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[发明专利]场效应晶体管制造方法-CN200910195617.2有效
发明人：董耀旗;孔蔚然 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2009-09-07 - 公布日： 2011-04-13 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种具有非对称栅介质层的场效应晶体管的制造方法，包括：提供半导体衬底；在半导体衬底上形成覆盖部分表面的掩膜层；对半导体衬底进行氮注入；去除所述掩膜层，在半导体衬底上通过高温热氧化法形成非对称的栅介质层；在非对称栅介质层表面形成栅电极；刻蚀部分栅电极以及栅介质层，形成栅极；在栅极两侧的半导体衬底内形成源极以及漏极。本发明通过氮注入使得半导体衬底表面不同区域在高温热氧化时，氧化硅生长速度不同，从而形成非对称的栅介质层。与现有技术相比，形成非对称栅介质层的过程仅需一次热氧化生长，并且减少使用掩膜、光刻的步骤，大幅简化工艺流程。
场效应晶体管制造方法

[发明专利]一种获取非对称装置栅的堆叠电容的方法-CN201510173295.7有效
发明人：陈金明;黄艳;黄威森 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2015-04-13 - 公布日： 2019-03-12 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种获取非对称装置栅堆叠电容的方法，通过提供一设置的源漏极的特性尺寸均与待测的非对称MOS器件上的源极或漏极尺寸相同的对称MOS器件，以使得该对称MOS器件的Cgs和Cgd均与该待测非对称结构的Cgs或Cgd相等，并利用该对称MOS器件的Cgc与Vgs之间的关系曲线特征来获取该非对称器件结构的栅堆叠电容值，即获取该对称MOS器件的Cgs和Cgd的值，相应的也就获得了待测非对称结构的Cgs或Cgd的值，并进一步利用待测非对称MOS器件的Cgc与Vgs之间的关系曲线特征和待测非对称结构的Cgs或Cgd的值，以精准的获取该待测非对称结构的栅堆叠电容值。
一种获取对称装置堆叠电容方法

[发明专利]非对称SiC沟槽结构及其制作方法、电子器件-CN202310149073.6有效
发明人：李良;王宽;王浙辉;柳俊;肖科 -专利权人：湖北九峰山实验室
申请日： 2023-02-21 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本申请公开了一种非对称SiC沟槽结构及其制作方法、电子器件，通过光刻和刻蚀形成非对称SiC沟槽结构，使该非对称SiC沟槽结构的一侧边为倾斜面，另一侧边为直立面。在后续制作电子器件的过程中采用该非对称SiC沟槽结构，使得非对称SiC沟槽的底部与P+区的距离减小从而更好的被P+区保护，实现降低栅氧中的最大场强，提高栅氧的可靠性，防止栅氧被提前击穿的目的。
对称 sic 沟槽结构及其制作方法电子器件

[发明专利]一种非对称双栅结构MOSFET阈值电压解析方法-CN201810081144.2有效
发明人：辛艳辉;袁合才 -专利权人：华北水利水电大学
申请日： 2018-01-23 - 公布日： 2021-08-10 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种非对称双栅结构MOSFET阈值电压解析方法，本发明根据非对称双栅结构和渐变掺杂沟道的特点，得到一定的边界条件。假设前栅沟道和背栅沟道均处于弱反型状态，基于沟道表面势抛物线近似的假设，通过二维泊松方程和边界条件，计算出前栅、背栅的表面电势。在此基础上，根据阈值电压的定义，推导得到前栅、背栅的阈值电压解析式，其中前栅、背栅的阈值电压较小者为该结构的阈值电压解析式。该方法也可以推广于非对称双栅均匀掺杂沟道、对称双栅均匀掺杂沟道、对称双栅渐变掺杂沟道等结构。该方法精度高、物理概念清晰，为模拟软件在研究双栅场效应晶体管器件时提供了一种快速的工具。
一种对称结构 mosfet 阈值电压解析方法

[发明专利]高性能双栅闩锁-CN02805179.3有效
发明人： K·伯恩斯泰恩;E·J·诺瓦克 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2002-02-07 - 公布日： 2004-04-28 - 主分类号： H03K3/356 文献下载
摘要：提供了一种供非对称双栅互补金属氧化物半导体(DGCMOS)器件用作闩锁的差分电路。具体地，此差分电路包括一个具有紧连输入电路的弱栅和用于交叉耦合的强栅的非对称DGCMOS器件。
性能双栅闩锁

[发明专利]垂直非对称环栅MOSFET器件的结构及其制造方法-CN201210381165.9有效
发明人：王颖;单婵;曹菲;邵雷 -专利权人：哈尔滨工程大学
申请日： 2012-10-10 - 公布日： 2013-02-13 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供的是一种垂直非对称环栅MOSFET器件的结构及其制造方法。包括底层n型硅晶圆衬底101，漏区111位于器件的最低端；在衬底101上外延生长漏扩展区106，沟道区107，和源区108，栅氧化层109包围整个沟道区107，在栅氧化层109上淀积多晶硅栅110。本发明本提供一种有效抑制短沟道效应的作用的垂直非对称环栅MOSFET结构，还提供一种可以简化工艺流程，灵活控制栅长和硅体区厚度的垂直非对称环栅MOSFET的制造方法。
垂直对称 mosfet 器件结构及其制造方法

[实用新型]一种防短路蓄电池板栅结构-CN201721649897.6有效
发明人：杨少华;方亮;邵永刚 -专利权人：安徽艾克瑞德科技有限公司
申请日： 2017-12-01 - 公布日： 2018-08-03 - 主分类号： H01M4/73 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种防短路蓄电池板栅结构，包括板栅边框和设于板栅边框内的横筋条与竖筋条，所述板栅边框的边角为非对称结构的边角。本实用新型板栅左右对称位置的边角采用非对称的结构设计，板栅制作成极板后在装配时，正负极板的边角不会同时挤压隔板的同一个位置，有效减少极板边角刺破隔板造成短路的风险。
边角板栅边框隔板本实用新型蓄电池板栅防短路板栅极板左右对称位置非对称结构有效减少正负极板非对称横筋条竖筋条短路刺破装配挤压制作

[发明专利]一种基于非对称幅相补偿结构的噪声抵消放大器及接收机-CN202210554260.8在审
发明人：韩畅轩;邓至贤;舒一洋;钱慧珍;罗讯 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-05-20 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： H03F1/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于非对称幅相补偿结构的噪声抵消放大器及接收机，非对称幅相补偿结构的噪声抵消低噪声放大器包括输入单元；输出单元；共栅放大链路，耦接在所述输出单元和所述输入单元之间；共源放大链路，与所述共栅放大结构并接在所述输出单元和所述输入单元之间；其中，所述输出单元包括四合一非对称幅度相位补偿功率合成变压器，所述四合一非对称幅度相位补偿功率合成变压器合并所述共栅放大结构的第一信号和所述共源放大结构的第二信号，并抵消匹配引入的额外噪声；由于微波频段频段复杂的寄生参数影响，在实际电路中共栅放大链路和共源放大链路很难保证幅度与相位的平衡；因此，通过四合一非对称功率合成变压器来实现带有幅度相位补偿的两路信号合成，提高噪声抵消效果。
一种基于对称补偿结构噪声抵消放大器接收机

[发明专利]一种非对称栅场效应晶体管-CN03104666.5无效
发明人：杨胜齐;何进;黄如;王文平;张兴;王阳元 -专利权人：北京大学
申请日： 2003-02-20 - 公布日： 2004-08-25 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种非对称栅场效应晶体管，目的是提供一种非对称栅场效应晶体管，它可以形成很好的沟道电场分布和电子速度分布，抑制器件的短沟效应、同时提高沟道内载流子的速度，提高器件的驱动电流、跨导及截止频率，本发明的技术方案是：一种非对称栅场效应晶体管，包括栅氧化层、源端、漏端和衬底在内的场效应晶体管本体，在衬底的两端置有所述源端和漏端，在源端和漏端之间的衬底上置有栅氧化层，栅氧化层分为两部分，一部分靠近源端，一部分靠近漏端，靠近源端部分的栅氧化层厚度大于靠近漏端的栅氧化层厚度。本发明非对称栅场效应晶体管在特征尺寸缩小以后，仍然可以有效地抑制器件的DIBL效应，改善器件的短沟道特性，是深亚微米器件的一个很好选择。
一种对称场效应晶体管

[发明专利]轴流汽轮机用非对称隔板静叶栅和喷嘴组内非对称叶片-CN201010227259.1有效
发明人：徐星仲;徐克鹏;陈青;李宝清;王胜利;史延馥;陈春峰;张建英 -专利权人：北京全四维动力科技有限公司
申请日： 2010-07-07 - 公布日： 2011-05-11 - 主分类号： F01D9/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种轴流汽轮机用非对称隔板静叶栅和喷嘴组内非对称叶片，涉及轴流汽轮机技术，该隔板静叶栅和喷嘴组中的叶片为轴向非对称、周向非均匀设计，通过调整进汽段的角度来适应非均匀的蒸汽来流方向，可以顺利引导非均匀的气流进入叶栅通道，有效降低因非均匀来流导致的静叶进口攻角损失，并改善叶栅中及叶栅出口气流分布的均匀性，提高通流效率；同时可减少由气流非均匀性导致的非定常激振力，提高汽轮机叶片运行的安全可靠性。本发明的结构适用于轴流汽轮机中各种存在严重非均匀蒸汽来流的级，如喷嘴配汽的调节级、部分进汽度较小的压力级、存在较大量非调整抽汽的抽汽口后级、非对称进汽的再热第一级、存在大量补汽的压力级。
轴流汽轮机对称隔板静叶栅喷嘴组内非叶片

[发明专利]MOS晶体管及其制作方法-CN201010606342.X有效
发明人：于伟泽;尹海洲 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2010-12-24 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种MOS晶体管及其制作方法，所述制作方法包括以下步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底上具有栅介质层，伪栅，以及所述伪栅两侧的半导体衬底内的源区重掺杂区和漏区重掺杂区，其中，所述伪栅两侧还具有栅极侧墙；去除伪栅以在栅极侧墙内形成栅沟槽；在所述栅沟槽内靠近源区的一侧形成栅极；以所述栅极为掩膜在栅沟槽下方形成漏区LDD区。本发明提供的MOS晶体管及其制作方法中，所述栅极为非对称的结构，即仅位于栅沟槽内靠近源区一侧，在制作过程中，利用非对称的栅极作为掩膜，可以形成非对称的LDD区，省去了一道光刻工艺，能够降低制作成本，而且也可以缩小器件所占面积
mos 晶体管及其制作方法

[发明专利]晶体管及其制造方法-CN200910249095.X有效
发明人：尹海洲;骆志炯;朱慧珑 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2009-12-31 - 公布日： 2011-07-06 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：非对称替代的金属栅形成非对称界面层，在漏极侧较薄而在源极侧较厚。在较薄的漏极侧，短沟道效应比较重要，非对称的界面层有利于控制短沟道效应；在较厚的源极侧，载流子迁移率对器件影响较大，非对称的界面层可以避免载流子迁移速率下降。此外，非对称替代的金属栅也可以形成非对称的金属功函数。
晶体管及其制造方法

[发明专利]一种非对称栅MOS器件及其制备方法-CN201110106296.1有效
发明人：吴东平;胡成;朱伦;朱志炜;张世理;张卫 -专利权人：复旦大学
申请日： 2011-04-26 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种非对称栅MOS器件，其栅极为金属栅，且所述金属栅的功函数在所述MOS器件的源端与漏端不同，从而使得MOS器件的整体性能参数更加优化；同时，还公开了一种非对称栅MOS器件的制备方法，该方法通过对
一种对称 mos 器件及其制备方法

[发明专利]具有非对称沟道结构的功率MOS器件-CN01817020.X有效
发明人：斯坦利·J·柯罗德津斯基 -专利权人：先进电力技术公司
申请日： 2001-08-08 - 公布日： 2004-05-12 - 主分类号： H01L29/74 文献下载
摘要：一种功率MOSFET型器件，可包括具有相同正向转移特性的IGBT或其它VDMOS，以非对称沟道形成，使在器件的不同部分产生不同栅压阈特性。不同的栅压阈特性(V_TH1，V_TH2)可通过在栅氧化层(24)下面，或以不同源极区域的掺杂浓度(28(1)，28(2))，或不同体区的掺杂浓度(22(1)，22(2))，或通过非对称栅氧化层(24(1)，24(2))的厚度(T1，T2)来实现。多个具有非对称沟道的功率MOSFET器件可很容易地安全地运用于并行的线性功率放大电路中。
具有对称沟道结构功率 mos 器件

[发明专利]具有低导通电阻的半导体器件结构及其制造方法-CN201810259323.0有效
发明人：张在亨;池熺奂;孙振荣 -专利权人：美格纳半导体有限公司
申请日： 2018-03-27 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：该半导体器件包括：第一P型阱区和非对称的第二P型阱区，每个阱区均形成在半导体衬底中；形成在衬底上的栅极绝缘层和栅电极；形成在栅电极的相应侧的第一N型源极/漏极区和第二N型源极/漏极区；以及N型非对称LDD区，其被形成为从第二源极/漏极区延伸，其中，非对称的第二P型阱区包围第二N型源极/漏极区和非对称LDD区，并且第一N型源极/漏极区接触不对称的第二P型阱区和衬底两者，并且非对称的第二P型阱区被形成为包围第二
具有通电半导体器件结构及其制造方法

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