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[发明专利]闪烁晶体阵列探测器及采用该探测器的PET-MR系统-CN201210290925.5有效
发明人：赵太泽 -专利权人：上海联影医疗科技有限公司
申请日： 2012-08-15 - 公布日： 2014-02-19 - 主分类号： G01T1/202 文献下载
摘要：该闪烁晶体阵列探测器包括闪烁晶体阵列和雪崩光电二极管阵列。雪崩光电二极管阵列包括多个雪崩光电二极管子阵列，每一雪崩光电二极管子阵列包括多个雪崩光电二极管。闪烁晶体阵列包括多个闪烁晶体，每一闪烁晶体具有与多个雪崩光电二极管子阵列中的一个耦合的耦合面及多个与耦合面相邻的相邻面。
闪烁晶体阵列探测器采用 pet mr 系统

[发明专利]一种半导体红外单光子探测器雪崩信号甄别装置及方法-CN201410025243.0有效
发明人：何德勇;王双;陈巍;银振强;周政;韩正甫;郭光灿 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2014-01-20 - 公布日： 2014-04-30 - 主分类号： G01J11/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种单光子探测器雪崩信号同步甄别装置，该装置包括：扇出单元，将一路门控触发信号变成两路信号，输出至二可编程延时单元；可编程延时单元对输入信号延时后分别送入高速比较器和D触发器；高速比较器基于雪崩二极管的雪崩信号输出数字电平信号本发明还公开了一种单光子探测器雪崩信号同步甄别方法。本发明消除了雪崩信号幅度变化和噪声引起的探测信号时间抖动，提高了探测器在高频工作条件下的时间分辨率和微弱雪崩信号的甄别能力，大大减小了高速门控条件下探测信号时间抖动引起的错误计数概率和探测器的后脉冲概率
一种半导体红外光子探测器雪崩信号甄别装置方法

[发明专利]基于雪崩二极管高次倍频得到太赫兹波的腔体-CN201410028807.6有效
发明人：赵家奇;朱忠博;王春;徐魁文;张斌;冉立新 -专利权人：浙江大学
申请日： 2014-01-22 - 公布日： 2017-01-11 - 主分类号： H03H7/01 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于雪崩二极管高次倍频得到太赫兹波的腔体。包括低通滤波电路、馈电同轴、倍频腔体、短路调谐滑块、雪崩二极管、特氟龙介质和馈电同轴内导体；倍频腔体为矩形腔体，馈电同轴内贯穿馈电同轴内导体，馈电同轴的下端穿过倍频腔体通过特氟龙介质后，馈电同轴内导体底面和低通滤波电路连接，馈电同轴内的馈电同轴内导体上端顶在雪崩二极管的顶部，短路调谐滑块从倍频腔体的长度方向插入，调节倍频腔体的横轴长度来匹配对应雪崩二极管的高次谐波。同轴输入结构使外部的匹配网络具有灵活性，根据不同雪崩二极管不同阻抗特性作相应调整；具有损耗低、结构简洁、容易匹配；填充的特氟龙介质具有固定同轴内导体和促进雪崩二极管阻抗匹配。
基于雪崩二极管倍频得到赫兹

[发明专利]一种免扩散的雪崩光电二极管及其制备方法-CN201310045387.8有效
发明人：岳爱文;胡艳;李晶;王任凡 -专利权人：武汉电信器件有限公司
申请日： 2013-02-05 - 公布日： 2013-05-08 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：本发明提供一种免扩散的雪崩光电二极管及其制备方法，所述雪崩光电二极管包括衬底，所述衬底表面上依次生长有缓冲层、扩散阻挡层、雪崩倍增层、电场控制层、渐变层、光吸收层、腐蚀停止层、窗口层和接触层，所述的窗口层位于腐蚀停止层的中心位置本发明选择性腐蚀腐蚀出圆形的窗口层，窗口层以外的部分覆盖有介质绝缘层，窗口层的大小可以直接定义雪崩光电二极管的光敏感区域，使雪崩光电二极管适用于不同速率环境下工作；另外在光吸收层靠近窗口层边缘一侧，尽管存在略强的电场，但不会在雪崩倍增层出现边缘击穿现象。
一种扩散雪崩光电二极管及其制备方法

[发明专利]具有过载保护功能的光接收模块-CN200410077688.X有效
发明人：张立昆;高登·瑞 -专利权人：中兴通讯股份有限公司
申请日： 2004-12-17 - 公布日： 2006-06-21 - 主分类号： H04B10/06 文献下载
摘要：一种具有过载保护功能的光接收模块，用于光纤通讯领域；包括一雪崩光电二极管；一为雪崩光电二极管提供反向偏置电压的DC/DC升压电路；一用于输入光检测的取样电阻；取样电阻的一端与DC/DC升压电路的输出端连接，在取样电阻的另一端与雪崩二极管的反向偏压管脚之间串接一限流保护电阻，且所述限流保护电阻的阻值大于取样电阻的阻值。当输入光功率过高时，瞬时产生较大的光生电流在限流保护电阻上产生的电压降会迅速增大，导致雪崩光电二极管的反向偏置电压迅速降低到无法产生雪崩效应，因此不会产生很大的光电流而造成雪崩光电二极管的过流损坏，从而起到了过载保护的作用
具有过载保护功能接收模块

[发明专利]一种负载可变的单光子雪崩光电二极管淬灭电路-CN201710223487.3有效
发明人：张有润;刘凯;刘影;钟晓康;王文;李明晔;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2017-04-07 - 公布日： 2018-08-10 - 主分类号： G01J1/44 文献下载
摘要：一种负载可变的单光子雪崩光电二极管淬灭电路，属于半导体技术领域。当发生雪崩击穿时，大的雪崩电流将会在可变负载晶体管两端产生大压降，当高于定值时，逻辑控制电路侦测到SPAD阳极点A点电压，控制可变负载管关断，给保持电路一个电流脉冲信号；当单光子雪崩光电二极管检测到光子产生雪崩电流时，雪崩电流在可变负载管上产生压降，并将该电压作为逻辑控制电路的输入端电压，输出模块用于检测逻辑控制电路输出结果，并进行整形输出，保持电路用于接收逻辑控制电路输出结果，并产生一定延迟使得电流完全淬灭，复位开关在接收到保持电路发送的复位信号后快速复位
逻辑控制电路电路淬灭雪崩光电二极管可变负载雪崩电流单光子负载可变输出结果压降半导体技术领域电流脉冲信号大规模阵列输入端电压复位开关复位信号光子产生寄生电容快速复位输出模块雪崩击穿阳极晶体管检测整形关断减小侦测延迟发送输出

[发明专利]一种用于提高探测距离的偏压调节装置及激光雷达系统-CN201910667896.1有效
发明人：卫平;杨刚 -专利权人：华镭申隆（武汉）电子科技有限公司
申请日： 2019-07-23 - 公布日： 2021-05-25 - 主分类号： G01S17/88 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于提高探测距离的偏压调节装置及激光雷达系统，该偏压调节装置包括：信号采集单元，用于获取APD探测器接收到的目标回波信号并从中提取雪崩噪声信号并统计预设时间段内的雪崩噪声信号个数；信号处理器，用于根据雪崩噪声信号个数及预置的第一偏压校正模型计算实际偏压值；该第一偏压校正模型用于表征预设时间内的雪崩噪声信号个数与理想偏压值之间的映射关系；偏压调节单元，用于在信号处理器的控制下产生并输出实际偏压值给APD探测器；本发明通过动态跟踪APD探测器的雪崩电压工作点，使偏置电压始终维持在稍低于APD探测器雪崩电压的电压值上，通过提高APD探测器的偏压提高探测灵敏度，进而增大了探测距离。
一种用于提高探测距离偏压调节装置激光雷达系统

[发明专利]一种雪崩二极管及其制备方法-CN202110406886.X有效
发明人：江虹;张笑鸣;邵向鑫;赵一涵;吴国辉;王岳成 -专利权人：长春工业大学
申请日： 2021-04-15 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：本发明属于半导体光电子器件技术领域，具体涉及一种雪崩二极管及其制备方法。本发明提供的雪崩二极管，包括InP衬底层和依次层叠设置于所述InP衬底表面的n型InP缓冲层、i型In0.53Ga0.47雪崩二极管在i型InGaAsP渐变层和n型InP电荷层之间设置n型In0.53Ga0.47As阻挡层，本发明提供的雪崩二极管通过对雪崩二极管结构的改变，使雪崩二极管具有低暗电流和高倍增因子。
一种雪崩二极管及其制备方法

[发明专利]一种基于高频正弦门脉冲模式的单光子探测器-CN201710630049.9有效
发明人：刘小桦;祁宾祥;张大鹏;黄蕾蕾;赵义博 -专利权人：中国航空工业集团公司洛阳电光设备研究所
申请日： 2017-07-28 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： G01J11/00 文献下载
摘要：一种基于高频正弦门脉冲模式的单光子探测器，包括雪崩光电二极管、直流偏置电压产生电路单元、正弦门脉冲产生电路单元、滤波放大整形电路单元、温度控制电路单元以及FPGA电路单元，雪崩光电二极管的反向端分别连接直流偏置电压产生电路单元以及正弦门脉冲产生电路单元，雪崩光电二极管的正向端通过一电容连接滤波放大整形电路单元。与现有技术相比，本发明通过采用APD的偏置电压为直流偏置电压和正弦门脉冲的叠加信号，在正弦门脉冲信号正半周期，APD的偏置电压大于雪崩击穿电压，由于雪崩效应产生雪崩信号，叠加到正弦门脉冲信号经过APD结电容后产生的噪声上
一种基于高频正弦脉冲模式光子探测器

[发明专利]第一光子相关飞行时间传感器-CN201910319997.X有效
发明人：奥利维尔·布尔蒂尔 -专利权人：豪威科技股份有限公司
申请日： 2019-04-19 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： G01S7/4865 文献下载
摘要：飞行时间TOF传感器包含光源、多个雪崩光电二极管和多个脉冲发生器。控制电路耦合到所述光源、所述多个雪崩光电二极管和所述多个脉冲发生器，且所述控制电路包含当由所述控制电路执行时引起所述飞行时间传感器执行操作的逻辑。所述操作包含从所述光源发射光，和运用所述多个雪崩光电二极管接收从对象反射的所述光。多个脉冲从对应于接收所述光的个别雪崩光电二极管的个别脉冲发生器输出，且时序信号在所述多个脉冲在时间上重叠时输出。计算当所述多个雪崩光电二极管中的第一雪崩光电二极管接收所述光时的时间。
第一光子相关飞行时间传感器

[发明专利]相关飞行时间传感器-CN201910319764.X有效
发明人：奥利维尔·布尔蒂尔;艾瑞克·A·G·韦伯斯特;林赛·格朗 -专利权人：豪威科技股份有限公司
申请日： 2019-04-19 - 公布日： 2023-05-19 - 主分类号： G01S17/894 文献下载
摘要：飞行时间TOF传感器包含经构造以发射光的光源及多个雪崩光电二极管。所述TOF传感器还包含多个脉冲发生器，其中个别脉冲发生器耦合到所述多个雪崩光电二极管中的个别雪崩光电二极管。控制电路耦合到所述光源、所述多个雪崩光电二极管和所述多个脉冲发生器，以执行操作。操作可包含从所述光源发射所述光，和运用所述多个雪崩光电二极管接收从对象反射的所述光。响应于运用所述多个雪崩光电二极管接收到所述光，多个脉冲可从对应于接收所述光的所述个别光电二极管的所述个别脉冲发生器输出。并且，响应于输出所述多个脉冲，可当所述多个脉冲在时间上重叠时输出时序信号。
相关飞行时间传感器

[发明专利]一种双极性偏压的单光子探测方法-CN201210480115.6无效
发明人：梁崇智;曾和平;梁焰 -专利权人：广东汉唐量子光电科技有限公司
申请日： 2012-11-22 - 公布日： 2013-03-20 - 主分类号： G01J11/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种双极性偏压的单光子探测方法，雪崩光电二极管工作在双极性偏置下，利用正负双极性的门脉冲配合正负双极性的直流偏压，加载在雪崩光电二极管两端，通过噪声平衡抑制电路实现尖峰噪声平衡抑制，通过信号甄别提取电路完成单光子雪崩信号的鉴别提取本发明的目的是通过采用双极性门脉冲配合双极性直流偏压来激励雪崩光电二极管，并对正负两部分雪崩信号进行探测，正负门脉冲偏压等效与在APD上加置二个门脉冲绝对幅值之和的单极偏压，有利于在较低的直流偏置电压和较高的门脉冲幅度下激励APD的单光子雪崩，从而减低暗计数和后脉冲的影响，提高探测效率和单光子探测器的工作频率。
一种极性偏压光子探测方法

[实用新型]红外单光子探测器时钟信号和雪崩信号输出装置-CN201520729471.6有效
发明人：徐焕银;刘云;刘梦婕;吕利影;徐生福 -专利权人：安徽问天量子科技股份有限公司
申请日： 2015-09-18 - 公布日： 2016-03-02 - 主分类号： G01J11/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了这一种红外单光子探测器时钟信号和雪崩信号输出装置，包括增益可调驱动器U1、运算放大器U2和数字模转拟芯片U3；其特征在于：增益可调驱动器U1用于对输入的时钟信号和雪崩信号进行幅度调节；数字模转拟芯片U3用于将设定好的幅度值和偏移值由数字量转换成模拟量分别输入到增益可调驱动器U1和运算放大器U2；运算放大器U2用于对经过调幅的时钟信号和雪崩信号进行偏移调节，并通过时钟信号和雪崩信号输出端P1将调节好幅度和偏移的时钟信号和雪崩信号输出本实用新型利用调节时钟输出信号、雪崩输出信号的幅度和偏移实现输出信号电平的任意可调。
红外光子探测器时钟信号雪崩输出装置

[实用新型]一种雷达系统-CN201721378936.3有效
发明人：鲁开源;华一敏 -专利权人：昂纳信息技术（深圳）有限公司
申请日： 2017-10-24 - 公布日： 2018-08-14 - 主分类号： G01S17/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及雷达领域，具体涉及一种雷达系统，所述雷达系统包括：该光信号发射器发射1550纳米光信号；该光信号接收器包括聚焦透镜，以及还包括雪崩二极管或雪崩二极管阵列，所述1550纳米光信号发射至前方的被探测物体并反射回光信号接收器，经过聚焦透镜入射至雪崩二极管或雪崩二极管阵列中，所述雪崩二极管或雪崩二极管阵列将接收的1550纳米光信号转化为电信号；该控制器分别与光信号发射器和光信号接收器连接，控制光信号发射器工作，以及采集电信号
雪崩二极管纳米光雷达系统光信号发射器光信号接收器聚焦透镜本实用新型采集电信号控制光信号水吸收系数信号接收器发射器安全性能波段激光雷达领域纳米激光信号发射信号转化重复频率控制器发射人眼入射反射雷达损伤探测辐射

[实用新型]一种基于高频正弦门脉冲模式的单光子探测器-CN201720928941.0有效
发明人：刘小桦;祁宾祥;张大鹏;黄蕾蕾;赵义博 -专利权人：浙江九州量子信息技术股份有限公司
申请日： 2017-07-28 - 公布日： 2018-03-02 - 主分类号： G01J11/00 文献下载
摘要：一种基于高频正弦门脉冲模式的单光子探测器，包括雪崩光电二极管、直流偏置电压产生电路单元、正弦门脉冲产生电路单元、滤波放大整形电路单元、温度控制电路单元以及FPGA电路单元，雪崩光电二极管的反向端分别连接直流偏置电压产生电路单元以及正弦门脉冲产生电路单元，雪崩光电二极管的正向端通过一电容连接滤波放大整形电路单元。本实用新型通过采用APD的偏置电压为直流偏置电压和正弦门脉冲的叠加信号，在正弦门脉冲信号正半周期，APD的偏置电压大于雪崩击穿电压，由于雪崩效应产生雪崩信号，叠加到正弦门脉冲信号经过APD结电容后产生的噪声上
一种基于高频正弦脉冲模式光子探测器