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[发明专利]具有双功能布线的芯片和相关的制造方法-CN202111106121.0在审
发明人：坎迪斯·托马斯;让·查尔邦尼尔;珀西瓦尔·库兰;莫德·维内 -专利权人：法国原子能及替代能源委员会
申请日： 2021-09-22 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： H01L29/96 文献下载
摘要：本发明公开了功能芯片，其包括：包括第一面和第二面的衬底，衬底的第二面形成功能芯片的正面；在衬底的第一面上的第一氧化物层；‑在第一氧化层上的第二氧化物层；‑在与第一氧化物层接触的第二氧化物层的表面上形成第一布线层；在第二氧化物层上的第三氧化物层，其中插入了至少一个半导体元件；‑由与第二氧化物层相对的第三氧化物层的表面形成的背面，背面包括至少部分地被一个或多个导体布线轨道包围的多个超导体布线轨道，半导体元件经由超导体过孔连接到超导体布线轨道，并且背面的导体布线轨道经由导体过孔连接到第一布线层。本发明允许芯片的良好热化。
具有功能布线芯片相关制造方法

[发明专利]具有双功能布线的集成结构和包括这种结构的组件-CN202111118199.4在审
发明人：坎迪斯·托马斯;让·查尔邦尼尔;珀西瓦尔·库兰;莫德·维内 -专利权人：法国原子能及替代能源委员会
申请日： 2021-09-22 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： H01L29/96 文献下载
摘要：本发明的涉及旨在连接多个半导体器件(DS)的集成结构(SI)，集成结构包括衬底(SB)、第一面(SIS1)和第二面(SIS2)，第一面(SIS1)旨在接收半导体器件(DS)，集成结构(SI)在第一表面(SIS1)处包括至少一个布线层(1NR)，一个布线层或多个布线层(1NR)包括由非超导体的导体材料制成的至少一个第一导体布线轨道(PC)；和由超导体材料制成的至少一个第一超导体布线轨道(PS)。该集成结构允许芯片的良好热化，同时仍确保芯片之间的芯片良好的热绝缘。
具有功能布线集成结构包括这种组件

[发明专利]共振隧穿二极管及其制作方法-CN202010877959.9在审
发明人：周祥鹏;陆书龙;邱海兵;杨文献;李雪飞;边历峰 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2020-08-27 - 公布日： 2020-10-23 - 主分类号： H01L29/96 文献下载
摘要：本发明公开了一种共振隧穿二极管，该共振隧穿二极管包括衬底以及在衬底上形成的功能层，在共振隧穿二极管的彼此相对的两侧分别设有第一磁性部和第二磁性部，第一磁性部和第二磁性部之间形成磁场；其中，磁场的磁场方向与衬底的面向功能层的表面的法线垂直。本发明还公开了一种共振隧穿二极管的制作方法。本发明解决了现有技术中因衬底的位错导致共振隧穿二极管的功能层内也形成有与衬底的位错相应的内部缺陷，从而导致共振隧穿二极管难以实现负阻特性的问题。
共振二极管及其制作方法

[发明专利]电流开关晶体管-CN201380049979.5有效
发明人：大卫·托马斯·布里顿;马尔吉特·黑廷;斯坦利·道格拉斯·沃顿 -专利权人： PST传感器(私人)有限公司
申请日： 2013-09-20 - 公布日： 2019-03-12 - 主分类号： H01L29/96 文献下载
摘要：公开了一种电子装置及其制造方法。该装置包括半导体材料本体和限定了至少三个导电触点以形成相应端子的导电材料。所述半导体材料与所述导电触点至少部分地重叠以限定该装置，使得所述装置在任意一对端子之间的电特性与变阻器的电特性相对应。所述半导体材料本体是以印刷或涂覆而沉积的层。所述每对端子之间的变阻器特性能够按以下方式在一个端子与任意两个另外的端子之间切换电流：当存在正电流流入第一端子时，可忽略不计的电流流过施加有正电位的第二端子，并且正电流从相对于第二端子保持负电位的第三端子流出。当存在负电流流出第一端子时，正电流流入第二端子并且可忽略不计的电流流过第三端子。
电流开关晶体管

[发明专利]带有集成背空腔的MEMS声传感器-CN201480011805.4有效
发明人：艾尔翰·波拉特卡恩·阿塔;马丁·利姆;李想;斯蒂芬·劳埃德;迈克尔·朱利安·达内曼 -专利权人：因文森斯公司
申请日： 2014-02-28 - 公布日： 2018-01-05 - 主分类号： H01L29/96 文献下载
摘要：在此披露了一种MEMS器件。该MEMS器件包括一个带有一个第一表面和一个第二表面的第一极板；以及一个附接到一个第一衬底上的锚点。该MEMS器件进一步包括一个带有一个第三表面和一个第四表面的附接到该第一极板上的第二极板。一个连接机构将该锚点连接到该第一极板上，其中，在该第一极板的该第一和第二表面之间存在一个声压差的情况下，该第一极板和第二极板移位。该第一极板、第二极板、连接机构和锚点全都包含在由该第一衬底和一个第二衬底形成的一个围隔内，其中，该第一和第二衬底其中之一包含一个通口以使该第一极板的该第一表面暴露在环境下。
带有集成空腔 mems 传感器

[发明专利]压力调控薄膜晶体管及其应用-CN201110181626.3有效
发明人：胡春华;刘长洪;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2011-06-30 - 公布日： 2013-01-02 - 主分类号： H01L29/96 文献下载
摘要：一种压力调控薄膜晶体管，其包括：一源极；一与该源极间隔设置的漏极；一半导体层，该半导体层与所述源极和漏极电连接；以及一栅极，该栅极通过一绝缘层与所述半导体层、源极及漏极绝缘设置；其中，所述绝缘层为一高分子材料层，该高分子材料层的弹性模量为0.1兆帕至10兆帕，在所述绝缘层上施加一垂直于所述绝缘层的压力，该压力导致所述绝缘层的厚度发生变化，所述栅极电容与该厚度成反比，所述源极和漏极之间的电流与该栅极电容成正比。本发明还涉及一应用该压力调控薄膜晶体管的压力感应装置。
压力调控薄膜晶体管及其应用

[发明专利]偏置电场调制的氧化物半导体异质结构、其制备方法和装置-CN201110009450.3有效
发明人：胡凤霞;王晶;陈岭;沈保根;孙继荣 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2011-01-17 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： H01L29/96 文献下载
摘要：本发明涉及一种偏置电场调制的全氧化物半导体异质结构，该半导体异质结构由驰豫型铁电单晶(PMN-PT)基片以及在其上交替生长的空穴型(p型)钙钛矿锰氧化物薄膜和电子型(n型)钙钛矿氧化物薄膜构成。本发明还提供了该半导体异质结构的制备方法和装置。由于驰豫型铁电单晶具有显著的逆压电效应，因此，获得的新型功能的所述半导体异质结构具有显著的偏置电场可调特性。
偏置电场调制氧化物半导体结构制备方法装置

[发明专利]半导体元件及其制作方法-CN201010260685.5无效
发明人：黄敬源;詹前泰;林大文;吴忠政 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2010-08-19 - 公布日： 2011-10-12 - 主分类号： H01L29/96 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体元件及其制作方法，该半导体元件包括：一基底；一电极，位于基底上方；一压电层，设置于基底和电极之间，当电极产生一电场时，压电层使基底产生应变。本发明提供的半导体元件和方法，能够于不同的操作下调整沟道的应变。
半导体元件及其制作方法

[发明专利]单晶锗锰磁性半导体/锗磁性异质结二极管及其制备方法-CN200910017191.1无效
发明人：颜世申;田玉峰;邓江峡;陈延学;刘国磊;梅良模 -专利权人：山东大学
申请日： 2009-08-06 - 公布日： 2009-12-30 - 主分类号： H01L29/96 文献下载
摘要：单晶锗锰铁磁半导体/锗磁性异质结二极管及其制备方法，属于信息技术自旋电子器件技术领域。异质结二极管的p型层为单晶Ge_1-xMn_x铁磁半导体，锰的摩尔百分比含量x为：0＜x＜15％；Ge层为商业的本征的单晶半导体Ge或微量Sb掺杂的n型单晶半导体Ge，其室温下的整流特性可用磁场调控，磁电阻在Ge_1-xMn_x居里温度附近有极值，显示其输运与Ge_1-xMn_x磁性半导体密切相关，其制备工艺与硅半导体制备工艺相匹配。利用分子束外延在单晶锗衬底上通过共蒸发的方式外延生长锗锰磁性半导体制备单晶锗锰铁磁半导体/锗磁性异质结二极管。且本发明方法制备的单晶锗锰铁磁半导体/锗磁性异质结二极管可以与现代半导体硅工艺很好的匹配，因此在自旋电子器件方面具有良好的应用前景。
单晶锗锰磁性半导体异质结二极管及其制备方法

[发明专利]一种纳米硅异质结压敏二极管及纳米硅异质结压力传感器-CN200810020042.6无效
发明人：韦文生 -专利权人：韦文生
申请日： 2008-03-21 - 公布日： 2008-08-27 - 主分类号： H01L29/96 文献下载
摘要：本发明公开了一种纳米硅异质结压敏二极管及纳米硅异质结压力传感器，本发明的优点在于应用纳米硅/单晶硅异质结构在应力状态下的反向I－V特性，制成了敏感性、线性特性好的纳米硅/单晶硅异质结压敏二极管，并应用该纳米硅/单晶硅异质结压敏二极管而制作一种敏感性、线性特性好的纳米硅/单晶硅异质结压力传感器。
一种纳米硅异质结压敏二极管硅异质结压力传感器

[发明专利]栅控混合管及其制备方法-CN98100228.5有效
发明人：黄如;张兴;王阳元 -专利权人：北京大学
申请日： 1998-01-13 - 公布日： 2001-03-07 - 主分类号： H01L29/96 文献下载
摘要：一种栅控混合管，在现有栅控混合管的漏区与林区之间增加一个轻掺杂漏区；以及制备该种栅控混合管的方法，通过注入退火，杂质横向推进形成沟道，增加基区注入；降低了Ｅａｒｌｙ效应，提高了器件的击穿电压，减小热电子效应，减弱特性退化；在不需要亚微米工艺的条件下实现深亚微米器件的制备，解决了普通ＢＪＴ中电流增益与Ｅａｒｌｙ效应之间的矛盾以及沟道长度、电流增益与击穿电压之间的矛盾，适用于深亚微米电源及模拟电路等。$＃!
混合及其制备方法

[发明专利]功率半导体器件-CN96113081.4无效
发明人：石川胜美;齐藤克明;佐藤裕;渡边笃雄;加藤修治;门马直弘 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 1996-10-03 - 公布日： 1997-05-21 - 主分类号： H01L29/96 文献下载
摘要：在一种如二极管和可控硅这类至少包含一个位于一对主表面之间的pn结、一个在主表面之一的表面上形成的第一主电极和一个在另一主表面上形成的第二主电极的半导体器件中，形成一种半导体晶格缺陷，使得晶格缺陷密度从第一主电极到第二主电极方向逐渐增大。由于导通状态下的载流子密度分布可按本发明的方法变平坦，故可使反向恢复电荷Qr显著减小而不会引起导通电压VT的增大。
功率半导体器件

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