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[发明专利]一种常压辉光等离子体装置-CN201510897672.1在审
发明人：陈晓;吴海华;洪梦华 -专利权人：上海至纯洁净系统科技股份有限公司
申请日： 2015-12-08 - 公布日： 2016-05-04 - 主分类号： H05H1/46 文献下载
摘要：本发明提供一种常压辉光等离子体装置，包括：中频等离子体腔室和射频等离子体腔室；其中，进入等离子体装置的气体首先流入中频等离子体腔室，并在中频等离子体腔室中生成等离子体后进入射频离子体腔室。具有这样的结构，当气体通过进行系统进入装置后，在该装置中首先使用中频电源激励在中频等离子体腔室中产生等离子体，该等离子体会继续传播至射频等离子体腔室，从而为射频电源激励产生等离子体过程中提供更多的种子电子
一种常压辉光等离子体装置

[发明专利]等离子体处理装置的清理方法和等离子体处理方法-CN201210181932.1无效
发明人：田原慈;西村荣一 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2012-04-13 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种能够防止构成等离子体生成室的包含硅的部件引起的微粒附着到被处理基板上的等离子体处理装置的清理方法和等离子体处理方法。该等离子体处理装置具备：具有包含硅的结构部件、激发处理气体而生成等离子体的等离子体生成室；经由间隔部件与上述等离子体生成室连通的等离子体处理室；和配置于在等离子体生成室的电介质窗外侧的平面状高频天线，该清理方法在等离子体生成室内对包含氢气的处理气体进行等离子体激发，将生成的氢自由基经由上述间隔部件导入到上述等离子体处理室中，并使其作用于被处理基板来实施等离子体处理，将被处理基板搬出后，向等离子体生成室内导入四氟化碳气体，来除去堆积在等离子体生成室内的硅类堆积物。
等离子体处理装置清理方法

[发明专利]一种用于更换直线等离子体源的装置-CN202011096553.3在审
发明人：桑超峰;王越;孙长江;叶灏;王奇 -专利权人：大连理工大学
申请日： 2020-10-14 - 公布日： 2020-11-27 - 主分类号： G21B1/25 文献下载
摘要：一种用于更换直线等离子体源的装置，属于直线等离子体装置应用技术领域。这种用于更换直线等离子体源的装置采用等离子体源通过连接法兰与真空室法兰连接，在等离子体源上设有可移动的磁体线圈。Helical型螺旋波等离子体源通过A型法兰与真空室法兰连接，蚊香型螺旋波等离子体源通过B型法兰与真空室法兰连接，六硼化镧等离子体源通过C型法兰与真空室法兰连接。通过不同的法兰接口可以连接不同的等离子体源，分别调节每种等离子体源所需要的最优磁场环境，从而快速方便的更换等离子体源，根据需求创造不同的等离子体环境。
一种用于更换直线等离子体装置

[实用新型]一种用于更换直线等离子体源的装置-CN202022283213.3有效
发明人：桑超峰;王越;孙长江;叶灏;王奇 -专利权人：大连理工大学
申请日： 2020-10-14 - 公布日： 2021-02-19 - 主分类号： G21B1/25 文献下载
摘要：一种用于更换直线等离子体源的装置，属于直线等离子体装置应用技术领域。这种用于更换直线等离子体源的装置采用等离子体源通过连接法兰与真空室法兰连接，在等离子体源上设有可移动的磁体线圈。Helical型螺旋波等离子体源通过A型法兰与真空室法兰连接，蚊香型螺旋波等离子体源通过B型法兰与真空室法兰连接，六硼化镧等离子体源通过C型法兰与真空室法兰连接。通过不同的法兰接口可以连接不同的等离子体源，分别调节每种等离子体源所需要的最优磁场环境，从而快速方便的更换等离子体源，根据需求创造不同的等离子体环境。
一种用于更换直线等离子体装置

[发明专利]磁场与电场相互垂直条件下磁化等离子体中微波和等离子体相互作用装置-CN201410219214.8有效
发明人：江滨浩;韩雪 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2014-05-22 - 公布日： 2014-08-06 - 主分类号： H05H1/00 文献下载
摘要：磁场与电场相互垂直条件下磁化等离子体中微波和等离子体相互作用装置，涉及一种磁化等离子体中微波和等离子体相互作用装置，本发明为解决现有技术没有在不同磁化等离子体特征情况下，微波与等离子体相互作用装置的问题本发明包括微波产生器、铁氧体隔离器、衰减器、定向耦合器、波导管、绝缘微波窗、真空腔、多个螺线管、膈膜、等离子体源、两个朗缪尔探针、截止管、匹配微波负载、环形天线、磁探针、静电探针，多栅探针和等离子体观察仪；等离子体源为火花等离子体源，产生的火花电压用于控制等离子体密度；衰减器用于调节微波功率。本发明用于研究不同磁化等离子体特性条件下微波盒等离子体的相互作用。
磁场电场相互垂直条件下磁化等离子体微波相互作用装置

[发明专利]等离子体接力装置-CN200810236906.8有效
发明人：熊青;卢新培;熊紫兰;邹菲 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2008-12-19 - 公布日： 2009-05-20 - 主分类号： H05H1/30 文献下载
摘要：等离子体接力装置，属于等离子体发生装置，解决现有等离子体发生装置强度、温度调节范围过窄，工作气体单一的问题；本发明等离子体射流源的等离子体喷出口处安装有1个或多个管状介质容器，各介质容器的气体输入口与等离子体射流源的工作气体源或者多个单独工作气体源相连通；等离子体射流源喷出的等离子体射流与第一个介质容器表面接触；各介质容器等离子体喷出口喷出的等离子体射流与下一个介质容器表面接触，最后一个介质容器等离子体喷出口输出工作等离子体射流。本发明产生强度、温度均可变化的富含活性成份的等离子体射流，特别是常压下产生接近室温的等离子体射流，同时人体可以与之安全的相接触，并适用于多种气体放电。
等离子体接力装置

[发明专利]处理基板边缘缺陷的等离子体系统及方法-CN201810685888.5有效
发明人：徐瑞美;翁志强;蔡陈德;李祐升 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2018-06-28 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：一种处理基板边缘缺陷的等离子体系统及方法，等离子体系统包括一等离子体源与一承载装置；等离子体源包含至少一等离子体产生单元；承载装置用以输送至少一基板相对于等离子体源移动，以进出一等离子体作用区；基板具有待处理区域，等离子体源是于等离子体作用区内对于待处理区域提供一等离子体束，且等离子体束的行进方向实质上平行于基板的表面；移动基板进入等离子体作用区，通过等离子体源提供待处理区域一具温度梯度(Thermal gradient
处理边缘缺陷等离子体系统方法

[发明专利]等离子体处理装置-CN201180037725.2有效
发明人：节原裕一;江部明宪 -专利权人：国立大学法人大阪大学;EMD株式会社
申请日： 2011-08-02 - 公布日： 2013-06-12 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明的课题在于提供一种能够根据离解的气体分子的种类或其离解能来容易地控制等离子体中的电子的能量分布的等离子体处理装置。本发明的等离子体处理装置(10)具备：等离子体处理室(11)；与等离子体处理室(11)连通的等离子体生成室(12)；用于生成等离子体的高频天线(16)；用于控制等离子体中的电子的能量的等离子体控制板(17)；用于调整等离子体控制板(17)的位置的操作棒(171)及移动机构(172)。在该等离子体处理装置(10)中，仅通过利用移动机构(172)使操作棒(171)沿着长度方向移动来调整高频天线(16)与等离子体控制板(17)之间的距离，就能够控制在等离子体生成室(12)内生成的等离子体的电子的能量分布，因此能够容易地进行与离解的气体分子的种类或其离解能对应的等离子体处理。
等离子体处理装置

[发明专利]工件处理装置-CN200810099703.9无效
发明人：岩崎龙一;万川宏史;增田滋;林博史;三毛正明 -专利权人：诺日士钢机株式会社
申请日： 2008-05-21 - 公布日： 2008-11-26 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种工件处理装置(S)，包括：等离子体发生装置(6)，具有将提供的规定气体等离子体化的等离子体发生部(18)，并从所述等离子体发生部(18)放出等离子体化的气体；输送装置(2)，在所述等离子体发生部(18)的下方支撑作为处理对象的工件(W)；通过对所述工件(W)照射等离子体化的气体，执行规定的处理；所述工件处理装置(S)还包括安装框(4)，用于安装所述等离子体发生装置(6)，以使所述等离子体发生部而且，所述等离子体发生装置(6)相对于所述安装框(4)安装成可以从使所述等离子体发生部(18)配置在工件(W)上方的安装位置沿水平方向拉出。
工件处理装置

[发明专利]等离子体离子源的发生装置-CN201010579490.7有效
发明人：陈应;徐国宾;杨芃原 -专利权人：上海华质生物技术有限公司
申请日： 2010-12-08 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H05H1/46 文献下载
摘要：一种应用于质谱仪的等离子体离子源的发生装置，包括：等离子体发生腔体，包括作为等离子体发生区的腔室；高压射频源，包括电源以及设于所述等离子体发生腔体外表面的射频电极；与所述等离子体发生腔体相通的传输结构，用于将样品气体和载气引入到所述等离子体发生腔体中；密封件，用于密封所述传输结构与所述等离子体发生腔体之间的连通，为所述等离子体发生腔体提供真空环境。相较于现有技术，本发明的等离子体离子源的发生装置，利用等离子体发生腔体，在低真空环境下可以产生出高密度的等离子体离子源。
等离子体离子源发生装置

[发明专利]高频等离子体射束源及喷射表面的方法-CN200480015920.5有效
发明人： R·贝克曼 -专利权人：莱博德光学有限责任公司
申请日： 2004-04-08 - 公布日： 2006-07-12 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明涉及高频等离子体射束源(1)，带有：等离子体室(3)；电气装置(8、9)，将电压施加在该高频等离子体射束源(1)上，以激发和维持该等离子体；从等离子体空间(3)引出等离子体射束(I)的装置(4)；等离子体射束(I)从高频等离子体射束源(1)产生，基本上呈发散的喷射特性。本发明还涉及用高频等离子体射束源的等离子体射束(I)喷射一个表面的方法，其中所述等离子体射束(I)是发散的。
高频等离子体射束源喷射表面方法

[发明专利]等离子体处理装置和等离子体处理方法-CN202010081427.4在审
发明人：青木裕介;高田郁弥;户花敏胜;森北信也;藤原一延;阿部淳;永海幸一 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2020-02-06 - 公布日： 2020-08-21 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供等离子体处理装置和等离子体处理方法。例示的实施方式的等离子体处理装置，在对基片的等离子体处理和等离子体清洁中，在腔室内生成等离子体，从直流电源装置将脉冲状的负极性的直流电压周期性地施加到上部电极。对基片的等离子体处理时的脉冲状的负极性的直流电压的占空比小于等离子体清洁时的该占空比。对基片的等离子体处理时的直流电源装置的输出电压的平均值的绝对值，小于等离子体清洁时的直流电源装置的输出电压的平均值的绝对值。本发明能够在对基片的等离子体处理中抑制腔室内的内壁面的损伤，并且通过等离子体清洁有效地除去形成于内壁面上的沉积物。
等离子体处理装置方法

[实用新型]乘用车空气净化装置-CN201320251413.8有效
发明人：林成渊 -专利权人：苏州市昆士莱照明科技有限公司
申请日： 2013-05-10 - 公布日： 2013-10-09 - 主分类号： B60H3/06 文献下载
摘要：本实用新型提供一种乘用车空气净化装置，其包括具有风口的壳体、集成设置于壳体内的音响装置和等离子体净化器。所述等离子体净化器包括设置于风口内侧的等离子体模块、连接等离子体模块的等离子体电源，与等离子体电源连接的风机、控制等离子体模块工作状态的控制装置以及连接线路。
乘用车空气净化装置

[发明专利]零部件、形成耐等离子体涂层的方法和等离子体反应装置-CN202010432447.1在审
发明人：段蛟;孙祥;陈星建 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2020-05-20 - 公布日： 2021-11-26 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明适用于半导体技术领域，公开了一种用于等离子体反应装置中的零部件、零部件形成耐等离子体涂层的方法和等离子体反应装置。一种用于等离子体反应装置中的零部件，等离子体反应装置包括反应腔，反应腔内为等离子体环境，零部件暴露于等离子体环境中，零部件包括：非氧化物基底；耐等离子体涂层，耐等离子体涂层涂覆于非氧化物基底表面，耐等离子体涂层为稀土金属化合物，耐等离子体涂层和非氧化物基底之间通过饱和化学键过渡。本发明提供的零部件，在非氧化物基底与耐等离子体涂层之间的界面通过饱和的化学键实现过渡，降低耐等离子体涂层脱落的风险，提高耐等离子体涂层的服役寿命。
零部件形成等离子体涂层方法反应装置

[发明专利]等离子体生成设备-CN201110084746.1有效
发明人： G·加尼雷迪;A·K·博霍里;T·阿索肯 -专利权人：通用电气公司
申请日： 2011-03-25 - 公布日： 2011-09-28 - 主分类号： H05H1/48 文献下载
摘要：本发明涉及等离子体生成设备。具体而言，提供了一种设备，如电弧减轻装置(110)，其可包括第一等离子体生成装置(136)和第二等离子体生成装置(138)。第二等离子体生成装置可包括一对相对且间隔开的电极(144a，144b)以及连接在其间的低电压高电流能量源(148)。通道(194)可构造成用以在第一等离子体生成装置与第二等离子体生成装置之间引导等离子体，使得第二等离子体生成装置接收由第一等离子体生成装置产生的等离子体。来自于第一等离子体生成装置的等离子体可用来将该一对相对的电极之间的区域的阻抗减少到足以容许由于低电压高电流的能量源而引起在其间形成电弧。
等离子体生成设备