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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]二极管加工方法及二极管-CN202111577807.8在审
发明人：曹群;吴海平 -专利权人：比亚迪半导体股份有限公司;宁波比亚迪半导体有限公司
申请日： 2021-12-21 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种二极管加工方法及二极管。该方法包括：获取基底层，基底层包括层叠设置的衬底层、外延过渡层以及外延层；在外延层的形成面形成多个凹槽，外延层的形成面为背离外延过渡层的表面；在形成面上形成阳极层；在阳极层上形成第一金属层，且在衬底层背离外延过渡层的表面形成第二金属层。
二极管加工方法

[发明专利]一种二极管及其制造方法-CN202111424740.4在审
发明人：曹群;吴海平 -专利权人：比亚迪半导体股份有限公司;宁波比亚迪半导体有限公司
申请日： 2021-11-26 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明属于电气元件领域，特别涉及一种二极管及其制造方法，二极管包括依次层叠设置的第一电极层、漂移区、阴极区和第二电极层；所述漂移区内设置有隔离层，所述隔离层包括多个隔离区和多个隔离窗口，多个所述隔离区间隔设置，在相邻的两个所述隔离区之间形成所述隔离窗口，所述隔离区能够隔绝电子，以使得电子从所述隔离窗口处通过。本发明实施例中，通过隔离区起到限流的作用，形成阻挡结构，使得反向关断末期的电流只能从隔离窗口处通过，减缓电荷在反向抽取过程中的消失速度，在反向关断恢复过程中起到限流作用，使得反向恢复末期加长，进而提升了关断软度。
一种二极管及其制造方法

[发明专利]半导体功率器件及其制备方法和电子设备-CN202111406328.X在审
发明人：董莹锋 -专利权人：比亚迪半导体股份有限公司;宁波比亚迪半导体有限公司
申请日： 2021-11-24 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：本发明提出一种半导体功率器件及其制备方法和电子设备，包括：提供衬底层；在衬底层的上表面生长具有第一预设厚度的基础介质层；在基础介质层上表面生成第二预设厚度的外延介质层；在外延介质层上方放置电极组件，并对电极组件持续施加电压至第一预设时间后停止，以使可移动离子在外延介质层聚集；去除包含可移动离子的外延介质层。本发明通过静电感应的方式在外延介质层上实现可移动离子的聚集，并去除外延介质层，从而去除了可移动离子，使得半导体功率器件的有效性得到极大改善。
半导体功率器件及其制备方法电子设备

[发明专利]一种半导体元胞结构及其制备方法-CN202111258419.3在审
发明人：张增成 -专利权人：比亚迪半导体股份有限公司;宁波比亚迪半导体有限公司
申请日： 2021-10-27 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：为克服现有肖特基二极管存在无法兼顾正向压降降低和反向击穿电压提升的问题，本发明提供了一种半导体元胞结构及其制备方法，所述半导体元胞结构包括阴极电极、第一类导电型掺杂层、半侧墙肖特基接触区和阳极电极，所述第一类导电型掺杂层位于所述阴极电极上，所述第一类导电型掺杂层上设置有沟槽，所述沟槽的底部设置有第二类导电型掺杂区，所述沟槽的上部分侧壁为第二类导电型区，所述沟槽的下部分侧壁为第一类导电型区，所述半侧墙肖特基接触区覆盖于所述沟槽的下部分侧壁。本发明提供的半导体元胞结构可以实现较大的肖特基区接触面积，同时有效保护肖特基接触区和增强器件的电压浪涌能力。
一种半导体结构及其制备方法

[发明专利]半导体功率器件及其终端区的制备方法-CN201810569392.1有效
发明人：刘东庆 -专利权人：比亚迪半导体股份有限公司;宁波比亚迪半导体有限公司
申请日： 2018-06-05 - 公布日： 2023-02-21 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供了半导体功率器件及其终端区制备方法。该制备半导体功率器件终端区的方法包括：在第一导电类型衬底的上表面形成绝缘层；在绝缘层远离第一导电类型衬底的表面形成临时电极；对第一导电类型衬底和临时电极施加电压，以使得半导体功率器件中的可动离子富集在绝缘层中远离第一导电类型衬底的一侧；去除临时电极；在绝缘层远离第一导电类型衬底的一侧，去除预定厚度的绝缘层，形成绝缘介质层。该方法操作简单、方便、容易实现，成本较低，易于工业化生产，有效去除所述绝缘介质层中的可动离子，使半导体功率器件的耐压性满足要求，失效率大幅降低，可靠性明显改善。
半导体功率器件及其终端制备方法

[发明专利]快恢复二极管及制备方法、电子设备-CN201710462474.1有效
发明人：王艳春;周亮 -专利权人：比亚迪半导体股份有限公司;宁波比亚迪半导体有限公司
申请日： 2017-06-19 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L29/868 文献下载
摘要：本发明提出了快恢复二极管及制备方法、电子设备。该快恢复二极管包括：衬底，所述衬底中形成有欧姆接触区；外延层，所述外延层设置在所述衬底上；离子掺杂区，所述离子掺杂区设置在所述外延层中远离所述衬底的一侧；第一金属区，所述第一金属区设置在所述外延层中，且所述第一金属区与所述离子掺杂区相邻设置，所述第一金属区与所述外延层之间形成肖特基接触；第一电极，所述第一电极设置在所述外延层远离所述衬底一侧的表面上；以及第二电极，所述第二电极设置在所述衬底远离所述外延层的一侧。由此，可以使该快恢复二极管具有较快的反向恢复时间、较小的正向导通压降以及较大的恢复软度。
恢复二极管制备方法电子设备

[发明专利]光电二极管及其制造工艺-CN201711192894.9有效
发明人：刘东庆 -专利权人：比亚迪半导体股份有限公司;宁波比亚迪半导体有限公司
申请日： 2017-11-24 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： H01L31/103 文献下载
摘要：本发明提供了光电二极管，包括耗尽层、阳极金属，及顺序设置的阴极金属、N型掺杂阴极区、P型掺杂阳极区和绝缘层；阴极金属、N型掺杂阴极区和P型掺杂阳极区电性导通，耗尽层封闭于N型掺杂阴极区与P型掺杂阳极区之间，阳极金属的一端穿过绝缘层并与P型掺杂阳极区电性导通。还提供了光电二极管的制造工艺：在N型掺杂阴极区上外延生长出感光区；在感光区的上外延生长出P型掺杂阳极区；在P型掺杂阳极区上生长出绝缘层；在绝缘层上的接触窗口处沉积阳极金属，在N型掺杂阴极区背离P型掺杂阳极区的一侧沉积阴极金属；耗尽感光区形成耗尽层。P型掺杂阳极区和N型掺杂阴极区封闭耗尽层，避免耗尽层外露，有效消除表面漏电，明显增加信噪比。
光电二极管及其制造工艺

[实用新型]电阻和芯片-CN202023144828.4有效
发明人：刘春江;杨胜松 -专利权人：比亚迪半导体股份有限公司;宁波比亚迪半导体有限公司
申请日： 2020-12-23 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： H01C1/01 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种电阻和芯片，涉及电阻技术领域，该电阻包括：电阻本体；焊接端子；以及焊料元件，焊料元件通过焊接端子固定于电阻本体的端部上。焊接端子上可设有溢出通孔，高温熔化后的焊料元件能够通过溢出通孔向外溢出。焊接端子可呈端帽状盖设在电阻本体的端部外侧，焊料元件设于焊接端子的端帽腔中。溢出通孔可为多个并设于焊接端子的端帽顶壁和/或端帽周壁上。焊料元件呈片状并夹设于焊接端子的端帽顶壁与电阻本体的端面之间。焊接端子的端帽周壁可形成有用于与待焊接元件贴合焊接的焊接平面。焊接端子的端帽周壁与电阻本体之间可形成过盈配合。本实用新型的电阻和芯片的焊接操作难度降低，成品率高。
电阻芯片

[实用新型]一种功率开关器件的均压电路-CN202022840714.7有效
发明人：高振彪;吴海平;韩俭 -专利权人：比亚迪半导体股份有限公司;宁波比亚迪半导体有限公司
申请日： 2020-11-30 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： H02M3/158 文献下载
摘要：本申请提供了一种功率开关器件的均压电路，包括：第一功率开关器件和第二功率开关器件串联连接于电源与地之间；第一吸收支路包括第一电容，用于控制第一功率开关器件的第一端和第二端之间的电压；第二吸收支路包括第二电容，用于控制第二功率开关器件的第一端和第二端之间的电压；第一均压支路并联于第一电容的两端，且连接至第二电容，用于当第一电容两端的第一电压大于第二电容两端的第二电压时，控制第一电压和第二电压保持一致。根据本申请，可以减小由于功率开关器件开通瞬间和关断瞬间导致的动态不均压问题，更好地实现了功率开关器件的串联均压，提高了功率开关器件的性能。
一种功率开关器件压电

[实用新型]一种功率器件和电子装置-CN202023002313.0有效
发明人：刘春江;杨胜松 -专利权人：比亚迪半导体股份有限公司;宁波比亚迪半导体有限公司
申请日： 2020-12-11 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本实用新型提供一种功率器件和电子装置，所述功率器件包括：壳体、绝缘基板、第一导电层、导热块和芯片，所述壳体内具有容置空间；绝缘基板设置于所述壳体内的容置空间中；第一导电层覆盖所述绝缘基板的第一表面；导热块设置于所述第一导电层上；芯片设置于所述导热块上。本申请的功率器件中由于具有导热块，芯片设置于该导热块上，提升了芯片纵向散热面积，能够更好的引导和释放芯片因高速开通、关断而产生的热量，从而提升器件的电流输出能力。
一种功率器件电子装置

[实用新型]电流互感器-CN202023233323.5有效
发明人：杨伟;高洪良;刘双 -专利权人：比亚迪半导体股份有限公司;宁波比亚迪半导体有限公司
申请日： 2020-12-28 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： H01F27/02 文献下载
摘要：本申请公开了一种电流互感器，包括线圈感应部分，线圈感应部分包括：第一壳体、第二壳体和开合组件；第一壳体和第二壳体之间通过连接组件开合连接，开合组件用于调整第一壳体和第二壳体的开合状态；第一壳体内设置有第一线圈组件，第二壳体内设置有第二线圈组件，第一线圈组件和第二线圈组件分别包括至少两个导线绕组。本申请的电流互感器结构简单，适用于检测不同量程的电流，同时使用安全方便。
电流互感器

[实用新型]一种汽车尾灯配件及汽车尾灯-CN201921655512.6有效
发明人：孙世向;曾荣;谢远安;李小川;梅凌 -专利权人：比亚迪股份有限公司;宁波比亚迪半导体有限公司
申请日： 2019-09-30 - 公布日： 2020-10-20 - 主分类号： F21S43/50 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种汽车尾灯配件及汽车尾灯，汽车尾灯配件包括装饰件(1)，支架以及面罩(3)，所述面罩(3)两端设有支架，所述支架包括第一支架和第二支架，所述支架包括第一支架和第二支架上分别设有限位部件，所述装饰件与所述第一支架和所述第二支架的所述限位部件配合。
一种汽车尾灯配件

[发明专利]在硅基体中蚀刻沟槽的方法及其应用-CN201811456891.6在审
发明人：钱炜彬 -专利权人： 宁波比亚迪半导体有限公司
申请日： 2018-11-30 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明提供了在硅基体中蚀刻沟槽的方法及其应用。该在硅基体中蚀刻沟槽的方法包括：在硅基体的上表面上形成保护图案；利用干法蚀刻对所述硅基体未被所述保护图案覆盖的上表面进行蚀刻，其中，所述干法蚀刻采用的蚀刻混合气体中含有氯气、溴化氢和氦氧气体。该方法操作简单、方便，容易实现，易于工业化生产，在实现较窄的沟槽宽度时也可以得到需求的沟槽深度，所形成的沟槽接近垂直、无损伤、平坦光滑，且纵横比高。
基体蚀刻沟槽方法及其应用

[发明专利]沟槽型MOS结构肖特基二极管及其制备方法-CN201811224311.0在审
发明人：王艳春;周亮 -专利权人： 宁波比亚迪半导体有限公司
申请日： 2018-10-19 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供了沟槽型MOS结构肖特基二极管及其制备方法。所述沟槽型MOS结构肖特基二极管包括N型掺杂衬底、设置在所述N型掺杂衬底上表面上的N型掺杂外延层和从所述N型掺杂外延层的上表面向所述N型掺杂外延层中延伸的多个沟槽，其中，所述N型掺杂外延层中的掺杂浓度由上至下逐渐升高。由此，通过改变肖特基二极管中N型掺杂外延层的杂质掺杂浓度(N型掺杂外延层中的掺杂浓度由上至下逐渐升高)，可以改变N型掺杂外延层电场强度分布，进而降低沟槽底部拐角处的峰值电场，达到改善肖特基二极管的反向阻断特性和器件的正向导通特性，即降低肖特基二极管的反向漏电流，升高反向击穿电压。
沟槽 mos 结构肖特基二极管及其制备方法

[实用新型]一种功率模块-CN201921655519.8有效
发明人：严百强;李慧;张建利 -专利权人：比亚迪股份有限公司;宁波比亚迪半导体有限公司
申请日： 2019-09-30 - 公布日： 2020-04-24 - 主分类号： H01L23/49 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种功率模块，包括：功率芯片设置在基板上，正极端子、负极端子、交流端子分别与基板连接，每一组发射极引线对应一组功率芯片，第一组发射极引线与第一组功率芯片连接，且第一组发射极引线与负极端子一体成型；第二组发射极引线与第二组功率芯片连接，且第二组发射极引线、交流端子、第一信号端子一体成型，其余信号端子设置在基板上并通过导线与功率芯片连接。通过上述方式，引线与电极端子一体成型，无需焊接，且一体成型材料相同，热膨胀系数也相同，解决了现有的功率模块在大功率长时间工作时铝线容易出现断裂或脱落，导致功率模块失效的问题。
一种功率模块

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