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[发明专利]一种雪崩光电探测器及其高频特性提高方法-CN201310136042.3有效
发明人：李彬;韩勤;杨晓红 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2013-04-18 - 公布日： 2013-08-28 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：本发明公开了一种雪崩光电探测器，其用于探测目标探测光，并包括纵向依次排列的吸收层(3)、第一电荷层(41)、倍增层(5)、第二电荷层(42)和渡越层(6)，其中第一电荷层(41)为N型掺杂，第二电荷层(吸收层(3)用于吸收目标探测光，将目标探测光的光子转化为光生自由载流子对；第一电荷层(41)用于调控器件内部电场分布；倍增层(5)用于使进入其中的自由载流子引发雪崩效应，产生雪崩载流子对，雪崩载流子对中的空穴经由所述渡越层(6)纵向漂移至所述雪崩光电探测器的一端。本发明能更好地调节雪崩光电探测器的电容和载流子渡越时间，有利于其高频特性的提高。
一种雪崩光电探测器及其高频特性提高方法

[发明专利]一种镓氮雪崩光电二极管组件及其制作方法-CN201510755003.0有效
发明人：吕志勤;吕强;黄臻 -专利权人：中蕊（武汉）光电科技有限公司
申请日： 2015-11-09 - 公布日： 2018-04-27 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：本发明提供一种镓氮雪崩光电二极管组件及其制作方法，所述镓氮雪崩光电二极管组件包括镓氮雪崩光电二极管和超材料，所述超材料形成于所述镓氮雪崩光电二极管的衬底的背面，使入射光通过超材料之后再进入所述镓氮雪崩光电二极管本发明采用生长工艺和制作技术相对成熟的GaN材料，通过在GaN雪崩光电二极管的衬底背面制作超材料将非日盲紫外光大幅吸收，显著减小了非日盲紫外光的干扰。
一种雪崩光电二极管组件及其制作方法

[发明专利]光检测装置-CN201780069330.8有效
发明人：马场隆;足立俊介;中村重幸;永野辉昌;山本晃永 -专利权人：浜松光子学株式会社
申请日： 2017-11-09 - 公布日： 2021-07-27 - 主分类号： G01J1/42 文献下载
摘要：光检测装置在每个像素具有以盖革模式动作的多个雪崩光电二极管、串联地电连接于对应的雪崩光电二极管的多个灭弧电阻、对来自多个雪崩光电二极管的输出信号进行处理的信号处理部。多个雪崩光电二极管的受光区域在每个像素二维排列。各信号处理部具有栅极接地电路和电连接于栅极接地电路的电流镜电路。在栅极接地电路，通过多个灭弧电阻电连接有对应的像素的多个雪崩光电二极管。电流镜电路输出与来自多个雪崩光电二极管的输出信号对应的信号。
检测装置

[实用新型]一种镓氮雪崩光电二极管组件-CN201520885759.2有效
发明人：吕志勤;吕强;黄臻 -专利权人：中蕊（武汉）光电科技有限公司
申请日： 2015-11-09 - 公布日： 2016-03-16 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：本实用新型提供一种镓氮雪崩光电二极管组件，所述镓氮雪崩光电二极管组件包括：镓氮雪崩光电二极管和形成于所述镓氮雪崩光电二极管的衬底的背面的超材料，以使入射光通过超材料之后再进入所述镓氮雪崩光电二极管；所述超材料的电磁共振波长位于本实用新型采用生长工艺和制作技术相对成熟的GaN材料，通过在GaN雪崩光电二极管的衬底背面制作超材料将非日盲紫外光大幅吸收，显著减小了非日盲紫外光的干扰。
一种雪崩光电二极管组件

[实用新型]单光子雪崩二极管、探测器阵列、图像传感器-CN201822090982.4有效
发明人：臧凯;李爽;马志洁 -专利权人：深圳市灵明光子科技有限公司
申请日： 2018-12-13 - 公布日： 2019-08-06 - 主分类号： H01L31/0232 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种单光子雪崩二极管、探测器阵列、图像传感器，其中，背照式单光子雪崩二极管设置有陷光结构和侧壁反射墙，入射光经过陷光结构反射、散射、折射后被分散到各个角度，加上侧壁反射墙的反射作用，可以延长光在背照式单光子雪崩二极管中的有效光程，从而提高了光在背照式单光子雪崩二极管中的吸收效率；而包含背照式单光子雪崩二极管的光电探测器阵列和图像传感器，由于具有背照式单光子雪崩二极管，有效提高了光电探测器阵列和图像传感器的光吸收效率。
单光子雪崩二极管背照式图像传感器反射光电探测器阵列探测器阵列陷光结构侧壁本实用新型光吸收效率反射作用吸收效率有效光程入射光散射折射

[实用新型]一种分布式光纤拉曼测温装置-CN201922289190.4有效
发明人：金智群;翁志辉;金金 -专利权人：广州劲联智能科技有限公司
申请日： 2019-12-18 - 公布日： 2020-07-07 - 主分类号： G01K11/32 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种分布式光纤拉曼测温装置，包括：激光光源、光波分复用器、参考光纤、传感光纤、第一雪崩光电探测器、第二雪崩光电探测器、放大器、数据采集模块、温度传感器、中央处理器、散热风扇组、外壳、金属均热板，雪崩光电探测器被包裹在金属均热板中，本实用新型利用多种成熟可靠的导温器件稳定雪崩光电探测器的自身温度，并进一步通过保温材料和散热器件，降低机箱内的其他热源对雪崩光电探测器的温度影响，由此解决雪崩光电探测器由于温度不稳定输出导致的校准级和测量级的光电响应增益持续变化的技术问题
一种分布式光纤测温装置

[实用新型]半导体器件-CN202022477870.1有效
发明人： M·A·苏弗里德格;S·伯萨库尔;N·W·查普曼 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2020-10-30 - 公布日： 2021-05-25 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种半导体器件，包括多个单光子雪崩二极管像素，其中所述单光子雪崩二极管像素中的每个单光子雪崩二极管像素具有有源区域和无源区域；多个微透镜，其中所述微透镜中的每个微透镜覆盖所述单光子雪崩二极管像素中相应一个单光子雪崩二极管像素的所述有源区域；和容纳栅格，所述容纳栅格覆盖所述单光子雪崩二极管像素的所述无源区域，其中所述容纳栅格的部分插置在所述多个微透镜中的相邻微透镜之间。
半导体器件

[实用新型]一种窄带通雪崩光电二极管-CN202321154322.2有效
发明人：孙骏逸 -专利权人：苏州如涵科技有限公司
申请日： 2023-05-15 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：本申请涉及一种窄带通雪崩光电二极管，通过在设置于基板上雪崩光电二极管上包覆式设置封装层，封装层包括包覆式设置在雪崩光电二极管上的第一封装层和包覆设置在第一封装层上的第二封装层，并于雪崩光电二极管的高度方向在第一封装层和第二封装层的上表面设置窄带通滤光膜，雪崩光电二极管自身实现了窄带通滤光，窄带通滤光膜距雪崩光电二极管更进，结构更加紧凑，对于其他波段杂散光的滤光效果更好。
一种窄带雪崩光电二极管

[发明专利]突发光接收器、突发光接收器的雪崩光电二极管的偏置电压控制方法-CN201380073262.4有效
发明人：野田雅树;庵原晋;吉间聪;野上正道 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2013-05-30 - 公布日： 2017-12-05 - 主分类号： H03F3/08 文献下载
摘要：通过被反向连接的雪崩光电二极接收具有不同强度的突发光信号的突发光接收器，其包括电流检测电路，其将雪崩光电二极产生的从串联连接在电源和雪崩光电二极之间的电流镜电路输出的光电流作为与光电流成比例的电压进行输出；峰值检测电路，其对电流检测电路的输出电压的峰值进行检测和保持；电阻连接切换电路，其被插入在电流镜电路和雪崩光电二极之间，切换串联电阻与雪崩光电二极的串联连接；以及比较器，其在峰值检测电路的检测电压为规定的阈值以上的情况下，输出使电阻连接切换电路进行将串联电阻与雪崩光电二极串联连接的切换的切换信号。
突发接收器 apd 偏置电压控制方法

[发明专利]高灵敏度、高分辨率的检测器装置和阵列-CN200680028037.9无效
发明人：德米特里·A·舒沙科夫;维塔利·E·舒宾 -专利权人：增强技术公司
申请日： 2006-06-10 - 公布日： 2008-09-03 - 主分类号： H01J47/00 文献下载
摘要：本发明描述了雪崩放大结构(1)，所述雪崩放大结构(1)包含电极(2)和(8)、雪崩区(3)、计量器(4)、积分器(5)、调节器(6)和衬底(7)，被设置成检测由少至几个电子组成的弱信号。计量器(4)调整雪崩过程。积分器(5)累积信号电荷。调节器(6)排空所述积分器(5)并且控制所述计量器(4)。所述雪崩放大结构(1)包含：标准计量器，反向偏压设计；标准计量器，标准偏压设计；横向计量器，标准偏压设计；可变计量器，标准偏压，调节电极设计；标准计量器，标准偏压，调节电极设计；以及横向计量器，标准偏压类似地，设置雪崩放大结构(1)以提供多通道装置的阵列。所述结构对于国防关键性装置直接具有适用性。
灵敏度高分辨率检测器装置阵列

[发明专利]单光子雪崩检测器、其使用方法及其制造方法-CN201980067264.X在审
发明人：道格拉斯·约翰·保罗;德里克·杜马;雅罗斯瓦夫·基尔多达;罗斯·W·米勒;穆罕默德·M·米尔扎;杰拉尔德·S·布勒;彼得·瓦因斯;凯特伊纳·库兹缅科 -专利权人：格拉斯哥大学大学行政评议会;赫瑞—瓦特大学
申请日： 2019-09-09 - 公布日： 2021-05-25 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：提出了一种单光子雪崩二极管(SPAD)器件。该SPAD器件包括：基于Si的雪崩层，其形成在n型半导体接触层上；p型电荷片层，其形成在雪崩层中或雪崩层上，该p型电荷片层具有面内宽度；基于Ge的吸收体层，其形成在电荷片层和/或雪崩层上并与电荷片层交叠
光子雪崩检测器使用方法及其制造方法

[发明专利]一种SiC雪崩光电二极管的无损缺陷检测方法及装置-CN202111443343.1在审
发明人：苏琳琳;杨成东;马文烨;张见 -专利权人：无锡学院
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： G01N21/95 文献下载
摘要：本发明公开了一种SiC雪崩光电二极管的无损缺陷检测方法及装置，利用位错的发光规律，通过SiC雪崩光电二极管在雪崩击穿下的发光图像，辨别SiC雪崩光电二极管有源区内是否存在位错缺陷，进行高质量SiC雪崩光电二极管筛选
一种 sic 雪崩光电二极管无损缺陷检测方法装置

[发明专利]单光子探测器-CN202210846911.0在审
发明人：张思远;孙仕海;赖廷钦;梁晓琳;郭俊彬;田之宇 -专利权人：中山大学
申请日： 2022-07-19 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： G01J11/00 文献下载
摘要：单光子探测器包括：驱动单元，驱动单元包括单光子雪崩二极管，单光子雪崩二极管被配置为在偏置电压大于雪崩击穿电压的情况下，根据单光子信号产生雪崩信号；采样单元，采样单元连接驱动单元，用于根据采样时钟信号对雪崩信号分别进行随机采样和周期采样
光子探测器

[发明专利]雪崩光电探测器过剩噪声因子测量系统及测量方法-CN202310114825.5在审
发明人：杨晓红;刘一君;王睿;唐永升 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2023-02-07 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： G01R29/26 文献下载
摘要：本公开提供了一种雪崩光电探测器过剩噪声因子测量系统及测量方法。该雪崩光电探测器过剩噪声因子测量系统包括：载物装置、光源、频谱仪、偏置器、源压表以及高频探针；载物装置用于放置待测器件，待测器件包括雪崩光电探测器芯片；光源用于向雪崩光电探测器芯片输出稳恒光以进行噪声测试；以及雪崩光电探测器芯片与偏置器相连，偏置器基于直流通路连接源压表，偏置器通过高频探针基于交流通路连接频谱仪，以形成噪声测试链路。
雪崩光电探测器过剩噪声因子测量系统测量方法

[发明专利]一种带有深N阱的NP型CMOS雪崩光电二极管-CN201410122853.2有效
发明人：王巍;王川;颜琳淑;胡洁;王婷;杜超雨;王振;袁军 -专利权人：重庆邮电大学
申请日： 2014-03-28 - 公布日： 2014-06-25 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：本发明公开了一种带有深N阱的NP型CMOS雪崩光电二极管，包括P型衬底、设置于P型衬底上的N阱层及雪崩区，所述雪崩区设置于所述P型衬底和N阱之间构成PN结，在P型衬底和雪崩区之间还设置有光吸收层，所述光吸收层为设置于P型衬底层上的深N阱，所述深N阱的掺杂浓度大于P型衬底层的掺杂浓度；本发明提高了雪崩光电二极管器件的速率、频率响应和带宽。
一种带有 np cmos 雪崩光电二极管