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[发明专利]薄膜晶体管和使用该薄膜晶体管的显示装置-CN201410438512.6在审
发明人：赵承奂;姜秀馨;姜闰浩;申永基;车明根 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2014-08-29 - 公布日： 2015-06-17 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：公开了一种能够降低薄膜晶体管的源电极与漏电极之间的电压的薄膜晶体管和使用该薄膜晶体管的显示装置。一个具有创造性的方面包括栅电极、半导体图案、源电极和漏电极。源电极和漏电极形成在半导体图案上并且彼此间隔开。源电极和漏电极中的至少一个不与栅电极重叠。
薄膜晶体管使用显示装置

[发明专利]一种拖拽电缆漏电故障监视器-CN202211712515.5在审
发明人：廖晓斌;廖世达;盛建科;何涛;李小锋;李松睿 -专利权人：湖南福德电气有限公司;广东福德电子有限公司;株洲福德轨道交通研究院有限公司
申请日： 2022-12-29 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： G01R35/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种拖拽电缆漏电故障监视器，包括电流检测电路、控制器、零序电流互感器、电阻R5；零序电流互感器检测拖拽电缆的三相电流的相量和，并由次边电感L输出零序电流；电流检测电路包括电流变电压电路、电控脉冲电压源、信号放大电路，电流变电压电路将零序电流转换成电压信号输出至信号放大电路，并与二次边电感L、电控脉冲电压源构成充放电电路，电阻R5一端连接电流变电压电路的输出端，另一端接地，信号放大电路的输出与控制器连接，电控脉冲电压源向电压信号发出脉冲信号；控制器从信号放大电路的输出信号中分离获取漏电流数据和脉冲电压源数据，根据得到的数据区分互感器的正常、短路、断开的状态和漏电流大小。
一种电缆漏电故障监视器

[发明专利]基于自激励单电子自旋电磁晶体管的量子干涉晶体管-CN201810064170.4有效
发明人：张洪涛;张泽森 -专利权人：湖北工业大学
申请日： 2018-01-23 - 公布日： 2021-04-27 - 主分类号： H01L49/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于自激励单电子自旋电磁晶体管的量子干涉晶体管，包括两个自激励单电子自旋电磁晶体管，两个自激励单电子自旋电磁晶体管共接直流栅极电压源Vg，共接源极和漏极，组成一对称的环状电路，环状电路的一端与负载电阻R、电容C、漏电压Vp连接，另一端为输出端，在栅极电压Vg超过阈值时，输出漏电流随输入的漏电压Vp呈现谐振变化，形成顺时针和逆时针循环环路电流，在输出端两个晶体管的漏极形成干涉电流。本发明证实在栅极电压的阈值超过后，基于自激励单电子自旋电磁晶体管的量子干涉晶体管的源漏电压与漏电流的关系呈现干涉现象。
基于激励电子自旋电磁晶体管量子干涉

[发明专利]一种PEMFC氢气渗透电流与漏电电阻的检测方法与装置-CN202110517186.8在审
发明人：姚乃元;马天才;杨彦博;林维康 -专利权人：同济大学
申请日： 2021-05-12 - 公布日： 2021-09-21 - 主分类号： H01M8/04537 文献下载
摘要：本发明涉及一种PEMFC氢气渗透电流与漏电电阻的检测方法与装置，方法包括以下步骤：向质子交换膜燃料电池的阴阳极通入氮气和氢气；恒压源对质子交换膜燃料电池施加不同大小的恒定电压，记录恒定电压值及恒压源的稳态输出电流值，得到多组电压电流信号；对电压电流信号进行线性拟合，氢气渗透电流的值等于拟合直线在y轴的截距值，漏电电阻的值等于拟合直线的斜率的倒数。与现有技术相比，本发明将质子交换膜燃料电池中的氢气渗透过程和漏电过程等价为恒流源与电阻的并联，通过对质子交换膜燃料电池施加恒定电压，测量恒压源的稳态输出电流值，进而计算可以得到氢气渗透电流与漏电电阻两个参数
一种 pemfc 氢气渗透电流漏电电阻检测方法装置

[发明专利]漏电流抑制电路及应用其的存储器电路结构-CN201711461340.4有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2017-12-28 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：本发明至少提供一种漏电流抑制电路，包括第一PMOS管、第二PMOS管和第三PMOS管，第一PMOS管的栅极连接于第一控制信号，源极连接于第一电压；第二PMOS管的栅极连接于第二控制信号，源极连接于第二电压，第一电压高于第二电压；第三PMOS管的栅极连接于第一PMOS管的漏极和第二PMOS管的漏极，第三PMOS管的源极连接于第二电压，第一PMOS管在第一控制信号的控制下导通，第二PMOS管在第二控制信号控制下关断，以在第三PMOS管关断时抑制第三PMOS管的漏电流。本发明实施例采用上述技术方案，可以提供一种漏电流抑制电路，用于降低PMOS管在关断状态时的漏电流，从而达到省电的目的。
漏电抑制电路应用存储器结构

[发明专利]开关电源型充电器及其限功率电源保护电路-CN202211630534.3在审
发明人：王志强;黄伟;张允超 -专利权人：昂宝电子（上海）有限公司
申请日： 2022-12-19 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： H02J7/00 文献下载
摘要：LPS保护电路被配置为：检测输出开关管的源极和漏极之间的源‑漏电压差，基于输出开关管的源‑漏电压差和第一输出开关管压降阈值生成第一输出开关管压降指示信号，并基于输出开关管的源‑漏电压差和第二输出开关管压降阈值生成第二输出开关管压降指示信号；在输出开关管导通且开关电源型充电器的负载拉载后检测开关电源型充电器的CC端电压，基于CC端电压和第一CC端电压阈值生成第一CC端电压指示信号，并基于CC端电压和第二CC端电压阈值生成第二CC端电压指示信号；基于第一输出开关管压降指示信号、第二输出开关管压降指示信号、第一CC端电压指示信号、以及第二CC端电压指示信号判定是否需要执行LPS保护。
开关电源充电器及其功率电源保护电路

[发明专利]一种接地故障全补偿的可控电压源输出电压计算方法-CN201811124580.X在审
发明人：刘红文;何乐为;王科;杨庆 -专利权人：云南电网有限责任公司电力科学研究院
申请日： 2018-09-26 - 公布日： 2018-12-21 - 主分类号： G01R31/02 文献下载
摘要：本申请公开一种接地故障全补偿的可控电压源输出电压计算方法，包括：获取发生接地故障时线路对地电容，泄漏电阻，故障接地电阻，消弧线圈电感，电阻和可控电压源内阻；根据消弧线圈电感，电阻，泄漏电阻和线路对地电容，计算线路对地参数和补偿电感参数的并联阻抗；根据故障接地电阻，可控电压源内阻和线路对地参数和补偿电感参数的并联阻抗，计算可控电压源输出的电压。本申请通过接入电压源的方式，不用考虑消弧线圈电感参数与线路对地电容接近工频谐振的状态问题，更容易控制，能有效补偿故障电流，使故障点熄弧。本申请通过计算得到输出电压的相位和幅值，通过控制可控电压源的幅值和相位实现故障点电流熄灭，保证电网安全稳定运行。
可控电压源电阻线路对地电容接地故障消弧线圈电感输出电压计算并联阻抗补偿电感故障接地泄漏电阻故障点全补偿内阻申请电网安全稳定电感参数工频谐振故障电流输出电压有效补偿状态问题电压源熄弧熄灭输出保证

[发明专利]一种DRAM输出驱动电路及其减小漏电的方法-CN201811647656.7在审
发明人：刘成;王龙;王帅 -专利权人：西安紫光国芯半导体有限公司
申请日： 2018-12-29 - 公布日： 2019-05-10 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：本发明一种DRAM输出驱动电路及其减小漏电的方法，电路包括依次连接在工作电压端和接地电压端的上拉晶体管和下拉晶体管，以及连接在工作电压端的预驱动单元；上拉晶体管和下拉晶体管之间设置驱动电压输出端dq，上拉晶体管的栅极连接预驱动单元的输出端；预驱动单元用于在省电模式下，通过输出电压控制上拉晶体管的栅源电压变为负压；方法通过预驱动单元对输出电压的控制，对上拉晶体管的栅源电压进行选择和控制，正常工作模式下选择原有的加载电压，省电模式下选择额外的加载电压；从而使得对应的上拉晶体管在省电模式下栅源电压变为负压，从而能够工作在漏电流较小的电压下。有效减少DRAM输出驱动电路在省电模式下的漏电流。
上拉晶体管驱动单元省电模式输出驱动电路下拉晶体管漏电加载电压栅源电压漏电流输出端负压减小输出电压控制正常工作模式工作电压端工作电压接地电压驱动电压输出电压依次连接有效减少栅极连接原有的源电压下栅电路

[发明专利]场效应晶体管制备方法及场效应晶体管-CN201910336882.1在审
发明人：卢年端;揣喜臣;杨冠华;李泠;耿玓;刘明 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2019-04-24 - 公布日： 2019-07-26 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：所述场效应晶体管制备方法包括：在衬底上制备栅电极；在所述衬底和栅电极表面制备栅介质层；将二维半导体沟道层转移至栅介质层上；在所述二维半导体沟道层的表面制备同心圆形状的源电极和漏电极；其中，外圆为所述漏电极，内圆为所述源电极。本发明利用同心圆形状的源、漏电极之间形状的不同，使得源、漏电极之间更容易产生高场区域，从而使晶体管在比较低的源漏电压下就实现饱和特性，使晶体管的工作过程中降低操作电压和功耗。
场效应晶体管漏电极制备二维半导体同心圆形状表面制备栅介质层沟道层源电极晶体管衬底制备栅电极饱和特性操作电压源漏电压栅电极高场功耗内圆外圆制造

[发明专利]恒压电路及振荡装置-CN201610076255.5有效
发明人：村田正哉;见谷真;渡边考太郎 -专利权人：艾普凌科有限公司
申请日： 2016-02-03 - 公布日： 2020-10-13 - 主分类号： H03H9/19 文献下载
摘要：恒压电路及振荡装置，恒压电路在低电源电压时检测漏电流而输出稳定的电源电压等级的电压，石英振荡电路使用了该恒压电路。在恒压电路中具备漏电流检测电路，该漏电流检测电路具有将栅极和源极接地的漏电流监测用PMOS晶体管，即使是恒压电源，在检测到漏电流的情况下，也能够对恒压电路的输出晶体管的栅极施加足以使其导通的电压。
压电振荡装置

[发明专利]用于监测模块化建立电压源的生产过程的方法和测量装置-CN201810531893.0有效
发明人：奥利弗·舍费尔;布克哈德·毛赫特;弗兰克·梅林;斯特芬·克罗伊德尔 -专利权人：本德尔有限两合公司
申请日： 2018-05-29 - 公布日： 2021-02-05 - 主分类号： G01R31/54 文献下载
摘要：本公开内容涉及用于监测模块化建立电压源的生产过程的方法和测量装置。本发明涉及用于在生产过程期间尽快识别在模块化建立的电压源中发生的绝缘故障和线路缺陷的方法和测量装置。在组装进展的同时，确定电气参数，例如漏电阻和漏电容。此外，借助于监测大部分自动化的生产过程中的连接来确保测量装置适当地连接至电压源。
用于监测模块化建立电压生产过程方法测量装置

[发明专利]绝缘电阻监视装置-CN202180073732.1在审
发明人：山口昌平;尾崎将宏;高谷玲平 -专利权人：欧姆龙株式会社
申请日： 2021-03-11 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： G01R31/34 文献下载
摘要：电压源(E1)对被测定物的彼此绝缘的2个节点之间施加规定电压。电流测定器(41)对被测定物的2个节点之间的容性的漏电电流(Ioc)进行测定。开关(SW)对被测定物与电压源(E1)之间的电路进行开闭。控制器(43)根据测定出的容性的漏电电流(Ioc)来判断开关(SW)是否正常工作。
绝缘电阻监视装置

[发明专利]一种低电压有机薄膜晶体管及其制备方法-CN200910312759.2无效
发明人：商立伟;姬濯宇;刘明 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2009-12-31 - 公布日： 2011-07-06 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本发明公开了一种低电压有机薄膜晶体管及其制备方法，属于有机电子技术领域。所述有机薄膜晶体管包括：绝缘衬底、在绝缘衬底上的栅电极、覆盖绝缘衬底和栅电极的栅介质、在栅介质上的源电极和漏电极，以及覆盖栅介质和源、漏电极的有机半导体层。所述方法包括：首先，在绝缘衬底上制备栅电极；其次，在绝缘衬底和栅电极的表面制备介质层；然后，在介质层上制备源、漏电极；最后，在介质层和源电极、漏电极上沉积有机半导体层，完成器件的制备。本发明采用原子层沉积法制备较薄的金属氧化物薄膜作为介质层，大幅度增加了有机薄膜晶体管器件的电容，从而降低器件的电压，获得低工作电压的有机薄膜晶体管。
一种电压有机薄膜晶体管及其制备方法

[发明专利]SiC MOSFET器件结温的测量方法、装置、电子设备及存储介质-CN202010739182.X在审
发明人：石帮兵;丁杰钦;李诚瞻;赵艳黎;郑昌伟;焦莎莎;罗烨辉;罗海辉 -专利权人：株洲中车时代半导体有限公司
申请日： 2020-07-28 - 公布日： 2020-12-15 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本公开提供一种SiC MOSFET器件结温的测量方法、装置、电子设备及存储介质，所述方法包括对处于不同测试温度下的参考SiC MOSFET器件施加预设栅源负电压和预设源漏电流，以测量所述参考SiC MOSFET器件在不同测试温度下的源‑漏二极管结电压；对所有测试温度及其对应的所述参考SiC MOSFET器件的源‑漏二极管结电压进行线性拟合，得到源‑漏二极管结电压与温度的线性关系；对待测SiC MOSFET器件施加所述预设栅源负电压和所述预设源漏电流，以测量所述待测SiC MOSFET器件的源‑漏二极管结电压；利用所述线性关系，根据所述待测SiC MOSFET器件的源‑漏二极管结电压确定其结温。该方法利用SiC MOSFET器件的结电压在一定的栅源负电压下具有良好线性温敏特性的特点，能够实现器件结温的准确测量。
sic mosfet 器件测量方法装置电子设备存储介质

[发明专利]一种晶体管源漏电流预测方法-CN202310427584.X在审
发明人：任鹏鹏;纪志罡;吴俊杰 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2023-04-20 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： G06F30/398 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶体管源漏电流预测方法，其包括以下步骤：采用MVS模型对晶体管的栅源电压Vg和源漏电压Vd进行处理，得到对应的因子ηMVs；将栅源电压Vg、源漏电压Vg以及晶体管的若干个参数拼接成输入向量，DDA0004189101760000011.JPG" imgContent="drawing" imgFormat="JPEG" orientation="portrait" inline="yes" />计算晶体管的源漏电流预测值
一种晶体管漏电预测方法