“等离子体装置”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果16913075个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]绝缘体插装型等离子体处理装置-CN201080003171.X有效
发明人：椎名祐一 -专利权人：日本磁性技术株式会社
申请日： 2010-02-10 - 公布日： 2011-10-05 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：在包括等离子体发生部、等离子体输送管和等离子体处理部的等离子体处理装置中，在等离子体输送管的始端侧与终端侧之间插装绝缘体以及绝缘体，构成使等离子体输送管与等离子体发生部和等离子体处理部电气地独立的绝缘体插装型等离子体处理装置将等离子体输送管由插装于其间的中间绝缘体分割成多个小输送管(B01、B23)，使各小输送管电气地独立。使等离子体输送管或者多个小输送管成为电气浮动状态、或者连接输送管用偏置电源(EB01、EB23)，以使得能够将等离子体输送管或者小输送管的电位设定为GND、可变正电位或者可变负电位。
绝缘体插装型等离子体处理装置

[实用新型]一种基于等离子体射流触发的多通道闭合开关-CN201820147009.9有效
发明人：施翔宇;李飞舟;毛青青 -专利权人：国家电网公司;国网湖北省电力有限公司宜昌供电公司
申请日： 2018-01-29 - 公布日： 2018-09-14 - 主分类号： H05H1/34 文献下载
摘要：一种基于等离子体射流触发的多通道闭合开关，包括开关阳极和开关阴极，开关阴极设于开关阳极的下方，在开关阳极与开关阴极之间设有间隙；在开关阴极的下方设有等离子体射流发生装置，还包括等离子体导流装置，所述等离子体导流装置一端与等离子体射流发生装置连接，另一端连接至开关阴极的上表面，所述等离子体导流装置穿过开关阴极。本实用新型提供一种基于等离子体射流触发的多通道闭合开关，在传统的等离子体射流触发开关的基础上考虑到电子与正离子运动速度的差距，选择将射流点布置在开关的阴极上，使射流中的粒子形成导电通道。
阴极等离子体射流等离子体阳极闭合开关导流装置多通道触发发生装置射流本实用新型触发开关导电通道粒子形成一端连接传统的上表面正离子穿过

[发明专利]空气净化器及其等离子体发生装置-CN201610653529.2有效
发明人：肖利容;封宗瑜;肖德玲;吴琦;王贤波;劳承云 -专利权人：珠海格力电器股份有限公司
申请日： 2016-08-10 - 公布日： 2018-09-28 - 主分类号： H05H1/24 文献下载
摘要：本发明提供了一种等离子体发生装置，包括：框体，包括具有空腔的底座；固定调节结构，设置于所述底座中；等离子体发生极，缠绕于所述固定调节结构上，并穿设所述底座朝向所述空腔伸出；绝缘套管，套设于所述等离子体发生极上，所述等离子体发生极通过所述绝缘套管与所述固定调节结构相接触。通过在等离子体发生极上套设绝缘套管以绝缘并加固等离子体发生极，使得等离子体发生极平稳地产生等离子体，有效的解决等离子体发生极的端部漏电打火的问题，保证等离子体发生极的质量，进而提高产品性能质量。
空气净化器及其等离子体发生装置

[发明专利]信号增强型等离子体隐身天线窗-CN201910678454.7有效
发明人：聂秋月;陈培奇;张仲麟;李博文 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2019-07-25 - 公布日： 2021-09-24 - 主分类号： H01Q1/42 文献下载
摘要：信号增强型等离子体隐身天线窗，涉及低温等离子体的应用技术领域，为了满足兼具隐身和增强天线电磁辐射功能的等离子体发生装置的应用需求。本发明包括外层等离子体罩、内层等离子体罩和天线系统；外层等离子体罩和内层等离子体罩同轴嵌套，天线系统位于内层等离子体罩中；外层等离子体罩用于减小天线窗的雷达散射截面，内层等离子体罩用于增强收发通讯信号强度
信号增强等离子体隐身天线

[发明专利]一种面向等离子体部件及聚变装置-CN201910027785.4有效
发明人：程杨洋;段慧玲;孟垂舟;余龙 -专利权人：新奥科技发展有限公司;北京大学
申请日： 2019-01-07 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： G21B1/05 文献下载
摘要：本发明公开了一种面向等离子体部件及聚变装置，涉及核聚变技术领域，能够解决当前面向等离子体单元中的钨材料一部分处于低温环境和一部分处于高温环境中，脆性较大，容易形成裂纹，而导致面向等离子体部件失效的难题。该面向等离子体部件包括面向等离子体单元和冷却单元，面向等离子体单元主要由钨材料构成，且至少包括耐热晶粒层和耐冷晶粒层，耐热晶粒层位于面向等离子体单元靠近等离子体热冲击的一侧，耐冷晶粒层位于面向等离子体单元远离等离子体热冲击的一侧；面向等离子体单元沿耐热晶粒层到耐冷晶粒层的方向，所述钨材料的晶粒尺寸由大到小呈梯度变化。本发明用于直接面向等离子体，承受等离子体的热冲击。
一种面向等离子体部件聚变装置

[发明专利]等离子体光源系统-CN201080038879.9有效
发明人：桑原一 -专利权人：株式会社IHI
申请日： 2010-08-25 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：一种等离子体光源系统，具备：多个等离子体光源（10），在规定的发光点（1a）对等离子体光（8）周期地进行发光；以及聚光装置（40），将等离子体光源的多个发光点的等离子体光聚光到单一的聚光点（9）。
等离子体光源系统

[发明专利]用于选择性增材制造装置的磁约束加热装置-CN201980036631.X在审
发明人： G·瓦尔朗;T·米内亚;C·巴拉热;D·兰丹;T·佩蒂 -专利权人： ADDUP公司;国家科学研究中心;巴黎-萨克雷大学
申请日： 2019-04-05 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： B22F12/13 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于在增材制造装置中加热粉末床的装置，其特征在于，其包括：‑等离子体产生装置(20)，所述装置设计成距粉末床一定距离布置在粉末床上方、且在粉末床上方移动，从而能够在粉末床上产生等离子体；‑用于向所述等离子体产生装置供电的单元(22)；‑控制单元(9)，其用于控制所述等离子体产生装置的供电和移动，并且所述等离子体产生装置(20)包括等离子体磁约束组件。
用于选择性制造装置约束加热

[实用新型]一种用于工业硅炉外精炼的抬包-CN201320030009.8有效
发明人：魏奎先;马文会;黄淑萍;谢克强;王统;周阳;伍继君;杨斌;刘大春;戴永年 -专利权人：昆明理工大学
申请日： 2013-01-21 - 公布日： 2013-07-31 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：本实用新型提供一种用于工业硅炉外精炼的抬包，包括包体、吹气系统和等离子体加热系统，所述等离子体加热系统包括等离子体电源、电源线、等离子体支架和等离子体发生器，等离子体电源通过电源线与等离子体发生器连接，等离子体发生器由等离子支架固定置于包体正上方，包体底部或侧壁安装吹气系统，吹气系统包括吹气元件、储气装置和通气管，吹气元件通过通气管与储气装置相连。利用本实用新型进行工业硅炉外精炼，即等离子体加热，此生产过程中不会对环境造成污染，对环境负荷小，能实现清洁生产，符合绿色冶金的要求，实现工业硅炉外精炼的节能减排。
一种用于工业硅炉外精炼

[发明专利]等离子体放电装置-CN201910895153.X在审
发明人：关银霞;唐诗雅;王世强;陶彬;刘全桢;孙立富;宫宏 -专利权人：中国石油化工股份有限公司;中国石油化工股份有限公司青岛安全工程研究院
申请日： 2019-09-20 - 公布日： 2021-03-23 - 主分类号： H05H1/24 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种等离子体放电装置，属于等离子体技术领域。通过将对称格栅式等离子体射流装置和介质阻挡放电装置进行耦合，其中，对称格栅式等离子体射流装置包括等离子体射流放电管，放电管外壁环绕贴覆有两个具有固定间距的第一金属箔电极；介质阻挡放电装置包括对置设置构成等离子体交互区的两块绝缘介质平板，两个第二金属箔电极分别贴覆于所述两块绝缘介质平板外表面；使得对称格栅式等离子体射流装置和介质阻挡放电装置在同时满足气体放电的条件下产生耦合效应，即在两个第一金属箔电极和两个第二金属箔电极同时获得能量驱动的条件下，等离子体交互区的气体分子受到介质阻挡放电及等离子体射流的耦合激励作用而产生高密度等离子体。
等离子体放电装置

[发明专利]控制方法和等离子体处理装置-CN202011131045.4在审
发明人：佐藤幹夫;镰田英纪;池田太郎 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2020-10-21 - 公布日： 2021-04-30 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种控制方法和等离子体处理装置。对使用了相控阵天线的局部等离子体进行控制。作为利用相控阵天线的扫描型的等离子体处理装置的控制方法，具有以下工序：从设置于处理容器的多个部位的观察窗对在所述处理容器的内部生成的等离子体的发光进行观测；基于观测到的与所述等离子体的所述发光有关的数据，来计算表示所述等离子体的特性的值在基板上的面内分布；以及基于计算出的表示所述等离子体的所述特性的值在基板上的面内分布，来对所述等离子体的扫描图案和/或等离子体密度分布进行校正。
控制方法等离子体处理装置

[发明专利]等离子体处理装置和等离子体处理方法-CN200880114295.8有效
发明人：野野村胜;水上达弘 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2008-11-27 - 公布日： 2010-09-22 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明提供一种等离子体处理装置和等离子体处理方法。在将处理对象物收容在处理室内进行等离子体处理的等离子体处理中，在放电检测传感器接收根据等离子体放电的变化而诱发的电位变化的信号，并作为表示电位变化的信号数据暂时记录在信号记录部中，参照记录的信号数据，由信号解析部抽取放电开始波的计数值、异常放电的计数值、微小电弧放电的计数值等表示等离子体放电状态的指标数据，通过由装置控制部监视指标数据而判定等离子体放电的状态，执行为了适当地进行等离子体处理动作的重试处理、累积等离子体处理、维修判定处理
等离子体处理装置方法

[发明专利]等离子体成膜装置与膜制造方法-CN200780025754.0有效
发明人：森脇崇行;斋藤友康;佐佐木雅夫;中河原均 -专利权人：佳能安内华股份有限公司
申请日： 2007-07-04 - 公布日： 2009-07-22 - 主分类号： C23C14/32 文献下载
摘要：一种等离子体成膜装置，具有发射等离子体束的等离子体枪、和施加磁场到从等离子体枪发射的等离子体束以将等离子体束的束截面变形成几乎矩形或椭圆形的形状的磁体，所述等离子体成膜装置包括多个磁体单元，所述多个磁体单元偏转其束截面被变形的等离子体束，以用偏转的等离子体束照射照射靶。
等离子体装置制造方法

[发明专利]一种热等离子体弧焰发生器-CN201010191204.X无效
发明人：朱华;马再敏;袁洁 -专利权人：成都阳流科技发展有限公司
申请日： 2010-06-03 - 公布日： 2011-12-07 - 主分类号： H05H1/32 文献下载
摘要：本发明属于高频感应热等离子体技术领域，针对目前高频感应热等离子体发生装置存在的点火困难、工作稳定性差、维弧功率大、效率低等问题，本发明提供了一种热等离子体弧焰发生器。本发明包括层流电弧热等离子体产生器[1]和高频感应热等离子体发生器[2]，其特征在于沿高频感应热等离子体发生器[2]中心轴线[5]方向射入层流电弧热等离子体射流[3]，起高频感应热等离子体焰流[4]的电弧引导层流电弧热等离子体射流[3]具有射流长度长，流场参数波动小，几乎不卷吸环境气体，高温区长度长，温度等参数的轴向梯度小等优点。采用本发明的技术方案，可以解决高频感应热等离子体发生装置点火困难，容易断弧的问题，降低高频感应热等离子体发生装置的工作频率和减少维弧功率，并通过感应增强作用提高效率，便于开发更大功率高频感应热等离子体发生装置
一种等离子体发生器

[发明专利]保护罩以及等离子体产生装置-CN202180086467.0在审
发明人：池户俊之;岩田卓也 -专利权人：株式会社富士
申请日： 2021-01-08 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H05H1/30 文献下载
摘要：本发明提供一种保护罩，以将喷出等离子体的等离子体喷头的喷出口封闭的状态保护等离子体喷头，具备：主体，其能装卸地支承于等离子体喷头；以及紧贴体，其以变形的状态紧贴于喷出口来封闭喷出口。本发明还提供一种等离子体产生装置，具备：等离子体喷头，其供保护罩安装；检测传感器，其对供给至等离子体喷头的气体的压力进行检测；以及通知装置，在保护罩的紧贴体封闭喷出口的状态下等离子体喷头工作的情况下，通知装置基于检测传感器的检测值来通知错误
护罩以及等离子体产生装置

[发明专利]等离子体处理装置-CN202210496575.1在审
发明人：阪根亮太 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2022-05-09 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供能够屏蔽包含地磁在内的环境磁场和来自其它装置的磁场的等离子体处理装置。等离子体处理装置包括：壁为多层结构的等离子体处理容器，其中，多层结构包含由具有高于铝的磁导率的材料构成的层；送入送出口，其设置在等离子体处理容器的壁，对等离子体处理容器内送入送出基片；和配置在等离子体处理容器内的基片支承部
等离子体处理装置