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[发明专利]一种等离子体装置-CN201710325963.2有效
发明人：韦刚;苏恒毅;杨京 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2017-05-10 - 公布日： 2021-01-29 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明属于半导体加工技术领域，具体涉及等离子体装置。该装置包括反应腔室和设置于其中的承载装置，还包括栅网和与栅网电连接的栅网电源，栅网设置于承载装置的上方且与反应腔室的腔室壁绝缘，用于将反应腔室隔离为等离子体产生区和等离子体工艺区；且栅网的电位小于等离子体工艺区的电位、等离子体工艺区的电位小于等离子体产生区的电位。该装置可对等离子体产生区中的电子产生减速场，有效降低到达等离子体工艺区的电子的能量，从而有效降低等离子体工艺区等离子体中的电子温度，保证稳定的等离子体源和较高的等离子体密度；该等离子体装置采用连续波产生的等离子体，能降低等离子体产生和射频源匹配控制的难度，保证较大的工艺窗口。
一种等离子体装置

[发明专利]等离子体处理装置及用于运行等离子体处理装置的方法-CN201780063133.5有效
发明人： J·马伊 -专利权人：迈尔博尔格(德国)有限公司
申请日： 2017-10-10 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有处理腔室、至少一对微波等离子体源和至少一个电源的等离子体处理装置。每对微波等离子体源由第一微波等离子体源和第二微波等离子体源组成，其中，第一微波等离子体源和第二微波等离子体源分别具有等离子体源壁部，并且在该等离子体源壁部之内具有微波耦入装置和等离子体电极。第一微波等离子体源和第二微波等离子体源在处理腔室内部布置在一个或多个待处理的衬底的相同的侧上且彼此相邻地布置。第一微波等离子体源和第二微波等离子体源的等离子体电极彼此电绝缘并且与至少一个电源导电地连接。在此，至少一个电源适合于，使第一微波等离子体源和第二微波等离子体源得等离子体电极加载以不同的电势。此外，本发明涉及一种用于运行这样的等离子体处理装置的方法。
等离子体处理装置用于运行方法

[发明专利]一种等离子体产生装置及清洗设备-CN202211389445.4在审
发明人：张鹏;卢礼华;高强;关宇珩;赵航;曹永智;陈家轩 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2022-11-08 - 公布日： 2023-01-20 - 主分类号： B08B7/00 文献下载
摘要：本发明涉及等离子清洗技术领域，提供一种等离子体产生装置及清洗设备，所述等离子体产生装置为内部中空结构，等离子体产生装置适于嵌套在待清洗工件外且与待清洗工件可拆卸式连接，以及，等离子体产生装置适于与待清洗工件合围形成真空室，真空室适于工作气体与等离子体共用，防止等离子体产生装置在产生等离子体过程中与待清洗工件分离，无需等离子体产生装置与待清洗工件发生相对移动，即可促使等离子体对等离子体产生装置和待清洗工件进行大面积清洗，兼顾了待清洗工件在等离子体产生装置中的可拆装性和稳定性，有助于为等离子体扩展清洗面积和降低等离子体大面积清洗待清洗工件的难度。
一种等离子体产生装置清洗设备

[发明专利]一种等离子体处理装置-CN202011278984.1在审
发明人：邱勇;张鹏兵;陈世名 -专利权人：上海谙邦半导体设备有限公司
申请日： 2020-11-16 - 公布日： 2021-01-22 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：一种等离子体处理装置，包括：反应腔主体，所述反应腔主体的顶部设置有等离子体通道板组件；所述等离子体通道板组件包括：等离子体通道板；位于等离子体通道板侧部的定位件，所述定位件的弹性模量小于所述等离子体通道板的弹性模量；位于所述等离子体通道板上方的等离子体发生单元。所述等离子体处理装置能够避免等离子体通道板在高温条件下损伤。
一种等离子体处理装置

[实用新型]一种等离子体处理装置-CN202022643438.5有效
发明人：邱勇;张鹏兵;陈世名 -专利权人：上海谙邦半导体设备有限公司
申请日： 2020-11-16 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：一种等离子体处理装置，包括：反应腔主体，所述反应腔主体的顶部设置有等离子体通道板组件；所述等离子体通道板组件包括：等离子体通道板；位于等离子体通道板侧部的定位件，所述定位件的弹性模量小于所述等离子体通道板的弹性模量；位于所述等离子体通道板上方的等离子体发生单元。所述等离子体处理装置能够避免等离子体通道板在高温条件下损伤。
一种等离子体处理装置

[发明专利]等离子体发生装置-CN201380081635.2有效
发明人：朴宰范 -专利权人：应用等离子体株式会社
申请日： 2013-12-11 - 公布日： 2018-10-26 - 主分类号： H05H1/34 文献下载
摘要：本发明公开等离子体发生装置。根据本发明一实施例的等离子体发生装置包括：等离子体发生模块，用于发生等离子体；以及旋转体，具有至少一个等离子体喷嘴，上述至少一个等离子体喷嘴用于将通过上述等离子体发生模块发生的等离子体吹向外部，上述旋转体与上述等离子体发生模块分开设置，且以能够旋转的方式配置于上述等离子体发生模块的外侧。
等离子体发生装置

[发明专利]等离子体观测系统和等离子体观测方法-CN202110054765.3在审
发明人：山崎良二;宫下大幸;佐藤幹夫 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2021-01-15 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供一种等离子体观测系统和等离子体观测方法，用于进行处理容器内的等离子体的观测地点的确定和观测地点的等离子体的状态的判定。所述等离子体观测系统具有：等离子体处理装置，在该等离子体处理装置的处理容器内通过等离子体对基板进行处理；以及测定装置，其测定所述等离子体，其中，所述等离子体处理装置具有多个观测窗，所述多个观测窗能够观测所述处理容器中等离子体的发光状态，所述测定装置具有：受光器，其从多个观测窗接受在所述处理容器内交叉的多个光；以及控制部，其基于接受到的多个光来进行等离子体的观测地点的确定和所述观测地点的等离子体的状态判定。
等离子体观测系统方法

[发明专利]等离子体感测装置、等离子体监测系统和等离子体工艺控制方法-CN201910564522.7在审
发明人：朴宪勇;裴祥佑;李瑟琪;朱愿暾 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-06-26 - 公布日： 2020-03-17 - 主分类号： H01J37/244 文献下载
摘要：一种等离子体监测系统包括执行等离子体工艺的等离子体室、第一等离子体感测装置和第二等离子体感测装置以及控制器。第一等离子体感测装置和第二等离子体感测装置分别位于相对于等离子体室中的监测等离子体平面的中心点彼此垂直的第一水平方向和第二水平方向上。第一等离子体感测装置和第二等离子体感测装置基于在第一水平方向上从监测等离子体平面照射的第一入射光束和在第二水平方向上从监测等离子体平面照射的第二入射光束，产生关于监测等离子体平面的第一检测信号和第二检测信号控制器通过基于第一检测信号和第二检测信号执行卷积运算来检测关于监测等离子体平面的二维等离子体分布信息，并基于二维等离子体分布信息控制等离子体工艺。
等离子体装置监测系统工艺控制方法

[实用新型]大气常压差分输出激励低温等离子体玻璃清洗装置-CN201620929248.0有效
发明人：陈选章;万良淏 -专利权人：南京苏曼等离子科技有限公司
申请日： 2016-08-24 - 公布日： 2017-05-03 - 主分类号： B08B11/04 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种等离子体清洗设备，具体为一种大气常压差分输出激励低温等离子体玻璃清洗装置，包括低温等离子体激励部分和低温等离子体发生装置；所述低温等离子体激励部分包括低温等离子体电源发生器，低温等离子体变压器；低温等离子体发生装置包括两只电极，所述低温等离子体电源发生器通过等离子体变压器与两只等离子体电极相连；低温等离子体发生装置还包括低温等离子体电极间隙调整装置、等离子体电极固定端板、整体金属方形支架，和散热排风的接口
大气常压输出激励低温等离子体玻璃清洗装置

[发明专利]等离子体分布监测装置及方法-CN202010831196.4在审
发明人：杨宏旭 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2020-08-18 - 公布日： 2020-11-27 - 主分类号： H05H1/00 文献下载
摘要：本申请涉及半导体技术领域，具体涉及一种等离子体分布监测装置及方法。等离子体分布监测装置包括：电压可调电源和多个等离子体探针，多个等离子体探针对称地分布在等离子刻蚀机反应室的外周；等离子体探针包括工作端和检测端；电压可调电源连接等离子体探针的检测端，用于给等离子体探针施加可变电压；等离子体探针的工作端伸入等离子刻蚀机的反应室中，用于探测反应室中的等离子体。本申请提供的等离子体分布监测装置及方法，通过多个等离子体探针在各个位置，对称地探测反应室中的等离子体，能够多方位判断等离子体在反应室中的分布情况，为判断等离子体分布均匀性的判断提供依据。
等离子体分布监测装置方法

[发明专利]等离子体刻蚀装置-CN201911000922.1在审
发明人：赵博超;施洋;郑江楠 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2019-10-21 - 公布日： 2020-01-24 - 主分类号： H01J37/147 文献下载
摘要：本申请涉及半导体加工设备技术领域，具体涉及一种等离子体刻蚀装置。本申请实施例提供了一种等离子体刻蚀装置，包括反应腔，反应腔内设置有:静电吸盘，静电吸盘用于吸附待处理晶片；等离子体束释放口，等离子体束缚口用于形成轰击待处理晶片的等离子体束；电场发生器，电场发生器用于产生电场；当等离子体刻蚀装置工作时，反应腔内形成有磁场，磁场沿着等离子体束的径向延伸；电场沿等离子体束的轴向延伸。本申请通过电场轴向穿过等离子体束，磁场径向穿过等离子体束，从而使得等离子体束中会形成环向等离子体流，使得等离子体束中的等离子体分布均匀，提高等离子体束的稳定性。
等离子体束等离子体刻蚀装置电场反应腔待处理晶片电场发生器静电吸盘磁场申请半导体加工设备等离子体分布等离子体等离子体流磁场径向径向延伸轴向穿过轴向延伸释放口轰击环向吸附穿过束缚

[发明专利]原子态等离子体形成装置及其应用-CN201910189788.8在审
发明人：刘新宇;尤楠楠;王盛凯;白云 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2019-03-13 - 公布日： 2019-06-18 - 主分类号： H05H1/46 文献下载
摘要：本发明提供了一种原子态等离子体形成装置及其应用。该装置包括：微波等离子体反应单元，用于通过微波能量耦合待激发气体以激发产生等离子体火球；气压控制单元，与微波等离子体反应单元连通，用于向微波等离子体反应单元中输送待激发气体；原子态控制单元，分别与微波等离子体反应单元以及气压控制单元连通，用于对等离子体火球产生气体扰动以调控原子态等离子体与分子态等离子体的激发比例。该装置借助气体扰动，使等离子体维持在初期的原子态，实现了对原子态等离子体与分子态等离子体激发比例的调控；并且，该装置若不启动气体扰动，在等离子体起辉后，反应腔内将维持分子态等离子的激发，从而实现分子态等离子和原子态等离子的调控激发
原子态等离子体微波等离子体反应单元分子态气体扰动等离子等离子体形成装置等离子体火球气压控制单元激发激发气体连通调控等离子体激发等离子体起辉微波能量耦合反应腔应用

[发明专利]基于大气压冷等离子体的茶叶农残降解与消毒装置及方法-CN202110423841.3有效
发明人：赵彤;王梓宸;邹亮;王晓龙;张远涛;孙滢;吕悦 -专利权人：山东大学
申请日： 2021-04-20 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H05H1/24 文献下载
摘要：本公开公开的基于大气压冷等离子体的茶叶农残降解与消毒装置及方法，包括：等离子体处理仓和大气压冷等离子体制备装置，大气压冷等离子体制备装置与等离子体射流阵列连接，等离子体射流阵列经旋转驱动装置安装于等离子体处理仓内壁上，旋转驱动装置驱动等离子体射流阵列沿等离子体处理仓径向摆动，大气压冷等离子体制备装置制备的大气压冷等离子体经等离子体射流阵列进入等离子体处理仓内，对茶叶进行农残降解与消毒杀菌。利用大气压冷等离子体对茶叶进行农残降解及杀菌消毒，实现了茶叶表面农药残留的降解以及细菌真菌等微生物的杀灭，同时不会对茶叶本身状态与口感产生破坏。
基于大气压等离子体茶叶降解消毒装置方法

[发明专利]尘埃等离子体生成系统-CN201910348396.1有效
发明人：李海龙;龙俊凯;王茂琰;王彬;殷勇;蒙林;袁学松 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-04-28 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： H05H1/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种尘埃等离子体生成系统，属于尘埃等离子体领域。该尘埃等离子体生成系统包括尘埃等离子体射流装置；尘埃等离子体射流装置分别与用于将其内部气体喷射至尘埃等离子体射流装置的气体装置、用于电离进入尘埃等离子体射流装置内的气体的电离装置、用于将其内部尘埃喷出与流经尘埃等离子体射流装置的电离后的气体混合而形成尘埃等离子体的尘埃装置及用于对尘埃等离子体进行电子密度检测的密度检测装置连接；气体装置、电离装置、尘埃装置和密度检测装置分别与控制装置连接。
尘埃等离子体生成系统

[发明专利]等离子体发生装置和等离子体头冷却方法-CN201880096922.3有效
发明人：泷川慎二;丹羽伦子;神藤高广 -专利权人：株式会社富士
申请日： 2018-08-28 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H05H1/28 文献下载
摘要：等离子体发生装置具备：等离子体头，放出被等离子体化的等离子体气体；气体供给装置，将成为等离子体气体的气体供给至等离子体头；一对电极，设置于等离子体头，对从气体供给装置供给的气体的一部分进行放电而成为等离子体气体；温度传感器，设置于等离子体头，对等离子体头的温度进行计测；及控制装置，控制装置执行如下冷却处理：在使一对电极的放电停止之后，使气体供给装置持续供给气体来进行等离子体头的冷却，直至温度传感器计测到预定值以下的温度为止
等离子体发生装置冷却方法