“马四光”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果18个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种单光子雪崩二极管及制作方法-CN202310321285.8有效
发明人：兰潇健;马四光;刘超晖;马静 -专利权人：季华实验室
申请日： 2023-03-29 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：本公开涉及光电探测器件技术领域，尤其涉及一种单光子雪崩二极管及制作方法，单光子雪崩二极管包括：第一类型外延层、第二类型掺杂区以及第一类型埋层；第二类型掺杂区位于第一类型外延层内的顶部，第一类型埋层位于第二类型掺杂区的下方，第二类型掺杂区与第一类型埋层构成非平面PN结；第二类型掺杂区包括中部掺杂区和包裹中部掺杂区侧面和底面的周向掺杂区，中部掺杂区和周向掺杂区的掺杂浓度不同；其中，第一类型为P型和N型中的一种，第二类型为P型和N型中的另一种。本公开可以通过在制作过程中改变第一类型埋层的掺杂浓度实现击穿电压的可调控，进而可实现降低击穿电压，使得单光子雪崩二极管具有较高的光子探测效率。
一种光子雪崩二极管制作方法

[发明专利]石墨烯晶体制备方法-CN202211523714.1在审
发明人：刘冰;马四光 -专利权人：季华实验室
申请日： 2022-11-28 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： C01B32/186 文献下载
摘要：本发明公开了一种石墨烯晶体制备方法，涉及石墨烯制备技术领域。所述石墨烯晶体制备方法采用等离子体增强的化学气相沉积装置，所述气相沉积装置包括合成腔室和射频电源，该方法包括：将绝缘衬底置于所述合成腔室内，并将所述合成腔室抽至真空后，向所述合成腔室内通入生长气体；将所述绝缘衬底升温至预设成核温度后，通过所述射频电源产生等离子体；将所述预设成核温度维持预设成核时长，以使所述绝缘衬底上生成石墨烯小晶核；将所述绝缘衬底调温至预设生长温度后，并将所述预设生长温度维持预设生长时长，以使所述绝缘衬底上的石墨烯小晶核沿其自身边缘横向生长为大尺寸石墨烯晶体。本发明实现了大尺寸石墨烯晶体的制备。
石墨晶体制备方法

[发明专利]一种聚苯乙烯微球膜及其制备方法和应用-CN202211421282.3在审
发明人：刘超晖;马静;马四光;刘冰 -专利权人：季华实验室
申请日： 2022-11-14 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： C04B41/83 文献下载
摘要：本公开涉及一种聚苯乙烯微球膜及其制备方法和应用，所述聚苯乙烯微球膜包括聚苯乙烯单层膜以及位于聚苯乙烯单层膜一侧的基底，所述制备方法包括如下步骤：(1)将表面带有水膜的基底与表面带有表面活性剂膜的溶剂水形成接触面，所述基底与水面呈倾斜设置；(2)在基底表面未接触溶剂水的地方滴加含有聚苯乙烯微球的溶液，然后静置；(3)取出基底并干燥，得到所述聚苯乙烯微球膜。本公开提供的聚苯乙烯微球膜的制备方法，通过调整亲水基底的倾斜角度，能够提高聚苯乙烯微球在基底上的成膜质量，制备得到大面积密集排布的聚苯乙烯微球单层膜，突破了传统打捞法的局限性，定制了一个可量化的制备聚苯乙烯微球单层膜的标准，具有可重复性。
一种聚苯乙烯微球膜及其制备方法应用

[发明专利]温度计码转二进制码的方法、装置、电子设备和介质-CN202211480177.7在审
发明人：李嘉敏;唐嘉铭;马四光;刘烁韩 -专利权人：季华实验室
申请日： 2022-11-24 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H03M7/16 文献下载
摘要：本公开提供了一种温度计码转二进制码的方法、装置、电子设备和介质，涉及电子技术领域。方法包括：确定温度计码的位数以及所述温度计码对应的二进制码的位数；所述温度计码的位数为2N‑1，所述二进制码的位数为N，N为大于等于2的整数；将2N‑1位温度计码输入目标查找表单元，得到所述温度计码对应的N位二进制码；所述目标查找表单元由N‑1个第一查找表和2N‑2‑1个第二查找表级联组成；所述第一查找表为三输入一输出的查找表；所述第二查找表为六输入二输出的查找表；所述目标查找表单元用于根据所述温度计码的中间位的值依次确定所述二进制码的最高位码的值到所述二进制码的最低位码的值。本方法能够解决编码过程中的FPGA内部资源占用多的问题。
温度计二进制码方法装置电子设备介质

[发明专利]源极跟随器接触件-CN201811067853.1有效
发明人：王昕;杨大江;马四光;马渕圭司;比尔·潘;毛杜立;戴森·戴 -专利权人：豪威科技股份有限公司
申请日： 2018-09-13 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本申请案涉及源极跟随器接触件。一种图像传感器包含安置在第一半导体材料中的光电二极管，以吸收入射在所述图像传感器上的光子并产生图像电荷。浮动扩散区安置在所述第一半导体材料中并且经定位以从所述光电二极管接收所述图像电荷，并且转移晶体管耦合在所述光电二极管与所述浮动扩散区之间，以响应于转移信号而将所述图像电荷从所述光电二极管转移到浮动扩散区中。具有栅极端子的源极跟随器晶体管耦合到所述浮动扩散区，以输出所述浮动扩散区中的所述图像电荷的放大信号。所述栅极端子包含与所述浮动扩散区接触的第二半导体材料，并且栅极氧化物部分地安置在所述第二半导体材料与所述第一半导体材料之间。所述第二半导体材料延伸超出所述浮动扩散区的横向边界。
跟随接触

[发明专利]单光子雪崩二极管、光电探测器阵列及图像传感器-CN202211265950.8在审
发明人：刘超晖;兰潇健;马四光;马静;肖鹏 -专利权人：季华实验室
申请日： 2022-10-17 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：本公开涉及一种单光子雪崩二极管、光电探测器阵列及图像传感器。该单光子雪崩二极管包括衬底；所述衬底上依次层叠设置有反射装置、半导体器件和微透镜；在垂直于所述衬底的方向上，所述反射装置包括内凹的弧形反射结构；所述内凹的弧形反射结构的弧度范围为5度‑60度。本公开提供的技术方案，反射装置包括内凹的弧形反射结构，该弧形反射结构能够将到达反射装置的光反射回去，使得红外光再次返回至半导体器件，被半导体器件二次吸收，从而提高探测灵敏度。同时，内凹的弧形反射结构可以起到聚光的作用，以避免反射光照入相邻的单光子雪崩二极管中而引起光学串扰问题，进而可以提高单光子雪崩二极管的探测精度。
光子雪崩二极管光电探测器阵列图像传感器

[发明专利]信号变化沿检测方法、装置、电子设备及存储介质-CN202211321814.6有效
发明人：李嘉敏;唐嘉铭;马四光 -专利权人：季华实验室
申请日： 2022-10-27 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： G01R31/00 文献下载
摘要：本公开实施例涉及一种信号变化沿检测方法、装置、电子设备及存储介质，涉及计算机技术领域。该方法包括：获取输入信号；将该输入单元信号以及该输入单元信号的关联信号组合为一个输入信号组；提取多个输入信号组中输入单元信号为低电平信号且关联信号中首个信号为高电平信号的第一输入信号组，将其他输入信号组确定为第二输入信号组；确定第一输入信号组对应的目标单元信号为高电平信号，确定第二输入信号组对应的目标单元信号为输入单元信号；生成目标信号，确定目标信号中信号变化沿的检测结果。本公开实施例，将第一输入信号组转换为高电平的目标单元信号，避免将信号抖动产生的抖动信号片段误检为信号变化沿，提高了信号变化沿检测的准确性。
信号变化检测方法装置电子设备存储介质

[发明专利]一种单光子雪崩二极管及其制备方法-CN202211481931.9在审
发明人：马静;刘超晖;兰潇健;马四光 -专利权人：季华实验室
申请日： 2022-11-24 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：本公开涉及一种单光子雪崩二极管及其制备方法，该单光子雪崩二极管包括：衬底层、器件层以及非周期性光栅；器件层内嵌于衬底层内，非周期性光栅设置于器件层未被衬底层包覆的表面；非周期性光栅用于使入射的光线发生衍射和共振耦合；器件层用于将入射光信号进行光电响应生成电信号。由此，通过设置衬底层、器件层以及非周期性光栅，形成具有非周期性光栅的单光子雪崩二极管，基于非周期性光栅对入射的光线的衍射和共振耦合作用，将光耦合到器件层提升了光子吸收效率，增强了光吸收效果，利于单光子雪崩二极管实现高灵敏度的光电探测。
一种光子雪崩二极管及其制备方法

[发明专利]双结型单光子雪崩二极管、光电探测器阵列-CN202211264140.0有效
发明人：兰潇健;马四光;马静;刘超晖 -专利权人：季华实验室
申请日： 2022-10-17 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：本公开涉及以雪崩模式工作的势垒技术领域，尤其涉及一种双结型单光子雪崩二极管、光电探测器阵列。双结型单光子雪崩二极管，所述双结型单光子雪崩二极管包括：设置在不同深度的第一雪崩结构和第二雪崩结构，所述第一雪崩结构和第二雪崩结构分别包括单独的耗尽层；各个耗尽层周边还单独设置有保护环结构，各个所述保护环结构的掺杂浓度使得第一雪崩结构和第二雪崩结构之间的电流密度增加幅度在第一预设阈值之内。本公开提供的单光子雪崩二极管能够避免两个雪崩结构之间电流密度增加的幅度超过第一预设阈值，减少了雪崩结构因为电流密度突然增大导致边缘击穿的概率，能够使得双结型单光子雪崩二极管的使用寿命增加和损耗率降低。
双结型单光子雪崩二极管光电探测器阵列

[发明专利]一种拉曼光谱笼式系统以及拉曼光谱检测方法-CN202211355324.8在审
发明人：田文章;肖鹏;颜林;马四光 -专利权人：季华实验室
申请日： 2022-11-01 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： G01N21/65 文献下载
摘要：本公开涉及一种拉曼光谱笼式系统以及拉曼光谱检测方法，属于光谱检测技术领域，该拉曼光谱笼式系统包括：笼杆和笼式立方，以及沿光线传输方向依次设置的激发模块、耦合模块以及检测模块，且激发模块、耦合模块以及检测模块均固定至笼式立方内，笼式立方和笼杆可拆卸地固定；激发模块用于激发样品产生拉曼散射光；耦合模块用于聚焦准直拉曼散射光并分光准直后的拉曼散射光为单色光；检测模块用于检测拉曼散射光对应的各单色光，确定对应的光谱。由此，将激发模块、耦合模块以及检测模块通过笼杆和笼式立方连接固定，使整个小型化的拉曼光谱笼式系统可灵活拆卸与调节，易于进行拓展，以及能够进行大范围的推广和使用。
一种光谱系统以及检测方法

[发明专利]一种陷光结构的制备方法及陷光结构-CN202211315164.4在审
发明人：刘超晖;马静;马四光;刘冰;肖鹏 -专利权人：季华实验室
申请日： 2022-10-26 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本公开涉及一种陷光结构的制备方法及陷光结构，涉及半导体技术领域。陷光结构的制备方法包括：在基底上形成陷光结构窗口限定层；在所述陷光结构窗口限定层上形成聚合物微球层掩膜；通过所述聚合物微球层掩膜刻蚀所述陷光结构窗口限定层形成陷光结构窗口掩膜；去除所述聚合物微球层掩膜后，在未覆盖有所述陷光结构窗口掩膜的区域形成氧化层掩膜；去除所述陷光结构窗口掩膜后，通过所述氧化层掩膜刻蚀所述基底形成陷光结构；去除所述氧化层掩膜。本公开在制作陷光结构的过程中不需要使用光刻技术，制作成本低，可以满足多种精度要求，可实现陷光结构大规模可重复性制备。
一种结构制备方法

[发明专利]一种脉冲调控电路-CN202210241206.8在审
发明人：唐嘉铭;颜林;马四光;袁峰;肖鹏;刘超晖 -专利权人：季华实验室
申请日： 2022-03-11 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： H03K5/04 文献下载
摘要：本申请涉及一种脉冲调控电路，包括第一级电路、第二级电路、第三级电路和脉宽监控电路；所述第一级电路、所述第二级电路和所述第三级电路依次串联连接；所述第一级电路用于将具有预设斜率的上升沿信号转化为第一脉冲信号输送至所述第二级电路；所述第二级电路用于通过调节所述第一脉冲信号的脉宽对所述第三级电路输出端的第二脉冲信号进行变窄处理；所述第二脉冲信号的脉宽小于所述第一脉冲信号的脉宽；所述脉宽监控电路用于监控所述第一脉冲信号的脉宽。本申请实施例提供的脉冲调控电路，使用三级电路，同时实现窄脉宽输出和脉宽监控。
一种脉冲调控电路

[发明专利]一种单光子雪崩二极管性能参数的计算方法-CN202210071445.3在审
发明人：何蕤;兰潇健;刘超晖;马四光 -专利权人：季华实验室
申请日： 2022-01-21 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： G06F30/367 文献下载
摘要：本申请涉及一种单光子雪崩二极管性能参数的计算方法，该方法包括：建立单光子雪崩二极管仿真模型进行仿真计算；基于所述仿真计算的结果，得出沿着所述单光子雪崩二极管长度方向上不同位置的性能参数值；所述性能参数值包括光子探测效率和/或暗计数；对所述单光子雪崩二极管不同位置的所述性能参数值进行线积分计算；确定线积分计算结果为所述单光子雪崩二极管的性能参数值。本申请提供的一种单光子雪崩二极管性能参数的计算方法，能够更好的反映SPAD横向不同长度部位的光子探测效率和/或暗计数的分布，并且能够获得符合实际的光子探测效率和/或暗计数。
一种光子雪崩二极管性能参数计算方法

[发明专利]一种硅光电倍增管及其制备方法-CN202210063992.7在审
发明人：刘超晖;马静;兰潇健;马四光 -专利权人：季华实验室
申请日： 2022-01-20 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本公开涉及一种硅光电倍增管及其制备方法，硅光电倍增管包括微单元，其中微单元包括：雪崩光电二极管，包括光敏区；垫高层，设置于所述雪崩光电二极管用于接收入射光线的一侧；微透镜，设置于所述垫高层背离所述雪崩光电二极管的一侧；其中，所述垫高层用于调整所述微透镜与所述雪崩光电二极管之间的间距，所述微透镜用于将入射光线聚焦至所述光敏区。本公开使用垫高层垫高微透镜，从而使经过微透镜发生折射的入射光线的光程增加，使原本不能射入光敏区的入射光线也能射入光敏区，提高了聚焦至光敏区的入射光强度。
一种光电倍增管及其制备方法

[发明专利]硅基半导体激光器及其制作方法-CN202011057235.6在审
发明人：张耀辉;马四光;刘伟 -专利权人：苏州华太电子技术有限公司
申请日： 2020-09-30 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01S5/042 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅基半导体激光器及其制作方法。所述激光器包括第一二极管结构、发光有源区和第二二极管结构，发光有源区设置于第一二极管结构和第二二极管结构之间，当在所述第一二极管结构和/或第二二极管结构上施加预设的反向偏置电压时，所述第一二极管结构和/或第二二极管结构能够向所述发光有源区注入电子，并对所述发光有源区中的电子产生“电场阱”，从而将电子限制在发光有源区。本发明提供的硅基半导体激光器采用反向注入实现了电子‑空穴对在发光介质中电子载流子的有效收集，同时能有效实现能够发光的导带能谷电子和价带带顶空穴的粒子数反转，从而实现了硅基激光器的电注入激射。
半导体激光器及其制作方法

1
2
下一页»
尾页
共 18 条