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[发明专利]一种大直径碳化硅单晶的双感应加热生长装置及生长方法-CN202310654545.3在审
发明人：谢雪健;王兴龙;徐现刚;陈秀芳;杨祥龙;彭燕;胡小波 -专利权人：山东大学
申请日： 2023-06-01 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本发明属于晶体生长技术领域，具体涉及一种大直径碳化硅单晶的双感应加热生长装置及生长方法。所述双感应加热生长装置包括石墨坩埚、第一感应加热线圈、第二感应加热线圈；所述第一感应加热线圈和所述第二感应加热线圈设置于所述石墨坩埚的外周；所述第一感应加热线圈位于所述第二感应加热线圈上方；所述第一感应加热线圈与所述第二感应加热线圈互不重合；所述第一感应加热线圈对应的感应电源频率为30～100kHz，所述第二感应加热线圈对应的感应电源频率为1～10kHz。本发明采取不同频率的感应加热线圈相互耦合，有效改善了碳化硅籽晶处的径向温度梯度，并保持较低的加热功率，提高了大直径碳化硅单晶生长质量，降低了生产成本。
一种直径碳化硅感应加热生长装置方法

[发明专利]一种适用于电化学气体传感器粉尘特性研究的测试装置-CN202111458287.9有效
发明人：张振宇;张邯平;米康民;王强;阎寒冰;高义斌;陈秀芳;郭力强;涂杉;柳逢春;毕引娣;李玉;郝树宏;张彬 -专利权人：国网山西省电力公司电力科学研究院
申请日： 2021-12-02 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： G01N27/00 文献下载
摘要：本发明提供一种适用于电化学气体传感器粉尘特性研究的测试装置，属于电化学气体传感器性能测试技术领域，其包括:粉尘特性测试箱、粉尘喷入装置、气瓶和集气瓶；粉尘特性测试箱包括箱体、箱盖、风扇和电加热器，风扇和电加热器安装在箱体内，箱盖密封盖设在箱体上，待测试的电化学气体传感器放置在箱体内，箱体上设有进气孔、出气孔和粉尘进入孔；粉尘喷入装置与箱体的粉尘进入孔连接；气瓶通过进气管与箱体的进气孔连接；集气瓶与箱体的出气孔连接。该测试装置能够很好研究粉尘颗粒物对电化学气体传感器测量准确性和失效程度的影响，为研制存在煤矸石发电厂的工业污染区的大气监测系统气体传感器选型和使用寿命提供依据。
一种适用于电化学气体传感器粉尘特性研究测试装置

[实用新型]大容量水箱安装结构及轨道车辆-CN202321166274.9有效
发明人：宋巍;马志会;陈秀芳;吕凤超;石录红;董成;于亚兰;陈乾;王阳;刘有 -专利权人：中车唐山机车车辆有限公司
申请日： 2023-05-15 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： B61C17/02 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种大容量水箱安装结构及轨道车辆，包括水箱本体、两个水箱托梁以及两个侧墙托板，水箱本体沿车身横向延伸，水箱本体的两侧壁上分别设有连接座；两个水箱托梁分别沿车身横向延伸、用于承托于连接座的下方、并与连接座通过第一连接件相连；两个侧墙托板分别沿水平方向连接于侧墙的内壁上，与水箱托梁通过第二连接件相连。本实用新型提供的大容量水箱安装结构，水箱本体设置在空调送风道和车体内装顶板之间，便于充分利用该区域，满足水箱本体的大容量需求，水箱本体两侧的连接座通过水箱托梁进行承托固定，使水箱本体得到可靠支撑，上述设置简化了水箱本体的安装结构，实现了车体内部空间的有效利用。
容量水箱安装结构轨道车辆

[外观设计]单面印花丝巾（窗棂花影）-CN202230834601.8有效
发明人： 陈秀芳 -专利权人：安徽职业技术学院
申请日： 2022-12-13 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： 02-05 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：单面印花丝巾（窗棂花影）。2.本外观设计产品的用途：用于穿戴与装饰。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状与图案的结合。4.最能表明设计要点的图片或照片：主视图。5.本外观设计为薄型产品，省略左视图、右视图、俯视图、仰视图。
单面印花丝巾窗棂花影

[实用新型]一种糖尿病足伤口清洗小车-CN202221602044.8有效
发明人：梅丹;陈秀芳;李美娜;张小玲 -专利权人：西安交通大学医学院第一附属医院
申请日： 2022-06-24 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： A61G12/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及医疗设施技术领域，且公开了一种糖尿病足伤口清洗小车，包括底箱，所述底箱的上表面固定安装有两个蓄水箱，两个所述蓄水箱的一侧相贴合，且两个蓄水箱的顶部固定安装有放置盒，所述底箱的内部插接有接水箱组件，两个所述蓄水箱外表面的底部均连通安装有出水管，其中一个所述出水管的一端连通安装有万向软管。该一种安装有两个蓄水箱的创口清洗小车，通过接水箱组件的设置，能够对患者足部进行两种方式清洗，使创面清除效果更佳，实用性更强，通过两个蓄水箱的设置，起到了存放两种不同液体的作用，以便对患者的足部进行冲洗及浸泡，通过放置盒和分隔板的配合设置，起到了分类存放医疗物品的作用，方便医护人员拿取。
一种糖尿病足伤口清洗小车

[实用新型]带有检视口的围板箱-CN202320749381.8有效
发明人： 陈秀芳 -专利权人：东莞市炜航塑胶制品有限公司
申请日： 2023-04-07 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： B65D25/54 文献下载
摘要：本实用新型涉及围板箱技术领域，尤其是指带有检视口的围板箱，包括底板，底板顶端开设有安装槽，安装槽内插接有围板和折叠板，后方围板顶端铰接有顶板，顶板顶端固定连接有凸台，凸台顶端开设有检视口，检视口贯穿顶板；顶板顶端开设有安装孔，安装孔内转动连接有转轴，转轴顶端固定连接有盖板，盖板与凸台滑动连接，转轴底端圆周面固定连接有触碰件；顶板底端固定连接有电池盒和灯座，电池盒与灯座电性连接，电池盒靠近转轴一端固定连接有触碰开关；灯座底端固定连接有灯泡。本实用新型可以在顶板不打开的情况下对围板箱内的物品进行检视，同时提供明亮的光源，方便对物品进行检查和确认，提高工作效率。
带有检视围板箱

[发明专利]一种调控紫外光电探测器光响应性能的方法-CN202110779389.4有效
发明人： 陈秀芳;李晓蒙;徐现刚 -专利权人：山东大学
申请日： 2021-07-09 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种调控紫外光电探测器光响应性能的方法，该方法利用光刻胶作为保护层通过氧等离子体处理工艺调控样片表面石墨烯条带的长宽比，条带状光刻胶保护层的长宽比为(50‑150)：1，可以大大提高探测器的光响应速度和响应度，制备工艺简单，同时在调控过程中没有引入多余的外加物理场就可以实现明显的性能提升，进一步增加了相关器件的应用价值。
一种调控紫外光电探测器响应性能方法

[发明专利]一种竖直方向的直流电场场强测量方法、装置、记录媒体及系统-CN202310404520.8在审
发明人：刘玉欢;张广洲;张振宇;冯智慧;方书博;柳逢春;李涛;涂杉;陈秀芳;韩晴;邓慰;李牧;张永刚 -专利权人：国网电力科学研究院有限公司;国网电力科学研究院武汉南瑞有限责任公司;国网山西省电力公司电力科学研究院
申请日： 2023-04-17 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： G01R29/12 文献下载
摘要：本发明属于电场测试技术领域，特别涉及一种竖直方向的直流电场场强测量方法，包括以下步骤：通过感应极在竖直方向的直流电场中沿电场线方向以固定振幅来回振动来改变感应极与外壳之间的电荷分布，形成正弦波形的感应电流，通过测量该感应电流推算电场强度，较之前的场磨式及水平振荡式测场强的装置而言，更容易提取标准的正弦波用于计算，提升了测量的准确性。本发明还公开了一种物理装置去实施上述方法；并提供一种存储有该方法程序的非暂态可读记录媒体及包含该媒体的系统，通过处理电路可以调用程序，执行上述方法。
一种竖直方向直流电场场强测量方法装置记录媒体系统

[发明专利]一种高质量碳化硅单晶生长方法-CN202111672169.8在审
发明人：胡小波;王垚浩;杨祥龙;于国建;陈秀芳;徐南;张木青 -专利权人：广州南砂晶圆半导体技术有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： C30B23/02 文献下载
摘要：本申请提供了一种高质量碳化硅单晶生长方法，在将坩埚装入单晶生长炉的炉腔时，使各坩埚沿炉腔的温场中轴线对称分布，各坩埚中的籽晶的小面靠近温场的中心，从热场的中心至边缘温度逐渐升高。通过设置籽晶的位置，将籽晶台阶流的上游置于靠近温度场的中心位置，对于籽晶来说，台阶流的上游靠近热场中心的低温区，台阶流的下游处于热场的高温区，热场的分布有利于台阶流的流动。小面始终处于热场的低温区，且小面在单晶生长的过程中始终保持不动，由于台阶流从近中心向边缘流动，温度场的分布有利于台阶流的流动，不会发生台阶聚并现象，进而可以有利于保持晶型的稳定性。并且，本申请提供的方法可以一次性放入多个坩埚，进而可提高单晶生长效率。
一种质量碳化硅生长方法

[发明专利]一种大直径SiC单晶生长装置及生长方法-CN202210227495.6有效
发明人：谢雪健;胡国杰;徐现刚;彭燕;胡小波;陈秀芳;王兴龙 -专利权人：山东大学
申请日： 2022-03-08 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种大直径SiC单晶生长装置及生长方法，包括石墨保温毡、坩埚、感应线圈和电阻加热器，其中，所述坩埚置于石墨保温毡中，感应线圈位于石墨保温毡外侧，电阻加热器位于石墨保温毡内部，且位于坩埚的顶部或/和底部。采用感应加热及电阻加热相结合的加热方式，单晶生长系统的温度控制以感应电源加热为主，电阻加热为辅。在单晶生长过程和晶体高温退火过程中，通过调节感应加热和电阻加热器的功率比例，分别构建出近平微凸和平温场，获得大直径高质量SiC单晶。
一种直径 sic 生长装置方法

[发明专利]4H-SiC单晶中掺杂均匀性的检测方法-CN202310381102.1在审
发明人：杨祥龙;邵宏宇;陈秀芳;谢雪健;彭燕;胡小波;徐现刚 -专利权人：山东大学
申请日： 2023-04-11 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： G01N21/63 文献下载
摘要：本申请提供了一种4H‑SiC单晶中杂质均匀性的间接检测方法，该方法利用寿命测试设备对碳化硅晶片表面进行激光注入，使晶片内产生电子‑空穴对，随后撤去外界光注入根据电导率的变化获得少子寿命分布Mapping图像。由于在晶体中影响寿命分布的主要因素是N杂质和深能级之间的作用，所以可以根据晶面上寿命区域的不均匀性来间接判断晶片整体的杂质分布。本申请提供的方法，不仅可以快速获得关于晶片杂质的均匀性，并且该方法操作简单、消耗时间少。
sic 单晶中掺杂均匀检测方法

[实用新型]一种带有警示功能的公路施工护栏-CN202223105375.3有效
发明人：陈仕时;邓贤杰;陈秀芳 -专利权人：广西龙辰建筑工程有限公司
申请日： 2022-11-23 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： E04H17/14 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种带有警示功能的公路施工护栏，包括底座、报警器和高压抽水泵，所述底座下方连接有底盘，且底座上方连接有警示柱，同时警示柱上方连接有报警器，所述高压抽水泵上方连接有水管，且水管外端开设有喷口，同时水管外围固定有固定圈，所述警示柱侧端镶有激光灯。该带有警示功能的公路施工护栏，设置有报警器与红外距离传感器，且报警器与红外距离传感器为联动装置，当有人靠近时会被红外距离传感器检测到，并自动接通报警器的电源使报警器发出警报，同时报警器为发声报警，当盲人与低头玩手机不看路的路过时会发出警报提醒人们，防止误入施工现场发生危险，解决了当有盲人路过时无法看到护栏误入施工现场的问题。
一种带有警示功能公路施工护栏

[发明专利]一种提高碳化硅粉料利用率的方法-CN202310384078.7在审
发明人：谢雪健;王兴龙;陈秀芳;徐现刚 -专利权人：山东大学
申请日： 2023-04-06 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种提高碳化硅粉料利用率的方法。本发明的方法中采用一种特定的隔离筒，通过使用设定尺寸的隔离筒进行碳化硅单晶生长，有效改善了粉料内部的温度分布，降低了粉料内部的轴向温度梯度以及径向温度梯度，抑制了碳化硅粉料在坩埚中心区域结晶的问题，同时也对粉料表面的结晶现象具减轻作用，提高了碳化硅粉料的利用率。同时巧妙地将坩埚壁的热量经热传导方式传递到SiC粉料的传热形式转换为将坩埚壁的热量经热辐射的形式传递到隔离筒的传热形式，一定程度上减少了由于SiC粉料粒度波动等因素对坩埚壁‑SiC粉料热传导的影响，提高了坩埚壁向坩埚中心传热的效率和碳化硅粉料中的温度均匀性，降低了加热系统所需能耗，降低了碳化硅单晶生产成本。本发明中的方法，与目前生长工艺相兼容，便于推广使用。
一种提高碳化硅利用率方法

[发明专利]一种准本征半绝缘碳化硅单晶的制备方法-CN202111524463.4有效
发明人：张福生;胡国杰;肖龙飞;谢雪健;徐现刚;陈秀芳;彭燕;仲光磊;张家鑫 -专利权人：山东大学
申请日： 2021-12-14 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种准本征半绝缘碳化硅单晶的制备方法，该方法通过采用高纯碳化硅粉料并以碳化硅籽晶的硅面作为生长面，在高温下快速生长具有超高纯度和高缺陷密度的碳化硅晶棒，再通过高温加热‑极速冷却方法，将生长的超高纯度碳化硅晶棒裂解成超高纯碳化硅单晶质颗粒粉料，然后进行氢钝化处理，用于制备准本征半绝缘碳化硅单晶材料。通过本发明方法，能够获得高质量半绝缘电学性能稳定的准本征碳化硅单晶体。本发明制备的准本征半绝缘碳化硅单晶可以更好地应用在5G通讯、相控阵雷达、毫米波探测等领域，使得器件的尺寸更小、功率密度更高。
一种绝缘碳化硅制备方法

[发明专利]一种重掺杂p型SiC单晶及其生长方法和应用-CN202310162514.6在审
发明人：谢雪健;仲光磊;陈秀芳;徐现刚 -专利权人：山东大学
申请日： 2023-02-23 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种重掺杂p型SiC单晶及其生长方法和应用。本发明利用铝、氮元素构成的化合物或固溶体作为一类掺杂源和其它p型掺杂源作为二类掺杂源来进行Al‑N共掺。进一步的，在SiC粉料区中放置AlN材料作为一类掺杂源，使其分解时提供相同摩尔比的Al原子和N原子，进而实现N源与Al源同步释放，起到维持重掺杂晶体的单一晶型；放置Al4C3、Al2O3、Al等作为二类掺杂源，来提供额外的Al元素来实现n[Al]:n[N]在1.2～3.0的范围内，保证生长的晶体是单一晶型的p型SiC。得到p型SiC单晶具有Al掺杂浓度不低于7×1019cm‑3、电阻率不高于0.200Ω·cm、摇摆曲线半峰宽不超过60弧秒中的一个或多个特征，可应用于智能电网、光伏发电、大功率电力电子器件等领域。
一种掺杂 sic 及其生长方法应用

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