[发明专利]具有耦合的自由磁层的垂直自旋转移转矩存储器(STTM)器件在审
申请号: | 201480046356.7 | 申请日: | 2014-09-02 |
公开(公告)号: | CN105474320A | 公开(公告)日: | 2016-04-06 |
发明(设计)人: | C·C·郭;K·奥乌兹;M·L·多齐;B·S·多伊尔;S·苏里;R·S·周;D·L·肯克;R·戈利扎德莫亚拉德;A·乔杜里 | 申请(专利权)人: | 英特尔公司 |
主分类号: | G11C11/16 | 分类号: | G11C11/16;H01L43/08 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 陈松涛;王英 |
地址: | 美国加*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 描述了具有增强的稳定性和低阻尼的垂直自旋转移转矩存储器(STTM)器件。例如,用于磁隧道结的材料层堆叠体包括固定磁层。在所述固定磁层之上设置电介质层。在所述电介质层之上设置第一自由磁层。第二自由磁层与所述第一自由磁层磁耦合。 | ||
搜索关键词: | 具有 耦合 自由 垂直 自旋 转移 转矩 存储器 sttm 器件 | ||
【主权项】:
一种用于磁隧道结的材料层堆叠体,所述材料层堆叠体包括:固定磁层;设置在所述固定磁层之上的电介质层;设置在所述电介质层之上的第一自由磁层;以及与所述第一自由磁层磁耦合的第二自由磁层。
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