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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种MIS-HEMT器件的热电子效应测试结构及其表征方法-CN201910172827.3有效
发明人：郑雪峰;马晓华;李纲;王小虎;陈管君;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2019-03-07 - 公布日： 2021-09-21 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明涉及一种MIS‑HEMT器件的热电子效应测试结构，包括：底层(15)、势垒层(4)、绝缘层(5)、源极(7)、栅极(8)、漏极(9)、第一掺杂区(11)、第二掺杂区(12)、电极A(13)和电极B本实施例提供了一种热电子注入数量与能量可控技术的热电子效应测试结构及其表征方法，通过调整偏置电压来控制势垒层中热电子的注入数量，并通过调整偏置电压来控制势垒层中热电子的注入能量，解决了器件热电子注入数量和注入能量的不可控，以及非均匀注入势垒层等问题，有助于对MIS‑HEMT器件的热电子效应进行深入分析。
一种 mis hemt 器件电子效应测试结构及其表征方法

[发明专利]基于HEMT器件的热电子效应测试结构及其表征方法-CN201910177938.3有效
发明人：郑雪峰;李纲;王小虎;陈管君;马晓华;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2019-03-07 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于HEMT器件的热电子效应测试结构，包括：衬底(1)、成核层(2)、缓冲层(3)、势垒层(4)、栅极(5)、源极(6)、漏极(7)、第一掺杂区(9)、第二掺杂区(10)、电极A(11)和电极本实施例提供了一种热电子注入数量与能量可控技术的基于HEMT器件的热电子效应测试结构及其表征方法，通过调整电压Va和Vb来控制势垒层中热电子的注入数量，并通过调整电压Va来控制势垒层中热电子的注入能量，解决了器件热电子注入数量和注入能量的不可控，以及非均匀注入势垒层等问题，有助于对异质结器件中的热电子效应进行深入分析。
基于 hemt 器件电子效应测试结构及其表征方法

[发明专利]基于化合物材料MISFET器件的热电子效应表征方法-CN201910173484.2有效
发明人：郑雪峰;李纲;王小虎;陈管君;马晓华;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2019-03-07 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于MISFET器件热电子效应的测试结构，包括：衬底(1)、P型外延层(2)、绝缘层(3)、钝化层(4)、栅极(5)、第一N+掺杂区(6)、源极(7)、漏极(8)、P+掺杂区(9)、第二N本实施例提供了一种热电子注入数量与能量可控技术的异质结器件测试结构和热电子效应表征方法，通过调整电压Va和Vb来控制绝缘层中热电子的注入数量，并通过调整电压Va来控制绝缘层中热电子的注入能量，解决了器件热电子注入数量和注入能量的不可控，以及非均匀注入绝缘层等问题，有助于对异质结器件中的热电子效应进行深入分析。
基于化合物材料 misfet 器件电子效应表征方法

[发明专利]一种基于LTPS的COMS器件及其制作方法-CN201610794123.6在审
发明人：石龙强 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2016-08-31 - 公布日： 2016-11-30 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于LTPS的COMS器件及其制作方法，该器件包括NMOS型LTPS，其中，在NMOS型LTPS的沟道内设置有用以降低电子在沟道内流通速度的PN结，用以避免热电子效应。本发明可以降低电子流通速度，避免热电子效应。
一种基于 ltps coms 器件及其制作方法

[发明专利]基于异质结器件热电子效应测试结构及表征方法-CN202011314832.2在审
发明人：郑雪峰;马晓华;龚星星;张豪;王冲;曹艳荣;马佩军;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2020-11-20 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供一种基于异质结器件热电子效应测试结构及表征方法，主要解决器件源漏沟道区不同位置处热电子效应难以定量表征的问题。其实现方案是在待测异质结器件上制备辅助测试结构形成测试图形。即位于源极和漏极之间势垒层中的一系列规格一致的欧姆接触电极，然后对被测异质结器件施加热电子应力，依次测量辅助测试结构中每个欧姆电极到地的电压，最后将相邻电极的电压差值除以其导通电流，即得到异质结器件沟道区不同位置处的沟道电阻，进而得到沟道区不同位置处的热电子数量。
基于异质结器件电子效应测试结构表征方法

[发明专利]分离栅极式存储器、半导体器件及其制作方法-CN201410356810.0在审
发明人：张凌越 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2014-07-24 - 公布日： 2014-10-08 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：分离栅极式存储器额外设置一擦除栅，并将控制栅与擦除栅分别置于浮栅两侧，采用上述结构时，擦除操作不再由控制栅进行，而是由擦除栅进行，因而控制栅所需加的电压可以降低，如此可以减少沟道区的热电子效应，进而可以避免热电子效应引起的存储器件退化
分离栅极存储器半导体器件及其制作方法

[实用新型]一种异质非对称栅叠加外延层MOS场效应管-CN201920828659.4有效
发明人：赵剑飞;渠开放;王伟 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2019-06-03 - 公布日： 2019-11-12 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种异质非对称栅叠加外延层MOS场效应管，包括源极、漏极、栅极、沟道及栅氧化层，栅极包括栅极中间及靠近源极漏极的栅极两端，栅极两端材料的功函数低于栅极中间材料的功函数；沟道包括沟道中间及靠近源极漏极的沟道两端本实用新型可作为一种耐热电子器件，即使较短的沟道，也能降低短沟道效应和热电子效应，降低漏感应势垒降低效应，提高栅极输运效率。
沟道氧化层区漏极外延层叠加本实用新型电介质材料叠加结构非对称栅高电介质栅氧化层功函数靠近源衬底异质短沟道效应热电子效应电子器件中间材料耐热势垒输运源极

[发明专利]栅控混合管及其制备方法-CN98100228.5有效
发明人：黄如;张兴;王阳元 -专利权人：北京大学
申请日： 1998-01-13 - 公布日： 2001-03-07 - 主分类号： H01L29/96 文献下载
摘要：一种栅控混合管，在现有栅控混合管的漏区与林区之间增加一个轻掺杂漏区；以及制备该种栅控混合管的方法，通过注入退火，杂质横向推进形成沟道，增加基区注入；降低了Ｅａｒｌｙ效应，提高了器件的击穿电压，减小热电子效应，减弱特性退化；在不需要亚微米工艺的条件下实现深亚微米器件的制备，解决了普通ＢＪＴ中电流增益与Ｅａｒｌｙ效应之间的矛盾以及沟道长度、电流增益与击穿电压之间的矛盾，适用于深亚微米电源及模拟电路等。
混合及其制备方法

[发明专利]一种光致热电子与光子协同发射制冷的方法及装置-CN202110074275.X有效
发明人：郑光华;王关晴;陈翔翔;黄雪峰;徐江荣 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2021-01-20 - 公布日： 2022-05-03 - 主分类号： F25B21/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种光致热电子与光子协同发射制冷的方法与装置。阴极体吸收光源光子和热源热能，内部价带束缚电子跃迁至导带成为热电子。部分热电子在电压源提供的电场力作用下，携带能量发射至真空并被传导至阳极体；部分热电子通过与价带空穴的复合作用产生光子，光子携带能量离开阴极体，与碱金属蒸气碰撞产生等离子体，减弱负空间电荷效应并增强热电子发射通过热电子与光子协同发射的方式，阴极体吸收热源的能量使其温度下降，实现制冷。本发明充分利用电子和光子两种传能工质，具有更佳的热交换特性，使得制冷装置的可使用温度更低，应用范围更广，具有良好的经济效应和社会效益。
一种光致热电子光子协同发射制冷方法装置

[发明专利]一种基于Ag NPs促进苯甲酸类衍生物电离的方法-CN201911028198.3有效
发明人：夏立新;杨艳秋;宋朋;赵元春 -专利权人：辽宁大学
申请日： 2019-10-28 - 公布日： 2021-07-20 - 主分类号： C07C319/12 文献下载
摘要：而且本发明明确了电子的流向。更重要的是本发明基于吸电子效应对热电子的产生进行了调控，促使体系产生更多的热电子，实现了常规上在有机化学中不能发生的反应。
一种基于 ag nps 促进苯甲酸衍生物电离方法

[发明专利]一种热电子效应红外探测器-CN202211232712.7在审
发明人：王启胜;邱梦春;王立;邹述财 -专利权人：南昌大学
申请日： 2022-10-10 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： H01L31/0203 文献下载
摘要：本发明公开了一种热电子效应的红外探测器，包括红外探测器件，管座，管帽，所述红外探测器件包括基底，铅盐半导体薄膜，金属导电电极，钝化层，金属反射层，所述红外探测器器件基底使用绝缘胶固定在管座中心，所述金属导电电极使用金属丝焊接到所述管座的管脚上
一种电子效应红外探测器

[发明专利]具有双热电子源的离子源及其热电子产生方法-CN201710500979.2有效
发明人：粘俊能 -专利权人：晨硕国际有限公司
申请日： 2017-06-27 - 公布日： 2020-07-28 - 主分类号： H01J37/08 文献下载
摘要：本发明公开一种具有双热电子源的离子源及其热电子产生方法，该方法主要调降提供予一电弧室本体的电弧电源的电压，使该电压落在20V至45V电压范围之间，令热电子及离子通过该本体分别与该第一及第二热电子源之间的加速电场后的能量减弱；其中低能量的离子对各该第一及第二热电子源造成的喷溅效应可较和缓，以延长了各该第一及第二热电子源的使用寿命，而低能量的热电子则可避免热电子多次撞击已离子化的离子，有效减少不必要的二价或三价带正电的离子，
具有电子离子源及其产生方法

[发明专利]一种调控金纳米棒长度的方法-CN202310573759.8在审
发明人：李婉怡;徐韩昆;李阳;朱琳;张子佳;潘维晟 -专利权人：无锡学院
申请日： 2023-05-22 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： B22F1/054 文献下载
摘要：本发明调控金纳米棒长度的方法在制备金纳米棒完成后进行，主要利用金属SPR效应以及热电子效应实现金纳米棒氧化，通过控制近紫外和/或可见光的光强、照射时间等参数实现控制金纳米棒的长度，同时保持其直径基本不变
一种调控纳米长度方法

[实用新型]具有双热电子源的离子源-CN201720756660.1有效
发明人：粘俊能 -专利权人：粘俊能
申请日： 2017-06-27 - 公布日： 2018-03-30 - 主分类号： H01J37/08 文献下载
摘要：本实用新型公开一种具有双热电子源的离子源，包含一电弧室及一电源供应装置；其中该电源供应装置的一低压电弧电源供应单元耦接并输出一电压至该电弧室的本体及其两侧的第一及第二热电子源；该电压落在20V至45V电压范围之间，令热电子及离子通过由此电压建立的加速电场后，其能量减弱；该低能量的离子对各该第一及第二热电子源造成的喷溅效应可较和缓，以延长了各该第一及第二热电子源的使用寿命，而低能量的热电子则可避免热电子多次撞击已离子化的离子
具有电子离子源

[发明专利]热电子增强离子渗硼装置及工艺-CN200510012311.0无效
发明人：秦林;李咏梅;范爱兰;唐宾 -专利权人：太原理工大学
申请日： 2005-01-07 - 公布日： 2005-06-29 - 主分类号： C23C8/68 文献下载
摘要：一种热电子增强离子渗硼装置及工艺，属于金属材料表面化学热处理工艺技术的范畴，是在黑色金属和有色金属的表面利用空心阴极效应及热电子发射效应，进行离子渗硼与硼－金属共渗的技术和装置。空心阴极效应及热电子发射效应效应，加强了硼的渗入及可控性。以硼铁、硼钛、硼铬、硼镍等为硼化物源极材质，实现渗硼和硼－钛、硼－铬、硼－镍共渗。
电子增强离子装置工艺

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