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[发明专利]一种双异质结和复合钝化层的IMPATT二极管及其制作方法-CN201811558022.4有效
发明人：杨林安;李秀圣;马晓华;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2018-12-19 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： H01L31/0304 文献下载
摘要：本发明涉及一种双异质结和复合钝化层的IMPATT二极管，包括：衬底层；外延层，位于衬底层上层；欧姆接触层，位于外延层中间的上层；第一漂移区，位于欧姆接触层中间的上层；第二漂移区，位于第一漂移区上层；雪崩区，位于第二漂移区上层；欧姆接触电极，位于欧姆接触层两侧和欧姆接触层两侧的上层；第一钝化层，位于欧姆接触层上层和欧姆接触电极上层，且位于第一漂移区两侧、第二漂移区两侧和雪崩区两侧；第二钝化层，位于第一钝化层上层；肖特基接触电极，位于雪崩区上层和第二钝化层上层。本发明提出的二极管，提高了雪崩区载流子电离率，雪崩效应被限制在雪崩区，减小了雪崩区宽度，改善了功率输出能力。
一种双异质结复合钝化 impatt 二极管及其制作方法

[发明专利]一种APD单光子探测器电路及雪崩信号甄别方法-CN201710312505.5有效
发明人：高家利;盘红霞;阎卫萍 -专利权人：重庆理工大学
申请日： 2017-05-05 - 公布日： 2019-05-28 - 主分类号： G01J1/44 文献下载
摘要：本发明公开了一种APD单光子探测器电路及雪崩信号甄别方法，该电路包括直流偏置电压单元、门控脉冲发生器以及雪崩光电二极管APD，直流偏置电压单元通过第一电阻R1与雪崩光电二极管APD的阴极相连；门控脉冲发生器通过第一电容C与雪崩光电二极管APD的阴极相连；雪崩光电二极管APD的阳极通过第二电阻R2接地；雪崩光电二极管APD的阳极还依次连接有高速过零比较器和电平测量比较电路，电平测量比较电路包括检测模块，判决模块，以及信号生成模块本发明电路结构简单，无需对脉冲进行分离，有利于降低实现的成本，提高检测速度和效率；本发明方法具有雪崩信号甄别能力强，准确率较高等优点。
雪崩光电二极管雪崩信号门控脉冲发生器阴极单光子探测器直流偏置电压电路阳极电平测量电阻信号生成模块过零比较器电路结构检测模块判决模块依次连接电容接地能力强脉冲准确率检测

[发明专利]单光子探测电路和单光子探测器-CN202310862686.4有效
发明人：盛迎接;吴亚;贺羽 -专利权人：国仪量子（合肥）技术有限公司
申请日： 2023-07-14 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： G01J1/44 文献下载
摘要：本发明公开一种单光子探测电路和单光子探测器，其中，单光子探测电路包括雪崩二极管、供电子电路、探测单元、淬灭单元、异常处理单元、选择单元、恢复单元和脉冲处理单元，供电子电路向雪崩二极管提供偏置电压，然后探测单元探测雪崩二极管的状态，若发生雪崩则通过淬灭单元对雪崩二极管进行主动淬灭处理，再通过高压恢复单元进行恢复处理，在恢复过程中如果出现异常，则利用异常处理单元进行处理，选择单元则能够对淬灭和异常进行选择，上述主动淬灭处理、恢复处理和异常处理都通过脉冲处理单元对偏置电压进行控制，从而能够在雪崩电流较低时提高雪崩二极管的响应灵敏度，降低后脉冲概率，同时缩短死时间并提高光子探测的探测效率和饱和计数率。
光子探测电路探测器

[实用新型]一种可快速拆装式通用雪崩管管夹-CN201320376239.X有效
发明人：江晓;李晓刚;武宏宇 -专利权人：山东量子科学技术研究院有限公司
申请日： 2013-06-27 - 公布日： 2013-11-27 - 主分类号： H01L23/32 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种可快速拆装式通用雪崩管管夹，包括上夹体和下夹体，所述上夹体和下夹体的相对面均设有圆弧形雪崩管固定槽，所述上夹体的第一端部和下夹体的第一端部通过固定元件连接，实现上下夹体的打开和闭合，所述上夹体的上表面设有平台，所述上夹体与平台之间设有温度传感器固定槽，所述上夹体的第二端部和下夹体的第二端部通过雪崩管锁紧装置锁紧，所述平台上设有温度传感器锁紧装置。雪崩管管夹的上下夹体通过螺钉实现与雪崩管的紧密连接，无需与雪崩管进行焊接，因此可以反复使用，实现多次拆装更换雪崩管而不用重新加工管夹。
一种快速拆装通用雪崩管管

[实用新型]一种保护观测镜内雪崩管的综合测试装置-CN202020663783.2有效
发明人：吴洁明;包锡锋;胡鹏程;张士明;俞菊英;徐艳;张嘉;吴冠洲 -专利权人：江苏北方湖光光电有限公司
申请日： 2020-04-27 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： G01S7/497 文献下载
摘要：本实用新型公开一种保护观测镜内雪崩管的综合测试装置，属于光电观测技术领域。使用所述综合测试装置对观测镜调校时，用于保护观测镜内的雪崩管，所述激光发射器发射的光线经所述综合测试装置反射后，进入所述观察光学系统，所述雪崩管用于将所述观察光学系统射出的一部分光能转换成电信号；所述综合测试装置包括设置在所述观测镜前端的滤光片，用于截止进入所述观测镜之前的激光的中心波段，所被截止的激光波段也是所述雪崩管最敏感的部分。本实用新型提供的一种保护观测镜内雪崩管的综合测试装置中，被过滤后的光波通过所述观察光学系统再聚焦到所述雪崩管上，就避免了所述雪崩管被烧坏。
一种保护观测雪崩综合测试装置

[实用新型]一种体电阻淬灭雪崩光电二极管阵列探测器-CN201820841046.X有效
发明人：袁俊;黄兴;倪炜江;徐妙玲;黎磊;窦娟娟;耿伟 -专利权人：北京世纪金光半导体有限公司
申请日： 2018-06-01 - 公布日： 2020-11-10 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种体电阻淬灭雪崩光电二极管阵列探测器，所述探测器的每个雪崩二极管器件单元从上至下依次包括阳极电极、减反射钝化层、N+区、P+雪崩结、P‑外延层及体淬灭电阻区、P+掩埋隔离区、P++衬底和背面阴极电极本申请采用半导体材料来制作，各雪崩二极管单元通过外延P‑区的自体寄生体电阻实现雪崩的淬灭，雪崩区单元面积小，单元密度高；该结构通过P+掩埋隔离结构及N+区反向耐压工作时的自耗尽区，使各雪崩二极管单元的体电阻区实现自隔离
一种电阻雪崩光电二极管阵列探测器

[实用新型]一种测试功率半导体雪崩能量及热阻分层的设备-CN202021601401.X有效
发明人：杨明涛;严地茂 -专利权人：深圳市赛思特智能设备有限公司
申请日： 2020-08-05 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种测试功率半导体雪崩能量及热阻分层的设备，包括MOS管VT1，MOS管VT2，MOS管VT3，外接AC220V电源的变压器T1，主电源，CC/CV控制，贮能电容，二极管DIODE，雪崩能量贮能电感，雪崩能量控制电路，被测机台，雪崩能量及热阻控制电路，雪崩能量电感器控制电路，电压自检电路，主控CPU，电阻RS，数据采集电路，以及USB通讯口。本实用新型提供一种测试功率半导体雪崩能量及热阻分层的设备，有效的将雪崩能量测试设备和热阻分层测试设备结合成为了一个整体，减轻了企业的负担，同时还能很好的降低设备占用的空间，并利用PC作为上位机，能够更好的完成数据的查看和参数的设置
一种测试功率半导体雪崩能量分层设备

[实用新型]一种基于红外单光子探测器的雪崩信号甄别系统-CN202222563798.3有效
发明人：刘永集;朱伟;郭邦红 -专利权人：广东国腾量子科技有限公司
申请日： 2022-09-27 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： G01J11/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于红外单光子探测器的雪崩信号甄别系统，包括偏置电压单元以及依次顺序相连的门控脉冲信号发生器、雪崩光电二极管APD、带通滤波器、低通滤波器、高速比较器、脉宽整形模块、脉宽检测模块、脉宽比较模块和显示模块本甄别系统当门控脉冲信号发生器发出的信号处于上升沿到来时，雪崩二极管APD的阴极处于反向击穿状态并在光子进来时产生雪崩信号进入到带通滤波器和低通滤波器中，滤除干扰噪声；脉宽比较模块将事先存入脉宽比较模块中的脉宽与脉宽检测模块输出的雪崩信号脉宽进行比较，从而对雪崩信号进行甄别。本实用新型公开的系统，减少了噪声对测量的干扰，并提高甄别雪崩信号的精准度以及单光子的探测效率。
一种基于红外光子探测器雪崩信号甄别系统

[实用新型]控制跨单光子雪崩二极管施加的电压的装置和电子设备-CN201922103202.X有效
发明人： J·K·莫雷 -专利权人：意法半导体(RD)有限公司
申请日： 2019-11-29 - 公布日： 2020-07-17 - 主分类号： G05F3/26 文献下载
摘要：本实用新型涉及控制跨单光子雪崩二极管施加的电压的装置和电子设备。在本实用新型的实施例中，一种用于控制跨单光子雪崩二极管的电压的方法包括：基于穿过单光子雪崩二极管流动的电流提供输出；以及基于所提供的输出，控制跨单光子雪崩二极管施加的电压。
控制光子雪崩二极管施加电压装置电子设备

[发明专利]一种变电站雪崩测试方法、系统及终端设备-CN201911377257.8在审
发明人：李均强;李宣义;栗会峰;李铁成;赵宇皓;王亚军 -专利权人：国网河北省电力有限公司电力科学研究院;国家电网有限公司
申请日： 2019-12-27 - 公布日： 2020-05-08 - 主分类号： G01R31/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种变电站雪崩测试方法、系统及终端设备，方法包括对遥信信号进行置位方式建立遥信雪崩模型，模拟多个遥信变位同时发生的情况，向变电站监控系统发送第一预设数量的遥信变位信号；和/或对遥测信号进行遥测置数，模拟遥测信号的遥测量越限值同时发生的情况，向变电站监控系统发送第二预设数量的遥测信号以对变电站进行雪崩测试；本发明的方法打破了常规的雪崩测试时大量的硬件设备与接口操作的复杂性，极大提高了测试工作的便捷性，既可实现对遥信雪崩的模拟，又可实现对遥测雪崩的模拟，能够更加真实的反应变电站危机状态情况。
一种变电站雪崩测试方法系统终端设备

[发明专利]一种主动淬灭和复位电路及探测系统-CN202011039851.9在审
发明人：雷述宇 -专利权人：宁波飞芯电子科技有限公司
申请日： 2020-09-28 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： G01S17/10 文献下载
摘要：本申请提供了一种主动淬灭和复位电路，其特征在于，包括：单光子雪崩二极管，用于接收光信号并产生雪崩电流；初始化模块，用于初始化单光子雪崩二极管；复位模块，用于复位单光子雪崩二极管；钳位模块，用于钳位单光子雪崩二极管；阈值检测单元，用于检测单光子雪崩二极管的阴极电压，并将检测后的信号反馈至复位模块，用于控制复位模块的开启。
一种主动复位电路探测系统

[发明专利]光检测装置和系统-CN202080065778.4在审
发明人：罗丹;西野辰树 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2020-06-16 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： G01S7/4861 文献下载
摘要：一种光检测装置，包括：第一像素电路，包括第一雪崩光电二极管；第二像素电路包括：第二雪崩光电二极管；第一延迟电路，包括耦合到第二雪崩光电二极管的阴极的输入；第一电路包括：耦合到第二雪崩光电二极管的阴极的第一输入所述光检测装置包括控制电路，所述控制电路耦合到第一电路的输出并被配置为基于第一电路的输出控制第一雪崩光电二极管的阳极的电势。所述控制电路被配置为基于第一电路的输出来控制第二雪崩光电二极管的阳极的电势。
检测装置系统

[发明专利]用于雪崩的防治装置及防治方法-CN202310188189.0在审
发明人：赵小平;张世殊;冉从彦;林红;胡金山;邓卫东;甘东科 -专利权人：中国电建集团成都勘测设计研究院有限公司
申请日： 2023-03-01 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： E01F7/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于雪崩的防治装置及防治方法，属于防灾减灾装备设计制造技术领域。提供一种能有效的对山顶陡峻、基岩裸露地区的积雪进行治理的用于雪崩的防治装置，本发明还提供一种采用所述防治装置治理雪崩的防治方法。所述的防治装置包括至少两组积雪治理结构，需要治理的积雪通过沿高度方向顺序的布置在雪崩发生区内的各组所述的积雪治理结构分隔成相应数量的各块积雪块降低或消除积雪崩塌的风险。所述的防治方法先收集资料，然后再根据资料确定并设计积雪治理结构，最后再在雪崩发生区布置所述的积雪治理结构完成积雪的治理。
用于雪崩防治装置方法

[发明专利]一种提高超结功率器件雪崩耐量的终端结构-CN201410226730.3有效
发明人：任敏;姚鑫;王为;许高潮;韩天宇;杨珏琳;李泽宏;张金平;高巍;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2014-05-26 - 公布日： 2017-03-01 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术，具体的说是涉及一种提高超结功率器件雪崩耐量的终端结构。本发明在器件终端区中提出终端击穿区，将雪崩击穿点限定在终端击穿区中，从而既避免了元胞击穿的寄生BJT导通问题，又避免了常规终端击穿时的雪崩电流路径过长，造成局部温升的问题，因此能够提高超结功率器件的雪崩耐量和可靠性本发明的有益效果为，有效的缩短了器件雪崩击穿点在终端时的雪崩电流路径，在不影响器件击穿电压的前提下，提高了器件的抗UIS失效能力，提高了器件的可靠性。本发明尤其适用于超结功率器件。
一种提高功率器件雪崩终端结构

[发明专利]一种采用单肖特基结构的氧化锌紫外雪崩探测器-CN201510881269.X有效
发明人：田宁;于吉;邓玉福 -专利权人：沈阳师范大学
申请日： 2015-12-04 - 公布日： 2017-08-11 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：一种采用单肖特基结构的氧化锌紫外雪崩探测器，主要解决现有的双肖特基结构的ZnO紫外雪崩探测器，存在着雪崩阈值电压过高的问题，而提出了一种新的低雪崩阈值电压探测器。本发明与已报道的氧化锌紫外雪崩探测器相比，具有低雪崩阈值电压的优点。可广泛地应用于光电探测技术领域。
一种采用单肖特基结构氧化锌紫外雪崩探测器