“等离子体装置”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果16913075个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]等离子体处理装置和等离子体处理方法-CN202110749578.7在审
发明人：田吹圭司;户根川大和;五十岚一将;矢部和雄 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2021-07-02 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种等离子体处理装置和等离子体处理方法，提供一种能够抑制微粒向基板的附着的技术。本公开的一个方式的等离子体处理装置具备：处理容器，其具有纵型的筒体状，在处理容器的侧壁形成有开口，在所述处理容器内部将多个基板分多层收容；等离子体划分壁，其气密地设置于所述处理容器的外壁，覆盖所述开口并且规定等离子体生成空间；等离子体电极，其沿着所述等离子体划分壁设置；以及处理气体供给部，其设置于所述等离子体生成空间的外部，供给等离子体生成用气体。
等离子体处理装置方法

[发明专利]一种低温等离子体处理医疗废水的装置及方法-CN201810322020.9在审
发明人：黄青;张启富;魏星;张宏;柯志刚 -专利权人：芜湖华鹿环保科技有限公司
申请日： 2018-04-11 - 公布日： 2018-10-12 - 主分类号： C02F1/46 文献下载
摘要：本发明公开了一种低温等离子体处理医疗废水的装置及方法，装置包括有低温等离子体电源、等离子体放电反应器、集水池和供气系统，低温等离子体电源与等离子体放电反应器连接，等离子体放电反应器设置于供气系统的集气罩内，等离子体放电反应器的高压电极对集气罩内的氧气进行等离子体放电生成臭氧，最后臭氧对集水池内的医疗废水进行处理。本发明采用介质阻挡放电技术产生低温等离子体，低温等离子放电产生的高能电子、紫外光和臭氧等对医疗废水进行降解，具有降解效率高，无二次污染等优点。
等离子体放电医疗废水反应器臭氧低温等离子体处理低温等离子体电源供气系统集气罩集水池低温等离子体介质阻挡放电低温等离子无二次污染紫外光高能电子高压电极降解效率放电降解氧气

[发明专利]一种等离子体活性增强法及发生装置-CN201811530415.4有效
发明人：熊紫兰;罗康;韩睿;朱宇 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2018-12-14 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： H05H1/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种等离子体光子聚焦法及发生装置，核心为在等离子体发生装置的等离子体发生端增加或者设计有聚焦等离子对应光波的聚焦单元，该聚焦单元设置为凹面反射镜，在反射镜的内侧可涂覆有金属膜或介质膜，使产生的等离子体在反射镜的作用下聚焦在反射镜焦点附近的区域，减小等离子体产生后向四周辐射造成的能量损耗，同时聚焦在焦点区域的等离子体密度较大，等离子体包含的光子、原子及分子等相互碰撞的几率增大，促进了等离子体间物理化学的反应，进而增强等离子体的活性。
一种等离子体活性增强发生装置

[发明专利]一种大通量等离子体活化水制备装置-CN202011633384.2在审
发明人：章建浩;严文静;徐龙;钱婧;史智佳 -专利权人：南京农业大学;苏州屹润食品科技有限公司
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2021-05-25 - 主分类号： C02F1/30 文献下载
摘要：本发明提出一种大通量等离子体活化水制备装置，包括预处理罐、至少两个等离子体射流装置、高压电场发生器、变压器，预处理罐的输入端安装有进水阀，输出端连接第一个等离子体射流装置，等离子体射流装置之间依次首尾相连，最后一个等离子体射流装置的输出端连接出水阀，每个等离子体射流装置均连接一个高压电场发生器和变压器。为提高等离子体活化水的杀菌效能，通过在装置水中添加0～0.20％乳酸，制备乳酸调控型等离子体活化水，应用于畜禽肉的杀菌；在装置水中添加0～1.5mmol/L水杨酸，制备杨酸调控型等离子体活化水，应用于果蔬的杀菌
一种通量等离子体活化制备装置

[发明专利]等离子体处理腔室中原位紫外线处理方法及应力氮化硅膜的形成方法-CN200810113999.5有效
发明人：吴汉明;王国华 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2008-05-30 - 公布日： 2009-12-02 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：一种等离子体处理腔室中原位紫外线处理方法，包括：将半导体基底置于等离子体处理腔室中；向所述等离子体处理腔室中注入产生等离子体的物质；向所述等离子体处理腔室中注入能受激产生紫外线的气体；打开所述等离子体装置激励源，激励所述产生等离子体的物质形成等离子体，利用所述等离子体对所述半导体基底进行等离子体处理；所述能够受激产生紫外线的气体受等离子体激发，产生紫外线；产生的紫外线辐射半导体基底表面。该方法的紫外线处理能够与等离子处理工艺原位进行，使工艺简化。
等离子体处理腔室中原位紫外线方法应力氮化形成

[发明专利]等离子体处理设备和方法-CN201880084092.2有效
发明人：马绍铭;仲華;杨晓晅;D·V·德塞;瑞安·M·帕库尔斯基 -专利权人：玛特森技术公司;北京屹唐半导体科技股份有限公司
申请日： 2018-12-13 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：提供了等离子体处理设备和方法。在一个示例实施方式中，等离子体处理设备包括处理室。等离子体处理设备包括设置于处理室中的基座。基座用于支撑工件。等离子体处理设备包括在竖直方向上设置于处理室上方的等离子体室。等离子体室包括介电侧壁。等离子体处理设备包括将处理室与等离子体室分开的分离格栅。等离子体处理设备包括邻近介电侧壁的第一等离子体源。第一等离子体源用于在分离格栅上方的等离子体室中产生远程等离子体。等离子体处理设备包括第二等离子体源。第二等离子体源用于在分离格栅下方的处理室中产生直接等离子体。
等离子体处理设备方法

[发明专利]高密度等离子体发生装置-CN201510956652.7有效
发明人：周倩倩;胡炜杰;王红飞;王浩静 -专利权人：中国科学院西安光学精密机械研究所
申请日： 2015-12-18 - 公布日： 2018-12-14 - 主分类号： H05H1/34 文献下载
摘要：本发明涉及高密度等离子体发生装置，包括密闭式的石英管、封装在石英管两端的两个电极以及电源，所述石英管内填充工作气体及工质，所述电源分别与两个电极电连接。为了解决现有的等离子体发生装置设备重量大，频率较高的技术问题，本发明采用闭式等离子体层，等离子体灌充于管状等离子体装置内，该新型高密度等离子体发生装置开关可控、耗能低、工作可靠、维护便利，等离子体的产生和维持相对简单，便于等离子体技术的广泛应用。
高密度等离子体发生装置

[发明专利]一种基于低温等离子体检测设备绝缘缺陷的系统及方法-CN202010953904.1在审
发明人：冯彦君;王尚民;胡向晖;邢川;杨凯飞;王睿;武长青 -专利权人：中国空间技术研究院
申请日： 2020-09-11 - 公布日： 2021-01-22 - 主分类号： G01R31/12 文献下载
摘要：本申请公开了一种基于低温等离子体检测设备绝缘缺陷的系统及方法，该系统包括：等离子体炬发生装置以及绝缘缺陷检测装置；其中，所述等离子体炬发生装置，用于根据预设的最高等离子体档位生成第一低温等离子体，并将所述第一低温等离子体喷射到待检测设备上，其中，等离子体档位用于表征生成的低温等离子的密度或活性；所述绝缘缺陷检测装置，用于在喷射所述第一低温等离子体的待检测设备上遍历扫描，检测出所述待检测设备存在的绝缘缺陷。
一种基于低温等离子体检测设备绝缘缺陷系统方法

[发明专利]一种高频等离子体在冷坩埚中启动熔化的装置和方法-CN201711006680.8在审
发明人：唐皇哉;张清勇;胡树金 -专利权人：睿为电子材料（天津）有限公司
申请日： 2017-10-25 - 公布日： 2018-01-19 - 主分类号： F27B14/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种高频等离子体在冷坩埚中启动熔化的装置和方法，该装置包括冷坩埚，沿冷坩埚周向设置的电磁感应线圈，感应等离子体炬，沿感应等离子体炬环绕设置的等离子体感应线圈，氩气供气系统和升降系统；感应等离子体炬位于冷坩埚的正上方，感应等离子体炬和等离子体感应线圈均连接于控制感应等离子体炬升降的升降系统上，感应等离子体炬的上端设置氩气通入口，氩气通入口与氩气供气系统连通。该方法通过使氩气电离，形成纯净的等离子体火焰，使粉体熔化，同时通过电磁感应线圈产生的磁场对原料粉体进行感应加热，完成冷坩埚的启动熔化过程；使得启动熔化过程迅速，且该感应等离子体没有任何电极，保证了启动熔化过程无污染
一种高频等离子体坩埚启动熔化装置方法

[发明专利]基于低温等离子体的无机填料高通量羟基化方法和装置-CN202111164775.9在审
发明人：余亮;董守龙;姚陈果 -专利权人：重庆大学
申请日： 2021-09-30 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： C09C1/46 文献下载
摘要：本发明公开基于低温等离子体的无机填料高通量羟基化方法和装置，方法步骤为：1)利用辊对辊装置带动传送带(1)移动，使平铺的待处理填料(3)移动到低温等离子体区；2)电源向位于聚酰亚胺传送带(1)上方的低温等离子体发生器(2)放电；3)等离子体发生器(2)受电后，在低温等离子体区产生大气压低温等离子体；4)所述大气压低温等离子体对位于等离子体区的待处理填料(3)进行处理，得到接枝‑OH基团(羟基)的填料。装置包括传送带(1)、辊对辊装置、电源、等离子体发生器(2)、控制器、温度测量装置和放电功率测量装置；本发明中经过低温等离子体高通量处理的无机填料质量好、接枝效果优越，整个过程不涉及溶剂，不产生有毒副产物
基于低温等离子体无机填料通量羟基方法装置

[实用新型]等离子体系统-CN201420155874.X有效
发明人： G·J·柯林斯;具一教;尹熙相;崔明烈;C·W·阿尔姆格伦 -专利权人：科罗拉多州立大学研究基金会
申请日： 2014-02-11 - 公布日： 2014-10-29 - 主分类号： H05H1/24 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种等离子体系统。所述等离子体系统包括：包括至少一个电极的等离子体装置；被联接到等离子体装置的可电离介质源，所述可电离介质源被配置成向等离子体装置供应可电离介质；配置成向等离子体装置供应至少一种前体给料的前体源，其中，所述至少一种前体给料包括至少一种催化剂材料；和被联接到内侧电极和外侧电极的功率源，所述功率源配置成在等离子体装置处触发可电离介质和所述至少一种前体给料，以形成等离子体流出物。
等离子体系统

[发明专利]等离子体处理装置的包括流动的保护性液体层的室壁-CN201410245384.3在审
发明人：哈梅特·辛格 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2014-06-04 - 公布日： 2014-12-17 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明涉及等离子体处理装置的包括流动的保护性液体层的室壁。具体地，半导体等离子体处理装置包括在其中处理半导体衬底的真空室、与该真空室流体连通以将工艺气体供给到所述真空室中的工艺气体源、以及适于在真空室中将工艺气体激励成等离子体状态的RF能量源。该装置还可包括室壁，其中所述室壁包括用于将等离子体兼容液体供给到其暴露于等离子体的表面的机构，其中等离子体兼容液体流经暴露于等离子体的表面从而在暴露于等离子体的表面上形成流动的保护性液体层。液体供给器将等离子体兼容液体输送到室壁。
等离子体处理装置包括流动保护性液体

[发明专利]等离子体生成设备-CN202111092308.X在审
发明人：斯蒂芬·R·伯吉斯;安东尼·P·威尔比;C·L·威迪克斯;I·蒙克里夫;P·登斯利 -专利权人： SPTS科技有限公司
申请日： 2016-02-15 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： H05H1/46 文献下载
摘要：根据本发明提供了一种等离子体生成设备。该等离子体生成设备用于对衬底进行等离子体处理，其包括腔室、等离子体产生装置、衬底支撑件和法拉第屏障，腔室具有内表面，等离子体产生装置用于在腔室内产生感应耦合等离子体，衬底支撑件用于在等离子体处理期间支撑衬底，法拉第屏障布置在所述腔室内以用于对内表面的至少一部分进行屏蔽以免受由等离子体处理从衬底移除的材料的影响，其中，等离子体产生装置包括天线和RF电源，RF电源用于将RF电能供应至具有极性的天线，该极性在小于或等于
等离子体生成设备

[发明专利]感应耦合等离子体处理装置-CN201010557565.1有效
发明人：佐藤亮;齐藤均;山本浩司 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2008-11-21 - 公布日： 2011-02-16 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本发明提供一种感应耦合等离子体处理装置和等离子体处理方法，该感应耦合等离子体处理装置能够不提高装置成本和电力成本地在等离子体处理的过程中进行等离子体状态的控制。在处理室(4)的上方，隔着电介质壁(2)配置有通过被供给高频电力在处理室(4)内形成感应电场的高频天线(13)，通过等离子体发光状态检测部(40)检测通过感应电场在所述处理室内形成的感应耦合等离子体的发光状态，根据该等离子体发光状态检测部(40)的检测信息，控制单元(50)控制调节包括高频天线的天线电路的特性的调节单元(21)，由此控制等离子体状态。
感应耦合等离子体处理装置

[发明专利]感应耦合等离子体处理装置和等离子体处理方法-CN200810181115.X有效
发明人：佐藤亮;齐藤均;山本浩司 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2008-11-21 - 公布日： 2009-05-27 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本发明提供一种感应耦合等离子体处理装置和等离子体处理方法，该感应耦合等离子体处理装置能够不提高装置成本和电力成本地在等离子体处理的过程中进行等离子体状态的控制。在处理室(4)的上方，隔着电介质壁(2)配置有通过被供给高频电力在处理室(4)内形成感应电场的高频天线(13)，通过等离子体发光状态检测部(40)检测通过感应电场在所述处理室内形成的感应耦合等离子体的发光状态，根据该等离子体发光状态检测部(40)的检测信息，控制单元(50)控制调节包括高频天线的天线电路的特性的调节单元(21)，由此控制等离子体状态。
感应耦合等离子体处理装置方法