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- [发明专利]提高栅氧化层质量的制备工艺-CN201911412221.9有效
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吴会利;刘淼
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中国电子科技集团公司第四十七研究所
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2019-12-31
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2023-07-18
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H01L21/02
- 本发明公开了一种提高栅氧化层质量的制备工艺，属于半导体功率器件制造加工技术领域。该工艺包括：(1)制备栅氧化层前对硅片进行清洗，以保证硅片表面的洁净；(2)制备栅氧化层前进行管道处理，以改善炉管内气氛，具体是采用低温条件以及在氮气携带的偏二氯乙烯气氛中进行处理；(3)制备栅氧化层：在O2气氛下热生长氧化层，氧化温度995℃；(4)采用慢降温工艺，先按照1.5℃/min的降温速率降温至600℃；再按照2℃/min的降温速率降温至300℃，以减少氧化层可动电荷数量，提高栅氧化层质量。该工艺可以有效提高栅氧化层厚度一致性，减少氧化层内可动电荷数量，从而提高器件的整体性能。
- 提高氧化质量制备工艺
- [实用新型]一种自动金丝键合设备的夹具-CN202223176364.4有效
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郑策;康敏
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中国电子科技集团公司第四十七研究所
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2022-11-29
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2023-07-18
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H01L21/687
- 本实用新型公开了一种自动金丝键合设备的夹具，属于集成电路电子封装技术领域。该夹具包括底座、挡块、压夹、连杆和限位夹；所述底座固定在键合台上的键合工作区，底座的上表面设计为阶梯结构，包括低台面和高台面；所述高台面上设有多排平行排布的沟槽，沟槽用于嵌入管壳的管腿；沟槽两侧各设置两排螺丝孔C，螺丝孔C用于固定和调整限位夹；所述低台面上设有螺丝孔B和弹簧槽A，螺丝孔B用于固定挡块，弹簧槽A用于放置弹簧；所述挡块为两个，两个挡块之间放置压夹，所述压夹与挡块通过连杆相连接。本实用新型定位可靠，针对集成电路的键合，采用多重手段有针对性的进行逐一控制，可以很好的控制键合的质量，大幅提升集成电路键合效率。
- 一种自动金丝设备夹具
- [发明专利]抗单粒子翻转和单粒子瞬态的TSPC型D触发器-CN202310126115.4在审
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曹雪兵
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中国电子科技集团公司第四十七研究所
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2023-02-17
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2023-05-16
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H03K3/013
- 本发明公开了一种抗单粒子翻转和单粒子瞬态的TSPC型D触发器，包括：第一级反向逻辑、第二级反向逻辑、第一级影子反向逻辑、第二级影子反向逻辑、第三级反向逻辑均由时钟信号CLK控制，延迟单元将输入数据信号D经过延迟后输入第一级影子反向逻辑生成信号S，第一级反向逻辑在时钟信号CLK控制下生成MS1，第二级反向逻辑在时钟信号CLK控制下生成信号MS2，第一级影子反向逻辑在时钟信号CLK控制下生成信号SS1，第二级影子反向逻辑在时钟信号CLK控制下生成信号SS2，第三级反向逻辑在时钟信号CLK控制下生成信号FS，第四级反向逻辑将信号FS反向后生成输出信号Q。本发明所设计的TSPC型D触发器具有抗单粒子翻转和单粒子瞬态的能力，适用于高可靠应用场景。
- 粒子翻转瞬态tspc触发器
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