专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
专利下载VIP
公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
更多 »
专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
更多 »
钻瓜专利网为您找到相关结果727个,建议您升级VIP下载更多相关专利
  • [发明专利]MOM电容失配模型及其提取方法-CN201811581776.1有效
  • 张瑜;商干兵;王斐 - 上海华力集成电路制造有限公司
  • 2018-12-24 - 2023-08-18 - G06F30/398
  • 本发明涉及一种MOM电容失配模型,涉及半导体集成电路,所述MOM电容失配模型为:mis_main=f(mis_geo,mis_lay)=’(mis_a*(((mis_geo‑mis_b)**2+1e‑18)**0.5+mis_geo)+mis_c*(((mis_geo‑mis_b)**2+1e‑18)**0.5‑mis_geo)+mis_d+mis_e*power(mis_lay,mis_f))*mis_con’其中,mis_geo代表MOM电容尺寸,mis_lay代表MOM结构的金属层数,mis_a、mis_b、mis_c和mis_d为与MOM电容尺寸相关的参数,mis_e和mis_f为与MOM结构的金属层数相关的参数,mis_con’=f(w,l,nr,s,mis_lay,V,T)为基本的MOM电容模型,其中w为MOM电容版图中每个金属层的宽度,L为MOM电容版图中每个金属层的长度,nr为每一电极包括的金属层的个数
  • mom电容失配模型及其提取方法
  • [发明专利]显示装置和显示装置的制造方法-CN200710185194.7无效
  • 野田刚史;贺茂尚广;新本秀明 - 株式会社日立显示器
  • 2007-11-12 - 2008-05-21 - H01L27/12
  • 本发明提供一种显示装置,形成在基板的第一区域的第一MIS晶体管和形成在与所述第一区域不同的第二区域的第二MIS晶体管分别在所述基板和所述半导体层之间具有栅电极,所述第一MIS晶体管的所述半导体层只由非晶半导体构成,所述第二MIS晶体管的所述半导体层包括多晶半导体,所述第二MIS晶体管的栅电极比所述第一MIS晶体管的栅电极薄。在形成有半导体层为非晶半导体的MIS晶体管和半导体层包括多晶半导体的MIS晶体管的显示装置中,在各MIS晶体管采用底栅结构时,能使由多晶半导体构成的半导体层的结晶性良好。
  • 显示装置制造方法
  • [发明专利]输出电路装置-CN03120116.4无效
  • 衣川宏树;石川好宜 - 松下电器产业株式会社
  • 2003-03-07 - 2003-09-24 - H02M3/155
  • 一种输出电路装置,从过大电流中保护输出用MIS晶体管,提供更高效的电源,它包括、电源供给部分(1);同时连接在电源供应部分(1)上的输出用MIS晶体管(6)和参照用MIS晶体管(18);为产生参照电压Vref的电流供应部分(9);为供给负荷电路(2)电流的输出终端(5);比较器(10);逻辑电路(17);为控制输出用MIS晶体管(6)的开/关的控制电路(14)。利用输出用MIS晶体管(6)及参照用MIS晶体管(18)的接通电阻比较参照电压Vref和输出终端电压Vout,检出输出电流的大小。当输出电流超越目标值时,切断输出用MIS晶体管(6),从过大电流中保护输出用MIS晶体管(6)。
  • 输出电路装置

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top