“等离子体装置”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果16913075个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]用于等离子体处理装置的等离子体挡环及其使用的方法-CN201310351440.7无效
发明人：乔迪普·古哈 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2013-08-13 - 公布日： 2014-02-19 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明涉及用于等离子体处理装置的等离子体挡环及其使用的方法。该等离子体处理装置包括挡环，所述挡环将真空室的内部空间分成等离子体空间和排气空间。等离子体通过利用能量源激发工艺气体而被生成在等离子体空间中。然后，所述工艺气体通过围绕衬底支撑件的外周的所述等离子体挡环被排出等离子体空间。所述等离子体挡环包括内支撑环、外支撑环、以及在内支撑环和外支撑环之间延伸的竖直间隔周向地重叠的矩形叶片。每一个叶片具有主表面，用于阻挡从所述等离子体空间到所述排气空间的视线，其中所述叶片的所述主表面被构造来在诸如等离子体蚀刻副产品之类的不挥发的副产品撤离所述等离子体空间之前捕获该副产品。
用于等离子体处理装置及其使用方法

[发明专利]直接出口环状等离子体源-CN201580066237.2有效
发明人： D·卢博米尔斯基 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2015-11-18 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：一种用于供应等离子体产物的装置，包括等离子体生成阻件，该等离子体生成阻件在其中定义了环状等离子体腔。该等离子体腔关于环轴基本对称，且该环轴定义该等离子体生成阻件的第一及第二轴向侧。磁构件，相对于该环轴以一个方位位置至少部分地围绕该等离子体生成阻件，使得该磁构件内的磁通量将相对应电场诱发进该等离子体腔，以从一个或更多个源气体生成等离子体，该等离子体形成等离子体产物。该等离子体生成阻件通过多个输出孔供应该等离子体产物，该多个输出孔是在该第一轴向侧上由该等离子体生成阻件所定义。
直接出口环状等离子体

[发明专利]静电消除装置以及等离子体发生装置-CN201880024348.0有效
发明人：野村信雄;最上智史;峯村和树;神田大树;森下贵都;细田聪史;国中均 -专利权人：春日电机株式会社;国立研究开发法人宇宙航空研究开发机构
申请日： 2018-11-28 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： H05H1/24 文献下载
摘要：该静电消除装置具备：真空室，能在内部设置带电体，且具备进行蒸镀的高真空处理部；以及等离子体发生装置，向所述真空室的内部供给由电子回旋共振产生的等离子体。所述等离子体发生装置具备：等离子体源，产生所述等离子体；以及法兰，将所述等离子体源设置于所述真空室的内部。
静电消除装置以及等离子体发生

[发明专利]一种用于超光滑表面的等离子体加工装置-CN201110323727.X有效
发明人：解滨;辛煜;皱帅 -专利权人：苏州大学
申请日： 2011-10-21 - 公布日： 2012-06-20 - 主分类号： C03C21/00 文献下载
摘要：一种用于超光滑表明的等离子体加工装置，包括：真空系统、感性耦合等离子体发生系统以及水冷系统。该等离子体加工装置通过感性耦合等离子体的方式产生等离子体，并在真空状态下，将等离子体作用于物件表面形成抛光机制。与现有技术相比，本发明具有加工效率高、抛光效果好以及能有效控制等离子体均匀性的特点。
一种用于光滑表面等离子体加工装置

[实用新型]一种用于超光滑表面的等离子体加工装置-CN201120405435.6有效
发明人：解滨;辛煜;皱帅 -专利权人：苏州大学
申请日： 2011-10-21 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： C03C21/00 文献下载
摘要：一种用于超光滑表明的等离子体加工装置，包括：真空系统、感性耦合等离子体发生系统以及水冷系统。该等离子体加工装置通过感性耦合等离子体的方式产生等离子体，并在真空状态下，将等离子体作用于物件表面形成抛光机制。与现有技术相比，本实用新型具有加工效率高、抛光效果好以及能有效控制等离子体均匀性的特点。
一种用于光滑表面等离子体加工装置

[发明专利]浸没式等离子体室-CN200880002563.7无效
发明人：肯尼思·S·柯林斯;安德鲁·阮;卡提克·雷马斯瓦米;塙广二;道格拉斯·A·小布赫伯格;丹尼尔·J·霍夫曼;埃米尔·阿尔-巴亚提 -专利权人：应用材料股份有限公司
申请日： 2008-01-15 - 公布日： 2009-11-18 - 主分类号： C23C16/00 文献下载
摘要：此处所述的实施方式大体上提供一环形等离子体源、一等离子体通道装置、一喷头及一基板支撑组件以用于一等离子体室中。环形等离子体源、等离子体通道装置、喷头及基板支撑组件适于改善等离子体室的可用寿命，降低组件成本，增加等离子体室可靠度及改善经处理的基板上的元件良率。
浸没等离子体

[发明专利]基于低温等离子体的皮下给药装置-CN201911076368.5在审
发明人：吴征威;王琨 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2019-11-06 - 公布日： 2020-02-04 - 主分类号： A61N1/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于低温等离子体的皮下给药装置，由等离子体给药电极、等离子体击穿电极、药物舱、多频脉冲等离子体电源组成。其中等离子体给药电极用于击穿皮肤的表皮层和真皮层将皮肤的注射通道打开，等离子体击穿电极用于在等离子体给药电极中打开的通道中注入药物，药物舱用于存储注入的药物，多频脉冲等离子体电源用于控制等离子体击穿电极在不同的应用场景下产生不同的电压及等离子体从而控制对皮肤的击穿情况通过使用本发明公开的一种基于低温等离子体的皮下给药装置，可以减缓人体对皮下注入给药的疼痛感，同时提高药物在人体内的有效吸收。
等离子体电极击穿给药低温等离子体脉冲等离子体皮下给药皮肤多频电源应用场景有效吸收注入药物注射通道表皮层疼痛感真皮层皮下存储体内

[发明专利]一种磁场增强等离子体射流的发生装置-CN202210580533.6在审
发明人：卢新培;晋绍珲;聂兰兰 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2022-05-25 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： H05H7/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种磁场增强等离子体射流的发生装置，属于低温等离子体领域，包括：等离子体射流发生单元，用于产生等离子体射流，并通过其气体输出管道输出等离子体射流；环形磁铁，环绕设置在气体输出管道的外侧，用于在气体输出管道内产生磁场，且磁场为等离子体射流提供的洛伦兹力的方向与等离子体射流的流动方向一致，以加快等离子体射流的流动速度。解决现有等离子体射流长度偏短、放电不均匀、活性成分浓度不高的问题，保证等离子体的弥散、空间分布的均匀性，增强等离子体中活性氧化物的浓度，提高这些产物在应用中与被处理物品的接触效率，进而提高整个装置的工作效率
一种磁场增强等离子体射流发生装置

[发明专利]等离子体处理装置和等离子体处理方法-CN201010524985.X有效
发明人：山泽阳平;舆水地盐;传宝一树;山涌纯;齐藤昌司 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2010-10-27 - 公布日： 2011-05-11 - 主分类号： H05H1/46 文献下载
摘要：本发明提供一种等离子体处理装置和等离子体处理方法。在感应耦合型等离子体处理中，使用处于电浮动状态的线圈，自由且精细地控制等离子体密度分布。该感应耦合型等离子体处理装置在接近RF天线(54)的电介质窗(52)之下呈环形地生成感应耦合的等离子体，使该环形等离子体在宽阔的处理空间内分散，在基座(12)附近(即，半导体晶片(W)上)使等离子体的密度变得均匀为了沿着径向任意地控制基座(12)附近的等离子体密度分布，带电容器的浮动线圈(70)对RF天线(54)产生的RF磁场以及在腔室(10)内生成的环形等离子体的等离子体密度分布发挥消极或者积极的作用。
等离子体处理装置方法

[实用新型]空气净化器及其等离子体发生装置-CN201620864603.0有效
发明人：肖利容;封宗瑜;肖德玲;吴琦;王贤波;劳承云 -专利权人：珠海格力电器股份有限公司
申请日： 2016-08-10 - 公布日： 2017-02-08 - 主分类号： H05H1/24 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种空气净化器及其等离子体发生装置，该等离子体发生装置包括框体，包括具有空腔的底座；固定调节结构，设置于所述底座中；等离子体发生极，缠绕于所述固定调节结构上，并穿设所述底座朝向所述空腔伸出；绝缘套管，套设于所述等离子体发生极上，所述等离子体发生极通过所述绝缘套管与所述固定调节结构相接触。通过在等离子体发生极上套设绝缘套管以绝缘并加固等离子体发生极，使得等离子体发生极平稳地产生等离子体，有效的解决等离子体发生极的端部漏电打火的问题，保证等离子体发生极的质量，进而提高产品性能质量。
空气净化器及其等离子体发生装置

[发明专利]等离子体处理方法和等离子体处理装置-CN201210276306.0无效
发明人：高桥哲朗;藤野丰;户岛宏至;久保敦史;康松润;P·芬泽克;瀬川澄江 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2008-07-10 - 公布日： 2012-11-21 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供等离子体处理方法和等离子体处理装置。当在腔室内配置晶片，在腔室内形成等离子体生成空间，至少使晶片表面与该等离子体生成空间接触的状态下对晶片表面实施等离子体处理时，使等离子体生成空间与晶片的背面侧的至少外周部分接触而实施等离子体处理。
等离子体处理方法装置

[发明专利]等离子体处理方法和等离子体处理装置-CN200880024210.7有效
发明人：高桥哲朗;藤野丰;户岛宏至;久保敦史;康松润;P·芬泽克;濑川澄江 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2008-07-10 - 公布日： 2010-08-11 - 主分类号： H01L21/318 文献下载
摘要：本发明提供等离子体处理方法和等离子体处理装置。当在腔室内配置晶片，在腔室内形成等离子体生成空间，至少使晶片表面与该等离子体生成空间接触的状态下对晶片表面实施等离子体处理时，使等离子体生成空间与晶片的背面侧的至少外周部分接触而实施等离子体处理。
等离子体处理方法装置

[实用新型]晶圆键合设备-CN202121204761.0有效
发明人：赵志远;袁绅豪;刘武;刘淼;锁志勇 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-05-31 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种晶圆键合设备，包括用于对待键合晶圆的表面进行激活处理的等离子体处理装置，所述等离子体处理装置包括：等离子体腔；等离子体生成气体管道，与所述等离子体腔连接；水汽管道，与所述等离子体腔连接；位于所述等离子体腔内的电极，所述电极用于使等离子体生成气体生成等离子体以对待键合的晶圆的表面进行激活处理；设置在所述水汽管道上的第一阀门；所述第一阀门被配置为在所述电极通电之前开启以在所述生成等离子体之前通过所述水汽管道向所述等离子体腔中引入水汽；或者所述第一阀门被配置为在所述电极通电过程中开启以在所述生成等离子体的同时通过所述水汽管道向所述等离子体腔中引入水汽。
晶圆键合设备

[发明专利]等离子体发射方向控制装置、等离子体源及其启动方法-CN202111081909.0在审
发明人：刘伟基;吴秋生;冀鸣;赵刚;易洪波 -专利权人：中山市博顿光电科技有限公司;佛山市博顿光电科技有限公司
申请日： 2021-09-15 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： H01J37/147 文献下载
摘要：本申请涉及一种等离子体发射方向控制装置、等离子体源及其启动方法，所述装置包括：应用于等离子体源，所述等离子体源包括：电离腔室、射频线圈以及供气管路；其中，所述电离腔室一侧连接离子发射口；所述控制装置包括：设于在所述离子发射口位置处的阳极，以及连接所述阳极的阳极电源；所述阳极电源向所述阳极提供正极电，驱动所述阳极产生电场，所述等离子体在所述电场的作用下按设定发射角度进行发射；该技术方案，可以控制等离子体的发射角度和覆盖范围，克服了等离子体发射位置固定的缺陷，从而提升了对等离子体发射角度的可控性，等离子体均匀性好，增强了等离子体源的镀膜使用效果。
等离子体发射方向控制装置及其启动方法

[实用新型]一种等离子体射流辅助装置-CN201920886255.0有效
发明人：卢新培;吴帆;马明宇 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2019-06-13 - 公布日： 2020-06-02 - 主分类号： H05H1/26 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种等离子体射流辅助装置，包括：检测控制模块、间隔调整器和接地引流片；检测控制模块与等离子体射流装置中的高压电源输出端连接；间隔调整器顶面开口，位于等离子体射流喷口处，底面分布有通孔和凹槽，等离子体射流装置产生的等离子体射流通过底面通孔流出；接地引流片嵌入所述间隔调整器的底面凹槽中，并与公共地极连接；检测控制模块，用于实时监测等离子体射流装置的电压电流状态，并在发生故障时断开等离子体射流装置的高压电源；间隔调整器，用于控制等离子体射流的长度并固定接地引流片；接地引流片，用于引导放电等离子体电流。本实用新型能够提高等离子体射流装置的应用安全，同时使离子体阵列均匀放电，提高等离子体性能。
一种等离子体射流辅助装置

首页
«上一页
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条