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[发明专利]半导体装置的制造方法、基板处理装置以及程序-CN202280010331.6在审
发明人：冈岛优作;八田启希;今井义则 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2022-03-01 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L21/318 文献下载
摘要：本发明能够改善在具有槽的基板上形成的膜的阶梯覆盖性能。具有：(a)从在表面具有凹部的基板的侧方对基板供给原料气体的工序；(b)对基板供给反应气体的工序；以及通过进行预定次数的非同时地进行(a)和(b)的循环，在基板上形成膜的工序，在(a)中，通过使原料气体与凹部内壁碰撞，使原料气体分解而产生中间体，并使中间体附着于凹部内壁，在(b)中，使附着于凹部内的中间体与反应气体发生反应。
半导体装置制造方法处理以及程序

[发明专利]清洁方法、半导体器件的制造方法、衬底处理装置及程序-CN202180089382.8在审
发明人：越保信;浦野裕司;野原慎吾;原田和宏 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2021-03-17 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L21/318 文献下载
摘要：清洁方法是清洁对衬底进行成膜处理的处理室的方法，其具有：加热工序，其以下述方式对前述处理室内进行加热：将被供给清洁气体的处理室内在气流方向上划分为3个以上的区域，使得在前述处理室内位于前述气流方向上游侧的区域和与该区域相邻的区域之间的温度差变得比位于前述气流方向下游侧的区域和与该区域相邻的区域之间的温度差大；和供给工序，在前述加热工序之后向前述处理室内供给前述清洁气体。
清洁方法半导体器件制造衬底处理装置程序

[发明专利]基板处理方法、半导体装置的制造方法、基板处理装置以及程序-CN202180085133.1在审
发明人：平祐树;竹田刚;门岛胜 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2021-12-21 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L21/318 文献下载
摘要：具有通过进行预定次数的循环，在基板上形成膜的工序，所述循环包括：对处理容器内的基板供给原料气体的工序a；将含氮和氢气体激发为等离子体状态而供给至所述处理容器内的所述基板的工序b；以及将惰性气体激发为等离子体状态而供给至所述处理容器内的所述基板的工序c，使工序c中的所述处理容器内的压力比工序b中的所述处理容器内的压力低。
处理方法半导体装置制造以及程序

[发明专利]铁电器件、半导体装置-CN202180071444.2在审
发明人：山崎舜平;中山智则;高桥正弘;国武宽司 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2021-10-12 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L21/318 文献下载
摘要：提供一种包括具有良好的铁电性的金属氮化物膜(130)的铁电器件(100)。铁电器件包括第一导电体(110)、第一导电体上的金属氮化物膜、金属氮化物膜上的第二导电体(120)、第二导电体上的第一绝缘体(155)以及第一绝缘体上的第二绝缘体(152)。第一绝缘体具有接触于金属氮化物膜的侧面、第二导电体的侧面及顶面的每一个的区域，金属氮化物膜具有铁电性，金属氮化物膜包含第一元素、第二元素及氮，第一元素为选自第13族元素中的一个以上的元素，第二元素为选自除第一元素之外的第13族元素和第2族元素至第6族元素中的一个以上的元素，第一导电体和第二导电体都包含氮，第一绝缘体包含铝及氧，并且，第二绝缘体包含硅及氮。
器件半导体装置

[发明专利]衬底处理方法、半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质-CN202310458682.X在审
发明人：中谷公彦 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2019-12-26 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L21/318 文献下载
摘要：本发明涉及衬底处理方法、半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质。课题在于提高选择生长中的选择性。半导体器件的制造方法具有：下述工序：(a)通过向在表面露出第1基底和第2基底的衬底供给氨基硅烷系气体，从而使氨基硅烷系气体所含的硅吸附于第1基底及第2基底中的一者的基底的表面的工序；(b)通过向使硅吸附于一者的基底的表面后的衬底供给含氟气体，从而使吸附于一者的基底的表面的硅与含氟气体反应，使一者的基底的表面改性的工序；和(c)通过向使一者的基底的表面改性后的衬底供给成膜气体，从而在第1基底及第2基底中的与一者的基底不同的另一基底的表面上形成膜的工序。
衬底处理方法半导体器件制造装置记录介质

[发明专利]氧化物或氧氮化物绝缘体膜及其形成用涂布液，场效应晶体管及其制造方法-CN201780073946.2有效
发明人：植田尚之;中村有希;安部由希子;松本真二;曾根雄司;早乙女辽一;新江定宪;草柳岭秀;安藤友一 -专利权人：株式会社理光
申请日： 2017-11-28 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L21/318 文献下载
摘要：一种氧化物或氧氮化物绝缘体膜形成用涂布液，所述涂布液包括：第A元素；选自第B元素和第C元素的至少一种；和溶剂，其中所述第A元素为选自Sc、Y、Ln(镧系元素)、Sb、Bi和Te的至少一种，所述第B元素为选自Ga、Ti、Zr和Hf的至少一种，所述第C元素为选自周期表中第2族元素的至少一种，并且所述溶剂包括选自闪点为21℃以上但小于200℃的有机溶剂和水的至少一种。
氧化物氮化物绝缘体及其形成用涂布液场效应晶体管制造方法

[发明专利]基板处理装置、半导体装置的制造方法以及程序-CN202180063519.2在审
发明人：森岳史;竹林雄二;平野诚;山口天和;冈岛优作 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2021-09-15 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01L21/318 文献下载
摘要：本发明提供一种能够减少占用空间的技术。本发明提供一种技术，即一种基板处理装置，其具有：模块，其具备：气体供给部，其具有上游侧整流部和供给结构；反应管，其与所述气体供给部连通；以及气体排气部，其设置在与所述上游侧整流部对置的位置且具有下游侧整流部和排气结构；供给管，其与所述气体供给部连接；排气管，其与所述气体排气部连接；输送室，其与多个所述模块相邻；以及配管配置区域，其位于所述输送室的侧方且与所述模块相邻，能够配置所述供给管或所述排气管，所述反应管配设于在所述基板处理装置的长度方向的轴上与所述输送室重叠的位置，在所述配管配置区域配设有所述供给管的情况下，所述气体排气部配置在相对于所述轴倾斜且不与所述输送室重叠的位置，在所述配管配置区域配设有所述排气管的情况下，所述气体供给部配设在相对于所述轴倾斜且不与所述输送室重叠的位置。
处理装置半导体制造方法以及程序

[发明专利]半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质-CN201911369216.4有效
发明人：中谷公彦 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2019-12-26 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H01L21/318 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质。课题在于提高选择生长中的选择性。半导体器件的制造方法具有：下述工序：(a)通过向在表面露出第1基底和第2基底的衬底供给氨基硅烷系气体，从而使氨基硅烷系气体所含的硅吸附于第1基底及第2基底中的一者的基底的表面的工序；(b)通过向使硅吸附于一者的基底的表面后的衬底供给含氟气体，从而使吸附于一者的基底的表面的硅与含氟气体反应，使一者的基底的表面改性的工序；和(c)通过向使一者的基底的表面改性后的衬底供给成膜气体，从而在第1基底及第2基底中的与一者的基底不同的另一基底的表面上形成膜的工序。
半导体器件制造方法衬底处理装置记录介质

[发明专利]薄膜沉积方法和系统-CN202211362592.2在审
发明人：上田真也;吴锡宰;H.G.张;姜熙成;林完奎;H.M.崔;金永宰 -专利权人： ASM IP私人控股有限公司
申请日： 2022-11-02 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L21/318 文献下载
摘要：公开了用于在衬底上形成膜的方法和系统。示例性方法包括使用第一等离子体条件形成具有良好膜厚度均匀性的沉积材料层，使用第二等离子体条件处理沉积材料并由此形成处理过的材料，以及使用第三等离子体条件形成表面改性层，例如处理过的材料上的反应位点。
薄膜沉积方法系统

[发明专利]氮化膜成膜方法-CN201780086342.1有效
发明人：西村真一;渡边谦资;山田义人;寺本章伸;诹访智之;志波良信 -专利权人：东芝三菱电机产业系统株式会社;国立大学法人东北大学
申请日： 2017-02-14 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： H01L21/318 文献下载
摘要：本发明的目的是提供能够在不对基板给予损害的情况下在基板上形成优质的氮化膜的氮化膜成膜方法。并且，本发明的氮化膜成膜方法包括：介由气体供给口(11)将硅烷系气体供给至处理室(10)内的步骤(a)；从自由基产生器(20)介由自由基气体通过口(25)将氮自由基气体(7)供给至处理室(10)内的步骤(b)；和在不使处理室(10)内产生等离子体现象的情况下，使上述步骤(a)中供给的硅烷系气体与上述步骤(b)中供给的氮自由基气体反应，在晶片(1)上形成氮化膜的步骤(c)。
氮化膜成膜方法

[发明专利]一种太阳能电池PECVD沉积镀膜方法-CN202011154532.2有效
发明人：王德昌;李景;孙晓凯 -专利权人：晶澳太阳能有限公司
申请日： 2020-10-26 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： H01L21/318 文献下载
摘要：本发明公开了一种太阳能电池PECVD沉积镀膜方法，所述方法包括：将容纳有待镀膜硅片的石墨舟置于管式炉中；将所述管式炉内温度升至第一预设温度后恒温第一预设时长；对所述管式炉抽真空，并升温至第二预设温度；通入活性气体以进行沉积；与现有技术相比，本发明的优点是：在大气氛围升温后恒温第一预设时长以增加大气高温恒温过程，使得硅片表面的ALD氧化铝沉积镀膜能在高温下与大气氛围中的氧气反应，借助氧气的氧化作用减少硅片膜层表面的悬挂键，从而减少表面复合提升钝化稳定性以提高氮化硅膜层的沉积质量。
一种太阳能电池 pecvd 沉积镀膜方法

[发明专利]形成氮化硅的方法、相关半导体结构及硅前体-CN202210956218.9在审
发明人：苏密特·C·潘迪;布伦达·D·克劳斯;斯特凡·乌伦布罗克;约翰·A·斯迈思;蒂莫西·A·奎克 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2017-08-14 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： H01L21/318 文献下载
摘要：本发明提供形成氮化硅的方法、相关半导体结构及硅前体。在低于或等于约275℃的温度下通过原子层沉积在衬底上形成氮化硅。将所述已形成的氮化硅暴露于等离子体。所述氮化硅可形成为氮化硅的一部分或氮化硅的至少一个其它部分。氮化硅的所述部分及氮化硅的所述至少一个其它部分可暴露于等离子体处理。本发明还揭示形成半导体结构的方法、半导体结构及硅前体。
形成氮化方法相关半导体结构硅前体

[发明专利]硅氮化膜的制造方法及硅氮化膜-CN201680083268.3有效
发明人：高洋志;山胁正也;村上彰一;畑下晶保 -专利权人：大阳日酸株式会社;SPP科技股份有限公司
申请日： 2016-03-11 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L21/318 文献下载
摘要：作为目的之一提供一种硅氮化膜的制造方法，该硅氮化膜的制造方法为在控制到250℃以下的基板上具有高的耐氢氟酸性、高耐湿性、以及适当的内部应力的硅氮化膜的制造方法，本发明提供一种硅氮化膜(30)的制造方法，将有机硅烷气体作为原料气体，在温度250℃以下的基板(20)上通过等离子体化学气相沉积法制造具有规定的耐氢氟酸性、耐湿性以及内部应力的硅氮化膜(30)，其特征在于，使用对于1体积流量的有机硅烷气体添加了200～2000体积流量的氢还原气体的处理气体，将收容基板(20)的工艺腔室(40)内的压力调整为35～400Pa的范围内，将对设置于工艺腔室(40)内的电极施加的高频的功率密度调整为0.2～3.5W/cm2的范围内。
氮化制造方法

[发明专利]形成高品质含Si膜的超低温ALD-CN202080096171.2在审
发明人：野田直人;伊凡·奥谢普科夫;让-马克·吉拉尔 -专利权人：乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司
申请日： 2020-12-18 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： H01L21/318 文献下载
摘要：披露了一种用于使用三甲硅烷基胺(TSA)在超低温(如低于250℃的温度)下通过PEALD形成含Si膜(如SiN膜)的方法。
形成品质 si 超低温 ald

[发明专利]改善晶背粗糙度和污染的方法-CN202210745995.9在审
发明人：曾裕廉 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2022-06-28 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： H01L21/318 文献下载
摘要：本发明公开了一种改善晶背粗糙度和污染的方法，包括：步骤一、在半导体材料的晶圆背面形成第一介质层。步骤二、在晶圆的正面形成多层材料层，多层所述材料层中的全部或部分也会同时形成于晶圆的背面且叠加在第一介质层的背面上。步骤三、以第一介质层为停止层对晶圆背面进行CMP以将形成于晶圆背面的各层所述材料层全部去除。本发明能彻底解决晶圆正面的材料层同时形成于晶圆背面时所产生的损伤和污染物缺陷，还能提高晶圆背面的平整度。
改善粗糙污染方法

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