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[发明专利]清洗蒸发光散射检测器漂移管的方法-CN201610824383.3有效
发明人：袁凤琴;王佳;李雪静;徐向峰;常建军;吴腾;高永亮;李照;刘美霞;李秋琴;宋晓东 -专利权人：内蒙古蒙牛乳业（集团）股份有限公司
申请日： 2016-09-13 - 公布日： 2018-09-04 - 主分类号： B08B9/027 文献下载
摘要：本发明公开了清洗蒸发光散射检测器漂移管的方法，该方法包括以下步骤：利用盐酸溶液对使用过的蒸发光散射检测器漂移管进行除垢处理，以便去除所述漂移管内壁的奶垢，获得经过除垢处理的漂移管；依次利用丙酮、乙腈、甲醇和水作为流动相清洗所述经过除垢处理的漂移管，以便获得洁净漂移管；以及将所述洁净漂移管进行烘烤处理，以便获得经过清洗的蒸发光散射检测器漂移管。利用该方法能够有效地实现清洗使用过的蒸发光散射检测器漂移管的目的，且获得的经过清洗的蒸发光散射检测器漂移管用于检测时，可以有效提高蒸发光散射检测的响应信号和灵敏度、降低蒸发光散射检测的噪音，且长时间使用时
漂移管蒸发光散射检测器清洗除垢处理蒸发光散射检测洁净有效地实现烘烤处理检测样品响应信号盐酸溶液灵敏度流动相丙酮甲醇奶垢内壁乙腈去除噪音

[发明专利]一种电池管理系统的电流漂移校正方法、系统及装置-CN201711007506.5有效
发明人：唐晓鹏;胡文贵;夏永晓;贺振伟;姚科;高福荣 -专利权人：广州市香港科大霍英东研究院
申请日： 2017-10-25 - 公布日： 2020-08-07 - 主分类号： G01R31/374 文献下载
摘要：本发明公开了一种电池管理系统的电流漂移校正方法、系统及装置，方法包括：对电流传感器的测量结果进行温度漂移修正，得到温度漂移修正后的电流；建立电池模型，并计算建立的电池模型与电池实际测量电压的电压残差；根据计算的电压残差计算电流传感器的漂移电流；将温度漂移修正后的电流与电流传感器的漂移电流相加，得到电池管理系统的电流真实值。系统包括温度漂移修正模块、电压残差计算模块、漂移电流计算模块和电流真实值获取模块。装置包括存储器和处理器。本发明通过将温度漂移修正后的电流与漂移电流相加的电流真实值实现了对电流传感器电流的闭环修正，测量误差小、鲁棒性好和兼容性良好，可广泛应用于电池的均衡领域。
一种电池管理系统电流漂移校正方法装置

[发明专利]面向内河航道的自由漂移物体搁浅概率分布计算方法-CN201711456603.2有效
发明人：张笛;刘柯;张金奋;万程鹏;范存龙;张明阳;张弛;姚厚杰;张锴;伍静;曾勇 -专利权人：武汉理工大学
申请日： 2017-12-28 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明提供一种面向内河航道的自由漂移物体搁浅概率分布计算方法，通过矩形区域表示自由漂移物体的初始位置；对所述的矩形区域提取流场数据，并得到该矩形区域下任一质点处的流速范围；利用Leeway模型实现自由漂移物体速度的换算；利用拉格朗日质点追踪法实现自由漂移物体位置的更新；根据得到的自由漂移物体的轨迹，获得每次轨迹出现矩形区域与岸线相交的情况，计算当前时刻的自由漂移物体搁浅的概率和当前时刻的自由漂移物体在所相交的岸线线段的概率密度；将所有时刻的自由漂移物体搁浅的概率和自由漂移物体在所相交的岸线线段的概率密度汇总标注，得到自由漂移物体搁浅沿岸线的概率分布图，为合理分配搜救资源、提高搜救效率提供支持。
面向内河航道自由漂移物体搁浅概率分布计算方法

[发明专利]一种OBS时钟漂移校正方法及处理终端-CN202010735223.8有效
发明人：刘斌;徐云霞;薛花;杨振;王利杰 -专利权人：广州海洋地质调查局
申请日： 2020-07-27 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： G01V1/36 文献下载
摘要：本发明涉及一种OBS时钟漂移校正方法及处理终端，所述方法包括：步骤1：将整个采集时间划分为若干个小的时间片段；步骤2：确定出该小的时间片段内的所有震源激发时间，根据震源激发时间得到每个小的时间片段对应的共接收点道集；步骤3：计算得到各震源点的理论直达波旅行时；步骤4：根据最小的直达波旅行时和最小的理论直达波旅行时得到时钟漂移量；步骤5：根据时钟漂移量对OBS数据进行时钟漂移校正；步骤6：建立相应的目标函数，求解目标函数的极小值并作为剩余时钟漂移量，根据剩余时钟漂移量再次对OBS数据进行时钟漂移校正。本发明能够在野外时钟漂移量缺失或不准确的情况和非线性时钟漂移下的OBS数据进行时钟漂移校正。
一种 obs 时钟漂移校正方法处理终端

[实用新型]非穿通型IGBT-CN201520893623.6有效
发明人：肖秀光;吴海平 -专利权人：宁波比亚迪半导体有限公司
申请日： 2015-11-11 - 公布日： 2016-08-03 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本实用新型提出了一种非穿通型IGBT，通过设置具有相同导电类型的第一漂移区和第二漂移区，且第一漂移区的掺杂浓度大于第二漂移区的掺杂浓度，保证当承受相同高压时，耗尽层宽度比现有的耗尽层宽度要窄，第一漂移区和第二漂移区的总厚度比现有的漂移区厚度要小，从而能够明显地降低导通压降；同时，在一般工作条件下IGBT关断时，第一漂移区和第二漂移区未被耗尽区域的总厚度要比现有的漂移区未被耗尽区域的厚度小，因此，存储于该区域内需要通过复合慢慢消失的过剩载流子比现有的要少
非穿通型 igbt

[实用新型]一种肖特基二极管-CN202120417435.1有效
发明人：张园览;张清纯 -专利权人：光华临港工程应用技术研发（上海）有限公司
申请日： 2021-02-24 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：一种肖特基二极管，包括：半导体衬底层；位于所述半导体衬底层上的漂移层，所述漂移层包括第一漂移区和位于所述第一漂移区背向所述半导体衬底层一侧的第二漂移区，所述第二漂移区的掺杂浓度大于所述第一漂移区的掺杂浓度；位于部分第二漂移区中的副掺杂层，所述副掺杂层的导电类型与所述漂移层的导电类型相反；位于所述漂移层中且围绕所述副掺杂层间隔分布的若干主掺杂层，所述主掺杂层的导电类型与所述副掺杂层的导电类型相同。
一种肖特基二极管

[发明专利]生物单元成像系统-CN201811454943.6在审
发明人：黄锐敏;范晓明 -专利权人：中国科学院上海药物研究所
申请日： 2018-11-30 - 公布日： 2019-05-21 - 主分类号： G02B21/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种生物单元成像系统，用于获取生物单元的图像信息，包括：图像采集机构以及漂移补偿机构；其中：所述漂移补偿机构用于补偿生物单元的漂移量以使所述生物单元保持在恒定的位置；所述图像采集机构用于获取经由所述漂移补偿机构进行漂移补偿后的所述生物单元的图像本发明通过增设漂移补偿机构来消除生物漂移现象对后续图像分析过程的影响，以使研究人员获得更真实、准确的关于生物单元的分析数据。
生物单元漂移补偿图像采集机构成像系统分析过程分析数据后续图像漂移现象图像信息恒定的漂移量图像增设研究

[发明专利]离子输送装置-CN202010120778.1在审
发明人：今津亚季子;安野元英;有田义宣;中富学郎 -专利权人：株式会社岛津制作所
申请日： 2020-02-26 - 公布日： 2020-10-09 - 主分类号： G01N27/62 文献下载
摘要：离子输送装置(1)包括：漂移管(10)，其具有多个沿着轴向排列地配置的环状的电极(11)；壳体(30)，其收纳漂移管(10)；漂移管支承构件(21)，其相对于壳体(30)支承漂移管(10)；检测器(20)，其固定于漂移管(10)，用于检测离子；以及减振件(22)，其设于漂移管支承构件(21)，吸收漂移管支承构件(21)从壳体(30)承受的振动。
离子输送装置

[实用新型]漂移板-CN201220047407.6有效
发明人：梁家赫 -专利权人：梁家赫
申请日： 2012-02-14 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： A63C17/01 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种漂移板，该漂移板包括板体(10)和设置在该板体(10)的下表面上的支架(20)，其中，所述漂移板还包括可选择地安装在所述支架(20)上的冰刀(30)或滚轮(40)。利用本实用新型所述的漂移板，可以根据需要选择性地安装冰刀或者滚轮，从而既能够实现在冰面使用所述漂移板，又可以在地面上使用所述漂移板，扩大了所述漂移板的应用范围。
漂移

[实用新型]生物单元成像系统-CN201822000853.1有效
发明人：黄锐敏;范晓明 -专利权人：中国科学院上海药物研究所
申请日： 2018-11-30 - 公布日： 2020-12-15 - 主分类号： G02B21/36 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种生物单元成像系统，用于获取生物单元的图像信息，包括：图像采集机构以及漂移补偿机构；其中：所述漂移补偿机构用于补偿生物单元的漂移量以使所述生物单元保持在恒定的位置；所述图像采集机构用于获取经由所述漂移补偿机构进行漂移补偿后的所述生物单元的图像本实用新型通过增设漂移补偿机构来消除生物漂移现象对后续图像分析过程的影响，以使研究人员获得更真实、准确的关于生物单元的分析数据。
生物单元成像系统

[发明专利]一种CMOS集成电路的制造方法-CN201410765766.9在审
发明人：刘旸;唐冬;蔡震 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十七研究所
申请日： 2014-12-11 - 公布日： 2015-03-04 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本申请提供一种CMOS集成电路的制造方法，包括a.提供具有相接界的P型阱和N型阱的硅片基体；b.在所述P型阱表面形成第一N型漂移区和第二N型漂移区，在所述N型阱表面形成第一P型漂移区和第二P型漂移区，所述第一N型漂移区、所述第二N型漂移区、所述第一P型漂移区以及所述第二P型漂移区彼此间隔；c.形成分别与第一N型漂移区和第二N型漂移区贴合的第一栅极以及分别与第一P型漂移区和所述第二P型漂移区贴合的第二栅极。
一种 cmos 集成电路制造方法

[发明专利]一种具有低导通压降的SiC基肖特基器件及其制备方法-CN202210532495.7在审
发明人：江长福;周贤权 -专利权人：厦门紫硅半导体科技有限公司
申请日： 2022-05-12 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有低导通压降的SiC基肖特基器件及其制备方法，由下至上包括欧姆接触电极、n++型SiC衬底基片、n+型缓冲层、漂移层和肖特基接触电极；漂移层自下而上包括nx第一漂移层和n‑第二漂移层，nx第一漂移层的掺杂浓度大于n‑第二漂移层的掺杂浓度，n‑第二漂移层之内设有p型屏蔽层；其中nx第一漂移层的掺杂浓度自下而上先由低变至高掺杂，后由高变至低掺杂。
一种具有低导通压降 sic 基肖特基器件及其制备方法

[发明专利]一种目标跟踪方法及装置-CN201811572062.4在审
发明人：李志刚;刘健庄;钱莉 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2018-12-21 - 公布日： 2019-09-20 - 主分类号： G06T7/246 文献下载
摘要：本申请提供了一种目标跟踪方法，包括：接收当前帧图片，所述当前帧图片中包含目标对象；根据漂移判断模型判断跟踪器对所述当前帧图片中的目标对象的跟踪是否产生漂移；所述漂移判断模型是根据样本响应最大值进行建模得到的；其中，所述漂移判断模型为概率密度模型，所述样本是指：用于进行漂移判断模型训练的训练样本，所述训练样本从训练图片中采集得到，所述训练图片中包含所述目标对象；所述样本响应值是指：所述训练样本是所述训练图片中的目标对象的可能性概率值；输出跟踪漂移结果，所述跟踪漂移结果包括：对目标对象的跟踪产生漂移，或，对目标对象的跟踪未产生漂移。
漂移目标对象训练图片训练样本跟踪样本目标跟踪概率密度模型可能性概率模型判断模型训练输出跟踪跟踪器响应建模图片采集申请

[发明专利]LDMOS器件及其制备方法-CN201811327042.0在审
发明人：汤茂亮;夏春秋;王阳阳;刘少东 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2018-11-08 - 公布日： 2019-03-29 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种LDMOS器件及其制备方法，该器件包括：衬底、漏极、源极、栅极及漂移区，所述漂移区包括第一漂移区及位于所述第一漂移区下面的第二漂移区，其中，所述第二漂移区的宽度小于所述第一漂移区的宽度。所以在保证与现有技术相同的耐压情况下，本发明可以通过增加漂移区的掺杂浓度，降低漂移区的正向导通电阻，从而提高LDMOS器件的性能。
漂移区正向导通电阻击穿电压耗尽区制备掺杂矛盾问题有效解决衬底减小漏极耐压源极保证

[发明专利]集成电路及其制造方法-CN201811133972.2有效
发明人：卡思克·穆鲁克什;江文智;蔡俊琳;霍克孝;吴国铭;陈柏智;苏如意;林炫政;陈益民;林宏洲;邱奕正 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-09-27 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：在一些实施例中，第一漂移阱和第二漂移阱位于衬底中。第一漂移阱和第二漂移阱以环形图案交界且具有第一掺杂类型。外围阱位于衬底中且具有与第一掺杂类型相反的第二掺杂类型。外围阱围绕并分离第一漂移阱和第二漂移阱。主体阱位于衬底中且具有第二掺杂类型。此外，主体阱位于第一漂移阱上方并且通过第一漂移阱与外围阱间隔开。栅电极位于第一漂移阱和主体阱之间的结上方。
集成电路及其制造方法