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[发明专利]一种铜-磷化亚铜低共熔混合物的制备方法-CN202110593651.6有效
发明人：彭雪;吕燕飞;蔡庆锋;赵士超 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2021-05-28 - 公布日： 2021-11-26 - 主分类号： C22C1/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种铜‑磷化亚铜低共熔混合物的制备方法，本发明采用次磷酸钠和铜箔作为前驱物，通过在惰性气氛中加热，在铜箔表面生长磷化亚铜晶体；然后在高温中加热表面生长有磷化亚铜的铜箔，使之形成液态熔融物；之后冷却液态熔融物冷却获得铜
一种磷化亚铜低共熔混合物制备方法

[发明专利]钝化接触电池及其制备工艺-CN202210141493.5有效
发明人：陈浩;吴伟梁;徐文州;孟夏杰;姚骞;王秀鹏;邢国强 -专利权人：通威太阳能（眉山）有限公司
申请日： 2022-02-16 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：钝化接触电池的制备工艺，其背面场钝化结构的制备包括：在硅片的背面生长隧穿氧化层；在隧穿氧化层的表面生长本征碳化硅层；在本征碳化硅层表面生长磷掺杂碳化硅层；以及退火处理，以使磷掺杂碳化硅层中的磷与碳化硅形成共价键
钝化接触电池及其制备工艺

[发明专利]一种在碳化硅衬底上生长P型石墨烯的方法-CN201410171889.X有效
发明人：郭鈺;陈小龙;郭丽伟;芦伟;贾玉萍 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2014-04-25 - 公布日： 2017-06-06 - 主分类号： C01B32/184 文献下载
摘要：本发明提供一种生长P型石墨烯的方法，包括1）在含氮气氛中对SiC衬底进行退火，以在所述SiC衬底的表面吸附氮原子；2）采用SiC高温热分解法，在所述SiC衬底的所述表面生长石墨烯。
一种碳化硅衬底生长石墨方法

[发明专利]制备图案化石墨烯的方法及石墨烯柔性透明电热膜-CN201510079472.5在审
发明人：魏大鹏;贾树明;焦天鹏;杨俊;史浩飞;杜春雷 -专利权人：中国科学院重庆绿色智能技术研究院
申请日： 2015-02-13 - 公布日： 2015-05-20 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了制备图案化石墨烯的方法，包括：a)在基底表面制作所需图案；b)在基底图案化区域制备一层用于石墨烯生长的催化剂薄膜；c)在所述催化剂薄膜表面生长石墨烯得到基底-催化剂-石墨烯复合结构；d)分离基底和石墨烯催化剂薄膜得到催化剂-石墨烯复合结构；e)分离催化剂薄膜和其表面生长的石墨烯得到图案化石墨烯薄膜。本发明直接在图案化的基底上生长石墨烯，无需对石墨烯进行刻蚀，所得石墨烯图案精准，性能稳定。本发明的电热膜结构简单，透光性好，且具有高度柔韧性能，具有广阔的运用前景。
制备图案化石方法石墨柔性透明电热

[发明专利]CIS的制作方法-CN202310718068.2在审
发明人：李睿;曹志伟;张召 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2023-06-16 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本申请公开了一种CIS的制作方法，包括：提供一衬底，衬底中形成有深沟槽，深沟槽将衬底分割为多个柱型结构，柱型结构上形成有硬掩模层，衬底的晶向为[100]，深沟槽的深度和宽度的比值大于4；在深沟槽的表面生长第一外延层；进行烘烤处理对第一外延层的表面形貌进行修复；通过低压选择性外延工艺生长第二外延层，第二外延层填充深沟槽。本申请通过在CIS的制作过程中，在衬底中形成深沟槽后，现在深沟槽表面生长第一外延层，然而通过烘烤处理修复形貌，再通过低压选择性外延工艺生长第二外延层以填充深沟槽，能够降低沟槽中填充的外延层产生缺陷的几率
cis 制作方法

[发明专利]恒流二极管的制造方法和恒流二极管-CN201410324088.2在审
发明人：黄宇萍;赵圣哲 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2014-07-08 - 公布日： 2016-03-30 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明提供了一种恒流二极管的制造方法和一种恒流二极管，其中，恒流二极管的制造方法，包括：在形成有沟槽的衬底表面生长栅氧化层，并在所述栅氧化层的表面淀积多晶硅层；对所述多晶硅层进行回刻，并在经过回刻处理之后的衬底表面生长第一介质层；对所述第一介质层进行光刻、刻蚀，以得到接触孔；向形成有所述接触孔的衬底表面注入掺杂离子并做退火处理，以形成阱区；在形成有所述阱区的衬底表面生长金属层，以得到所述恒流二极管。
二极管制造方法

[发明专利]基于离子注入工艺的环绕N+区浮结功率器件及其制备方法-CN202210423439.X在审
发明人：袁昊;周瑜;汤晓燕;宋庆文;张玉明;何艳静;刘延聪;许允亮 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-04-21 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于离子注入工艺的环绕N+区浮结功率器件及其制备方法，该方法包括：提供N++衬底；在衬底的一侧表面生长第一N‑外延层；在第一N‑外延层的上表面生长外延结构，外延结构包括至少一层第二N‑外延层和至少一层N+掺杂区，第二N‑外延层包括下部N‑外延层和上部N‑外延层，N+掺杂区包括下部N+掺杂区和上部N+掺杂，下部N‑外延层包括多个第一P+浮结，下部N+掺杂区包括多个第二P+浮结；在外延结构的上表面生长第三N‑外延层；在第三N‑外延层的上表面制作第一电极，并在衬底的下表面制作第二电极。
基于离子注入工艺环绕区浮结功率器件及其制备方法

[发明专利]一种表面生长ITO和铝电极的LED晶片切割方法-CN201910893385.1有效
发明人：徐晓强;张兆喜;王梦雪;闫宝华;任忠祥 -专利权人：山东浪潮华光光电子股份有限公司
申请日： 2019-09-20 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： H01L33/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种表面生长ITO和铝电极的LED晶片切割方法，本发明操作时，首先进行外延层的生长，其中外延层的生长属于常规工艺，生长外延层后在GaP窗口层上生长ITO膜层，可有效提高LED芯片的发光亮度，并且提高芯片的导电性能；ITO膜层生长结束后，进行P面电极、N面电极的制作，而后利用锯片机进行锯片切割，切割之前在P面生长保护层，切割完成后对芯片进行清洗，去除晶片表面残留的保护层，烘干后扩膜，形成独立管芯结构
一种表面生长 ito 电极 led 晶片切割方法

[实用新型]图形化衬底结构及LED器件-CN202122095034.1有效
发明人：郝茂盛;吴昊;陈朋;马艳红;张楠;袁根如 -专利权人：上海芯元基半导体科技有限公司
申请日： 2021-09-01 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：所述图形化衬底结构包括生长衬底及位于所述生长衬底上的介质图形层，所述介质图形层包括介质层，所述介质层上形成有多个介质图形，所述多个介质图形在所述生长衬底上呈阵列分布，所述介质图形的侧面形貌为圆台状，所述介质图形内具有漏斗状凹槽本实用新型提供的图形化衬底结构具有特殊设计的介质图形层，在其表面生长GaN等外延层时，在生长过程中，外延材料不会在介质图形表面生长而只能通过侧向外延生长，所以外延层的晶体质量可以大幅提升。
图形衬底结构 led 器件

[发明专利]一种CVD石墨烯向塑料基底卷对卷转移的方法及装置-CN201510837047.8在审
发明人：刘忠范;邓兵;彭海琳 -专利权人：北京大学
申请日： 2015-11-26 - 公布日： 2016-02-17 - 主分类号： C01B31/04 文献下载
摘要：石墨烯向塑料基底转移的方法包括如下步骤：1)通过化学气相沉积法在金属基底表面生长石墨烯；2)在氧气存在的条件下，对表面生长有石墨烯的金属基底进行加热；3)复合塑料基底和经表面生长有石墨烯的金属基底，制备得到依次层叠的塑料基底层
一种 cvd 石墨塑料基底转移方法装置

[发明专利]一种全硅三明治微加速度计制作方法-CN201911329259.X在审
发明人：刘宇;刘福民;邱飞燕;刘国文;梁德春;张乐民;崔尉;张树伟;马骁;徐宇新 -专利权人：北京航天控制仪器研究所
申请日： 2019-12-20 - 公布日： 2020-04-17 - 主分类号： G01P15/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种全硅三明治微加速度计制作方法，该方法包括如下步骤：在上极板硅晶片上下表面生长二氧化硅绝缘层，光刻腐蚀出多个上极板单元；在下极板硅晶片上下表面生长二氧化硅绝缘层，光刻腐蚀出多个下极板单元；在结构硅晶片上下表面生长二氧化硅绝缘层，双面光刻湿法腐蚀出多个结构单元；将结构硅晶片的结构单元、上极板硅晶片中与结构单元相对应的上极板单元和下极板硅晶片中与结构单元相对应的下极板单元在设定气压的键合设备内键合
一种三明治加速度计制作方法

[发明专利]一种高效双功能分解水电催化剂及其制备方法-CN201910777521.0有效
发明人：王寅;刘景海;杨雨彤;段莉梅 -专利权人：内蒙古民族大学
申请日： 2019-08-22 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： B01J27/057 文献下载
摘要：本发明将醋酸钴、氟化铵、尿素和溶剂混合，得到混合溶液；再将碳布浸入所述混合溶液中进行水热反应，得到表面生长有钴纳米棒前驱体的碳布；然后对所述表面生长有钴纳米棒前驱体的碳布进行电化学转化，得到所述高效双功能分解水电催化剂；所述电化学转化采用三电极体系，以表面生长有钴纳米棒前驱体的碳布作为工作电极、以饱和甘汞电极作为参比电极，以二氧化硒、氯化钾和水的混合溶液作为电解液。
一种高效功能分解水电催化剂及其制备方法

[发明专利]半导体激光器非吸收窗口的制备方法及半导体激光器-CN201810778850.2有效
发明人：井红旗;王鑫;赵懿昊;袁庆贺;刘素平;马骁宇 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2018-07-16 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： H01S5/34 文献下载
摘要：所述方法包括：在外延片的非吸收窗口区域覆盖光刻胶掩膜进行保护；采用感应耦合等离子体刻蚀方法，通入气体产生的等离子体轰击所述外延片表面；去除所述外延片表面覆盖的光刻胶；在所述外延片表面生长一层氧化硅薄膜；将所述外延片进行热退火处理；去除所述外延片表面生长的氧化硅薄膜。用感应耦合等离子体刻蚀方法替代了生长介质膜形成保护的步骤，简化了制备过程，降低了工艺难度，减少了制备过程中的危险性。
半导体激光器吸收窗口制备方法

[发明专利]氮化镓晶体衬底-CN201010121696.5无效
发明人：冈久拓司;元木健作;上松康二;中畑成二;弘田龙;井尻英幸;笠井仁;藤田俊介;佐藤史隆;松冈彻 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2007-06-08 - 公布日： 2010-08-18 - 主分类号： C30B29/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化镓晶体衬底，该氮化镓晶体衬底包括：第一晶体区，该第一晶体区具有晶体缺陷聚集区(H)，以及第二晶体区，该第二晶体区具有低晶体缺陷区部分(Z)和C面生长区部分(Y)。C面生长区部分(Y)的碳浓度与晶体缺陷聚集区(H)的碳浓度之比为101-105，并且C面生长区部分(Y)的碳浓度与低晶体缺陷区部分(Z)的碳浓度之比为101-105。并且，该C面生长区部分(Y)的碳浓度是1016-1020cm-3。
氮化晶体衬底

[发明专利]人体颅骨修复支架及其制备方法-CN201110274335.9有效
发明人：周强;陈学思;庄秀丽;崔毅;高战团;李少英 -专利权人：周强;长春圣博玛生物材料有限公司;中国科学院长春应用化学研究所
申请日： 2011-09-15 - 公布日： 2012-01-04 - 主分类号： A61L27/54 文献下载
摘要：本发明提供了一种人体颅骨修复支架，包括由可生物降解聚合物形成的颅骨板和粘附在所述颅骨板表面的骨生长因子。本发明还提供了一种人体颅骨修复支架的制备方法。将本发明提供的人体颅骨修复支架植入人体后，在骨生长因子的促进作用下，患者的自体颅骨会沿着该颅骨板表面生长，使颅骨缺损处愈合，由于自体颅骨沿着颅骨板表面生长，生长后的颅骨形状与原来颅骨形状较为吻合，不会产生畸形等现象；另外，由于所述颅骨板由可生物降解聚合物形成，自体颅骨生长得到完整颅骨后，该颅骨板会缓慢降解并通过人体吸收、代谢等途径排出体外，从而使得修复后的颅骨缺损部位全部由自体颅骨生长形成，没有任何其他异物留在人体内
人体颅骨修复支架及其制备方法