“康松润”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果20个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]用于低温蚀刻的工艺气体、等离子蚀刻装置以及使用其制造半导体器件的方法-CN202211264279.5在审
发明人：李东圭;康松润;佐佐木浩;王允宣 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-10-14 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：一种制造半导体器件的方法，包括：在衬底上形成模具层；在模具层上形成硬掩模层，使得模具层的一部分被暴露；以及使用硬掩模层对模具层执行低温蚀刻工艺。低温蚀刻工艺包括：向腔室供应工艺气体，工艺气体包括第一工艺气体和第二工艺气体；以及从工艺气体生成等离子体。第一工艺气体的自由基蚀刻模具层的暴露部分。基于自由基蚀刻模具层的暴露部分来产生铵盐。第二工艺气体包括R‑OH化合物。R是氢、Cl至C5烷基、C2至C6烯基、C2至C6炔基或苯基。第二工艺气体降低铵盐的产生速率。
用于低温蚀刻工艺气体等离子装置以及使用制造半导体器件方法

[发明专利]使用氧化物半导体材料制造半导体器件的方法-CN202180065121.2在审
发明人： 康松润;杨海秀 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2021-10-04 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：一种制造半导体器件的方法，该方法包括形成垂直访问晶体管，形成垂直访问晶体管包括：在衬底上沿第一方向形成位线；在位线中的每个位线上方形成多晶硅柱体作为牺牲柱体；在多晶硅柱体的侧表面上形成栅极氧化物；在多晶硅柱体上沿第二方向形成字线，其中栅极氧化物置于字线与多晶硅柱体之间，第二方向不基本平行于第一方向；在形成字线之后，去除多晶硅柱体以留下垂直空隙来代替多晶硅柱体；使用氧化物半导体填充垂直空隙，该氧化物半导体用作垂直访问晶体管的沟道；以及在垂直访问晶体管的沟道上形成单元电容器。
使用氧化物半导体材料制造半导体器件方法

[发明专利]蚀刻方法-CN201711068815.3有效
发明人：久保卓也;康松润 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2017-11-03 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明提供能够抑制磁阻效应元件的磁特性的劣化的蚀刻方法。蚀刻方法包括如下工序：蚀刻包含磁隧道结的第1多层膜的工序；为了在等离子体处理装置的腔室内蚀刻包含钉扎层的第2多层膜而在腔室内生成包含烃气和稀有气体的第1气体的等离子体的工序；以及(iii)为了除去在生成第1气体的等离子体的工序中形成的含碳堆积物而在腔室内生成包含含有碳和氧的气体、氧气和稀有气体且不含氢的第2气体的等离子体的工序。
蚀刻方法

[发明专利]基片处理方法和基片处理装置-CN202110294301.X在审
发明人： 康松润;津田俊武;关口贤治;米泽周平;香川兴司 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2021-03-19 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供能够恰当地蚀刻在晶片形成的含硼硅膜的技术，本发明的一个方式的基片处理方法包括保持工序、供给的工序和蚀刻工序，保持工序保持形成有含硼硅膜的基片，供给工序向所保持的基片供给含有氢氟酸和硝酸的氧化水溶液，蚀刻工序利用氧化水溶液蚀刻基片的含硼硅膜。
处理方法装置

[发明专利]处理基板的方法、处理装置以及处理系统-CN201980041384.2在审
发明人：久保卓也;康松润 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-07-30 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：在一个例示的实施方式中，提供一种处理基板的方法。基板具备蚀刻层和掩膜。掩膜设置在蚀刻层的第1表面上。该方法具备第1工序、第2工序以及第3工序。第1工序在掩膜的第2表面形成第1膜。第2工序通过对蚀刻层的第1表面进行蚀刻，将具有蚀刻层的材料的第2膜形成在第1膜上。第3工序通过将第2工序后的基板暴露于处理气体的等离子体,除去第1膜和第2膜。第1膜具有电极材料。处理气体具有氧。
处理方法装置以及系统

[发明专利]对多层膜进行蚀刻的方法-CN201680038175.9有效
发明人：久保卓也;康松润;森本保 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2016-07-15 - 公布日： 2020-12-25 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：在包含由金属磁性材料形成的层的多层膜的蚀刻中抑制多层膜的剥离和/或开裂。在一个实施方式中，在将等离子体处理装置的处理容器的内部的压力设定为比较高的压力即第1压力的状态下，对包含由金属磁性材料形成的层的多层膜进行蚀刻。接着，在将处理容器内部的压力设定为比第1压力低的第2压力的状态下，对多层膜进一步进行蚀刻。
多层进行蚀刻方法

[发明专利]清洁方法和等离子体处理方法-CN201680021741.5有效
发明人：久保卓也;康松润;霜田惠一;大石哲也 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2016-05-02 - 公布日： 2020-10-09 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：提供一种清洁方法，用于清洁对含有金属的膜进行蚀刻的基板处理装置，该清洁方法包括以下工序：第一清洁工序，利用从含有含氢气体的气体生成的等离子体来去除含碳堆积物；第二清洁工序，在所述第一清洁工序之后，利用从非活性气体生成的等离子体来去除含金属的堆积物；以及第三清洁工序，在所述第二清洁工序之后，利用从含有含氟气体和含氧气体的气体生成的等离子体来去除含硅堆积物。
清洁方法等离子体处理

[发明专利]蚀刻方法-CN201880065720.2在审
发明人：久保卓也;康松润 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2018-10-15 - 公布日： 2020-05-26 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明提供一种蚀刻方法。在一实施方式的蚀刻方法中，对具有磁性隧道结层的多层膜进行蚀刻。在该蚀刻方法中，使用等离子体处理装置。等离子体处理装置的腔室主体提供内部空间。在该蚀刻方法中，在内部空间中容纳被加工物。接着，利用内部空间中所生成的第1气体的等离子体对多层膜进行蚀刻。第1气体包含碳及稀有气体，不包含氢。接着，利用内部空间中所生成的第2气体的等离子体进一步对多层膜进行蚀刻。第2气体包含氧及稀有气体，不包含碳及氢。
蚀刻方法

[发明专利]过滤用过滤器的制造方法-CN201180054593.4无效
发明人：守屋刚;片冈宪一;先崎滋;岛贯洋一;狩野和彦;和村有;康松润;西村荣一 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2011-11-08 - 公布日： 2013-07-17 - 主分类号： B01D71/02 文献下载
摘要：本发明提供能方便地得到自来水或淡水的过滤用过滤器的制造方法。对于由硅构成的基板1，使用形成在该基板1的表面上并具有使该表面的一部分露出的多个开口部的掩膜进行蚀刻，在基板1上形成多个直径约100nm的圆孔2，使氧化硅膜3沉积在形成的圆孔2的内表面上，调整因氧化硅膜3而缩小的圆孔2的开口部附近的最小直径部4中的直径D1至1nm～100nm。
过滤过滤器制造方法

[发明专利]硅氧化膜用成膜原料及使用该原料的硅氧化膜的成膜方法-CN201080024500.9无效
发明人： 康松润 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2010-05-27 - 公布日： 2012-11-28 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：本发明在利用CVD法在基板上成膜硅氧化膜时，使用一种硅氧化膜用成膜原料，其由具有羰基的硅氧烷系化合物构成，通过被赋予能量发生分解而CO离去，生成化学结构上不存在悬空键的生成物，且该生成物供于成膜。由此，以良好的阶梯覆盖率成膜硅氧化膜。
氧化膜用成膜原料及使用原料方法

[发明专利]等离子体处理方法和等离子体处理装置-CN201210276306.0无效
发明人：高桥哲朗;藤野丰;户岛宏至;久保敦史;康松润;P·芬泽克;瀬川澄江 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2008-07-10 - 公布日： 2012-11-21 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供等离子体处理方法和等离子体处理装置。当在腔室内配置晶片，在腔室内形成等离子体生成空间，至少使晶片表面与该等离子体生成空间接触的状态下对晶片表面实施等离子体处理时，使等离子体生成空间与晶片的背面侧的至少外周部分接触而实施等离子体处理。
等离子体处理方法装置

[发明专利]蚀刻方法、蚀刻装置和环部件-CN201180005916.0无效
发明人：铃木步太;康松润;守屋刚;寺泽伸俊;冈部祥明 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2011-01-20 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明的蚀刻方法包括：将基板搬入处理容器内并载置于载置台的工序；蚀刻工序，以包围基板的方式配置有环部件的状态下，从与基板对置的气体供给部喷淋状地排出处理气体，并且使处理气体等离子体化，对被蚀刻膜进行蚀刻，其中，所述环部件至少表面部的主成分与被蚀刻膜的主成分为相同材质；和经由排气通道对所述处理容器内抽真空的工序。由此能够抑制基板的周端部附近的等离子体的活性种分布的偏差。
蚀刻方法装置部件

[发明专利]成膜装置-CN201080041115.5无效
发明人：沢田郁夫;康松润;松隈正明;河西繁;森嶋雅人 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2010-08-30 - 公布日： 2012-06-13 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明涉及成膜装置。在密封的处理容器(10)内使反应气体反应而在基板(S)上形成薄膜的成膜装置(1a)中，分隔壁(41)将基板(S)的上方空间在横向分割为等离子体生成空间(401)与排气空间(402)，并且从处理容器(10)的顶部向下方延伸，在其下端与基板S之间形成从等离子体生成空间(401)向排气空间(402)流动气体的缝隙。活化机构(42，43)使供给至等离子体生成空间(401)的第1反应气体活化而生成等离子体。第2反应气体供给部(411，412)向等离子体生成空间(401)的下部侧供给与第1反应气体的活性种反应而在基板上形成薄膜的第2输送气体，真空排气口(23)从比分隔壁(41)的下端高的位置对排气空间(402)进行排气。
装置

[发明专利]等离子体处理装置-CN200980142180.4无效
发明人：沢田郁夫;康松润;河西繁 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2009-11-17 - 公布日： 2011-09-21 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：按照与用于载置基板的载置台对置的方式，将在下表面形成有多个气体喷出孔的气体喷淋头设置在处理容器的顶板上，并且通过介电体来构成该气体喷淋头周围的处理容器的顶板，在该介电体上设置线圈，按照基板上方的处理区域与包围该处理区域的周边区域中的电场成为同相位或者反相位的方式来调整供给到气体喷淋头以及线圈的高频的相位。
等离子体处理装置

[发明专利]等离子体处理装置-CN200980127227.X无效
发明人：泽田郁夫;康松润;河西繁 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2009-07-07 - 公布日： 2011-06-08 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明提供一种通过等离子体对基板进行处理的等离子体处理装置，其包括：处理容器；设置在所述处理容器内用于载置基板的载置台；与所述载置台相对设置的、由在下面形成有向所述处理容器内供给处理气体的多个气体喷出孔的导电性部件构成的气体喷淋头；在包围所述气体喷淋头下方空间的区域中供给用于产生感应耦合型等离子体的高频电流的感应线圈；用于向所述气体喷淋头施加负的直流电压，由此将通过所述感应线圈感应产生的感应电场引入处理区域的中央部一侧的负电压供给单元；和对所述处理容器内进行抽真空的单元。
等离子体处理装置

1
2
下一页»
尾页
共 20 条