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[发明专利]GaN基肖特基二极管、β核电池及其制备方法-CN202111518689.3在审
发明人：杨毓枢;周春林;吴巍伟;王旭;陈桎远;李培咸;冯焕然;苏晨;王磊;邓志勇;张劲松 -专利权人：中国核动力研究设计院
申请日： 2021-12-13 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： G21H1/06 文献下载
摘要：本发明公开了GaN基肖特基二极管、β核电池及其制备方法，GaN基肖特基二极管，包括n型GaN薄膜、金属层和石墨烯，所述n型GaN薄膜置于金属层和石墨烯之间，所述金属层和石墨烯分别作为GaN基肖特基二极管的底电极和顶电极本发明所述GaN基肖特基二极管中的n型GaN薄膜采用外延生长技术获得，具有超薄的优点，且本发明的GaN基肖特基二极管中采用石墨烯作为电极，使得制备的GaN基肖特基二极管不仅具有厚度薄的优点。
gan 基肖特基二极管核电及其制备方法

[发明专利]GaN基器件肖特基接触可靠性的评价方法-CN201410005400.1有效
发明人：赵妙;刘新宇;郑英奎;李艳奎;欧阳思华 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2014-01-06 - 公布日： 2017-03-22 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种GaN基器件肖特基接触可靠性的评价方法，包括采集待测GaN基器件在不同温度下的电流‑电压特性曲线；根据待测GaN基器件在不同温度下的电流‑电压特性曲线，获得待测GaN基器件的串联电阻随温度的变化曲线及其肖特基势垒高度与理想因子之间的关系曲线；采集待测GaN基器件在不同频率下的电容‑电压特性曲线；根据待测GaN基器件在不同频率下的电容‑电压曲线，获得待测GaN基器件的频散关系；根据待测GaN基器件的串联电阻随温度的变化曲线、肖特基势垒高度与理想因子之间的关系曲线以及待测GaN基器件的频散关系，对待测GaN基器件肖特基接触的可靠性进行评价。该评价方法可以对GaN基器件中肖特基的可靠性进行评价。
gan 器件肖特基接触可靠性评价方法

[发明专利]一种基于肖特基二极管的毫米波过保护电路及其制备方法-CN201810811142.4有效
发明人：杨凌;马晓华;芦浩;侯斌;宓珉翰;祝杰杰;周小伟;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2018-07-23 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： H01L21/8252 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于肖特基二极管的毫米波过保护电路的制备方法，包括制作正向肖特基二极管、反向肖特基二极管以及GaN基器件，并将正向肖特基二极管和反向肖特基二极管并联后通过金属互联工艺与GaN基器件连接，从而完成基于肖特基二极管的毫米波过保护电路的制作本发明实施例，通过采用将正向肖特基二极管和反向肖特基二极管并联再与GaN基器件的栅极连接的电路，可以实现电路的自我保护，同时满足器件能够承受正反向大功率信号的冲击，实现器件的双向保护。
一种基于肖特基二极管毫米波保护电路及其制备方法

[发明专利]一种制作高频GaN基薄膜肖特基器件的外延结构及工艺方法-CN201810495053.3有效
发明人：安宁;曾建平;李倩;谭为 -专利权人：中国工程物理研究院电子工程研究所
申请日： 2018-05-22 - 公布日： 2022-01-25 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明属于太赫兹高频器件技术领域，公开了一种制作高频GaN基薄膜肖特基器件的外延结构及工艺方法，外延结构为结构一或结构二：结构一包括衬底、缓冲层、电流扩展层、GaN牺牲层和肖特基有源层；电流扩展层与GaN牺牲层间形成低电阻导电通道；结构二包括衬底、缓冲层、GaN牺牲层和肖特基有源层；肖特基有源层与GaN牺牲层间形成低电阻导电通道；工艺方法包括淀积绝缘介质层、使欧姆电极台面与GaN牺牲层之间具有低电阻导电通道、在n+GaN层上形成肖特基器件的欧姆接触金属电极、制备暴露的GaN牺牲层、GaN基肖特基有源层与衬底剥离、在肖特基有源层制作肖特基接触金属电极及金属互联完成高频GaN基薄膜肖特基器件的制作的步骤。
一种制作高频 gan 薄膜肖特基器件外延结构工艺方法

[实用新型]整流半导体芯片封装结构-CN201320132795.2有效
发明人：胡乃仁;杨小平;李国发;钟利强 -专利权人：苏州固锝电子股份有限公司
申请日： 2013-03-22 - 公布日： 2013-08-07 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本实用新型公开一种整流半导体芯片封装结构，肖特基芯片由第一肖特基芯片和第二肖特基芯片组成；导电基盘由散热区和基盘引脚区组成，此基盘引脚区由若干个相间排列的负极引脚组成，此负极引脚一端与散热区端面电连接，散热区位于第一肖特基芯片和第二肖特基芯片正下方且与第一肖特基芯片和第二肖特基芯片负极之间通过软焊料层电连接；第一导电焊盘和第二导电焊盘位于第一肖特基芯片和第二肖特基芯片另一侧，第一导电焊盘和第二导电焊盘各自均包括焊接区和引脚区，焊接区与引脚区的连接处具有一折弯部；金属线跨接于肖特基芯片的正极与导电焊盘的焊接区之间。本实用新型封装结构既有利于进一步缩小器件的体积，也减少器件中部件的数目，同时由于散热区和基盘引脚区为一个整体，提高了电性能的稳定性。
整流半导体芯片封装结构

[发明专利]一种金刚石与GaAs太赫兹肖特基二极管集成的方法-CN202011161537.8有效
发明人：吴立枢;牛斌;孔月婵;陈堂胜 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2020-10-27 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： H01L21/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种金刚石与GaAs太赫兹肖特基二极管集成的方法，其步骤如下：制备完成GaAs肖特基二极管器件；将GaAs肖特基二极管器件与临时载片正面相对临时键合；将GaAs肖特基二极管器件的衬底去除，得到以临时载片为支撑的GaAs肖特基二极管器件层；以临时载片为支撑的GaAs肖特基二极管器件层金刚石基片进行低温介质键合集成；将金刚石基GaAs肖特基二极管器件与临时载片分离。本发明将GaAs肖特基二极管器件与金刚石基片集成得到金刚石基GaAs肖特基二极管器件，与传统石英材料基GaAs肖特基二极管器件相比，器件的散热效果得到进一步提升，有利于提高肖特基二极管太赫兹倍频器输出功率
一种金刚石 gaas 赫兹肖特基二极管集成方法

[发明专利]一种锗基NMOS器件及其制备方法-CN201110170991.4有效
发明人：黄如;李志强;安霞;郭岳;张兴 -专利权人：北京大学
申请日： 2011-06-23 - 公布日： 2011-10-26 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种锗基NMOS器件结构及其制备方法。该方法在源、漏区与衬底之间淀积了二氧化锗(GeO2)和金属氧化物双层介质材料。本发明不但降低了锗基肖特基NMOS源漏处电子的势垒高度，改善了锗基肖特基晶体管的电流开关比，提升了锗基肖特基NMOS晶体管的性能，而且制作工艺与硅CMOS技术完全兼容，保持了工艺简单的优势。相对于现有工艺制备方法，本发明结构及其制造方法简单、有效地提升锗基肖特基NMOS晶体管的性能。
一种 nmos 器件及其制备方法

[发明专利]肖特基整流芯片封装结构-CN201310093289.1无效
发明人：胡乃仁;杨小平;李国发;钟利强 -专利权人：苏州固锝电子股份有限公司
申请日： 2013-03-22 - 公布日： 2013-07-24 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本发明公开一种肖特基整流芯片封装结构，导电基盘由散热区和基盘引脚区组成，此基盘引脚区由若干个相间排列的负极引脚组成，此负极引脚一端与散热区端面电连接，散热区位于第一肖特基芯片和第二肖特基芯片正下方且与第一肖特基芯片和第二肖特基芯片负极之间通过软焊料层电连接；第一导电焊盘和第二导电焊盘位于第一肖特基芯片和第二肖特基芯片另一侧，第一导电焊盘和第二导电焊盘各自均包括焊接区和引脚区，焊接区与引脚区的连接处具有一折弯部；金属线跨接于肖特基芯片的正极与导电焊盘的焊接区之间，金属线与肖特基整流芯片的焊接条至少为两条且相间排列。本发明既有利于进一步缩小器件的体积，有利于减少欧姆接触电阻，同时由于散热区和基盘引脚区为一个整体，提高了电性能的稳定性。
肖特基整流芯片封装结构

[实用新型]一种氮化镓基肖特基二极管-CN202020289473.9有效
发明人：范捷;万立宏;王绍荣 -专利权人：江苏丽隽功率半导体有限公司
申请日： 2020-03-10 - 公布日： 2020-08-18 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种氮化镓基肖特基二极管，涉及半导体技术领域，该新型结构的氮化镓基肖特基二极管包括衬底及其上的N+氮化镓外延层，N+氮化镓外延层上制作有呈间隔结构的N‑GaN外延层，N‑GaN外延层上制作有P‑GaN外延层，P‑GaN外延层上制作有介质层；阴极金属电极与N+氮化镓外延层形成欧姆接触，阳极金属电极与P‑GaN外延层形成肖特基接触；该新型结构的氮化镓基肖特基二极管可以大幅降低漏电，提升器件耐压，同时在肖特基势垒引入了P‑GaN外延层，可以有效提升肖特基势垒高度。
一种氮化镓基肖特基二极管

[发明专利]一种基于肖特基二极管的毫米波线性化方法-CN201810811349.1有效
发明人：杨凌;马晓华;芦浩;宓珉翰;周小伟;侯斌;祝杰杰;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2018-07-23 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于肖特基二极管的毫米波线性化方法，包括：制备GaN基微波功率器件，测试得到GaN基微波功率器件的输入阻抗；制备肖特基二极管，测试得到肖特基二极管的输出阻抗；将肖特基二极管的输出阻抗与GaN基微波功率器件的输入阻抗共轭匹配；将GaN基微波功率器件与肖特基二极管通过键合互连。
一种基于肖特基二极管毫米波线性化方法

[发明专利]氧化镓基半导体结构及其制备方法-CN201911283509.0有效
发明人：龙世兵;周选择;徐光伟;熊文豪;赵晓龙;刘明 -专利权人：合肥中科微电子创新中心有限公司
申请日： 2019-12-13 - 公布日： 2023-02-07 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明公开了一种氧化镓基半导体结构及其制备方法，该氧化镓基半导体结构包括：氧化镓基外延层，具有多个沟道，该多个沟道形成于该氧化镓基外延层上表面且相互间隔第一距离；多个低势垒肖特基电极，形成于所述多个沟道之间的氧化镓基外延层上表面；以及高势垒肖特基电极，形成于所述氧化镓基外延层上表面，且覆盖所述多个沟道及所述多个低势垒肖特基电极。该氧化镓基半导体结构同时结合了高、低势垒的优势，具有较低的开启电压的同时可以维持较小的反向漏电流的优势，能够保证开态电阻不会有明显增大，甚至会有降低的效果，能够使得双势垒肖特基能够有效应的用于高温领域。
氧化半导体结构及其制备方法

[发明专利]一种肖特基ZnO基LED用氧化锌薄膜的制备方法-CN201410040573.7有效
发明人：杨卿;周小红 -专利权人：西安理工大学
申请日： 2014-01-28 - 公布日： 2014-05-21 - 主分类号： H01L33/28 文献下载
摘要：一种肖特基ZnO基LED用氧化锌薄膜的制备方法，包括以下步骤：在ZnS基板表面涂覆Ga；将涂有Ga的ZnS基板置于管式炉中保温一定时间后冷却至室温，得到肖特基ZnO基LED用氧化锌薄膜。本发明一种肖特基ZnO基LED用氧化锌薄膜的制备方法，将液态Ga涂覆于ZnS基板表面，通过热氧化在ZnS基板表面生成ZnO薄膜，解决了现有肖特基ZnO基LED驱动电压阈值高的问题，该方法操作简单、环境友好
一种肖特基 zno led 氧化锌薄膜制备方法

[发明专利]一种基于三维复合漏极的GaN高电子迁移率晶体管及其制造方法-CN201711459745.4有效
发明人：张凯;朱广润;孔月婵;陈堂胜 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2017-12-28 - 公布日： 2021-01-19 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于三维复合漏极的GaN高电子迁移率晶体管，其结构自下而上依次包括衬底、缓冲层、势垒层，所述势垒层的上方自左向右依次平行设有源极、钝化层、肖特基漏极、欧姆漏极，所述钝化层的上方设有栅极；其特征在于：欧姆漏极靠近栅极的一侧设有三维肖特基二极管；三维肖特基二极管与欧姆漏极构成三维复合漏极；三维肖特基二极管的结构包括周期性排列的GaN基三维鳍片和肖特基漏极；GaN基三维鳍片之间设有刻蚀形成的隔离槽；肖特基漏极一部分包裹于GaN基三维鳍片的上方和两侧，另一部分覆盖于GaN基三维鳍片的相邻之间的隔离槽上。本发明能够抑制肖特基漏边缘电场和电流崩塌并降低开态电阻，提高正向击穿与反向阻断能力。
一种基于三维复合 gan 电子迁移率晶体管及其制造方法

[发明专利]一种氮化镓基肖特基二极管及其制备方法-CN202010542757.9在审
发明人：刘新科;罗江流;王磊;利健;贺威;林峰;黎晓华;朱德亮;吕有明 -专利权人：深圳大学
申请日： 2020-06-15 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种氮化镓基肖特基二极管及其制备方法，该氮化镓基肖特基二极管包括依次层叠设置的欧姆接触电极、衬底、n型氮化镓层和肖特基金属电极，还包括：氧化镓绝缘层，设置于所述n型氮化镓层背离所述衬底一侧的两端部边缘处，并至少部分地被所述肖特基金属电极覆盖。本发明提供的氮化镓基肖特基二极管器件结构简单，并且氧化镓具有良好的绝缘隔离作用，有效缓解了势垒边缘电场集中的问题，明显提高了防止击穿漏电的能力，显著提高了器件的实际击穿电压，避免因为局部电场过高引起的器件击穿问题
一种氮化镓基肖特基二极管及其制备方法

[发明专利]一种多梁式引线砷化镓基肖特基倍频二极管-CN201510199142.X有效
发明人：王俊龙;邢东;梁士雄;张立森;杨大宝;赵向阳;冯志红 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2015-04-24 - 公布日： 2018-06-12 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明公开了一种多梁式引线砷化镓基肖特基倍频二极管，涉及半导体器件技术领域；包括砷化镓基肖特基倍频二极管本体，砷化镓基肖特基倍频二极管本体的两端均设有多梁式引线，所述多梁式引线包括一端连接在一起的至少两条梁式子引线本发明能够为肖特基倍频二极管正常安装在电路上提供保障，提高了肖特基倍频二极管的安全性与可靠性，安装成品率高，能确保安装质量，大大降低了生产及科研成本，结构简单，使用方便，延长了二极管的使用寿命。
肖特基倍频二极管砷化镓基梁式二极管本体半导体器件技术使用寿命一端连接成品率电路科研生产

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