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[发明专利]样品表面膜层厚度的测量方法-CN202111392715.2有效
发明人：林琳;佘晓羽;陈文辉;刘丽娟;刘婧;冯路;锁志勇 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-11-23 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： G01B15/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种样品表面膜层厚度的测量方法，包括：提供第一样品基底，第一样品基底不包含目标物质；在第一样品基底的表面上形成目标物质的第一膜层；检测第一膜层，获得目标物质在第一膜层中的含量，含量对应于第一表面定量分析方法的第一检测极限；检测第一膜层，获得目标物质的相对灵敏度因子；提供与第一样品基底相同的第二样品基底，在第二样品基底的表面上形成目标物质的目标膜层，目标膜层的厚度小于第一膜层的厚度；检测目标膜层，采用相对灵敏度因子计算目标物质在目标膜层中的原子浓度；根据原子浓度计算目标物质在目标膜层中的原子密度；以及根据原子密度和目标物质的参考原子密度的比值获得目标膜层的厚度。
样品表面厚度测量方法

[发明专利]一种能谱仪的校准方法及元素测试方法-CN202110551938.2有效
发明人：吴宗芹;张笑;李国梁;魏强民;佘晓羽;锁志勇;卢世峰 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-05-20 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： G01N23/00 文献下载
摘要：本申请提供了一种能谱仪的校准及测试方法。所述校准方法包括以下步骤：提供含有目标元素的校准样品；使用分析设备对所述校准样品进行测量，以得到目标元素的含量‑深度关系曲线，作为校准曲线；使用能谱仪对所述校准样品进行测量，以得到目标元素的含量‑深度关系曲线，作为待校准曲线；通过所述校准曲线对所述待校准曲线进行校准。本申请通过分析设备测量得到校准曲线，对能谱仪的测量曲线进行校准，使得能谱仪能够对元素进行准确的定量分析。
一种能谱仪校准方法元素测试

[发明专利]晶圆键合方法、键合晶圆、存储器芯片以及半导体器件-CN202210349420.5在审
发明人：肖文静;尹朋岸;严孟;胡思平;王欢;伍术;王超;姜有东;锁志勇;张育龙;王永平 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2022-04-01 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本申请提供晶圆键合方法、键合晶圆、存储器芯片以及半导体器件，所述方法包括：提供多个待键合晶圆，每个所述待键合晶圆的表面具有介质层，且所述介质层内具有键合凹槽；在所述键合凹槽内填充导电材料，以形成具有第一晶粒尺寸的预键合触点；对至少两个所述待键合晶圆进行键合对准，使得所述待键合晶圆上的所述预键合触点一一接触；进行退火处理，使得至少两个所述待键合晶圆键合，所述预键合触点键合为具有第二晶粒尺寸的融合键合触点。上述方法中，对小晶粒的预键合触点进行退火处理，能够降低退火处理温度、缩短退火处理时间，避免待键合晶圆在长时间高温的退火处理中失效的同时，还能够确保待键合晶圆完成键合后的键合强度。
晶圆键合方法键合晶圆存储器芯片以及半导体器件

[发明专利]测量装置的校准方法、用于校准的标准样品及其制备方法-CN202210448215.4在审
发明人：杜聪聪;李国梁;锁志勇;魏强民;卢世峰 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2022-04-24 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： G11C29/56 文献下载
摘要：本申请提供一种测量装置的校准方法、用于校准的标准样品及其制备方法，该校准方法包括：采用标准装置对多层待检测膜层的各层包含的目标元素的含量进行第一测量，其中，多层待检测膜层的各层包含的目标元素的含量在多层待检测膜层的厚度方向以相同趋势变化；采用测量装置对所述多层待检测膜层的各层包含的目标元素的含量进行第二测量；以及基于第一测量和所述第二测量的结果对测量装置进行校准。
测量装置校准方法用于标准样品及其制备

[实用新型]一种薄膜应力测试装置-CN202122676509.6有效
发明人：施生巍;饶少凯;罗兴安;张莉;周毅;王超;锁志勇 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-11-03 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： G01L1/24 文献下载
摘要：本申请公开了一种薄膜应力测试装置，包括支撑座；样品台，样品台的顶部设置有用于承载基片的承载台面，样品台与支撑座转动连接，且样品台绕其中心轴旋转；用于发射激光束的激光发射装置，激光发射装置设置于承载台面的上方；激光探测装置，设置于所述承载台面的上方。本申请实施例中的样品台可以绕其中心轴旋转，使激光探测装置能够检测基片在各个径向上的曲率半径，从而能够拟合出基片整个表面的薄膜应力分布图。
一种薄膜应力测试装置

[实用新型]晶圆键合设备-CN202121204761.0有效
发明人：赵志远;袁绅豪;刘武;刘淼;锁志勇 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-05-31 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种晶圆键合设备，包括用于对待键合晶圆的表面进行激活处理的等离子体处理装置，所述等离子体处理装置包括：等离子体腔；等离子体生成气体管道，与所述等离子体腔连接；水汽管道，与所述等离子体腔连接；位于所述等离子体腔内的电极，所述电极用于使等离子体生成气体生成等离子体以对待键合的晶圆的表面进行激活处理；设置在所述水汽管道上的第一阀门；所述第一阀门被配置为在所述电极通电之前开启以在所述生成等离子体之前通过所述水汽管道向所述等离子体腔中引入水汽；或者所述第一阀门被配置为在所述电极通电过程中开启以在所述生成等离子体的同时通过所述水汽管道向所述等离子体腔中引入水汽。
晶圆键合设备

[发明专利]芯片封装结构-CN202111249288.2在审
发明人：徐齐;王超;锁志勇;仝金雨 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-10-26 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：本申请提供了一种芯片封装结构。该芯片封装结构包括：封装基板，封装基板的第一表面电连接有驱动芯片；应力分散层，设置于第一表面上并位于驱动芯片的外周，且在垂直于第一表面的方向上，应力分散层的厚度大于或等于驱动芯片的厚度；应力缓冲层，覆盖应力分散层并包裹驱动芯片；半导体芯片组，设置于应力缓冲层上并与第一表面电连接。本申请通过设置上述应力分散层，能够用于分散封装过程中半导体芯片组由于受到外力施加而产生的向下的应力，从而有效避免现有技术中应力集中在与应力缓冲层中与驱动芯片边缘对应的区域，所导致的半导体芯片组中底部芯片损坏，进而降低了半导体芯片组中芯片发生失效造成短路的风险，提高了芯片封装结构的性能。
芯片封装结构

[发明专利]一种样品制备方法-CN202110462163.1有效
发明人：陈茜;卫晓阳;锁志勇 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-04-27 - 公布日： 2022-01-25 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：本申请公开了一种样品制备方法，所述方法包括：提供半导体结构，所述半导体结构包括堆叠结构、贯穿所述堆叠结构的沟道结构及位于所述沟道结构上的沟道触点；所述堆叠结构包括交替堆叠的栅极层和介质层；对所述半导体结构进行第一制样处理，以形成暴露所述堆叠结构和部分所述沟道触点的截面；通过刻蚀溶液去除所述半导体结构中的栅极层和暴露的部分所述沟道触点，保留未暴露的所述沟道触点；对所述半导体结构进行第二制样处理，以使处理得到的待测样品包括所述沟道结构和位于所述沟道结构上的所述沟道触点。
一种样品制备方法

[发明专利]透射采样装置及方法-CN202010904365.2有效
发明人：佘菀馨;江佩;锁志勇 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-09-01 - 公布日： 2021-10-19 - 主分类号： G01N21/35 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种透射采样装置和方法，通过入射窗口以第一入射角进入的第一光线经过透射采样装置的第一反射镜及所述透射采样装置的第二反射镜的多次反射，以及经过待采样薄膜的多次透射后，通过出射窗口射出，并进入所述透射采样装置的光接收子装置，以实现所述待采样薄膜的吸收光谱的采集；其中，所述第一反射镜和所述第二反射镜平行，所述待采样薄膜位于所述第一反射镜及所述第二反射镜之间，且与所述第一反射镜及所述第二反射镜均平行；所述第一反射镜上设置有所述入射窗口，所述第二反射镜上设置有所述出射窗口；所述第一反射镜和所述第二反射镜的反射效率大于预设效率；所述第一入射角小于预设角度。
透射采样装置方法

[发明专利]数据处理方法-CN202010978746.5有效
发明人：江佩;佘菀馨;锁志勇 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-09-17 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： G16C10/00 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种数据处理方法，利用采用红外透射方式进行采样的第一测试方法测量多个薄膜样本的红外吸收光谱，得到所述薄膜样本中第一化学键对应的第一数据集；其中，基于所述第一数据集中的数据，利用第一计量公式，能够得到薄膜样本中所述第一化学键的含量；利用采用红外多次衰减全反射方式进行采样的第二测试方法测量所述多个薄膜样本的红外吸收光谱，得到所述第一化学键对应的第二数据集；确定所述第一数据集中的数据和所述第二数据集中的数据的关联度；基于所述关联度和所述第一计量公式，得到第二计量公式；其中，基于所述第二数据集中的数据，并结合所述第二计量公式，能够得到所述薄膜样本中所述第一化学键的含量。
数据处理方法

[发明专利]封装结构-CN202110003611.1在审
发明人：王超;沈天尔;苗健;徐齐;锁志勇 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-01-04 - 公布日： 2021-05-25 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种封装结构，包括：多个裸片；所述多个裸片沿第一方向堆叠，每个裸片上设置有第一沟槽；通过所述第一沟槽相应裸片上的第一结构被分成为两个隔离的子区域；多个裸片对应的多个第一沟槽在第一平面上的投影不完全重叠，所述第一方向垂直于所述第一平面。本发明实施例提供的封装结构具有较好的强度。
封装结构

[发明专利]加压装置及压力施加方法-CN202010026305.5在审
发明人：黄翔;锁志勇;徐齐 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-01-10 - 公布日： 2020-05-29 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种加压装置及压力施加方法。所述加压装置包括：压头，用于与样品接触，所述样品的表面形成有粘结层；气压组件，用于向所述压头施加气体压力，以推动所述压头向所述样品背离所述粘结层的表面施加压力。本发明使用气体作为压力源，一方面提高了固化后粘结层厚度的均匀性；另一方面，便于精确控制固化的粘结层的厚度，从而为三维存储器中膜与膜之间结合能的测试提供便利，有助于三维存储器制程工艺的改善，以及三维存储器性能的提高。
加压装置压力施加方法

[发明专利]半导体结构的检测方法及检测装置-CN202010026301.7在审
发明人：黄翔;刘丽娟;王许辉;锁志勇 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-01-10 - 公布日： 2020-05-29 - 主分类号： G01N3/24 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种半导体结构的检测方法及检测装置。所述半导体结构的检测方法包括如下步骤：提供一待测样品，所述待测样品中具有一待测键合界面；固定所述待测样品于第一基板中，使得至少所述待测样品中的所述待测键合界面暴露于所述第一基板表面；施加剪切应力于暴露的所述待测样品的侧面，获取所述待测键合界面在所述剪切应力作用下的界面信息。本发明填补了晶圆键合强度受剪切应力影响的实验空白，缩短了对键合界面键合程度检测的时间，且提高了检测结果的可靠性和准确性，为改善半导体结构的性能提供了重要参考。
半导体结构检测方法装置

[发明专利]晶圆界面键合能的测试方法-CN201910413139.1有效
发明人：徐齐;黄翔;周阳;锁志勇;丁滔滔 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-05-17 - 公布日： 2020-05-19 - 主分类号： G01N19/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种晶圆界面键合能的测试方法，包括如下步骤：提供一键合样品，所述键合样品包括相互键合的第一键合部和第二键合部；从所述键合样品的一端将所述第一键合部和所述第二键合部拉开至设定的远离距离，并实时记录在拉开过程中随拉开距离变化的拉力；根据所述拉开距离与所述拉力的变化关系计算出界面键合能。本发明通过在晶圆特定位置截取键合样品，对所述键合样品进行多次拉力测试，通过拉力与拉开距离的关系，得到所述键合样品的界面键合能。
界面键合能测试方法

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