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[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法-CN202110928918.2在审
发明人：陈则 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2021-08-13 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：具有：半导体基板，其在第1主面和与第1主面相对的第2主面之间具有第1导电型的漂移层；第1导电型的第1缓冲层，其在漂移层与第2主面之间与漂移层接触地设置，电阻率比漂移层小，具有比漂移层高的杂质浓度；以及高电阻层，其设置于第1缓冲层与第2主面之间，电阻率比所述漂移层大。
半导体装置制造方法

[发明专利]一种半导体结构及其制备方法-CN202111673423.6在审
发明人：张清纯;史文华;李敏 -专利权人：清纯半导体（上海）有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种半导体结构及其制备方法，半导体结构包括：半导体衬底层；位于所述半导体衬底层上的漂移层；位于所述漂移层中的横向电流扩展层，所述横向电流扩展层的导电类型与所述漂移层的导电类型相同，所述横向电流扩展层的掺杂浓度大于所述漂移层的掺杂浓度；位于所述漂移层中顶部区域的有源掺杂区，所述有源掺杂区至少位于部分横向电流扩展层的上方，所述有源掺杂区的导电类型与所述漂移层的导电类型相反。
一种半导体结构及其制备方法

[发明专利]漂移抑制滤波器、接近度检测器和方法-CN201810078047.8有效
发明人： C.劳艾斯亚;S.格里索特 -专利权人：商升特公司
申请日： 2018-01-26 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： G01B7/14 文献下载
摘要：一种便携式设备包括经漂移补偿的电容式接近度传感器，所述经漂移补偿的电容式接近度传感器采用基于所测量的接近度信号的变化的漂移补偿的特殊方法。当所述变化在规定区间内时追踪漂移，并且当变化在外部时冻结漂移。通过当电容急剧地变化时，如当用户移动设备时，冻结追踪并且当所述变化在可接受的限制内时恢复它，传感器能够不仅在电话不活跃时而且在其接近于用户的身体时跟随漂移。
漂移抑制滤波器接近检测器方法

[发明专利]Infiniband网络中IP地址漂移处理方法、装置、系统、存储介质和设备-CN201811393604.1有效
发明人：杨刚 -专利权人：北京谷数科技有限公司
申请日： 2018-11-21 - 公布日： 2019-06-28 - 主分类号： H04L29/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种Infiniband网络中IP地址漂移处理方法、装置、系统、存储介质和设备，包括：从Infiniband网络接收RDMA连接请求命令，以及IP地址漂移命令；根据IP地址漂移命令，从IP地址漂移参数中提取准备IP地址漂移的IP地址；设置一个标志，不再接收网络中的任何新的IO请求；处理完成所述IP地址连接上缓存的所有IO请求；断开RDMA连接，删除该IP地址。本申请提供的方案解决了Infiniband网络中IP地址漂移后逻辑链路和物理链路不同步的问题。
漂移存储介质网络连接请求命令缓存方案解决逻辑链路漂移参数网络接收物理链路同步的断开删除申请

[发明专利]一种MEMS陀螺仪随机漂移误差的处理方法-CN201310354789.6有效
发明人：俞吉;周德云;马云红;张堃;黄吉传 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2013-08-14 - 公布日： 2013-11-27 - 主分类号： G01C25/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种MEMS陀螺仪随机漂移误差的处理方法，首先确定RBF神经网络结构，然后获取学习样本，利用学习样本采用遗传算法（GA）优化，训练RBF神经网络，最后得到随机漂移误差抑制后的角速度数据。本发明针对MEMS陀螺仪的随机漂移误差，采用实时均值法来抑制随机漂移误差，利用基于遗传算法优化的RBF神经网络控制实时均值法的计算步长。本发明不需要对随机漂移误差建模，计算量小，可便捷实现MEMS陀螺仪实时的随机漂移误差抑制。
一种 mems 陀螺仪随机漂移误差处理方法

[发明专利]一种离子或电子扫描成像图像漂移的自适应校正方法-CN201711315579.0有效
发明人：郝佳龙 -专利权人：中国科学院地质与地球物理研究所
申请日： 2017-12-12 - 公布日： 2020-01-03 - 主分类号： G01N23/2251 文献下载
摘要：本发明公开了一种离子或电子扫描成像图像漂移的自适应校正方法，其步骤为：采用一次离子束或电子束直接逐行扫描固体样品获取离子或电子扫描成像图像源图像；根据温度变化，获取离子或电子扫描成像图像漂移图像，建立离子或电子扫描成像图像随温度漂移的漂移模型；通过对漂移模型处理，获得离子或电子扫描成像图像的校正模型，结合温度变化曲线，校正漂移图像；对该自适应校正办法进行评价。
成像图像电子扫描离子漂移自适应校正漂移模型电子束图像温度变化曲线一次离子束固体样品温度漂移校正模型逐行扫描源图像校正

[发明专利]半导体装置的制造方法以及半导体装置-CN201480062114.7有效
发明人：滨田宪治;今泉昌之 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2014-09-02 - 公布日： 2018-11-06 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明在基板(11)上形成漂移层(12)。另外，在漂移层表面形成离子注入层(13)。另外，在漂移层内形成剩余碳区域(31)。另外，对漂移层进行加热。在形成剩余碳区域的情况下，在比离子注入层和漂移层的界面深的区域中形成剩余碳区域。在对漂移层进行加热的情况下，激活离子注入层的杂质离子而形成激活层(113)，使晶格间碳原子扩散到激活层侧。
半导体装置制造方法

[发明专利]快恢复二极管及其制作方法-CN202210768539.6在审
发明人：祁金伟;张耀辉;卢烁今 -专利权人：深圳市千屹芯科技有限公司
申请日： 2022-07-01 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： H01L29/868 文献下载
摘要：该快恢复二极管结构包括：衬底，衬底中具有漂移区，漂移区具有相对的第一侧和第二侧；第一类型掺杂区，第一类型掺杂区位于漂移区中，且第一类型掺杂区沿第一侧指向第二侧的方向延伸，第一类型掺杂区与漂移区的掺杂类型相反；第二类型掺杂区，第二类型掺杂区位于漂移区的第一侧，且第二类型掺杂区的掺杂浓度沿远离漂移区的方向递减，第二类型掺杂区与漂移区的掺杂类型相同；缓冲区，缓冲区位于第二侧，缓冲区与漂移区的掺杂类型相同。通过使第一类型掺杂悬浮于上述漂移区中，能够在更薄的漂移区厚度下实现同等耐压，且第二类型掺杂区的掺杂浓度沿远离所述漂移区的方向递减，提高了器件的反向恢复能力。
恢复二极管及其制作方法

[发明专利]功率半导体器件及其制造方法-CN201310594909.X在审
发明人：肖胜安;雷海波 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2013-11-21 - 公布日： 2015-05-27 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明公开了一种功率半导体器件，漂移区由超级结漂移区和单一漂移区组合而成，使得本发明器件能够实现超级结器件和单一漂移区器件的并联，超级结漂移区由多个交替排列的N型薄层和P型薄层组成的，单一漂移区由N型掺杂的第一N型层组成；利用超级结漂移区能够优化器件的比导通电阻从而能得到低比导通电阻；利用单一漂移区的在器件关断过程中反向恢复特性较软的特性，能使器件在关断过程中的反向恢复特性变软、提高器件的反向恢复特性和耐冲击能力
功率半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种绝缘栅双极型晶体管及其制作方法-CN201510550931.3在审
发明人：滕渊;朱阳军;卢烁今;田晓丽 -专利权人：上海联星电子有限公司;江苏中科君芯科技有限公司
申请日： 2015-08-31 - 公布日： 2017-03-08 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明公开了一种IGBT及其制作方法，该制作方法包括提供一衬底；所述衬底具有漂移区，所述漂移区包括元胞区以及包围所述元胞区的终端区；在所述漂移区对应所述终端区的上表面内形成主结以及场限环；在漂移区对应所述元胞区的上表面内形成多个IGBT元胞；在所述漂移区的下表面内形成集电区；在所述漂移区内形成载流子低寿命薄层；其中，所述载流子低寿命薄层与所述终端区相对设置；所述载流子低寿命薄层用于降低集电区注入漂移区的空穴电流。该制作方法形成的IGBT具有载流子低寿命薄层，可以降低漂移区注入主结的电流，进而降低主结的电流密度，避免了主结发生动态雪崩击穿的问题。
一种绝缘栅双极型晶体管及其制作方法

[发明专利]基于小波降噪和神经网络的光纤陀螺温度漂移补偿方法-CN201910228032.X在审
发明人：侯宏录;李光耀;李媛;王利国;郭宏伟;任梦茹;姜珊 -专利权人：西安工业大学
申请日： 2019-03-25 - 公布日： 2019-06-21 - 主分类号： G01C19/72 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于小波降噪和神经网络的光纤陀螺温度漂移补偿方法。其克服了现有技术存在的抑制温度漂移效果有限的问题。本发明采用的步骤为步骤(1):对光纤陀螺进行温度测试实验，获得学习样本数据；步骤(2):对光纤陀螺温度漂移原始数据和温度数据进行平滑处理，便于后续处理；步骤(3):通过小波分解对光纤陀螺原始数据进行处理，降低原始数据中的随机噪声，保留由温度带来的漂移量；步骤(4):将步骤(2)得到的温度数据和经步骤(3)滤波后的光纤陀螺数据作为学习样本，采用粒子群算法优化BP神经网络模型得到光纤陀螺温度漂移模型；步骤(5):根据步骤(4)中温度漂移模型，预测光纤陀螺在不同温度条件下的漂移量，实时补偿温度漂移。
光纤陀螺温度漂移原始数据温度漂移补偿神经网络温度数据小波降噪漂移量光纤陀螺数据学习样本数据粒子群算法后续处理平滑处理实时补偿随机噪声温度测试温度条件小波分解学习样本滤波保留预测优化

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201910935309.2在审
发明人：陈德艳 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2019-09-29 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底；在基底内形成相邻接的阱区和漂移区，漂移区中具有第一型离子，阱区中具有第二型离子，第一型离子和第二型离子的导电类型不同；在阱区和漂移区交界处的基底上形成栅极结构；在栅极结构一侧的漂移区内形成漏区和掺杂区，掺杂区位于漂移区的顶端，且掺杂区位于漏区和栅极结构之间，掺杂区内具有第二型离子。本发明实施例，所述阱区与所述漂移区构成横向PN结，掺杂区与漂移区构成的纵向PN结，横向PN结和纵向PN结的相互作用使得漂移区达到临界雪崩击穿电场前全耗尽，因此有利于提高半导体结构的击穿电压。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]一种伞状漂移雾滴回收装置-CN201911096015.1在审
发明人：胡耀华;朱晓文;席子婷;张洋 -专利权人：西北农林科技大学
申请日： 2019-11-11 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： A01M7/00 文献下载
摘要：本专利针对果园喷雾产生的雾滴漂移导致药液损失过大与土壤污染等问题，提出了一种伞状漂移雾滴回收装置，漂移雾滴回收箱、水管、小型水泵、伞状雾滴收集器组成；其中伞状雾滴收集器由收集器伞面、回收药液导流器与伞面支撑架组成；所述小型水泵通过水管分别与伞状雾滴收集器与漂移雾滴回收箱相连，能够初步实现果园喷雾雾滴回收功能。开始工作后，喷雾漂移产生的雾滴被收集器伞面捕获，因重力作用顺着伞面流至回收药液导流器，在小型水泵的作用下，流至漂移雾滴回收箱，完成漂移雾滴回收工作。本专利能收集漂移雾滴，对环保有重要意义。
一种漂移雾滴回收装置

[发明专利]横向双扩散金属氧化物半导体场效应管及其制作方法-CN202111571321.3在审
发明人：余山;赵东艳;王于波;陈燕宁;付振;刘芳;王凯;吴波;邓永峰;刘倩倩;郁文 -专利权人：北京芯可鉴科技有限公司;北京智芯微电子科技有限公司;国网信息通信产业集团有限公司
申请日： 2021-12-21 - 公布日： 2022-01-21 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：所述横向双扩散金属氧化物半导体场效应管，包括衬底、栅极区、源极区、漏极区、P型体区以及位于所述衬底上的N型阱区、P型阱区和N型漂移区，还包括：离子注入形成的P型漂移区；所述P型漂移区位于所述N型阱区内，所述P型漂移区与所述P型体区之间存在预设距离。本发明在N型阱区内增加P型漂移区，P型漂移区与N型阱区的接触面构成PN结，P型漂移区与N型漂移区形成双重RESURF结构，降低器件的表面电场，并且能够承担更高的击穿电压，维持较低的导通电阻。
横向扩散金属氧化物半导体场效应及其制作方法

[发明专利]半导体器件结构及其制备方法-CN202210644645.3在审
发明人：王海涛;张继伟 -专利权人：上海积塔半导体有限公司
申请日： 2022-06-09 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：所述方法包括：提供基底；于所述基底内形成间隔排布的第一导电类型的初始漂移区，所述初始漂移区自所述基底的上表面向所述基底内延伸第一深度；于各所述第一导电类型的初始漂移区形成第一导电类型的漂移区，所述漂移区自所述基底的上表面向所述基底内延伸第二深度，所述第二深度等于所述第一深度；所述漂移区内掺杂的离子与所述初始漂移区内掺杂的离子不同；于所述基底的上表面形成栅极结构；于所述第一导电类型的漂移区内形成源区及漏区，所述源区及所述漏区分别位于所述栅极结构相对的两侧
半导体器件结构及其制备方法