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[发明专利]La4-CN202310482658.X在审
发明人：焦桓;王晓明;郑宏伟;魏嘉余 -专利权人：陕西师范大学
申请日： 2023-05-02 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： C30B29/10 文献下载
摘要：本发明公开了La4Sr4Si7N10O9晶体及荧光粉和制备方法。该晶体属正交晶系，晶胞参数a=15.56229(9)Å，b=7.76432(4)Å，c=15.55131(8)Å，V=1879.075(17)Å3，Z=4。通过Eu掺杂，获得一种宽谱橙黄光发射氮氧化物荧光粉，用化学通式La4Sr4‑xSi7N10O9:xEu表示,其中,0.005≤x≤0.03。本发明中荧光粉以La4Sr4Si7N10O9为基质材料，具有全新的结构及化学组成，以Eu作为激活离子，该荧光粉能被近紫外及蓝光激发，其发射由位于565 nm的Eu2+的宽谱发光和603附近的Eu3+线谱发光组成，其光谱半峰宽约为127 nm，属于宽谱橙黄光发射荧光粉。该荧光粉的激发带和近紫外芯片和蓝光芯片能够很好的匹配。
la base sub

[发明专利]半导体装置及其形成方法以及像素阵列-CN202210764693.6在审
发明人：欧育伶;许家荣;魏嘉余;李国政 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-06-29 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种半导体装置及其形成方法以及像素阵列，半导体装置可包括一单光子雪崩二极管(SPAD)，该单光子雪崩二极管经配置用于一基板的一背表面处的照射。该半导体装置可包括该半导体装置的该单光子雪崩二极管与一相邻单光子雪崩二极管之间的一全深沟槽隔离(FDTI)结构。该全深沟槽隔离可与使该单光子雪崩二极管与该相邻单光子雪崩二极管隔离相关联。该全深沟槽隔离结构可包括该基板的该背表面处的一浅沟槽隔离(STI)部件。该全深沟槽隔离结构可包括该基板的一前表面处的一深沟槽隔离(STI)部件。
半导体装置及其形成方法以及像素阵列

[发明专利]栅极结构及其制造方法与形成半导体装置的方法-CN201710718685.7有效
发明人： 魏嘉余;张復诚;陈信吉;高境鸿;郑枷彬;李国政;黄薰瑩;林彦良 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-08-21 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：一种栅极结构，包含栅极以及具有顶表面和底表面的第一隔离结构。栅极包含邻近第一隔离结构的第一侧壁、第二侧壁、邻近第一侧壁的底部边缘和第二侧壁的底部边缘的第一水平面。第一水平面位于第一隔离结构的顶表面与第一隔离结构的底表面之间。栅极亦包含邻近第二侧壁的顶部边缘的第二水平面。由栅极结构界定出的有效通道宽度包含第二侧壁的高度和第二水平面的宽度。
栅极结构及其制造方法形成半导体装置

[发明专利]图像传感器及其制造方法-CN201611217129.3有效
发明人： 魏嘉余;萧晋勋;邱柏钧;郑宇轩;许永隆;陈信吉;郑静玲 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-12-26 - 公布日： 2022-05-03 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种图像传感器，包括衬底、沟槽隔离件、多个图像感测单元、至少一个相位检测单元，以及互连层。沟槽隔离件在衬底中，以及衬底的多个有源区通过沟槽隔离件彼此分隔。图像感测单元和至少一个相位检测单元在布置为阵列的有源区中，以及至少一个相位检测单元的感测面积比图像感测单元的每个的感测面积小。互连层设置在图像感测单元和至少一个相位检测单元上。此外，还提提供了图像传感器的制造方法。本发明实施例涉及图像传感器及其制造方法。
图像传感器及其制造方法

[发明专利]用于均匀晶圆平坦化和接合的锚定结构和方法-CN201811384924.0有效
发明人： 魏嘉余;李承远;陈信吉;李国政;黄熏莹;林彦良 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-11-20 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明实施例针对锚定结构和用于形成锚定结构的方法，从而使得平坦化和晶圆接合可以是均匀的。锚定结构可以包括形成在介电层表面上的锚定层和形成在锚定层中和介电层表面上的锚定焊盘。锚定层材料可以选择为使得锚定层、锚定焊盘和互连材料的平坦化选择性可以彼此基本相同。锚定焊盘可以提供具有相同或类似材料的均匀密度的结构。本发明实施例涉及用于均匀晶圆平坦化和接合的锚定结构和方法。
用于均匀平坦接合锚定结构方法

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN202110052251.4在审
发明人：许家荣;魏嘉余;李国政;陈英豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-01-15 - 公布日： 2021-07-20 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本公开提供了一种半导体结构及其制造方法，半导体结构在基材中包含第一元件。半导体结构包含间隙填充层。间隙填充层的第一部分覆盖第一元件。间隙填充层的第一部分具有锥形侧壁。基材的第一部分将间隙填充层的第一部分与第一元件分开。
半导体结构及其制造方法

[发明专利]CMOS图像传感器及其形成方法-CN201811147275.2有效
发明人： 魏嘉余;陈信吉;李国政;林炳豪;黄熏莹;林彦良;高于婷 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-09-29 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明涉及CMOS图像传感器以及相关的形成方法。在一些实施例中，CMOS图像传感器包括设置在衬底内且位于传输栅极的一侧处的浮置扩散区域以及设置在衬底内且位于传输栅极的与浮置扩散区域相对的另一侧处的光电探测列。光电探测列包括掺杂类型与衬底的掺杂类型相反的掺杂感测层。光电探测列和衬底在包括一个或多个凹进部分的结界面处彼此接触。通过形成具有凹进部分的结界面，与没有凹进部分的先前p‑n结界面相比，扩大了结界面，并且因此改进了光电二极管结构的满阱容量。
cmos 图像传感器及其形成方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201810889870.7有效
发明人： 魏嘉余;李承远;林彦良;李国政;黄薰莹;陈信吉 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-08-07 - 公布日： 2021-01-12 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本公开提供了一种半导体结构及其形成方法，该半导体结构包含第一半导体装置、第二半导体装置及接合结构。第一半导体装置包含第一导电层形成于第一基板上，第一蚀刻停止层形成于第一导电层上，且与第一导电层直接接触，第一接合层形成于第一蚀刻停止层上，以及第一接合导孔穿过第一接合层和第一蚀刻停止层而形成。第二半导体装置包含第二导电层和第二蚀刻停止层形成于第二基板上，第二接合层形成于第二蚀刻停止层上，以及第二接合导孔穿过第二接合层和第二蚀刻停止层而形成。接合结构位于第一基板与第二基板之间，且包含第一接合导孔接合至第二接合导孔。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]新型单光子雪崩二极管、光电探测器及其制造方法-CN201810698562.6有效
发明人： 魏嘉余;高于婷;林彦良;许文义;黄熏莹;李国政;陈信吉 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-06-29 - 公布日： 2020-12-25 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：一种光电探测器包括：具有第一掺杂类型的衬底；具有第二掺杂类型的第一半导体区，第一半导体区从衬底的前侧延伸到衬底中；以及具有第一掺杂类型的第二半导体区，第二半导体区进一步从第一半导体区的底部边界延伸到衬底中，其中，当光电探测器在盖革模式下工作时，第二半导体区完全耗尽以吸收从衬底的背侧所接收的辐射源。本发明还提供了新型单光子雪崩二极管、光电探测器的制造方法。
新型光子雪崩二极管光电探测器及其制造方法

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN201510641283.2有效
发明人： 魏嘉余;萧晋勋;朱益兴;林彦良;许永隆;陈信吉 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2015-09-30 - 公布日： 2020-01-14 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体结构，包括：半导体衬底，包括第一面、与第一面相对的第二面和设置在半导体衬底中的辐射感测器件；层间介电层(ILD)，设置在半导体衬底的第一面上方；以及导电焊盘，穿过ILD且设置在半导体衬底中并被配置为与设置在ILD上方的互连结构耦接，其中，半导体衬底围绕导电焊盘的部分，并且通过导电焊盘的部分的表面与半导体衬底的第二面来配置阶梯高度。本发明还提供了半导体结构的制造方法。
半导体结构及其制造方法

[发明专利]影像感测装置-CN201810204887.4在审
发明人： 魏嘉余;林彦良;李国政;黄薰瑩;陈信吉 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-03-13 - 公布日： 2019-05-17 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种影像感测装置，包含半导体基材、辐射感测元件、元件层和沟渠隔离。半导体基材具有前侧表面和与前侧表面相对的背侧表面。辐射感测元件设置于半导体基材的光感测区中且从半导体基材的前侧表面延伸出，此辐射感测元件包含带隙能量小于1.77电子伏特的半导体材料。元件层位于半导体基材的前侧表面及辐射感测元件上。沟渠隔离设置于半导体基材的隔离区中且从半导体基材的背侧表面延伸出。
半导体基材感测元件前侧表面辐射影像感测装置背侧表面元件层沟渠半导体材料带隙能量隔离设置光感测区隔离区延伸隔离

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201610599310.9在审
发明人： 魏嘉余;陈信吉;翁思强;许永隆;林彦良;萧晋勋 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-07-27 - 公布日： 2017-03-29 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供了半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括衬底、光敏部件、负性氧化物层、栅极介电层和传输门。光敏部件配置在衬底中以检测入射辐射。负性氧化物层位于光敏部件上方。栅极介电层位于负性氧化物层上方。传输门位于栅极介电层上方。
半导体器件及其制造方法

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