专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]具备安全认证功能的串口NorFlash-CN202010103954.0在审
  • 徐光明 - 深圳市芯天下技术有限公司
  • 2020-02-20 - 2020-04-03 - G06F21/85
  • 本发明提供一种具备安全认证功能的串口NorFlash,包括:串口NorFlash以及安全认证芯片,所述安全认证芯片位于所述串口NorFlash上,所述安全认证芯片与所述串口NorFlash连接,所述安全认证芯片与所述串口NorFlash共用的管脚连接到外部的管脚上,所述串口NorFlash用于实现串口NorFlash的协议,所述安全认证芯片用于实现安全认证功能以及串口NorFlash的复位功能。通过本发明,串口NorFlash与安全认证芯片不再集成在一个芯片上,两者是相互独立的,解决了设计复杂度高、设计周期长、设计成本高、芯片面积过大的问题。
  • 具备安全认证功能串口norflash
  • [发明专利]基于CLB总线的高利用率NorFLASH存储接口芯片-CN201310039055.9有效
  • 郑茳;肖佐楠;匡启和;林雄鑫;周秀梅 - 苏州国芯科技有限公司
  • 2013-01-31 - 2013-08-07 - G06F12/02
  • 本发明提供一种基于CLB总线的高利用率NorFLASH存储接口芯片,包括CPU处理器,CLB总线,NorFlash接口单元,NorFlash存储器,所述NorFlash存储器经由NorFlash接口单元通过CLB总线与CPU处理器通信;所述NorFlash接口单元进一步包括上电检测电路,地址译码电路,坏块替换电路,写控制电路以及配置寄存器组和状态寄存器组,所述NorFlash存储器内具有一信息块,此信息块记载NorFlash存储器内坏块的地址、数目和替换单元替换坏块功能使能信息,所述上电检测电路内具有一用于存储来自所述信息块内信息的坏块寄存器;所述坏块替换电路用于对坏块地址的重新映射。本发明NorFLASH存储接口芯片更大程度的提高NorFLASH的利用率。
  • 基于clb总线利用率norflash存储接口芯片
  • [发明专利]一种NorFlash芯片参考电流调节方法及系统-CN202110782002.0在审
  • 边雅倩;杨柳;王志刚 - 珠海深圳清华大学研究院创新中心
  • 2021-07-09 - 2021-09-10 - G11C16/30
  • 本发明公开了一种NorFlash芯片参考电流调节方法及系统,方法包括:判断NorFlash芯片的初始电流是否小于目标电流,若是,则:基于擦除电压对NorFlash芯片进行擦除操作,直至经过擦除操作后的NorFlash芯片的电流大于目标电流;基于编程初始电压对NorFlash芯片进行进行编程操作,得到经过初次编程操作后的NorFlash芯片的第一电流;计算第一电流与目标电流的第一差值;判断第一差值是否大于预设值,若是,则基于第一编程电压对NorFlash芯片进行编程操作,若否,则:基于第二编程电压对NorFlash芯片进行编程操作。本发明能够根据NorFlash芯片不同的电流值,灵活采用不同的调节方式,有效减少了操作次数,提高了效率,降低了成本。
  • 一种norflash芯片参考电流调节方法系统
  • [发明专利]应用于CLB总线的NorFLASH存储接口模块-CN201310039324.1有效
  • 郑茳;肖佐楠;匡启和;林雄鑫;周秀梅 - 苏州国芯科技有限公司
  • 2013-01-31 - 2013-05-22 - G06F12/02
  • 本发明提供一种应用于CLB总线的NorFLASH存储接口模块,一NorFlash存储器通过此NorFLASH存储接口模块经由CLB总线与CPU处理器进行通信,所述NorFLASH存储接口模块进一步包括上电检测电路,地址译码电路,坏块替换电路,写控制电路以及配置寄存器组和用来显示上次操作状态的状态寄存器组;所述NorFlash存储器内具有一信息块,此信息块记载NorFlash存储器内坏块单元的地址、数目、替换单元的地址和替换单元替换坏块功能使能信息本发明NorFLASH存储接口模块更大程度的提高NorFLASH的利用率;可以在芯片上直接运行代码,稳定性出色,传输速率高,耗费CPU资源小。
  • 应用于clb总线norflash存储接口模块
  • [发明专利]针对Norflash的自适应最优配置的方法、装置及介质-CN202210736672.3有效
  • 汪季英;董宗宇 - 杭州优智联科技有限公司
  • 2022-06-27 - 2023-06-09 - G06F3/06
  • 本发明实施例公开了一种针对Norflash的自适应最优配置的方法、装置及介质;该方法可以包括:基于静态随机存取存储器SRAM的调试功能创建用于实现片上系统SOC上所搭载的Norflash的功能的工程,以编译获得包括Norflash对应的最优配置参数的调试文件;在上电启动后,相应于进入bootrom程序执行阶段,通过运行bootrom程序将所述调试文件存放于内存以及Norflash的存储空间的头部;在上电启动后,相应于进入应用程序执行阶段,将Norflash的存储空间的头部所存储的所述调试文件写入内存以根据所述调试文件中的最优配置参数对Norflash以及对应的QSPI总线进行配置,使得所述应用程序运行时,Norflash基于最优配置参数运行于
  • 针对norflash自适应最优配置方法装置介质
  • [发明专利]POS机的控制方法、系统、装置以及计算可读介质-CN202210034528.5在审
  • 江沣;万利强 - 深圳市捷诚技术服务有限公司
  • 2022-01-13 - 2022-04-22 - G06F9/4401
  • 本发明提供了一种应用于POS机的控制方法,所述POS机的主控芯片外挂有SPI NORFLASH,所述SPI NORFLASH内存储有应用程序代码;所述方法包括以下步骤:获取到POS机开机指令,初始化SPI模式为读写模式;通过SPI NORFLASH挂载文件系统,以获取文件系统里面的文件和剩余空间等信息;将SPI模式从读写模式切换为XIP运行模式,执行存储于SPI NORFLASH的应用程序代码;当检测到应用程序要执行操作文件系统时,将SPI模式从XIP运行模式切换为读写模式;当检测到应用程序要执行文件系统的操作完成时,将SPI模式从读写模式切换至XIP模式,重新跳转到应用执行存储于SPI NORFLASH的应用程序代码。
  • pos控制方法系统装置以及计算可读介质

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