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[实用新型]雪崩光电二极管偏压保护装置及电路-CN200820117325.8有效
发明人：张琦 -专利权人：中兴通讯股份有限公司
申请日： 2008-06-04 - 公布日： 2009-06-10 - 主分类号： H02H7/20 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种雪崩光电二极管偏压保护装置及电路，其中，上述装置包括供电单元和雪崩光电二极管，还包括反馈部，其中，反馈部的输入端连接至供电单元的输出端；反馈部的第一输出端连接至供电单元的输入端；反馈部的第二输出端连接至本实用新型通过对雪崩光电二极管提供偏压过载保护，防止雪崩光电二极管管芯烧毁，提高了雪崩光电二极管接收机的安全性，降低了维修成本。
雪崩光电二极管偏压保护装置电路

[实用新型]成像装置和电子设备-CN201922478328.5有效
发明人：马志洁;臧凯;张超 -专利权人：深圳市灵明光子科技有限公司
申请日： 2019-12-31 - 公布日： 2020-09-01 - 主分类号： H04N5/225 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种成像装置和电子设备，成像装置包括采光模块、单光子雪崩二极管及控制模块，采光模块开设有至少一个通孔；单光子雪崩二极管用于接收从目标场景发出的并通过采光模块的通孔的光线；单光子雪崩二极管还用于记录目标场景的光强；控制模块与所述单光子雪崩二极管电连接，用于根据单光子雪崩二极管记录的光强构建目标场景的图像。
成像装置电子设备

[实用新型]发光裸片、发射模组、感测装置和电子设备-CN202120350591.0有效
发明人：王小明;吕晨晋;李佳鹏 -专利权人：深圳阜时科技有限公司
申请日： 2021-02-07 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： G01S17/08 文献下载
摘要：所述发光裸片包括：感测光源，用于发射感测光脉冲，所述感测光脉冲用于照射到外部对象以感测相关信息；单光子雪崩二极管，与所述感测光源串联连接；激发电路，用于发射激发光束，所述激发光束用于触发所述单光子雪崩二极管发生雪崩，所述感测光源用于在所述单光子雪崩二极管发生雪崩之后发射所述感测光脉冲。
发光发射模组装置电子设备

[实用新型]紫外单光子探测器-CN202220053816.0有效
发明人：苏琳琳;郁智豪;杨成东 -专利权人：无锡学院
申请日： 2022-01-10 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种紫外单光子探测器即雪崩光电二极管，包括SiC衬底及设置在SiC衬底上的外延结构。外延结构自上而下包括接触层、第一过渡层、i雪崩倍增层和第二过渡层，接触层及SiC衬底的表面均设有欧姆接触电极，i雪崩倍增层的厚度范围在1.5‑3μm。根据上述技术方案的紫外单光子探测器，通过增加i雪崩倍增层的厚度到1.5μm以上，增加光生载流子的加速和碰撞离化距离，改善光生载流子的雪崩倍增几率，提高器件的单光子探测性能。
紫外光子探测器

[发明专利]一种多漂移环结构的紫外雪崩漂移探测器及探测方法-CN201710722271.1在审
发明人：袁俊;倪炜江;黄兴;杨永江;张敬伟;牛喜平;李明山;徐妙玲;窦娟娟 -专利权人：北京世纪金光半导体有限公司
申请日： 2017-08-22 - 公布日： 2017-11-10 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明公开了一种多漂移环结构的紫外雪崩漂移探测器及探测方法，所述探测器的每个器件单元从上至下依次包括SiO2层、P‑well或N‑well、衬底和背面电极；其中，所述SiO2层的中心设置有CE电极，SiO2本申请采用宽禁带半导体材料来制作，雪崩区与光子收集区域分开，雪崩结区较小，能制作出比较低雪崩电压的器件；同时全耗尽的P‑Well区能减少载流子的复合；同时在雪崩倍增高场区域比较小的同时保证大面积的光探测区域，提高了量子效率；减小雪崩区域的面积，有助于减小暗电流和暗激发，同时对于晶片质量和缺陷的容忍度提高，防止了大面积雪崩倍增高场区在缺陷位置的提前击穿。
一种漂移结构紫外雪崩探测器探测方法

[发明专利]并发性检测电路、光子检测器、脉冲式TOF传感器以及其实现方法-CN201910147117.5在审
发明人：徐渊;潘安;王育斌;黄志宇;陈享 -专利权人：深圳市光微科技有限公司
申请日： 2019-02-27 - 公布日： 2019-05-24 - 主分类号： G01S11/12 文献下载
摘要：本申请提供一种用于单光子雪崩二极管宏像素的并发性检测电路、光子检测器、脉冲式TOF传感器以及其实现方法，单光子雪崩二极管宏像素包括至少一组单光子单元，每组单光子单元包括八个单光子雪崩二极管，每个单光子雪崩二极管连接一淬灭电路后输出触发信号，并发性检测电路接收触发信号并输出检测信号，其中，当每组单光子单元中有至少三个单光子雪崩二极管输出触发信号为高电平时，则对应的并发性检测电路输出检测信号为高电平，否则，并发性检测电路输出输出检测信号为低电平本申请能够有效地避免了单个单光子雪崩二极管被环境光中的光子“误触发”的错误触发信号和雪崩信号产生的干扰，有效提高了飞行时间测量的准确性。
单光子雪崩二极管检测电路并发性输出检测信号触发信号单光子光子检测器宏像素脉冲式传感器输出飞行时间测量错误触发雪崩信号低电平高电平环境光误触发有效地光子淬灭高电申请电路

[发明专利]多通道集成制冷单光子雪崩光电二极管器件-CN202010031308.8在审
发明人：敖天宏;高新江;蒋立群;陈伟;赵江林;张承;柳聪 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十四研究所
申请日： 2020-01-13 - 公布日： 2020-06-02 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种多通道集成制冷单光子雪崩光电二极管器件，包括壳体,所述壳体的内部设有空腔，所述空腔内设有热电制冷器和陶瓷基板，所述陶瓷基板上固定连接有温敏电阻和至少两个雪崩光电二极管芯片，所述空腔一侧的腔壁上插设有至少两组光纤组件，所述光纤组件插入端的端头分别与对应的雪崩光电二极管芯片的光敏面正对耦合。本发明通过在一个壳体内集成多个雪崩光电二极管芯片，每个芯片均能独立检测一路单光子信号，使用一个单光子雪崩光电二极管器件就能实现对多路信号的检测，使用方便；而且多个雪崩光电二极管芯片共用一个热电制冷器，可明显降低单光子雪崩光电二极管器件的体积
通道集成制冷光子雪崩光电二极管器件

[发明专利]飞行时间装置的发射模组、飞行时间装置和电子设备-CN202110182731.2在审
发明人：王小明;吕晨晋;李佳鹏 -专利权人：深圳阜时科技有限公司
申请日： 2021-02-07 - 公布日： 2021-05-28 - 主分类号： G01S17/08 文献下载
摘要：驱动电路包括：第一开关，连接在第一供电电源与第一节点之间；雪崩型光电二极管，与感测光源串联连接在第一节点与地之间；储能电容，连接在第一节点与地之间；其中，第一供电电源用于给储能电容充电，以及在需要雪崩型光电二极管发生雪崩时将雪崩型光电二极管上的电压预充电至预设雪崩电压；激发电路用于在需要感测光源发射感测光脉冲时，发射激发光束；储能电容用于在需要雪崩型光电二极管发生雪崩时，向感测光源放电，触发感测光源发射所述感测光脉冲。
飞行时间装置发射模组电子设备

[发明专利]一种小型化光可调接收器-CN201810427958.7在审
发明人：赵武丽;张华平;李阳 -专利权人：福州高意通讯有限公司
申请日： 2018-05-07 - 公布日： 2019-11-15 - 主分类号： G02B6/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种小型化光可调接收器，其包括TO底座、TO管帽、滤波器和雪崩光电二极管，TO管帽固定在TO底座上，TO管帽远离TO底座的一端上具有窗口，雪崩光电二极管和滤波器依序封装在TO管帽内，且雪崩光电二极管设于TO底座上；所述雪崩光电二极管的接收面和滤波器之间设有聚焦透镜。采用以上结构，在雪崩光电二极管的接收面和滤波器之间增加一个聚焦透镜来提供雪崩光电二极管的耦合效率，增加一个聚焦透镜之后就可以允许进入的光是光斑比较大、发散角比较小的光，这样走离效应会降低很多，雪崩光电二极管接收到的光的带宽与理论值不会相差很多
雪崩光电二极管滤波器管帽聚焦透镜耦合效率接收面可调接收器光斑发散角灵敏度中心波串扰封装带宽

[发明专利]基于雪崩二极管的检测装置-CN202210487072.8在审
发明人：蔡佐升 -专利权人：原相科技股份有限公司
申请日： 2019-03-19 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： G01S17/10 文献下载
摘要：一种检测装置，包含光源、雪崩二极管、第一计数器、第二计数器以及处理器。光源于第一期间发光，并于第二期间、第三期间及第四期间熄灭。雪崩二极管相对第一期间、第二期间、第三期间及第四期间检测光子以激活雪崩事件。第一计数器对第一期间的雪崩事件进行上数计数并对第三期间的雪崩事件进行下数计数以产生第一计数值。第二计数器对第二期间的雪崩事件进行上数计数并对第四期间的雪崩事件进行下数计数以产生第二计数值。处理器根据第一计数值及第二计数值计算飞行时间。
基于雪崩二极管检测装置

[发明专利]一种硅基双区雪崩光电二极管-CN202211554162.0在审
发明人：钟志亲;陈志刚;罗翔 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-12-06 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明涉及一种硅基双区雪崩光电二极管，包括：P型衬底、深N阱层、P阱层、N阱区、第一N+区、第二N+区、第三N+区、第一P+区、第二P+区、第三P+区、第四P+区、浅槽隔离区、第一阳极、第二阳极、阴极、其中P型衬底与深N阱层组成的PN结构成衬底隔离区，用来隔离衬底产生电流，深N阱层与P阱层组成的PN结构成第一雪崩区，P阱层与第一N+区、第二N+区组成的PN结构成第二雪崩区，第一阳极和第二阳极施加不同的反偏电压，阴极以及衬底电极接地，双雪崩区载流子在偏置电压下发生雪崩倍增，阴极收集到近乎两倍的雪崩电流。本发明实现了硅基雪崩光电探测器在线性模式下响应度的进一步提升。
一种硅基双区雪崩光电二极管

[发明专利]一种用于三维成像芯片的像素电路-CN201510481468.1有效
发明人：金湘亮;杨佳;杨红姣 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2015-08-10 - 公布日： 2017-06-23 - 主分类号： G01J1/44 文献下载
摘要：本发明所述的三维成像芯片像素结构包括一个用于检测光子信息的单光子雪崩二极管；与单光子雪崩二极管相连接的一个被动淬灭主动再充电电路，用于检测光子到达而引起的雪崩效应，和在检测雪崩效应后给单光子雪崩二极管再充电使其两端电压恢复工作在盖格模式下，以便检测下一次到达的光子；一个多路选择开关，用于将被动淬灭主动再冲电路转换的雪崩脉冲分时分别传输给后面的处理电路；两个计数器，分别用来记录一个曝光周期记录的光子转换为雪崩脉冲的数目，每个计数器的输出端连接了一个三态门开关
一种用于三维成像芯片像素电路

[发明专利]一种光电探测器-CN201910920049.1有效
发明人：李彬;陈小梅;官成钢;牛玉秀 -专利权人：武汉光迅科技股份有限公司
申请日： 2019-09-26 - 公布日： 2021-10-12 - 主分类号： H01L31/0203 文献下载
摘要：本发明公开了一种光电探测器，光电探测器包括管壳、制冷器、光纤和单光子雪崩光电二极管芯片，管壳内设有密封的容纳腔，制冷器和单光子雪崩光电二极管芯片均位于容纳腔内；单光子雪崩光电二极管芯片组装在制冷器上；光纤穿设于管壳，光纤与单光子雪崩光电二极管芯片的光敏面平行设置，光纤靠近光敏面的一端具有斜端面，光纤内的信号光经斜端面全反射后与单光子雪崩光电二极管芯片的光敏面耦合。通过将制冷器与单光子雪崩光电二极管芯片设置在管壳内，单光子雪崩光电二极管芯片通过载体组装在制冷器上，对管壳进行封装，使封装后的管壳具有制冷功能，提高了制冷器的制冷效率，缩小了光电探测器的体积。
一种光电探测器

[发明专利]基于雪崩二极管的物体检测装置-CN201910206860.3有效
发明人：蔡佐升 -专利权人：原相科技股份有限公司
申请日： 2019-03-19 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： G01S17/08 文献下载
摘要：一种物体检测装置，包含光源、雪崩二极管、第一计数器、第二计数器以及处理器。光源于第一期间发光，并于第二期间、第三期间及第四期间熄灭。雪崩二极管相对第一期间、第二期间、第三期间及第四期间检测光子以激活雪崩事件。第一计数器对第一期间的雪崩事件进行上数计数并对第三期间的雪崩事件进行下数计数以产生第一计数值。第二计数器对第二期间的雪崩事件进行上数计数并对第四期间的雪崩事件进行下数计数以产生第二计数值。处理器根据第一计数值及第二计数值计算飞行时间。
基于雪崩二极管物体检测装置

[发明专利]一种基于高纯本征单晶金刚石的雪崩二极管及制备方法-CN202011077757.2有效
发明人：张金风;何琦;苏凯;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2020-10-10 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于高纯本征单晶金刚石的雪崩二极管及制备方法，该雪崩二极管包括：本征金刚石层，本征金刚石层为高纯本征金刚石层，本征金刚石层上形成有第一台面和第二台面，第一台面相对于第二台面凸起且位于第二台面的中心该雪崩二极管提高了雪崩二极管的雪崩发生几率、击穿电压、工作电流、响应速度，并且抑制了因工作温度过高而导致的失效问题，使得雪崩二极管雪崩状态可控且在高重频短脉冲下具有稳定复现的高击穿场强。
一种基于高纯征单晶金刚石雪崩二极管制备方法