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[发明专利]一种光纤陀螺仪温漂调控方法及装置-CN202211325836.X在审
发明人：韩红彩;朱金富;孙超;王兰梅;秦明浩;杨光;李志永 -专利权人：中铁城际规划建设有限公司
申请日： 2022-10-27 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： G01C19/72 文献下载
摘要：本发明公开了一种光纤陀螺仪温漂调控方法及装置，涉及光纤陀螺仪技术领域；方法包括实时获得温控箱温度T1、光纤陀螺仪的内壁温度T2和外壁温度T3以及漂移输出y，获得学习样本{T1,T2,T3,y}，输入自适应增强学习算法获得预测的漂移输出值，将预测漂移输出值与实际漂移输出值y求差获得光纤陀螺仪的温漂调控值，将实际漂移输出值y减去温漂调控值并实现温漂控制；装置包括光纤陀螺仪温漂调控模块，将实际的温控箱温度、光纤陀螺仪的内壁温度和外壁温度以及漂移输出值构建形成学习样本，将学习样本输入自适应增强学习算法获得预测的漂移输出值，将预测漂移输出值与实际漂移输出值求差获得温漂调控值，在时间成本低的情况下，实现改善光纤陀螺仪漂移。
一种光纤陀螺仪调控方法装置

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202010368145.2有效
发明人：蔡巧明;张云香;金美晨 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2020-04-30 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本申请公开了一种半导体结构及其形成方法，该半导体结构包括：衬底，位于衬底中的阱区；位于阱区中的第一漂移区、第二漂移区和第三漂移区，第三漂移区包括环形区域和桥接区域，环形区域环绕第一漂移区和第二漂移区，桥接区域从环形区域向内延伸至沟道区；位于衬底上的栅极结构，栅极结构横跨第一漂移区和第二漂移区并包括栅介电层、位于栅介电层上的栅电极和位于栅介电层和栅电极两侧的侧墙；以及分别位于栅极结构两侧的第一漂移区和第二漂移区内的源极区和漏极区，沟道区位于源极区与漏极区之间并位于栅介电层下方
半导体结构及其形成方法

[发明专利]半导体装置和半导体装置的制造方法-CN201910221349.0在审
发明人：渡部敦;上田博之;森朋彦 -专利权人：丰田自动车株式会社
申请日： 2019-03-22 - 公布日： 2019-10-08 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：所述半导体装置包括n型第一漂移层、设置在所述第一漂移层的顶部的i型或n型耐压层、设置在所述耐压层的顶部的p型主体层、设置在所述第一漂移层的顶部并且与所述耐压层和所述主体层的侧表面接触的n型第二漂移层、设置在所述主体层的顶部并且通过所述主体层而隔离于所述第一漂移层、所述第二漂移层和所述耐压层的n型源极层、以及通过栅极绝缘膜面对所述主体层的栅电极，所述主体层位于所述第二漂移层与所述源极层之间。所述耐压层由具有大于所述第一漂移层的带隙的带隙的材料制成。
漂移层主体层半导体装置耐压层带隙栅极绝缘膜侧表面源极层栅电极制造隔离

[发明专利]滑板车的漂移控制方法及控制系统-CN202011214073.2在审
发明人：李筑龙 -专利权人：深圳乐漂科技有限公司
申请日： 2020-11-04 - 公布日： 2021-02-05 - 主分类号： A63C17/01 文献下载
摘要：本发明涉及一种滑板车的漂移控制方法及控制系统，滑板车的漂移控制方法包括：行驶步骤，漂移步骤，所述漂移步骤包括：判断左刹车信号和右刹车信号的值；若左刹车信号和右刹车信号都达到最大设定值，则紧急制动；若左刹车信号和右刹车信号都未达到最大设定值，则减速刹车；若左刹车信号达到最大设定值，则进行左漂移；若右刹车信号达到最大设定值，则进行右漂移；返回行驶步骤。通过获取用户操作时的左刹车信号和右刹车信号，并对左刹车信号和右刹车信号进行紧急制动、减速刹车、左漂移、右漂移等操作，可根据客户的操作意愿进行复杂的动作，以使得滑板车具备一定的竞技要求。
滑板漂移控制方法控制系统

[发明专利]一种数据流分类方法及装置-CN202111476528.2在审
发明人：陈迎春;冉晓旻;董芳;刘广怡;孙昱;莫有权;王晓梅;张静;余道杰 -专利权人：中国人民解放军战略支援部队信息工程大学
申请日： 2021-12-06 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： G06K9/62 文献下载
摘要：本发明提供了一种数据流分类方法及装置，根据当前时刻集成分类器的分类错误率以及概念漂移检测阈值准确识别概念漂移状态，并根据概念漂移状态灵活设置下一时刻的数据窗口，如在没有发生概念漂移时快速增大数据窗口，提高数据流分类效率；在不确定是否发生概念漂移时减小数据窗口的增加幅度，进一步确定是否发生概念漂移并降低噪声对分类准确性的影响；在发生概念漂移时快速缩小数据窗口，提高对突变式概念漂移的敏感性，快速对集成分类器进行调整，从而在整体上提高集成分类器对数据流分类的准确性
一种数据流分类方法装置

[发明专利]一种具有NP堆叠漂移区的IGBT-CN202210479793.4在审
发明人：陈万军;夏云;程峥;孙瑞泽;刘超;郑崇芝;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-05-05 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明属于功率半导体技术领域，特别涉及一种具有NP堆叠漂移区的IGBT。本发明将IGBT的耐压层设置为由N型漂移区(4)和P型漂移区(5)通过上下堆叠的形式，形成NP堆叠漂移区，从而NP叠型漂移区使器件内部形成了一个肖克来(Shockley)二极管结构，此肖克来二极管由一个PNP晶体管(发射极：P+集电极，基极：N型场截止层，集电极：P型漂移区和一个NPN晶体管(发射极：N型载流子存储层，基极：P型漂移区，集电极：N型漂移区构成，从而实现了更好的导通压降与关断损耗的折中关系
一种具有 np 堆叠漂移 igbt

[发明专利]车辆漂移性能评价方法、装置、设备及可读存储介质-CN202310420841.7在审
发明人：陈汝春;丁洋;金安康;刘康;蔡仁杰 -专利权人：东风汽车集团股份有限公司
申请日： 2023-04-18 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： G01M17/007 文献下载
摘要：本发明提供一种车辆漂移性能评价方法、装置、设备及可读存储介质。该方法包括：基于车辆处于漂移模式过程中的运行数据计算得到各个评价指标参数；分别检测每个评价指标参数是否在对应的预设范围内，得到多个检测结果；基于每个检测结果确定各个评价指标参数对应的分值；基于所述分值以及各个评价指标参数对应的权重，计算得到车辆漂移性能评价结果。通过本发明，根据车辆漂移性能评价结果即可客观的得知漂移时车辆数据是否均满足对应的评价要求，再根据各个评价指标参数对应的分值，即可客观的得知漂移失败或漂移不好的原因，解决了现有技术中无法客观的对车辆处于漂移模式时的各项性能进行评价的问题
车辆漂移性能评价方法装置设备可读存储介质

[发明专利]一种车辆控制方法、系统、电子设备及存储介质-CN202211066530.7在审
发明人：周诗喜;向闯;李刚;曹强;李志华;李广广;王朝均;吕麟华 -专利权人：重庆金康赛力斯新能源汽车设计院有限公司
申请日： 2022-08-31 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： B60T8/26 文献下载
摘要：本申请实施例提出了一种车辆控制方法、系统、电子设备及存储介质，能够使车辆在漂移过程中提高前轮的转向效率，从而减少漂移的横摆角，进而较少漂移过程的时间，满足驾驶员的漂移操作需求。其中，所述方法包括：当前轮制动器与后轮制动器均处于关闭状态时，接收漂移信号；响应漂移信号，保持前轮制动器处于关闭状态，以使前轮在漂移过程中的侧向地面附着力接近于当前路面状态所允许的第一最大值；以及控制后轮制动器处于启动状态，以使后轮在漂移过程中的纵向地面附着力接近于当前路面状态所允许的第二最大值。
一种车辆控制方法系统电子设备存储介质

[发明专利]臂架漂移控制设备、系统、方法及泵送设备-CN201210554967.5有效
发明人：黄露;黄毅;王佳茜;尹君 -专利权人：中联重科股份有限公司
申请日： 2012-12-19 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： E04G21/04 文献下载
摘要：本发明提供一种臂架漂移控制设备、系统及方法。所述设备包括：输入装置，用于接收表征臂架末端漂移程度的信号；计算装置，用于根据所述表征臂架末端漂移程度的信号来计算臂架减振作动机构的漂移控制信号；以及输出装置，用于向臂架减振作动机构输出所述漂移控制信号本发明能够基于表征臂架末端漂移程度的信号来对臂架减振作动机构进行控制，从而使得臂架减振作动机构按照补偿漂移的方向作动，避免了臂架末端的漂移，有效地保证了减振控制的有效性以及泵车工作的平稳性。
漂移控制设备系统方法

[发明专利]一种基于多元温度场的光纤陀螺温度漂移补偿装置及方法-CN202111238451.5有效
发明人：陈刚;赵肖熙;刘豪 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2021-10-25 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： G01C19/72 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于多元温度场的光纤陀螺温度漂移补偿装置及方法。该光纤陀螺温度漂移补偿装置包括：热成像仪，用于分析光纤陀螺温度场实际分布；温度传感器，用于测量光纤环或壳体温度；多通道AD温度采集板，将模拟信号转化为数字信号并打包输出；补偿计算机，用于漂移分解及多元温度信息计算，并进行温度漂移模型训练、预测及补偿。该光纤陀螺温度漂移补偿方法包括：根据温度场分布确定温度传感器数量与贴附位置；获取陀螺漂移，使用变分模态分解(VMD)提取温度漂移；计算多元温度信息，包括测点温度、测点温度变化率以及测点间温度梯度；基于多元温度信息和SVM/SVR训练光纤陀螺温度漂移模型，进行预测并补偿输出。
一种基于多元温度场光纤陀螺温度漂移补偿装置方法

[发明专利]一种过滤GPS漂移点方法、装置、电子设备及存储介质-CN202010625413.4有效
发明人：丁奇立;陈水鑫 -专利权人：浙江大华技术股份有限公司
申请日： 2020-07-01 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： G01S19/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种过滤GPS漂移点方法、装置、电子设备及存储介质，所述方法包括：根据所述每个位置点的信号强度确定由弱信号强度变为强信号强度的每个第一目标位置点；根据每个第一目标位置点对每个位置点进行分组；针对每组位置点，确定GPS漂移点并滤除。由于在信号较差的区域容易出现GPS位置漂移的情况，因此本发明实施例提供的分组过程实际是将可能的GPS漂移点进行了分组。然后针对每组进行GPS漂移点的确定及滤除。以组为单位避免了GPS漂移点数量较多导致速度阈值不准确进而导致过滤GPS漂移点不准确的问题，因此提高了过滤GPS漂移点的准确性。
一种过滤 gps 漂移方法装置电子设备存储介质

[发明专利]定位漂移检测方法及装置、机器人-CN201811627433.4有效
发明人：熊友军;刘洪剑;刘志超;张健;张思民;白龙彪;毕占甲;庞建新 -专利权人：深圳市优必选科技有限公司
申请日： 2018-12-28 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： G05D1/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种定位漂移检测方法，该方法包括：获取多个反射点；将多个反射点与地图数据匹配以将多个反射点映射到地图上；根据映射结果分别判断反射点是否在地图内并确定反射点的对应障碍点，对应障碍点是与反射点距离最近的障碍点；分别根据反射点是否在地图内以及反射点与其对应障碍点之间的距离计算反射点的漂移概率及正确概率；利用多个反射点的漂移概率及正确概率计算定位漂移概率；若定位漂移概率落入漂移区间，则判定出现定位漂移。本发明还公开了一种定位漂移检测装置、机器人和可读存储介质。通过上述方式，本发明能够提高定位的鲁棒性和导航的安全性。
定位漂移检测方法装置机器人

[发明专利]一种基于基准标记物的漂移矫正与筛选方法及成像方法-CN202310438218.4有效
发明人：倪燕翔;倪洁蕾;李开元;谈笑 -专利权人：深圳大学
申请日： 2023-04-23 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： G01N21/64 文献下载
摘要：本发明提供一种基于基准标记物的漂移矫正与筛选方法及成像方法。本发明基于基准标记物的漂移矫正与筛选方法包括如下步骤：固定荧光基准标记物，使每个生物样品的成像视场有一定数量的荧光基准标记物；对荧光基准标记物和生物样品进行单分子定位成像，并对所述荧光基准标记物定位；荧光基准标记物筛选：对多颗荧光基准标记物的定位轨迹取平均，作为初始漂移轨迹，基于所述初始漂移轨迹，筛选能够用于漂移矫正的荧光基准标记物作为定位荧光基准标记物；利用定位基准标记物的定位数据重新计算漂移轨迹；基于重新计算的漂移轨迹，对生物样品的成像序列进行漂移矫正。
一种基于基准标记漂移矫正筛选方法成像

[发明专利]信令漂移数据的过滤方法及装置-CN202010664860.0有效
发明人：施锦河;岑伟迪;林方铭;肖博文 -专利权人：中国移动通信集团浙江有限公司;中国移动通信集团有限公司
申请日： 2020-07-10 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H04W4/029 文献下载
摘要：本发明公开了一种信令漂移数据的过滤方法及装置，方法包括：根据目标用户的原始信令数据建立初始用户轨迹模型，根据初始用户轨迹模型确定与目标用户相对应的常驻地以及与常驻地相对应的漂移基站列表；根据漂移基站列表，针对原始信令数据中的漂移基站进行初次识别及修复，得到初步修复后的信令数据；根据初步修复后的信令数据更新初始用户轨迹模型，得到更新后的用户轨迹模型；根据更新后的用户轨迹模型，针对初步修复后的信令数据中的漂移基站进行二次识别及修复该方式能够根据常驻地确定与常驻地相对应的漂移基站列表，从而基于该漂移基站列表过滤大量的漂移基站。
漂移数据过滤方法装置

[发明专利]一种耐高压的横向双扩散MOS晶体管-CN200810103337.X无效
发明人：肖韩;黄如;杨淮洲;王鹏飞 -专利权人：北京大学
申请日： 2008-04-03 - 公布日： 2008-09-03 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：该器件包括栅区、源区、漏区、体区、栅介质以及漂移区，所述漂移区位于体区和漏区之间，掺杂类型与体区相反，在所述漂移区内设有一绝缘介质区和一与漂移区掺杂类型相反的掺杂区，并且，所述掺杂区的掺杂浓度要比漂移区的掺杂浓度高由于在漂移区中同时引入绝缘介质区和掺杂区，有利于降低漂移区的有效深度，使电场更均匀，并且增大了漂移区的等效长度，本发明横向双扩散MOS晶体管器件的耐高电压特性好。
一种高压横向扩散 mos 晶体管