩掺杂区的下方设置N‑低掺杂区。P型雪崩掺杂区、P型外延层中心区与N型雪崩掺杂区形成雪崩结，采用次结构显著降低器件的暗计数率。
一种背面照射光子雪崩二极管

[发明专利]一种对称双APD平衡的近红外单光子探测器-CN201210499966.5无效
发明人：梁崇智;曾和平;梁焰 -专利权人：广东汉唐量子光电科技有限公司
申请日： 2012-11-28 - 公布日： 2013-03-27 - 主分类号： G01J11/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种对称双APD平衡的近红外单光子探测器，包括顺次连接的正负双极性窄脉冲产生电路，双APD平衡电路，雪崩信号提取电路，雪崩信号鉴别输出电路；所述双APD平衡电路包括两个串联在一起具有相同结电容的雪崩光电二极管，在两个雪崩光电二极管串联后的两端连接有正、负极性偏压，两个雪崩光电二极管与正负双极性窄脉冲产生电路的两个输出端；所述雪崩信号提取电路包括将雪崩光电二极管产生的雪崩电流转变为电压的取样电路，在取样电路输出端连接有将两个雪崩光电二极管产生的容性噪声进行差分消除的差分运算放大器，所述雪崩信号鉴别输出电路的输入端接在差分运算放大器的输出端上。
一种对称 apd 平衡红外光子探测器

[实用新型]一种APD单光子探测器-CN201220644772.5有效
发明人：梁崇智;曾和平;梁焰 -专利权人：广东汉唐量子光电科技有限公司
申请日： 2012-11-28 - 公布日： 2013-06-19 - 主分类号： G01J11/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种APD单光子探测器，包括顺次连接的正负双极性窄脉冲产生电路，双APD平衡电路，雪崩信号提取电路，雪崩信号鉴别输出电路；所述双APD平衡电路包括两个串联在一起具有相同结电容的雪崩光电二极管，在两个雪崩光电二极管串联后的两端连接有正、负极性偏压，两个雪崩光电二极管与正负双极性窄脉冲产生电路的两个输出端；所述雪崩信号提取电路包括将雪崩光电二极管产生的雪崩电流转变为电压的取样电路，在取样电路输出端连接有将两个雪崩光电二极管产生的容性噪声进行差分消除的差分运算放大器，所述雪崩信号鉴别输出电路的输入端接在差分运算放大器的输出端上。
一种 apd 光子探测器

[发明专利]一种深槽隔离的SPAD像素单元-CN202111667938.5在审
发明人：解海艇;陈驰;李安 -专利权人：深圳市安思疆科技有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开一种深槽隔离的SPAD像素单元，包括采用第一类掺杂类型的硅衬底，具有第二类掺杂类型的雪崩结掺杂区；所述硅衬底的上部设有深槽隔离绝缘层，所述深槽隔离绝缘层间隔分布有多个深槽，每个深槽内均有所述的雪崩结掺杂区，各雪崩结掺杂区的下部为雪崩结区。本发明采用深槽隔离的方法使雪崩结离散分布，达到减小雪崩结面积和结电容的目的，抑制器件的后脉冲，减小器件探测时的死时间。
一种隔离 spad 像素单元

[实用新型]一种基于雪崩二极管的大动态范围光接收电路-CN201821483010.5有效
发明人：李大猛;宋云峰;陈华钧 -专利权人：余姚舜宇智能光学技术有限公司
申请日： 2018-09-11 - 公布日： 2019-07-16 - 主分类号： G01S7/486 文献下载
摘要：本实用新型涉及激光接收技术领域，公开了一种基于雪崩二极管的大动态范围光接收电路，包括：雪崩二极管；可调偏压电路，连接于所述雪崩二极管的阴极，用于为所述雪崩二极管提供大小可变的反向偏置电压；自动增益控制电路，连接于所述雪崩二极管的阴极，用于稳定所述雪崩二极管输出的电信号的幅度。
雪崩二极管大动态阴极本实用新型光接收电路自动增益控制电路反向偏置电压大小可变电路结构高灵敏度激光接收偏压电路可调输出

[发明专利]脉宽可选择的窄脉冲产生器-CN201510522311.9在审
发明人：晋良念;刘琦;钱玉彬;申文婷;张燕;刘庆华;欧阳缮 -专利权人：桂林电子科技大学
申请日： 2015-08-24 - 公布日： 2015-11-11 - 主分类号： H03K3/017 文献下载
摘要：本发明公开一种脉宽可选择的窄脉冲产生器，包括雪崩三极管脉冲产生电路、可调脉冲驱动电路和可选择脉冲宽度电路；雪崩三极管脉冲产生电路，用于产生脉冲信号；可调脉冲驱动电路串行接入雪崩三极管脉冲产生电路的基极回路中，用于触发雪崩三极管脉冲产生电路，控制其导通；可选择脉冲宽度电路的输入端与雪崩三极管脉冲产生电路的输出端相接，用于对雪崩三极管脉冲产生电路产生的脉冲进行整形，并且根据需求选择脉冲的宽度。本发明能够根据需求选择脉冲宽度，故而使雪崩三极管脉冲发生器更加灵活的应用在各种场合。
可选择脉冲产生器

[发明专利]增强紫外波段响应度的硅雪崩光电二极管及其制备方法-CN201911210339.3在审
发明人：刘陶然;左玉华;郑军;陈丹;刘智;成步文 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2019-11-28 - 公布日： 2021-05-28 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：一种增强紫外波段响应度的硅雪崩光电二极管，该硅雪崩光电二极管以硅雪崩光电二极管作为基底，钙钛矿材料均匀分布在所述硅雪崩光电二极管表面。利用钙钛矿材料的高量子产率，将钙钛矿材料均匀分布在硅雪崩二极管表面，通过设计，使钙钛矿材料与硅雪崩光电二极管之间的光耦合较好，可以实现有效提高硅雪崩光电二极管的紫外波段响应度。
增强紫外波段响应雪崩光电二极管及其制备方法

[发明专利]雪崩测试参数选取方法、装置、计算机设备及存储介质-CN202011548035.0在审
发明人：明志茂;江雪晨;陆裕东;李汝冠;岳龙;赵可沦 -专利权人：广电计量检测（湖南）有限公司
申请日： 2020-12-23 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本申请涉及一种雪崩测试参数选取方法、装置、计算机设备及存储介质，在对待测器件进行重复雪崩耐量测试时，能够获取测试环境参数和重复雪崩耐量电路的相关设定参数进行分析，得到在当前设定参数下待测器件的结温参数。通过上述方案，可以在重复雪崩耐量测试操作中指导用户进行雪崩耐量参数的设置，从而保证用户选取的设置参数满足待测器件的重复雪崩耐量测试需求，进而保证重复雪崩耐量测试结果的准确性。
雪崩测试参数选取方法装置计算机设备存储介质

[发明专利]功率MOSFET器件的雪崩耐量测试电路和方法-CN201110230273.1有效
发明人：殷资;张邵华 -专利权人：杭州士兰微电子股份有限公司
申请日： 2011-08-11 - 公布日： 2012-04-18 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：一种功率MOSFET器件的雪崩耐量测试电路，该电路包括由可调直流电源、充电开关以及储能装置构成的充电通路和由储能装置、电感以及待测功率MOSFET器件构成的测试环路，所述储能装置的正极提供电压输出信号给雪崩状态监测电路以控制雪崩状态监测电路输出第一控制信号和第二控制信号，充电开关的控制端接受雪崩状态监测电路输出的第一控制信号，待测功率MOSFET器件的栅极接受雪崩状态监测电路输出的第二控制信号。本发明操作安全，测试结果客观，成本低，由于采用独立于电源的储能装置提供能量，可以通过能量转移实现雪崩耐量测定，实现高瞬间能量雪崩耐量的测试。
功率 mosfet 器件雪崩测试电路方法

[发明专利]一种测量雪崩光电二极管的雪崩信号的装置及方法-CN201910204497.1有效
发明人：李俊林;张卫星 -专利权人：清华大学
申请日： 2019-03-18 - 公布日： 2020-02-07 - 主分类号： G01J11/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种测量雪崩光电二极管的雪崩信号的装置，包括：第一电阻，所述第一电阻的一端接收直流偏压；雪崩光电二极管，所述雪崩光电二极管的阴极与所述第一电阻的另一端连接；第一电容，所述第一电容的一端接收脉冲电压，另一端与所述雪崩光电二极管的阴极连接；第二电容，所述第二电容连接在所述雪崩光电二极管的阳极和接地端之间；以及第二电阻，所述第二电阻与所述第二电容并联连接在所述雪崩光电二极管的阳极和接地端之间。
雪崩光电二极管电阻电容阴极雪崩信号一端接收阳极接地端测量电容并联电容连接脉冲电压一端连接直流偏压

[发明专利]一种时域高稳定超宽谱脉冲源-CN202110068707.6有效
发明人：杨瑜;肖建平;朱维;罗尧天;唐冬林;童允 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十九研究所
申请日： 2021-01-19 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： H03K3/64 文献下载
摘要：本发明公开了一种时域高稳定超宽谱脉冲源，包括雪崩管V1～V22，所述雪崩管V1的基极、雪崩管V2的基极、电阻R25的一端连接、电阻R23的一端连接12V脉冲输入，所述雪崩管V1的集电极分别与电容C1的一端、雪崩管V2的集电极和电阻R2的一端连接，所述电阻R2的另一端与电阻R1的一端连接。本发明将前n级雪崩管改成了低压触发雪崩管，其抖动最优的触发点相应降低。从而大大减轻了对触发信号幅度和前沿的要求，提高了整个链路的输出时域稳定性。
一种时域稳定超宽谱脉冲

[发明专利]雪崩光电二极管偏置电压产生电路、方法及光模块-CN201410358127.0无效
发明人：汤小虎;周新军;高海兵;王祥忠 -专利权人：苏州旭创科技有限公司
申请日： 2014-07-25 - 公布日： 2014-11-19 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本发明揭示了一种雪崩光电二极管偏置电压产生电路、方法及光模块，雪崩光电二极管偏置电压产生电路为多个雪崩光电二极管提供偏置电压，其包括：升压模块，用于提供一预定偏置电压，预定偏置电压的值大于多个雪崩光电二极管中每一个雪崩光电二极管正常工作所需的电压的值；与升压模块连接的多个电压微调模块，多个电压微调模块将预定偏置电压调节至每个雪崩光电二极管正常工作所需的电压并输出至相应的雪崩光电二极管。
雪崩光电二极管偏置电压产生电路方法模块

[发明专利]单光子雪崩二极管及制作方法、探测器阵列、图像传感器-CN201811524540.4在审
发明人：臧凯;李爽;马志洁 -专利权人：深圳市灵明光子科技有限公司
申请日： 2018-12-13 - 公布日： 2019-04-19 - 主分类号： H01L31/0232 文献下载
摘要：本发明公开了一种单光子雪崩二极管及制作方法、探测器阵列、图像传感器，其中，背照式单光子雪崩二极管设置有陷光结构和侧壁反射墙，入射光经过陷光结构反射、散射、折射后被分散到各个角度，加上侧壁反射墙的反射作用，可以延长光在背照式单光子雪崩二极管中的有效光程，从而提高了光在背照式单光子雪崩二极管中的吸收效率；一种背照式单光子雪崩二极管的制作方法，实现了背照式单光子雪崩二极管的制作。而包含背照式单光子雪崩二极管的光电探测器阵列和图像传感器，由于具有背照式单光子雪崩二极管，有效提高了光电探测器阵列和图像传感器的光吸收效率。
单光子雪崩二极管背照式图像传感器反射光电探测器阵列探测器阵列陷光结构制作侧壁光吸收效率反射作用吸收效率有效光程入射光散射折射

[发明专利]具有雪崩电荷渡越缓冲层的碳化硅MOSFET器件及制备方法-CN202110604748.2在审
发明人：李轩;叶俊杰;吴阳阳;王常旺;邓小川;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2021-05-31 - 公布日： 2021-08-27 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种具有雪崩电荷渡越缓冲层的碳化硅MOSFET器件及其制作方法，制作方法包括：N‑外延层注入铝离子同时形成P型雪崩电荷渡越缓冲层和P型基区，注入深度通过SiO2掩膜厚度来调控；铝离子注入形成P+欧姆接触区；氮离子注入形成N+源区并激活退火；栅氧化层热生长并氮化退火；多晶硅淀积与刻蚀；通过P型雪崩电荷渡越缓冲层在P型基区下方引入多个电场峰值，当器件发生雪崩后雪崩电荷分别从P型雪崩电荷渡越缓冲层和P型基区拐角处泄放，此时产生的电流呈现出离散的分布，极大缓和了局部温度的升高，提高了器件的雪崩能力，本发明成功增强了碳化硅MOSFET器件在阻断状态下的雪崩可靠性。
具有雪崩电荷缓冲碳化硅 mosfet 器件制备方法

[发明专利]用于驱动雪崩光电二极管芯片的装置和方法-CN202011496890.1在审
发明人：何火锋;胡攀攀;潘奇;杨俊 -专利权人：武汉万集信息技术有限公司
申请日： 2020-12-17 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： G05D23/20 文献下载
摘要：本公开涉及一种用于驱动雪崩光电二极管芯片的装置和方法，所述装置可以包括主控单元、温度监测单元和温度调节单元，其中：所述温度监测单元用于监测所述雪崩光电二极管芯片的温度；所述主控单元用于从所述温度监测单元获取所述雪崩光电二极管芯片的温度，并控制所述温度调节单元调节所述雪崩光电二极管芯片的温度；以及所述温度调节单元用于在所述主控单元的控制下调节所述雪崩光电二极管芯片的温度。本公开的用于驱动雪崩光电二极管芯片的装置和方法可以避免由温度变化和偏置电压温度系数的非线性引起的偏置电压非线性误差，因此可以改善雪崩光电二极管的光电转换效率。此外，还可以节省雪崩光电二极管芯片的驱动时间。
用于驱动雪崩光电二极管芯片装置方法