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[发明专利]一种具有电流阻挡层氮化镓基发光二极管的制作方法-CN201010273166.2有效
发明人：潘群峰;吴志强;黄少华 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2010-09-06 - 公布日： 2011-02-09 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种具有电流阻挡层氮化镓基发光二极管的制作方法，在蓝宝石衬底上自下而上依次由n型氮化镓基外延层、有源层、p型氮化镓基外延层和非掺杂氮化镓基外延层构成成氮化镓基发光外延层；在氮化镓基发光外延层之上定义电流阻止区，在电流阻止区的非掺杂氮化镓基外延层之上镀一金属层作为掩膜以覆盖整个电流阻止区；采用电化学蚀刻将电流阻止区之外的非掺杂氮化镓基外延层去除；去除掩膜金属层；在p型氮化镓基外延层和非掺杂氮化镓基外延层上制作透明导电层；在电流阻止区范围内的透明导电层上制作p电极。利用电化学蚀刻选择性定义电流阻挡层，避免了干法蚀刻带来的损伤和钝化问题，获得基于非掺杂外延层的具有电流阻挡效应的氮化镓基发光二极管。
一种具有电流阻挡氮化发光二极管制作方法

[发明专利]硅基氮化镓外延层的生长方法及氮化镓外延片-CN202210884713.3在审
发明人：张臻琢;赵德刚;杨静;梁锋;陈平;刘宗顺 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2022-07-26 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅基氮化镓外延层的生长方法及氮化镓外延片，硅基氮化镓外延层的生长方法包括：将硅基衬底放入反应室中；在硅基衬底上生长氮化铝缓冲层；在氮化铝缓冲层上生长氮化镓铝缓冲层；在氮化镓铝缓冲层上生长氮化镓铟插入层；在氮化镓铟插入层上生长氮化镓外延层；其中，生长氮化镓铟插入层的温度低于生长氮化镓铝缓冲层和氮化镓外延层的温度。在氮化镓铝缓冲层上降温生长一层氮化镓铟插入层，降温过程中氮化铝缓冲层和氮化镓铝缓冲层中出现裂纹，释放缓冲层中的部分应力，同时氮化镓铟插入层的生长能够覆盖裂纹，随后升温生长氮化镓外延层，能够使氮化镓外延层生长时受到更大更久的压应力
氮化外延生长方法

[实用新型]氮化镓基半导体外延器件-CN201821966789.6有效
发明人：陈彦良;大藤彻;谢明达 -专利权人：捷苙科技股份有限公司
申请日： 2018-11-27 - 公布日： 2019-08-02 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种氮化镓基半导体外延器件，由下而上依序包含基板、第一氮化镓外延层、缓冲层及第二氮化镓外延层，其中，基板为具有晶种层的基板、第一氮化镓外延层为五三比(V/III ratio)氮化镓外延层、缓冲层的五三比参数由大至小缓变的缓冲层，以及第二氮化镓外延层为五三比(V/III ratio)氮化镓外延层，据此氮化镓基半导体外延器件利用不同五三比氮化镓外延层及五三比参数由大至小缓变的缓冲层来达到高晶格质量及具有平整表面，进儿可以成长不同的氮化镓基外延结构
氮化镓外延层缓冲层氮化镓基半导体外延器件基板缓变氮化镓基外延平整表面晶种层晶格

[发明专利]非极化的复合氮化镓基衬底及生产方法-CN200610067141.0无效
发明人：彭晖 -专利权人：金芃;彭晖
申请日： 2006-04-05 - 公布日： 2006-10-25 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明揭示非极化(non－polar)的复合氮化镓基衬底及生产方法。非极化的复合氮化镓基衬底的结构为：反射/欧姆/应力缓冲层层叠在支持衬底与非极化的氮化镓基外延层之间。生产非极化的复合氮化镓基衬底的主要工艺步骤如下：在生长衬底上，依次生长中间媒介层(或晶核层)和非极化的第一氮化镓基外延层；层叠掩膜层；蚀刻掩膜层形成氮化镓窗口和掩膜层条；生长非极化的第二氮化镓基外延层；层叠反射/欧姆/应力缓冲层；键合支持衬底；剥离生长衬底、中间媒介层(或晶核层)、非极化的第一氮化镓基外延层、掩膜层条、和非极化的第二氮化镓基外延层中带有空洞的部分，非极化的第二氮化镓基外延层中没有空洞的部分暴露
极化复合氮化衬底生产方法

[发明专利]非极化的复合氮化镓基衬底及生产方法-CN200610067517.8无效
发明人：彭晖 -专利权人：金芃;彭晖
申请日： 2006-02-26 - 公布日： 2006-10-11 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明揭示非极化(non－polar)的复合氮化镓基衬底及生产方法。非极化的复合氮化镓基衬底的结构为：反射/欧姆/应力缓冲层层叠在支持衬底与非极化的氮化镓基外延层之间。生产非极化的复合氮化镓基衬底的主要工艺步骤如下：在生长衬底上，依次生长中间媒介层(或晶核层)和非极化的第一氮化镓基外延层；层叠掩膜层；蚀刻掩膜层形成氮化镓窗口和掩膜层条；生长非极化的第二氮化镓基外延层；层叠反射/欧姆/应力缓冲层；键合支持衬底；剥离生长衬底、中间媒介层(或晶核层)、非极化的第一氮化镓基外延层、掩膜层条、和非极化的第二氮化镓基外延层中带有空洞的部分，非极化的第二氮化镓基外延层中没有空洞的部分暴露
极化复合氮化衬底生产方法

[实用新型]一种氮化镓基发光二极管外延结构-CN201821921901.4有效
发明人：顾伟 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2018-11-21 - 公布日： 2019-06-28 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种氮化镓基发光二极管外延结构，包括依次设置在衬底上的n型氮化镓基外延层、氮化镓基有源层、p型氮化镓基外延层；其中：所述氮化镓基有源层和p型氮化镓基外延层之间设置有含硼氮化镓基电子阻挡层，所述含硼氮化镓基电子阻挡层厚度为3nm～100nm,组份为B_aAl_bGa_1‑a‑bN，其中0.03≦a≦0.3,0≦b≦0.97，所述衬底为碳化硅基板本实用新型的优点在于：采用了含硼氮化镓基电子阻挡层，含硼氮化镓基电子阻挡层相较于传统的铝镓氮电子阻挡层,含硼氮化镓基电子阻挡层的导带底和价带顶位置皆较高,对外延结构中氮化镓基有源层的电子局限和电洞注入都有助益
氮化镓基电子阻挡层外延层源层氮化镓基发光二极管本实用新型外延结构衬底铝镓氮电子阻挡层蓝宝石基板碳化硅基板依次设置传统的顶位置硅基板导带电洞价带组份局限

[发明专利]一种外延片的制作方法、芯片的制作方法及芯片-CN202011419880.8在审
发明人：张雪梅;王涛 -专利权人：重庆康佳光电技术研究院有限公司
申请日： 2020-12-04 - 公布日： 2021-06-15 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种外延片的制作方法、芯片的制作方法及芯片，所述外延片的制作方法包括如下步骤：在基底上依次生长N型氮化镓层、多量子阱有源层和第一P型氮化镓层，获得氮化镓基外延片；在所述氮化镓基外延片上生长第一P型氮化镓层的一侧生长耐高温膜层；将所述耐高温膜层选择性刻蚀，获得图案化的氮化镓基外延片；在所述图案化的氮化镓基外延片上生长第二P型氮化镓层；将所述耐高温膜层去除，得到表面粗化的外延片。通过在第一P型氮化镓层上再生长出一层第二P型氮化镓层，使外延片的表面粗化，提高基于外延片的芯片的出光效率，增加亮度。
一种外延制作方法芯片

[发明专利]氮化镓基功率二极管及其制作方法-CN201611258251.5有效
发明人：康玄武;刘新宇;黄森;王鑫华;魏珂 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2016-12-30 - 公布日： 2019-12-03 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明提供一种氮化镓基功率二极管及其制作方法，在重掺杂N型氮化镓衬底上方生长第一轻掺杂N型氮化镓外延层；在第一轻掺杂N型氮化镓外延层上方生长P型氮化镓外延层；对P型氮化镓外延层和第一轻掺杂N型氮化镓外延层进行刻蚀，以形成贯穿于P型氮化镓外延层或贯穿于P型氮化镓外延层并伸入第一轻掺杂N型氮化镓外延层的刻蚀图形；在含有刻蚀图形的P型氮化镓外延层上方生长第二轻掺杂N型氮化镓外延层；制作阳极和阴极，以形成氮化镓基功率二极管本发明采用外延法替代离子注入法来形成氮化镓基功率二极管中的P型掺杂结构，杂质有效激活率高，避免了依靠退火技术来提高离子注入中杂质有效激活率的问题，降低了工艺实现的难度。
氮化功率二极管及其制作方法

[实用新型]一种适用于衬底化学剥离的氮化镓基LED外延结构-CN201821921880.6有效
发明人：武良文 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2018-11-21 - 公布日： 2019-06-28 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种适用于衬底化学剥离的氮化镓基LED外延结构，包括衬底、氧化镓牺牲层、保护层、氮化镓基外延功能层；其中：所述氧化镓牺牲层介于衬底与氮化镓基外延功能层之间,所述氧化镓牺牲层上设置有一个在高氮氢比载气环境下生长的保护层本实用新型的优点在于：采用氧化镓（Ga₂O₃）作为化学剥离的牺牲层，一方面氧化镓与氮化镓材料的晶格失配度较低，在氧化镓上可以成长出高品质的氮化镓基LED外延结构,另一方面氧化镓和弱酸容易发生反应而被去除（而氮化镓不会和弱酸发生反应），所以在一种有氧化镓牺牲层的氮化镓基LED外延结构中,可以利用弱酸溶液去除氧化镓牺牲层,完成衬底与氮化镓基LED外延结构层的剥离。
氧化镓牺牲层氮化镓基LED 衬底外延结构化学剥离氮化镓基外延本实用新型保护层功能层去除弱酸氮化镓材料晶格失配度外延结构层弱酸溶液氮化镓高品质高氮载气剥离生长

[实用新型]具有电流横向扩展结构的发光二极管-CN201220445263.X有效
发明人：潘群峰 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2012-09-04 - 公布日： 2013-03-13 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本实用新型公开了一具有电流横向扩展结构的发光二极管，其结构包括：衬底；n型氮化镓基外延层形成于衬底之上，并且其至少包含发光台面部和非发光部；有源层形成于n型氮化镓基外延层的发光台面部之上；p型氮化镓基外延层形成于有源层之上；n电极形成于n型氮化镓基外延层的非发光部之上并与n型氮化镓基外延层形成欧姆接触；其中，所述n型氮化镓基外延层的发光台面部包含一半绝缘电流横向疏导层，并且电流横向疏导层的位置介于有源层与n电极欧姆接触面之间通过离子注入方式在n型氮化镓基外延层中引入一半绝缘层，起到阻挡电流以最短路径流动，疏导电流横向扩展的作用。
具有电流横向扩展结构发光二极管

[发明专利]一种氮化镓基LED外延片及其生长方法-CN200810229846.7在审
发明人：杨天鹏;郭文平;陈向东;刘海燕;肖志国 -专利权人：大连路美芯片科技有限公司
申请日： 2008-12-16 - 公布日： 2010-06-23 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种氮化镓基LED外延片及其生长方法，即在氮化镓基LED外延片中引入电容式结构，该电容式结构包括n型电容式结构和p型电容式结构，n型电容式结构为氮化镓基n型层/非掺杂层/氮化镓基n型层结构；p型电容式结构为氮化镓基p型层/非掺杂层/氮化镓基p型层结构；通过在n型和p型氮化镓层中形成电容式外延结构，缓解静电对氮化镓基LED芯片的冲击，提高LED芯片对静电的耐受能力。
一种氮化 led 外延及其生长方法

[发明专利]基于直接键合工艺的金刚石基氮化镓晶体管制备方法-CN202010617072.6有效
发明人：吴立枢;孔月婵;郭怀新 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2020-06-30 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于直接键合工艺的金刚石基氮化镓晶体管制备方法，包括：清洗碳化硅基氮化镓圆片和临时载片；碳化硅基氮化镓圆片与临时载片正面相对临时键合；去除碳化硅基氮化镓圆片的碳化硅衬底；清洗氮化镓外延层；在氮化镓外延层表面和金刚石衬底表面分别蒸发金属层；利用氩原子束对氮化镓外延层与金刚石衬底表面的金属层进行轰击并完全去除掉金属层，并进行键合；去除液分离金刚石基氮化镓与临时载片；在金刚石基氮化镓正面制备晶体管本发明利用直接键合工艺将氮化镓外延层与金刚石衬底结合在一起，减少了对氮化镓外延层损伤的风险，同时减少了低热导率键合材料的引入，可进一步提高金刚石对氮化镓晶体管的散热效果。
基于直接工艺金刚石氮化晶体管制备方法

[发明专利]金刚石基氮化镓外延的衬底结构及其制备方法-CN202210095235.8在审
发明人：宁静;武海迪;张进成;贾彦青;王东;马佩军;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-01-26 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种金刚石基氮化镓外延的衬底结构及其制备方法，该制备方法包括：步骤1：在金刚石衬底上制备氮化铝成核层；步骤2：在铜箔表面生长石墨烯层；步骤3：将石墨烯层从铜箔转移至氮化铝成核层上；步骤4：在石墨烯层上外延生长氮化镓外延层，得到金刚石基氮化镓外延的衬底结构。本发明的金刚石基氮化镓外延的衬底结构的制备方法，首先在金刚石衬底上低温磁控溅射了一层氮化铝成核层，再通过转移的方式将石墨烯层转移至氮化铝成核层上，然后再进行氮化镓外延生长，外延得到的氮化镓层具有良好的晶格取向，氮化铝成核层起到了晶格修正的作用。
金刚石氮化外延衬底结构及其制备方法

[发明专利]图形化衬底、制备方法及发光二极管-CN201510691884.4在审
发明人：徐志波;李政鸿;谢翔麟;王肖 -专利权人：安徽三安光电有限公司
申请日： 2015-10-23 - 公布日： 2016-02-24 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明提出了一种图形化衬底、制备方法及发光二极管，通过在具有复数个凸起的衬底表面沉积介质层，利用介质层的非晶体特性，使得PVD法沉积于凸起的侧面和顶面平台的氮化铝层为非晶态，而覆盖于凸起间隙的平整表面的氮化铝是由微小晶粒组成的多晶随后该衬底应用于MOCVD法沉积氮化镓基外延层形成发光二极管时，利用在平整面上的氮化铝多晶态更易生长，而非晶态氮化铝不易沉积氮化镓基外延层的特性，外延层选择性生长于凸起间隙的平整表面氮化铝层上，而凸起侧面和顶面平台不易生长，减小侧面氮化镓基外延层生长，降低侧向生长的氮化镓基外延层与平整表面上正向生长的氮化镓基外延层合并时缺陷数量，提升最终形成的半导体元件的性能。同时，由于抑制了侧向氮化镓基外延层生长，正向生长的氮化镓基外延层更容易合并成一个平整表面。
图形衬底制备方法发光二极管

[发明专利]氮化镓基功率开关器件及其制作方法-CN201611260109.4在审
发明人：康玄武;刘新宇;黄森;王鑫华;魏珂 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2016-12-30 - 公布日： 2017-04-26 - 主分类号： H01L29/732 文献下载
摘要：本发明提供一种氮化镓基功率开关器件及其制作方法，在轻掺杂N型氮化镓外延片上方生长P型氮化镓外延层；对所述P型氮化镓外延层和所述轻掺杂N型氮化镓外延片进行刻蚀，以形成贯穿于所述P型氮化镓外延层或贯穿于所述P型氮化镓外延层并伸入所述轻掺杂N型氮化镓外延片中的场环结构；在含有所述场环结构的P型氮化镓外延层上方生长轻掺杂N型氮化镓外延层；其中，所述场环结构包括至少一个槽形结构。本发明通过采用外延法替代离子注入法来形成氮化镓基功率开关器件中的P型掺杂结构，杂质有效激活率高，避免了依靠退火技术来提高离子注入中杂质有效激活率的问题，降低了工艺实现的难度。
氮化功率开关器件及其制作方法

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