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[实用新型]介质图形化衬底结构-CN202122062515.2有效
发明人：郝茂盛;吴昊;马艳红;陈朋;张楠;袁根如 -专利权人：上海芯元基半导体科技有限公司
申请日： 2021-08-30 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： C30B25/18 文献下载
摘要：本实用新型的介质图形化衬底结构在用于制作功率器件时，在生长衬底表面生长GaN等外延层的过程中，介质图形表面不会生长外延材料，而只能通过介质图形之间显露出的衬底上表面的生长面生长，之后再侧向外延生长，从而可以有效减少因衬底材料与GaN外延层之间存在较大晶格失配和热膨胀系数失配而导致生长过程中出现的高翘曲度和高位错密度等问题，且此衬底结构有利于后续器件特殊结构的制作。
介质图形衬底结构

[发明专利]异质沟道槽型栅CMOS集成器件及其制备方法-CN201510540631.7有效
发明人：刘翔宇;胡辉勇;张鹤鸣;宋建军;舒斌;宣荣喜 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2015-08-28 - 公布日： 2018-09-14 - 主分类号： H01L21/84 文献下载
摘要：本发明涉及一种异质沟道槽型栅CMOS集成器件及其制备方法，该制备方法包括:选取SOI衬底；形成SiGe层；连续生长N型应变Ge层和N型应变Si层；采用刻蚀工艺形成隔离沟槽，形成NMOS有源区和PMOS有源区；刻蚀NMOS有源区表面的N型应变Si层，并注入N型离子以形成增强型NMOS有源区；在指定的栅极区表面采用刻蚀工艺形成双倒梯形凹槽；在表面生长氧化层，刻蚀部分区域的氧化层形成PMOS栅介质层；向PMOS有源区表面注入P型离子形成PMOS源漏区；在PMOS的栅介质层表面生长栅极材料形成PMOS栅极；在所述NMOS栅极区生长栅极材料形成NMOS栅极；金属化处理，并光刻漏极引线、源极引线和栅极引线，最终形成异质沟道槽型栅
沟道槽型栅 cmos 集成器件及其制备方法

[发明专利]石墨烯复合金属箔及其双面生长方法和装置-CN201911035935.2有效
发明人：彭海琳;曹风;杨皓;王可心;王雄彪;刘忠范 -专利权人：北京石墨烯研究院;北京大学
申请日： 2019-10-29 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： C23C16/26 文献下载
摘要：本公开提供一种石墨烯复合金属箔及其双面生长方法和装置，该装置包括化学气相沉积炉、放卷轴和收卷轴，其中化学气相沉积炉包括依次连接的等离子体辉光区和加热生长区；放卷轴和收卷轴分别位于化学气相沉积炉的两侧，通过放卷轴和收卷轴的转动，以带动金属箔进出化学气相沉积炉并在其上沉积生长石墨烯；其中等离子体辉光区内设有包括平板的支架，平板的上下区域均包括中空区域，金属箔平直通过平板表面并悬空于加热生长区，使金属箔双面生长石墨烯。该装置通过特殊的支架设计，可以在金属箔材基底上一次制备得到双面生长的垂直结构石墨烯，生长温度低，垂直结构石墨烯结构和总厚度可控性高，金属种类和材质适应性广，适用于工业化大规模生产。
石墨复合金属及其双面生长方法装置

[发明专利]外延结构体的制备方法-CN201210122535.7有效
发明人：魏洋;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2012-04-25 - 公布日： 2013-10-30 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种外延结构体的制备方法，其包括以下步骤：提供一基底，该基底具有一外延生长面；处理所述外延生长面，形成多个凹槽，从而形成一图案化的表面；在所述图案化的表面设置一石墨烯层，所述石墨烯层具有多个空隙；在所述基底设置有石墨烯层的外延生长面生长一外延层。
外延结构制备方法

[发明专利]一种短时快速高温热冲击处理MOF表面生长CNTs的方法-CN202211627482.4在审
发明人：殷学民;张欣;刘慧敏;孟嘉晨;张雨雷;李克智;李贺军 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2022-12-16 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： C01B32/162 文献下载
摘要：本发明涉及一种短时快速高温热冲击处理MOF表面生长CNTs的方法，包括：碳基底预处理；将预处理后的碳基底浸泡在浓度为0.01～1mol/L的金属盐溶液中；并加入浓度为0.01～1mol/L的有机配体溶液得到在碳基底上沉积的MOF纳米材料；将负载有MOF纳米材料的碳基底两端接到直流电源两电极上，然后在惰性气氛保护下，接通直流电源，通电电压为15～25V，持续时间为0.5～5s，反应结束后冷却至室温，即得到碳化的MOF和表面生长的少量本发明工艺简单，原料用量少、成本低，CNTs在碳化后的MOF表面原位生长，生长速度快，生长方向随机分布。
一种快速温热冲击处理 mof 表面生长 cnts 方法

[发明专利]一种降低物理气相传输法生长SiC单晶中位错密度的方法-CN201510394077.6有效
发明人：徐现刚;杨祥龙;胡小波;彭燕;陈秀芳 -专利权人：山东大学
申请日： 2015-07-07 - 公布日： 2017-11-14 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种降低物理气相传输法生长SiC单晶中位错密度的方法，可以稳定生长低位错密度的SiC单晶。该方法包括采用制作周期性图形台面和沟槽，利用晶体生长时不同晶面生长速率的各向异性原理，选择合适的生长温度和压力，采用两阶段生长模式，第一阶段促进沿台面侧壁非极性面侧向生长，侧向生长区域位错密度大大降低；第二阶段，当台面之间沟槽侧向长平后，改变生长条件，促进沿c轴方向生长，提高生长速率长厚晶体。本发明基于不同晶面生长速率各向异性原理，只需利用机械方法使籽晶表面显露出非极性面即可，工艺简单，思路新颖，并且能够明显降低物理气相传输法生长SiC单晶中的位错密度。
一种降低物理相传生长 sic 单晶中位错密度方法

[发明专利]多晶硅表面平坦化的方法-CN200810105321.2无效
发明人：王托猛;江瑞星;蔡新春;陈勇 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2008-04-28 - 公布日： 2009-11-04 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种多晶硅表面平坦化的方法，包括以下步骤：1)在硅表面生长硬掩膜，在所生长的硬掩膜表面涂覆光刻胶，进行光刻并显影，显露出需刻蚀的硬掩膜；2)刻蚀掉显露出的硬掩膜，然后去除剩余的光刻胶，对被刻蚀的硬掩膜下方的硅进行刻蚀，刻蚀出沟槽，并去除硅表面剩余的硬掩膜；3)对刻蚀出的沟槽底部进行圆角刻蚀，在刻蚀的沟槽表面生长栅极氧化层，并将沟槽内沉积多晶硅作为栅电极；4)对所沉积的多晶硅进行快速热氧化处理；5)对经过快速热氧化处理后的多晶硅进行回刻蚀
多晶表面平坦方法

[实用新型]一种双反射界面的图形化衬底-CN201821012365.6有效
发明人：武良文 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2018-06-29 - 公布日： 2019-01-08 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种双反射界面的图形化衬底，包括衬底、第一结构衬底层图形、第二结构介质层图形；其中：衬底上生长有第一结构衬底层图形、第二结构介质层图形，所述第一结构衬底层图形与第二结构介质层图形至少部分重合本实用新型的优点在于：本双反射界面的图形化衬底更能有效提高光的取出效率；利用第二结构介质层的非晶特性，可以有效的抑制图形化结构表面上氮化镓基外延层的侧面生长，降低侧面生长氮化镓基外延层与正面生长氮化镓基外延层合并时的晶格缺陷密度
结构介质衬底层衬底双反射图形化氮化镓基外延层生长氮化镓基外延层本实用新型图形化结构侧面弧形结构晶格缺陷生长重合非晶穹顶取出合并

[发明专利]一种增加浅沟槽隔离压应力提高NMOS电子迁移率的方法-CN201210047378.8有效
发明人：金秋敏;刘格致;黄晓橹 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2012-02-28 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：NMOS电子迁移率的方法，其中，包括:在衬底上依次形成氧化物层和第一氮化物层；在所述第一氮化物层上旋涂光刻胶，对所述第一氮化物层、所述氧化层以及所述衬底进行光刻，形成浅沟槽，并去除光刻胶;在所述浅沟槽的表面生长一层第二氮化物层；对所述浅沟槽进行快速热退火工艺；刻蚀所述第二氮化硅层，去除光刻胶；在所述浅沟槽表面生长一层垫氧化层；在所述垫氧化层表面生长一层第三氮化物层；在所述浅沟槽中填充绝缘介质，同时，所述绝缘介质覆盖在所述衬底表面
一种增加沟槽隔离应力提高 nmos 电子迁移率方法

[发明专利]一种与Si工艺兼容的直接带隙Ge材料及其制备方法-CN201610488187.3有效
发明人：刘洋;宋建军;曹世杰;胡辉勇;宣荣喜;张鹤鸣 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2016-06-28 - 公布日： 2019-09-20 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：该制备方法包括：选取Si衬底；在第一温度下，在Si衬底表面生长第一Ge层；在第二温度下，在第一Ge层表面生长第二Ge层；在第二Ge层表面涂抹光刻胶，利用光刻工艺保留中心区域的光刻胶；利用刻蚀工艺刻蚀一定厚度的第二Ge层，去除剩余的光刻胶，形成Ge台阶；采用CVD工艺在第二Ge层表面生长Si_0.5Ge_0.5材料，以最终形成与Si工艺兼容的直接带隙Ge材料。
一种 si 工艺兼容直接 ge 材料及其制备方法

[发明专利]一种双层膜钝化太阳能电池的制备工艺-CN201110253351.X无效
发明人：秦超;蒋健 -专利权人：无锡赛晶太阳能有限公司
申请日： 2011-08-31 - 公布日： 2011-12-21 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种双层膜钝化太阳能电池的制备工艺，首先在硅片表面生长一层二氧化硅膜；将生成了二氧化硅膜的硅片去磷硅玻璃后，置于8-10%的双氧水溶液中浸泡2-3分钟，取出，沥干；在400-500℃，压强150-250帕，真空度1125-1875毫托的管式PECVD下,以流量400-500ml/min的硅烷和2000-5500ml/min的氨气为起源，通过化学气相沉积方法在硅片的二氧化硅膜表面生长一层厚度为70本发明先在硅片表面生长一层二氧化硅膜，再在二氧化硅膜的表面镀上一层氮化硅膜，由此形成双层膜钝化及减反射效果，提高了电池片的电性能；本发明工艺方法简单，易于实现，不增加污染物排放。
一种双层钝化太阳能电池制备工艺

[发明专利]一种去除晶圆背面掩膜层的方法-CN201310036133.X在审
发明人：李健 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2013-01-30 - 公布日： 2014-08-06 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明公开了一种去除晶圆背面掩膜层的方法，依次包括以下步骤：在晶圆的一面生长多晶硅层；在晶圆背面和多晶硅层表面生长掩膜层；将晶圆背面朝向喷液机台的喷嘴；从喷嘴喷射清洗液，去除晶圆背面的掩膜层。本发明还提供了一种生产晶圆的方法，依次包括以下步骤：在晶圆上生长掩膜层；对晶圆背面进行清洗；对晶圆正面进行光刻，形成电路图案。
一种去除背面掩膜层方法

[发明专利]一种气敏材料、气敏传感器及其制备方法和应用-CN202110707323.4有效
发明人：张振兴;张文键;王旭坤 -专利权人：兰州大学
申请日： 2021-06-24 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： G01N27/12 文献下载
摘要：该气敏材料的制备方法，包括：将泡沫镍进行氧化，得到表面有氧化镍层的泡沫镍材料；在前述步骤所得材料的氧化镍层表面生长氧化锌纳米阵列，得到所述气敏材料。由于镍资源储量丰富，以泡沫镍为原料制备气敏材料和气敏传感器，制备成本低；以泡沫镍为基底，通过氧化在其表面生产p型氧化镍层，在氧化镍层表面生长氧化锌纳米阵列，最终得到具有pn结构的气敏材料，制备方法简单，
一种材料传感器及其制备方法应用

[发明专利]一种硅基图形衬底上生长外延层的方法-CN200810200193.X有效
发明人：朱建军;徐科;王建峰 -专利权人：苏州纳维科技有限公司
申请日： 2008-09-19 - 公布日： 2009-03-04 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：一种硅基图形衬底上生长外延层的方法，包括如下步骤：提供硅衬底；在硅衬底表面生长第一外延层；在第一外延层远离硅衬底的表面生长第一介质层；将第一介质层的一部分腐蚀除去；刻蚀第一外延层，至露出硅衬底后停止；在硅衬底上形成凹陷结构；在硅衬底的凹陷结构的底部和侧面制备第二介质层；腐蚀第一介质层；采用外延方法生长连续的第二外延层。本发明的优点在于：可以解决硅衬底上生长外延层容易龟裂的问题；可以降低外延生长中的位错密度和缺陷密度，提高晶体质量；可以解决硅容易向外扩散的问题；工艺可重复性好。
一种图形衬底生长外延方法

[发明专利]一种超快生长石墨烯的方法-CN202080005008.0在审
发明人：徐建勋;赵宇亮;梁建波;葛逸飞;王鲁峰;杨宜 -专利权人：国家纳米科学中心
申请日： 2020-04-24 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： C01B32/184 文献下载
摘要：本发明提供一类在金属、非金属平面以及针尖基底表面大面积超快生长石墨烯的方法，所述金属基底优选为Fe、Ni、W等，非金属基底优选为玻璃、硅、氮化硅、高分子材料等。本发明针对不同材料的性质，利用脉冲电流、感应电流或汇聚微波能等作用于碳化后的基底材料，通过基底表面的电流原位产生大量的热，实现材料的瞬间淬火进而在材料表面生成大范围的连续单层或多层石墨烯。本发明所述方法，可在不耐受长时间高温的材料表面生长界面接触良好的石墨烯；本发明提供的方法可不受真空管式炉的尺寸限制，实现大尺寸基底材料上的石墨烯生长。本发明提供的石墨烯生长方法具有材料和环境适应范围广、快速、能耗低等特点。
一种生长石墨方法