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[发明专利]电感耦合等离子体激发用天线、电感耦合等离子体激发用天线单元和等离子体处理装置-CN202310393509.6在审
发明人： 山泽阳平 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2023-04-13 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01Q1/50 文献下载
摘要：本发明提供电感耦合等离子体激发用天线、电感耦合等离子体激发用天线单元和等离子体处理装置，在使用电感耦合等离子体激发用天线激发等离子体时，提高该利用天线的磁场的生成效率，并且提高磁场强度的周向均匀性。电感耦合等离子体激发用天线包括：导电性板；一端与上述导电性板连接的多个线圈组件；和阻抗调整部，其针对上述多个线圈组件的每一者，设置在上述多个线圈组件的另一端与接地之间。
电感耦合等离子体激发天线单元处理装置

[发明专利]等离子体处理装置-CN202310124128.8在审
发明人： 山泽阳平 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2023-02-16 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供能够提高等离子体处理的均匀性的等离子体处理装置。本发明的等离子体处理装置包括腔室、窗部件、气体导入口和天线。腔室能够收纳基片。窗部件构成腔室的上部。气体导入口设置在腔室的侧壁和窗部件中的至少任一者上，用于向腔室内供给气体。天线隔着窗部件设置在腔室的上方，由导电性的材料形成为线状。天线能够通过向腔室内辐射RF电功率来使被供给至腔室内的气体等离子体化。天线具有第一线圈和多个第二线圈。能够向第一线圈供给RF电功率。多个第二线圈形成为相同形状，并且以第一线圈的中心轴线为中心，旋转对称地配置在第一线圈的周围。在各个第二线圈的一端各连接有1个可变电容器。
等离子体处理装置

[发明专利]RF电压与电流(V-I)传感器和测量方法-CN202180044950.2在审
发明人：贾斯廷·莫塞斯;巴顿·莱恩;麦里特·法克;切尔西·杜博斯;山泽阳平;迈克尔·胡梅尔 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2021-06-17 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：一种射频传感器组件包括设置在中心孔周围的传感器外壳，该传感器外壳包括第一导电盖件和第二导电盖件。该组件包括设置在该中心孔周围的腔并且包括电介质材料，该腔沿着从该中心孔的中心的径向方向由第一主要外表面和第二主要外表面限界，其中，该第一导电盖件通过在该腔的第二主要外表面之外的耦合区电耦合到该第二导电盖件，并且通过该腔和该中心孔与该第二导电盖件电绝缘。该组件包括电流传感器，该电流传感器与该传感器外壳电绝缘并且包括对称地设置在该中心孔周围的电流拾波器，该电流拾波器设置在该腔内并且与该传感器外壳绝缘。
rf 电压电流传感器测量方法

[发明专利]RF电压与电流（V-I）传感器和测量方法-CN202180043083.0在审
发明人：贾斯廷·莫塞斯;巴顿·莱恩;麦里特·法克;切尔西·杜博斯;山泽阳平;迈克尔·胡梅尔 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2021-06-17 - 公布日： 2023-02-24 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：一种射频(RF)系统包括：RF电源，该RF电源被配置成用RF信号给负载供电；RF管，该RF管包括内导体和连接到接地的外导体，这些导体将该RF电源耦合到该负载；以及电流传感器，该电流传感器与携载该RF信号的该RF管的中心轴线对齐。传感器外壳设置在该RF管周围，其中，该传感器外壳包括连接到该RF管的外导体的导电材料。廊道设置在该传感器外壳内并且设置在该RF管的外导体外部，其中，该电流传感器设置在该廊道中。该RF管的外导体中的狭缝使该电流传感器暴露于因该RF管的内导体中的该RF信号的电流而产生的磁场。
rf 电压电流传感器测量方法

[发明专利]电感耦合等离子体激发用天线及组件和等离子体处理装置-CN202210121035.5在审
发明人：齐藤武尚;山泽阳平;中岛俊希;仓科大辅;藤原直树 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2022-02-09 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种电感耦合等离子体激发用天线、电感耦合等离子体激发用天线组件和等离子体处理装置。该电感耦合等离子体激发用天线包括：多个线圈单元；和导电性板，其与所述多个线圈单元连接，具有中央开口部和至少一个板端子。根据本发明，在使用电感耦合等离子体激发用天线激发等离子体时，提高该天线的磁场生成效率，并且提高磁场强度的周向均匀性。
电感耦合等离子体激发天线组件处理装置

[发明专利]滤波器电路-CN202111280919.7在审
发明人： 山泽阳平 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2021-11-01 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： H05H1/24 文献下载
摘要：本发明涉及一种滤波器电路。滤波器电路设置于使用等离子体进行处理的等离子体处理装置，该等离子体是使用4MHz以上的第一频率的电力和100Hz以上且小于4MHz的第二频率的电力来生成的，该滤波器电路具备第一滤波器部和第二滤波器部。第一滤波器部设置于等离子体处理装置内的导电构件与用于向导电构件供给小于100Hz的第三频率的电力或直流电力的电力供给部之间的布线。第二滤波器部设置于第一滤波器部与电力供给部之间的布线。第一滤波器部具有与串联地连接于布线的第一线圈、以及连接于布线与地之间的串联谐振电路。第二滤波器部具有串联地连接于第一线圈与电力供给部之间的布线的第二线圈。
滤波器电路

[发明专利]等离子体处理装置和天线组件-CN202111143115.2在审
发明人： 山泽阳平;齐藤武尚;藤原直树;藤原香;仓科大辅;保坂勇贵 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2021-09-28 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明涉及等离子体处理装置和天线组件。使进行等离子体处理时的电场强度降低，并且使对基板而言的等离子体分布的均匀性提高。等离子体处理装置具有：主线圈，其设于等离子体处理腔室的上部或上方；和副线圈组件，其设于主线圈的径向内侧或径向外侧。副线圈组件包含第1螺旋状线圈和第2螺旋状线圈。第1螺旋状线圈的各匝部和第2螺旋状线圈的各匝部在铅垂方向上交替地配置。第1螺旋状线圈的第1上侧端子借助一个以上的电容器连接于接地电位，第1螺旋状线圈的第1下侧端子连接于接地电位。第2螺旋状线圈的第2上侧端子借助一个以上的电容器或一个以上的其他的电容器连接于接地电位，第2螺旋状线圈的第2下侧端子连接于接地电位。
等离子体处理装置天线组件

[发明专利]等离子体处理装置-CN201780007258.6有效
发明人： 山泽阳平;古屋敦城 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2017-01-10 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： H05H1/46 文献下载
摘要：本发明提供一种等离子体处理装置，其具有：处理容器；高频电源，其向所述处理容器供给高频电力，来在所述处理容器的内部形成等离子体；规定的连接部，其设置于所述高频电源与所述处理容器之间；以及负载变动稳定化电路，其通过所述连接部而与所述处理容器并联连接，用于抑制从所述连接部看向下游侧时的负载阻抗的变动。
等离子体处理装置

[发明专利]等离子体处理装置和等离子体分布调整方法-CN201810151742.2有效
发明人：佐佐木和男;齐藤均;山泽阳平;古屋敦城;内藤启 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2014-07-04 - 公布日： 2020-04-07 - 主分类号： C23C16/505 文献下载
摘要：本发明提供一种能够抑制由等离子体导致的金属窗的溅射削落并且能够进行等离子体的强度的分布调整的感应耦合型的等离子体处理装置。该对基板(G)进行等离子体处理的等离子体处理装置(100)包括：在等离子体生成区域内产生感应耦合等离子体的高频天线(11)；和配置在等离子体生成区域与高频天线(11)之间，与主体容器绝缘的金属窗(3)。金属窗(3)具有利用绝缘体相互绝缘的多个金属窗(30a～30d)，使这些金属窗(30a～30d)各自通过一个接地点接地。
等离子体处理装置分布调整方法

[发明专利]等离子体处理装置-CN201710333265.7有效
发明人： 山泽阳平 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2017-05-12 - 公布日： 2020-01-14 - 主分类号： H05H1/46 文献下载
摘要：本发明的技术课题是提高对等离子体处理装置的多个腔室用的电极供电的效率。一实施方式的等离子体处理装置提供多个腔室。多个上部电极分别设置在多个腔室内的空间之上。多个下部电极分别设置在多个腔室内的空间之下。变压器具有一次线圈和多个二次线圈。一次线圈与高频电源连接。多个二次线圈的一端与多个上部电极分别连接。多个二次线圈的另一端与多个下部电极分别连接。多个二次线圈能够与一次线圈同轴地配置。多个二次线圈各自的自感比一次线圈的自感小。
等离子体处理装置

[发明专利]变压器、等离子体处理装置和等离子体处理方法-CN201710287364.6有效
发明人： 山泽阳平 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2017-04-27 - 公布日： 2020-01-03 - 主分类号： H05H1/46 文献下载
摘要：本发明提供一种变压器。一实施方式的变压器包括旋转轴、第一线圈、第二线圈和第三线圈。旋转轴构成为能够以其中心轴线为旋转轴线进行旋转。第一线圈是一次侧的线圈，围绕与旋转轴的中心轴线正交的第一轴线延伸。第二线圈是二次侧的线圈，围绕第二轴线延伸，由旋转轴支承。第二轴线在由第一线圈包围的区域内与旋转轴的中心轴线正交。第三线圈是二次侧的线圈，围绕第三轴线延伸，由旋转轴支承。第三轴线在由第一线圈包围的区域内与旋转轴的中心轴线正交且与第二轴线成规定的角度。由此，能够精细地控制两个输出高频的电力之比。
变压器等离子体处理装置方法

[发明专利]等离子体处理装置-CN201710353096.3有效
发明人： 山泽阳平 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2017-05-18 - 公布日： 2019-07-05 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种入射到配置在电极之上的被加工物的离子的能量的可调整范围广的等离子体处理装置。一实施方式的电容耦合型的等离子体处理装置包括变压器和阻抗调整电路。变压器包括一次线圈、第1二次线圈和第2二次线圈。一次线圈与高频电源经匹配器连接。第1二次线圈的一端与第1电极连接。第2二次线圈的一端与在其之上配置有被加工物的第2电极连接。阻抗调整电路设置在第1电极与第1二次线圈的另一端所连接的接地电位之间的串联电路、和第2电极与上述第2二次线圈的另一端所连接的接地电位之间的串联电路中的至少一者。
等离子体处理装置

[发明专利]等离子体处理装置-CN201610082046.1有效
发明人： 山泽阳平;传宝一树;山涌纯 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2010-10-27 - 公布日： 2019-06-07 - 主分类号： H05H1/46 文献下载
摘要：本发明提供等离子体处理装置，目的在于在电感耦合型的等离子体处理装置中改善方位角方向上的等离子体密度分布的均匀性。该电感耦合型的等离子体蚀刻装置在与RF天线(54)接近的电介质窗之下环形地生成电感耦合的等离子体，使该环形的等离子体在广阔的处理空间内分散，从而在基座(12)附近(即半导体晶片(W)上)使等离子体的密度均匀化。RF天线(54)具有线圈直径不同的多个单绕线圈(54(1)、54(2)、54(3))。各线圈(54(1)、54(2)、54(3))的高频供电点夹着非常小的切口而设置。
等离子体处理装置

[发明专利]等离子体处理装置-CN201811138919.1在审
发明人： 山泽阳平;齐藤武尚;宇田真代;豊田启吾;阿洛克·兰根;中岛俊希 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2018-09-28 - 公布日： 2019-04-05 - 主分类号： H05H1/46 文献下载
摘要：本发明涉及一种等离子体处理装置，能够抑制异常放电并且细致地调整等离子体的密度的分布。等离子体处理装置(10)具备气体喷射部(41)和天线(54)。气体喷射部从腔室(11)的上部向腔室(1)内供给处理气体。天线具有内侧线圈(542)和外侧线圈(541)。内侧线圈设置在气体喷射部的周围。外侧线圈设置在气体喷射部和内侧线圈的周围。另外，构成外侧线圈的线路的两端开放，从高频电源(61)向该线路的中点或者该中点附近供电，外侧线圈在该中点的附近处接地，以从高频电源供给的高频电力的1/2波长进行谐振。另外，关于内侧线圈，构成内侧线圈的线路的两端经由电容器相互连接，内侧线圈与外侧线圈感应耦合。
气体喷射部等离子体处理装置高频电源线圈设置腔室天线等离子体电容器线圈感应耦合处理气体高频电力两端开放异常放电谐振接地波长供电

[发明专利]等离子体处理装置和等离子体分布调整方法-CN201410319167.4有效
发明人：佐佐木和男;齐藤均;山泽阳平;古屋敦城;内藤启 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2014-07-04 - 公布日： 2018-06-05 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种能够抑制由等离子体导致的金属窗的溅射削落并且能够进行等离子体的强度的分布调整的感应耦合型的等离子体处理装置。该对基板(G)进行等离子体处理的等离子体处理装置(100)包括：在等离子体生成区域内产生感应耦合等离子体的高频天线(11)；和配置在等离子体生成区域与高频天线(11)之间，与主体容器绝缘的金属窗(3)。金属窗(3)具有利用绝缘体相互绝缘的多个金属窗(30a～30d)，使这些金属窗(30a～30d)各自通过一个接地点接地。
金属窗等离子体处理装置等离子体生成区域等离子体高频天线绝缘绝缘体感应耦合等离子体等离子体处理等离子体分布感应耦合型分布调整主体容器接地对基板接地点溅射配置

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