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[发明专利]等离子体生成装置组件、电弧缓解装置和组装方法-CN201310523027.4有效
发明人： S.N.帕尔瓦迪;D.S.P.巴拉;R.库马 -专利权人：通用电气公司
申请日： 2013-10-30 - 公布日： 2017-07-07 - 主分类号： H05H1/24 文献下载
摘要：本发明涉及等离子体生成装置组件、电弧缓解装置和组装方法。更具体而言，一种等离子体生成装置组件包括基体，该基体包括内部和顶表面，顶表面限定延伸穿过该顶表面的多个孔口。等离子体生成装置组件还包括等离子体生成装置和多个联接部件。等离子体生成装置定位于顶表面上，并且配置成在等离子体生成装置被启动时发射烧蚀等离子体。多个联接部件延伸穿过多个孔口，并且配置成将等离子体生成装置联接到顶表面。
等离子体生成装置组件电弧缓解组装方法

[发明专利]等离子体蚀刻方法、等离子体蚀刻装置和基板载置台-CN202011136319.9在审
发明人：佐佐木芳彦;南雅人;藤永元毅;神户乔史;山涌纯;宇贺神肇 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2017-07-14 - 公布日： 2021-01-22 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：本发明提供一种能够导入干清洁并且能够延长处理容器的维护周期的等离子体处理方法。该等离子体蚀刻方法，利用等离子体蚀刻装置对形成于基板上的规定的膜进行等离子体蚀刻，上述等离子体蚀刻方法包括：选定处理气体以使得在上述等离子体蚀刻装置中的等离子体蚀刻处理中，生成的反应生成物成为能够干清洁的物质的步骤；在上述等离子体蚀刻装置中利用预先选定的处理气体对上述规定的膜进行等离子体蚀刻处理的步骤；和在进行了一次或两次以上的规定次数的上述进行等离子体蚀刻处理的步骤后，利用干清洁气体的等离子体对上述等离子体蚀刻装置的腔室内进行干清洁的步骤
等离子体蚀刻方法装置基板载置台

[发明专利]等离子体蚀刻方法、等离子体蚀刻装置和基板载置台-CN201710574737.8有效
发明人：佐佐木芳彦;南雅人;藤永元毅;神户乔史;山涌纯;宇贺神肇 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2017-07-14 - 公布日： 2021-03-05 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：本发明提供一种能够导入干清洁并且能够延长处理容器的维护周期的等离子体处理方法。该等离子体蚀刻方法，利用等离子体蚀刻装置对形成于基板上的规定的膜进行等离子体蚀刻，上述等离子体蚀刻方法包括：选定处理气体以使得在上述等离子体蚀刻装置中的等离子体蚀刻处理中，生成的反应生成物成为能够干清洁的物质的步骤；在上述等离子体蚀刻装置中利用预先选定的处理气体对上述规定的膜进行等离子体蚀刻处理的步骤；和在进行了一次或两次以上的规定次数的上述进行等离子体蚀刻处理的步骤后，利用干清洁气体的等离子体对上述等离子体蚀刻装置的腔室内进行干清洁的步骤
等离子体蚀刻方法装置基板载置台

[发明专利]控制等离子体处理室中的蚀刻工艺的方位角均匀性-CN201680001356.4有效
发明人：弗拉迪米尔·纳戈尔尼 -专利权人：马特森技术有限公司;北京屹唐半导体科技有限公司
申请日： 2016-03-17 - 公布日： 2019-01-11 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：提供了一种用于控制等离子体处理室中的蚀刻工艺的方位角均匀性的装置、系统和方法。在一个实施方式中，等离子体处理装置可以包括等离子体处理室和布置在所述等离子体处理室之上的RF罩。介电窗可以将等离子体处理室和RF罩分开。装置可以包括布置在介电窗之上的等离子体生成线圈。等离子体生成线圈能够进行操作以在被激励时在等离子体处理室中生成电感耦合等离子体。装置还包括布置在RF罩内接近等离子体生成线圈的至少一部分的导电表面。导电表面被布置成在等离子体生成线圈被激励时在导电表面与等离子体生成线圈之间生成方位角可变电感耦合。
控制等离子体处理中的蚀刻工艺方位角均匀

[发明专利]衬底处理装置中的等离子体-CN202010564372.2在审
发明人： N·霍尔姆;铃木俊哉 -专利权人：皮考逊公司
申请日： 2020-06-19 - 公布日： 2020-12-25 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及衬底处理装置中的等离子体。衬底处理装置(100)及相关方法，其中等离子体物质经由等离子体进料线(115)而被引入到针对沉积目标(160)的反应室(130)中。等离子体进料线(115)经过等离子体形成区。在等离子体进料线内的等离子体物质的速度通过等离子体形成区下游的收缩部(112)而加速。
衬底处理装置中的等离子体

[发明专利]低温等离子体协同催化装置-CN201810187657.1有效
发明人：余建新 -专利权人：广州握胜环保科技有限公司
申请日： 2018-03-07 - 公布日： 2020-12-15 - 主分类号： B01D53/86 文献下载
摘要：本发明涉及有机废气净化领域，提供低温等离子体协同催化装置，用于解决低温等离子体降解苯系物效率较低的问题。本发明提供的低温等离子体协同催化装置，包括壳体、等离子催化模块，所述的等离子体催化模块包括催化模块、等离子发生装置和绝缘膜，沿空气流动方向，所述的催化模块布置在等离子体发生装置的上风向，所述的绝缘膜包裹等离子体发生装置低温等离子体和催化剂协同使用，提高了低温等离子体对苯的处理效果。
低温等离子体协同催化装置

[发明专利]基板处理装置的运行方法-CN201080039989.7有效
发明人：小风丰;植田昌久;吉田善明 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2010-09-03 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明提供通过稳定生成等离子体、可抑制颗粒发生的基板处理装置的运行方法。在进行了真空排气的真空槽内配置基板后，首先向真空槽内供给稀有气体，对等离子体发生装置施加电压以生成稀有气体的等离子体。接着，向真空槽内供给反应气体、使反应气体与稀有气体的等离子体接触以生成反应气体的等离子体。使该反应气体的等离子体与基板接触而对基板进行处理。利用等离子体生成装置，通过不对反应气体进行等离子体化、而是首先对稀有气体进行等离子体化，从而稳定地生成等离子体、抑制颗粒的发生。
处理装置运行方法

[发明专利]等离子体约束装置-CN200610116449.X有效
发明人：倪图强;陈金元;钱青;付越虹;徐朝阳;周旭升;王晔 -专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
申请日： 2006-09-22 - 公布日： 2008-03-26 - 主分类号： H05H1/03 文献下载
摘要：一种用于等离子体处理装置的等离子体约束装置，其设置于所述等离子体处理装置的处理区域和排气区域之间。所述等离子约束装置具有导电元件，所述导电元件形成有若干个通道，以便控制用过的反应气体及副产品气体的排出并且当其中的带电粒子通过时将它们电中和，从而将等离子体放电基本约束在处理区域以内。所述等离子体约束装置还包括电气接地元件，设置于所述导电元件下方并与所述导电元件相互电绝缘。本发明的等离子体约束装置能够有效减少等离子体处理装置处理区域外的不希望的等离子体的形成，从而解决等离子体处理装置腔体污染问题。
等离子体约束装置

[发明专利]等离子体控制装置和等离子体处理系统-CN202211629767.1在审
发明人：陈厦东;高时永;金南均;李庆旼;林成龙;金成烈;沈承辅 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-12-13 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：提供了一种等离子体控制装置，包括：等离子体电极，设置在等离子体腔室中，并且具有基频的射频(RF)功率被施加到该等离子体电极以生成等离子体；边缘电极，与等离子体电极相邻设置，并且对应于等离子体边缘边界区；以及等离子体控制电路，电连接到边缘电极，该等离子体控制电路被配置为控制基频分量、由等离子体的非线性生成的谐波分量以及由基频分量和谐波分量中的每一个和等离子体腔室中的频率分量生成的互调失真频率分量在等离子体边缘边界区中的电边界条件，其中，等离子体控制电路被配置为改变电边界条件以控制等离子体腔室中的驻波。
等离子体控制装置处理系统

[发明专利]一种等离子体灰指甲治疗装置-CN201910172091.X有效
发明人：熊紫兰;韩睿 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2019-03-07 - 公布日： 2021-03-02 - 主分类号： A61N1/44 文献下载
摘要：本发明公开了一种等离子体灰指甲治疗装置，包括控制室、治疗室、阀门和回收室；控制室设置顶端，与其它部位分隔，用于进行控制；治疗室包括等离子体发生装置、隔离装置和治疗区，等离子体发生装置连接在控制室和治疗区之间，等离子体发生装置通过隔离装置与治疗区接触，治疗区放置处理对象，利用等离子体发生装置中产生的等离子体对处理对象进行无损伤处理；回收室位于整个装置的背部，通过阀门与治疗室联通，用于治疗完毕后回收剩余的等离子体物质本发明通过改善等离子体产生装置，使等离子体均匀分布；通过划分治疗区域，设置分开关，减少等离子体的泄露，实现目标位置的精准治疗；并在治疗完毕后，对等离子体物质进行回收，减少污染。
一种等离子体灰指甲治疗装置

[发明专利]印刷装置及印刷物的制造方法-CN201980026676.9在审
发明人：石塚崇;望月保嗣 -专利权人：阪田油墨股份有限公司
申请日： 2019-03-22 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： B41M7/00 文献下载
摘要：本发明课题在于得到一种印刷装置及印刷物的制造方法，可在使用由远程型的等离子体产生装置生成的等离子体的同时，使印刷后的记录组成物充分干燥、固化。具体而言，作为解决方法，提供了一种印刷装置，其具备：印刷部，使记录用组成物附着在印刷媒体的表面上来进行印刷；等离子体生成部，由等离子体生成室构成，所述等离子体生成室具备将等离子体原料气体的气流导入到内部的导入口，并使所述等离子体原料气体在其内部等离子化而形成等离子体改性气体的气流，且具备使该气流向外部放出的等离子体放出口；及等离子体照射部，使从所述等离子体放出口放出的包含等离子体改性气体及/或由其形成的等离子体消光气体的气流与被所述印刷部印刷后的印刷媒体的表面接触
印刷装置制造方法

[发明专利]一种强度自适应的等离子体射流装置和方法-CN201911101730.X在审
发明人：朱登京;段倩倩;胡兴 -专利权人：上海工程技术大学
申请日： 2019-11-12 - 公布日： 2020-04-03 - 主分类号： H05H1/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种强度自适应的等离子体射流装置和方法，包括等离子体产生组件、等离子体射流喷出通道、设置于等离子体射流喷出通道上的电流采集组件以及与电流采集组件连接的控制芯片，所述的控制芯片与等离子体产生组件连接，根据电流采集组件测得的电流，控制等离子体产生组件中电源的功率大小；该装置工作时，所述的等离子体产生组件产生等离子体射流，等离子体射流经过等离子体射流喷出通道喷出，所述的电流采集组件测量通过等离子体射流喷出通道的电流，并输入控制芯片，所述的控制芯片根据输入的电流大小与设定的电流范围，调节等离子体产生组件中电源的功率，与现有技术相比，本发明具有适应性高且产生射流稳定等优点。
一种强度自适应等离子体射流装置方法

[发明专利]等离子体处理方法以及等离子体处理装置-CN201310330382.X有效
发明人：武藤悟;小野哲郎;大越康雄;永德宏文 -专利权人：株式会社日立高新技术
申请日： 2013-08-01 - 公布日： 2014-10-15 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种随着等离子体处理时间的经过，使等离子体的离解状态逐渐地变化，从而能够进行期望的等离子体处理的等离子体处理方法以及等离子体处理装置。在本发明中，在使用具备对试样进行等离子体处理的等离子体处理室、供给等离子体生成用的第一高频电力的第一高频电源、以及对载置所述试样的试样台供给第二高频电力的第二高频电源的等离子体处理装置的等离子体处理方法中，通过第一脉冲对所述第一高频电力进行调制，通过随着等离子体处理时间的经过逐渐地控制所述第一脉冲的占空比，将等离子体的离解状态控制为期望的离解状态。
等离子体处理方法以及装置

[发明专利]一种基于突刺等离子的空气净化装置及其净化系统-CN202210175051.2在审
发明人：陈明芳;陈国民 -专利权人：陈明芳
申请日： 2022-02-24 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： F24F8/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于突刺等离子的空气净化装置，包括：等离子体发射组，用于发射呈集聚状且均匀分布的等离子体；等离子体束流管，用于对发射出的等离子体进行束流，并使束流后的等离子体沿等离子体束流管轴向流动，等离子体发射组布置在等离子体束流管内，且与等离子体束流管同轴；和限定在等离子体发射组的发射端面与等离子体束流管的内壁之间的环状通道，该环状通道配置为导引等离子体与空气充分接触的流道；其结构可靠，使用性能好，在空气进入后经过突刺等离子装置，
一种基于等离子空气净化装置及其净化系统

[发明专利]等离子体喷涂装置和方法-CN200780052471.5有效
发明人：尼克莱·苏斯洛夫 -专利权人：等离子体技术有限公司
申请日： 2007-02-02 - 公布日： 2010-02-17 - 主分类号： H05H1/24 文献下载
摘要：本发明公开了用于等离子体喷涂的装置和方法。该装置包括阴极、阳极、由阳极和中间电极形成的等离子体通道、和一个或多个可流动材料注射器。等离子体通道具有节流部分，其将该等离子体通道分为由至少一个中间电极形成的接近阴极的高压部分和接近阳极的低压部分。在操作过程中，等离子体发生气体由保持在阴极和阳极之间的电弧加热，以形成等离子体。当等离子体通过节流部分时，等离子体的速度增大到超音速，而同时等离子体的静态压力下降。可流动的材料被注入在低压部分中流动的等离子体中。在可流动材料中的微粒由等离子体加热，并且生成的被加热微粒和等离子体从等离子体通道的出口被输出。
等离子体喷涂装置方法