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[发明专利]横向高压器件及其制造方法-CN201510478465.2在审
发明人：乔明;王裕如;代刚;周锌;何逸涛;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2015-08-07 - 公布日： 2015-12-16 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种横向高压器件及其制备方法，器件的元胞结构包括第一导电类型半导体衬底、第二导电类型半导体漂移区，第二导电类型半导体漂移区自下而上依次层叠设置多个第二导电类型半导体子漂移区，方法为：采用外延工艺依次形成第二导电类型半导体子漂移区，在第二导电类型半导体子漂移区中注入形成第一导电类型半导体降场层、第二导电类型半导体重掺杂层和第一导电类型半导体体区，本发明是将传统的漂移区结构制作为多层漂移区叠加构成漂移区的结构，这样每个子漂移区都有一条低阻的最近导电路径，可以降低器件的导通电阻；关态时，每个漂移区内的降场层辅助耗尽漂移区，从而提高器件的击穿电压，缓解比导通电阻和耐压的矛盾关系。
横向高压器件及其制造方法

[发明专利]用于非线性信号提取和结构漂移检测的系统和方法-CN202310097030.8在审
发明人： D·巴斯卡兰;R·比莱 -专利权人：开利公司
申请日： 2023-02-10 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： G06Q50/08 文献下载
摘要：结构漂移识别器单元配置成将能量消耗数据分类为多个个体漂移类别。非线性信号提取器单元配置成通过基于能量消耗数据的频率定义周期并评估能量消耗数据中的差异来从能量消耗数据中提取一组非线性信号。该系统包括个体漂移类别细化单元，其配置成通过使用所述一组非线性信号消除第一弱漂移来细化个体漂移类别，从而产生细化的个体漂移类别。集体漂移细化单元配置成通过消除第二弱漂移来将所有细化的个体漂移类别的个体漂移实例整理并集体细化为细化的集体漂移类别。
用于非线性信号提取结构漂移检测系统方法

[发明专利]测定方法以及磨床-CN201410035699.5有效
发明人：田中意继;村越丰 -专利权人：株式会社捷太格特
申请日： 2014-01-24 - 公布日： 2018-06-15 - 主分类号： B24B49/04 文献下载
摘要：在以规定的工序时间（t0）重复的主工序内以规定的测定时间（t1）起动定尺寸装置（10）而进行测定的测定方法中，记录定尺寸装置起动后的测定值的漂移即起动漂移与停止定尺寸装置并经过规定的时间后起动定尺寸装置进行测定的漂移的每次所经过的时间的变动即停止漂移决定如下的测定漂移区间，即、起动漂移的测定时间内的漂移的最小值及最大值与从停止漂移的工序时间（t0）减去测定时间所得的时间（t2）内的漂移的最小值以及最大值相同，并且最大值与最小值之差在所希望的值（E）对定尺寸装置进行与从起动漂移的起动开始至测定漂移区间的开始时刻相当的时间（tD）的暖机运转之后开始主工序。 1
漂移起动定尺寸装置磨床主工序尺寸装置开始时刻暖机运转减去重复记录

[发明专利]漂移量靶标反馈控制的长距离二维光电自准直装置和方法-CN200510089852.3有效
发明人：谭久彬;敖磊;崔继文;赵维谦 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2005-08-09 - 公布日： 2006-01-11 - 主分类号： G01B11/26 文献下载
摘要：本发明涉及一种漂移量靶标反馈控制的长距离二维光电自准直装置和方法。装置包括二维光电自准直光管、计算机、二维光束偏转装置，和漂移量监测装置，还包括分光式靶标探测器，该分光式靶标探测器位于二维光束偏转装置和漂移量监测装置之间，分光式靶标探测器在获取其二维小角度变化量的测量信号的同时分离并反馈回与测量光束特性完全相同的角漂移分量反馈光束，漂移量监测装置对角漂移分量反馈光束的角漂移量进行实时监测，计算机根据漂移量监测装置监测得到的角漂移量实时控制二维光束偏转装置，将测量光束按照角漂移量相反的方向进行调整，抑制耦合在测量信号中的测量光束的角漂移量
漂移靶标反馈控制长距离二维光电装置方法

[发明专利]一种定位方法、装置及电子设备-CN201611001149.7有效
发明人：张志勇 -专利权人：杭州海康威视数字技术股份有限公司
申请日： 2016-11-14 - 公布日： 2021-08-24 - 主分类号： G01S19/37 文献下载
摘要：所述定位方法包括：获取当前位置坐标采样点与预先确定的有效基准位置坐标采样点之间的漂移距离，所述位置坐标采样点包括当前位置坐标的经纬度值；如果获取的漂移距离超过预先设置的漂移距离阈值，更新已存储的漂移比率，所述漂移比率为超过所述漂移距离阈值的采样点与总采样点的比值；如果更新的漂移比率超过预先设置的漂移比率阈值，利用所述当前位置坐标采样点替换所述有效基准位置坐标采样点，所述当前位置坐标采样点为当前时刻的定位位置坐标，如果更新的漂移比率未超过预先设置的漂移比率阈值，则输出所述有效基准位置采样点的经纬度为当前时刻的定位位置坐标。本发明适用于对全球定位系统定位时产生的静态漂移进行处理。
一种定位方法装置电子设备

[发明专利]一种多功能漂移滑板车-CN202110386262.6有效
发明人：窦嘉琨 -专利权人：窦嘉琨
申请日： 2021-04-12 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： B62K17/00 文献下载
摘要：本发明涉及运动器械技术领域，具体而言，涉及一种多功能漂移滑板车，包括前踏板、后踏板、漂移前板、漂移后板，前踏板与漂移前板可拆卸式固定连接，后踏板与漂移后板可拆卸式固定连接，前踏板与后踏板通过中空的伸缩杆相互连接与现有技术相相比，本发明提供的一种多功能漂移滑板车将前踏板、后踏板、漂移前板、漂移后板、伸缩杆、扭力钢片组合起来可以当做蛇板使用，将支撑中板固定在伸缩杆可以当做滑板使用，当把漂移前板与漂移后板分别从前踏板、后踏板上拆卸下来，并且将左右滑轮沿固定块两侧的滑道上滑动到沿前进方向的一条直线上，则可以当做漂移板进行使用。
一种多功能漂移滑板

[实用新型]半导体器件-CN201920090693.6有效
发明人：拉尔夫·N·沃尔;李孟佳 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2018-07-02 - 公布日： 2019-10-25 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种半导体器件，其特征在于，包括：三个端子；三个端子中的两个端子之间的漂移区，其中漂移区包括上漂移层、下漂移层；以及上漂移层和下漂移层之间的多个隐埋结层，其中，中间漂移层将每对相邻隐埋结层分隔开，上漂移层和下漂移层具有第一掺杂类型，每个隐埋结层包括第一材料和第二材料的散布图案，第一材料具有与第一掺杂类型相反的第二掺杂类型，并且第二材料具有第一掺杂类型并且具有与上漂移层和下漂移层不同的掺杂浓度，
漂移层隐埋掺杂类型结层半导体器件掺杂材料第二材料第一材料漂移区散布图案本实用新型开关损耗性能退化不对准分隔掺杂架构

[发明专利]一种半导体功率器件及其制备方法-CN202211095497.0在审
发明人：杜泽晨;杨霏;张文婷;刘瑞;安运来;牛喜平;桑玲;吴裔;田英杰 -专利权人：北京智慧能源研究院;国网上海市电力公司
申请日： 2022-09-06 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体功率器件及其制备方法，其中，半导体功率器件包括：半导体衬底层；第一漂移层，位于半导体衬底层上；第二漂移层，位于第一漂移层背离半导体衬底层的一侧表面，第二漂移层的导电类型和第一漂移层的导电类型相同，第二漂移层的掺杂浓度大于第一漂移层的掺杂浓度；位于第二漂移层中的阱区；位于阱区中的源区。
一种半导体功率器件及其制备方法

[发明专利]一种数据流概念漂移检测方法及系统-CN201310255816.4有效
发明人：赵淦森;虞海;王维栋;卓超 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2013-06-19 - 公布日： 2013-10-09 - 主分类号： G06F19/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种数据流概念漂移检测方法及系统，方法通过对簇中心、簇消失和簇新增这几个角度进行分析，从而检测出概念漂移的级别。系统包括：簇中心分析单元、簇消失分析单元、簇新增分析单元和概念漂移级别分析单元。本发明利用多角度识别概念漂移，实现了对待检测数据集的概念漂移评估指标的精确量化，能够较全面地对概念漂移情况进行分析，准确检测出概念漂移的级别。本发明作为一种数据流概念漂移检测方法及系统应用于数据演变的检测中。
一种数据流概念漂移检测方法系统

[发明专利]一种转基因水稻杂草化基因漂移风险的评估方法及应用-CN202010050883.2有效
发明人：强胜;宋小玲;戴伟民;张晶旭;王敏;李雷 -专利权人：南京农业大学
申请日： 2020-01-17 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： C12Q1/6895 文献下载
摘要：本发明公开了一种转基因水稻杂草化基因漂移风险的评估方法及应用，该方法包括以下步骤：通过隔行种植或包围种植的方式混种，分别收获转基因水稻与杂草稻的后代种子，正向漂移检测和筛选幼苗抗性，存活植株再检测抗性基因；反向漂移检测子实中红皮Rc基因。根据抗性基因和Rc基因的检出率，合并计算转基因水稻基因漂移率，评价基因漂移风险。该方法克服了以往仅考虑正向漂移风险忽视反向漂移风险而低估实际漂移风险的弊端，从而可以更准确评估转基因水稻通过花粉介导的基因漂移风险大小，为转基因水稻商业化过程中的环境安全评价和管理提供技术支撑。
一种转基因水稻杂草基因漂移风险评估方法应用

[实用新型]一种漂移板连接件及其自平衡电动漂移板-CN201821246269.8有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：深圳市壹然进出口贸易有限公司
申请日： 2018-08-03 - 公布日： 2019-06-21 - 主分类号： B62K11/00 文献下载
摘要：本实用新型提出一种漂移板连接件及其自平衡电动漂移板，所述连接件包括连杆，所述连杆两端均铰接有旋转件，所述旋转件包括用于连接漂移板的固定部及可绕固定部旋转的转动部。所述自平衡电动漂移板，两漂移板沿滚轮轮轴轴向连接有上述连接件。本实用新型所述的自平衡电动漂移板，漂移板体积小，底盘低，稳定性高且便携性佳。经连接件连接后，实现了不同于普通漂移板的双联式新玩法，两漂移板可由骑行者身体姿态控制前后运行状态，不仅娱乐性强，而且可作为代步工具使用。
漂移自平衡连接件板连接件固定部旋转件本实用新型代步工具滚轮轮轴连杆两端身体姿态运行状态轴向连接便携性双联式体积小娱乐性底盘板沿铰接玩法转动

[发明专利]NLDMOS器件及形成方法-CN202310946027.9在审
发明人：令海阳 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2023-07-28 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种NLDMOS器件，包括：依次位于衬底内的N型埋层和N型埋层上的外延层；位于外延层内的第一P型阱区、N型漂移区和第一N型阱区，N型漂移区位于第一P型阱区的两侧；第一N型阱区位于N型漂移区的远离第一P型阱区的一侧；位于外延层内的P型漂移区，P型漂移区位于第一N型阱区的远离N型漂移区的一侧；位于外延层内的P型隔离层，P型隔离层两边分别与P型漂移区接触，P型隔离层的上表面与第一N型阱区、N型漂移区和第一P型阱区均接触；位于P型漂移区内的第二P型阱区；其中，第一N型阱区与N型漂移区以及P型漂移区均有一定的距离，且N型漂移区的离子浓度越大，第一N型阱区与N型漂移区之间的距离越大。
nldmos 器件形成方法

[发明专利]一种肖特基二极管及其制备方法-CN202110210079.0在审
发明人：张园览;张清纯 -专利权人：光华临港工程应用技术研发（上海）有限公司
申请日： 2021-02-24 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：一种肖特基二极管及其制备方法，肖特基二极管包括：半导体衬底层；位于所述半导体衬底层上的漂移层，所述漂移层包括第一漂移区和位于所述第一漂移区背向所述半导体衬底层一侧的第二漂移区，所述第二漂移区的掺杂浓度大于所述第一漂移区的掺杂浓度；位于部分第二漂移区中的副掺杂层，所述副掺杂层的导电类型与所述漂移层的导电类型相反；位于所述漂移层中且围绕所述副掺杂层间隔分布的若干主掺杂层，所述主掺杂层的导电类型与所述副掺杂层的导电类型相同。
一种肖特基二极管及其制备方法

[发明专利]一种抗概念漂移的IoT僵尸网络检测系统及方法-CN202310901450.7在审
发明人：陈瑞东;牛伟纳;代天赐;张小松;胡佳;朱宇坤 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2023-07-21 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H04L9/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种抗概念漂移的IoT僵尸网络检测系统及方法，属于僵尸网络检测技术领域，主旨在于解决僵尸网络检测系统处理在线的动态物联网流量数据时面对漂移数据鲁棒性差的问题。其包括流量数据处理模块、概念漂移检测模块和概念漂移适应模块。流量数据处理模块会从捕获的流量Pcap包中提取出有效信息并降维得到特征向量；概念漂移检测模块将特征向量划分为一个初始训练块和多个滑动块，使用初始训练块来训练一个GBDT模型，接着用GBDT模型去检测新的滑动块是否发生漂移，若发生漂移，则发出漂移预警，否者，认为流量数据分类成功，继续处理下一个滑动块；概念漂移适应模块接受到漂移预警后，根据当前滑动块的数据更新GBDT模型。
一种概念漂移 iot 僵尸网络检测系统方法

[发明专利]晶振频率漂移感知方法-CN201410354488.8有效
发明人：冷国俊;陈睿;保宏;张文堃;何著;尹本浩;张波;蒋冬冬;朱劼昊 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十九研究所
申请日： 2014-07-24 - 公布日： 2014-10-29 - 主分类号： G01R23/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶振频率漂移感知方法。其包括：测量晶振在静态时的静态相位噪声；设定振动环境条件，对在振动环境条件下振动的晶振进行多次测量，得到多组振动相位噪声；将每组振动相位噪声与静态相位噪声进行差值运算，得到多组频率漂移值；对每组频率漂移值进行筛选处理，以剔除大于预定阈值的频率漂移值；对每组频率漂移值进行筛选处理，以剔除大于预定阈值的频率漂移值；获取剩余各组频率漂移值，根据预设的响应面模型以及每组频率漂移值对前一组频率漂移值对应的拟合函数进行修正，得到最终拟合函数本发明能够提高晶振频率漂移感知的准确性，从而挖掘振动环境条件对晶振电性能的影响机理。
频率漂移感知方法