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[实用新型]一种IGBT测试系统的绝缘测试装置-CN202020423683.2有效
发明人：黄道姗;林焱;吴丹岳;黄霆;林芳;方晓玲;杜培;张健;刘辉山;黄宇星 -专利权人：国网福建省电力有限公司电力科学研究院;国网福建省电力有限公司
申请日： 2020-03-30 - 公布日： 2020-12-04 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本实用新型提出一种IGBT测试系统的绝缘测试装置，设于外壳体内的基板上，且与总控制器相连；绝缘测试装置包括数模转换单元、模数转换单元、控制单元、恒压源以及漏电流采集板，模数转换单元与总控制器以及恒压源连接，控制单元与总控制器以及恒压源连接，数据采集板与总控制器以及待测IGBT模组连接，恒压源与待测IGBT模组连接，总控制器用于为控制单元提供控制指令，恒压源用于为待测IGBT模组进行恒压充电，漏电流采集板用于采集工作的待测IGBT模组的漏电流值数据并传递给总控制器，当进行IGBT测试时，绝缘测试装置与待测IGBT模组相连并提供预设电压，以采集待测IGBT模组在预设电压下的漏电流值并将采集结果传递给所述总控制器；本实用新型可用于
一种 igbt 测试系统绝缘装置

[发明专利]带隙基准源电路-CN201610268920.0有效
发明人：唐成伟 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2016-04-27 - 公布日： 2017-10-24 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种带隙基准源电路，包括镜像电流支路、带隙路径和运算放大器；各镜像电流支路分别包括镜像和辅助PMOS管；各镜像PMOS管的漏极连接对应辅助PMOS管的源极，各辅助PMOS管的漏极连接到对应带隙路径的顶端；各镜像PMOS管的栅极都连接运算放大器的输出端；各辅助PMOS管的栅极连接第一偏置电压；各镜像和辅助PMOS管的衬底电极都连接到电源电压；运算放大器的输出端输出一个小于电源电压的高电平，第一偏置电压小于运算放大器的输出电压信号，电路工作时各辅助和镜像PMOS管的栅漏电压差小于使对应PMOS管的衬底漏电流以纳安/伏的速率大幅增加的值。本发明能降低衬底漏电流，提高基准电压的精度。
基准电路

[发明专利]一种功率MOS器件开启过程中瞬态温升在线测量方法-CN201910681701.9有效
发明人：郭春生;刘博洋;王思晋;魏行;冯士维;果昊 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2019-07-26 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：在功率MOS器件开启瞬态过程中，在不同栅极电压VGS、不同源‑漏电压VDS和不同源‑漏电流IDS<当功率MOS器件工作在开启瞬态时，根据加电条件，即栅极电压VGS、源‑漏电压VDS和源‑漏电流IDS
一种功率 mos 器件开启过程瞬态在线测量方法

[发明专利]有机薄膜晶体管和有机薄膜发光晶体管-CN200780042393.0有效
发明人：斋藤雅俊;中野裕基;中村浩昭 -专利权人：出光兴产株式会社
申请日： 2007-11-13 - 公布日： 2009-10-21 - 主分类号： H01L51/30 文献下载
摘要：本发明涉及有机薄膜晶体管，其至少在基板上设置有栅电极、源电极以及漏电极这3个端子、绝缘体层以及有机半导体层，通过向栅电极施加电压来控制源电极-漏电极间电流，所述有机半导体层含有中心具有芳香族杂环基的特定有机化合物本发明还涉及在有机薄膜晶体管中利用流过源电极-漏电极之间的电流获得发光并通过向栅电极施加电压来控制发光的有机薄膜发光晶体管，从而提供响应速度快且开/关比大的有机薄膜晶体管以及利用该有机薄膜晶体管的有机薄膜发光晶体管
有机薄膜晶体管薄膜发光晶体管

[发明专利]源极偏置的存储器单元阵列-CN200380109193.4有效
发明人： M·D·伊比;G·P·米科尔;J·E·德马里斯 -专利权人：模拟设备股份有限公司
申请日： 2003-10-21 - 公布日： 2006-03-01 - 主分类号： G11C11/419 文献下载
摘要：一种使用“源极偏置”的存储器单元阵列，其中施加偏置电压至一个存储器单元(100)中的一个或多个FET的源极，以减小它们的“断开”状态的亚阈漏电流。在对于“断开”FET的小的正向偏置电压和对于正被读取的FET的地电位之间有选择地切换源极偏置电压。多个源极偏置电路(110，112，114，116)将有选择地切换的偏置电压提供该阵列中的存储器单元。
偏置存储器单元阵列

[发明专利]一种源漏电极和有机场效应晶体管器件及其制备方法-CN202210664992.2在审
发明人：荣欣;董桂芳;马博泰;韩江丽 -专利权人：清华大学
申请日： 2022-06-13 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01L51/10 文献下载
摘要：本发明属于有机半导体器件领域，具体涉及一种源漏电极和有机场效应晶体管器件及其制备方法。本发明提供的有机场效应晶体管器件用源漏电极表面设置有分子或聚合物修饰层，源漏电极材料为ITO，修饰层材料包含叔胺和/或仲胺结构，叔胺、仲胺在表面富集大量正电荷，从而降低功函数。修饰层修饰后，本发明提供的有机场效应晶体管器件用ITO源漏电极功函数降低，浸润性提高，有机场效应晶体管的迁移率显著提高、阈值电压显著降低。
一种漏电有机场效应晶体管器件及其制备方法

[发明专利]场效应晶体管及其制作方法，显示元件，图像显示装置和系统-CN201780044106.3有效
发明人：草柳岭秀;植田尚之;中村有希;安部由希子;松本真二;曾根雄司;早乙女辽一;新江定宪 -专利权人：株式会社理光
申请日： 2017-07-14 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： H01L29/45 文献下载
摘要：一种场效应晶体管，包括：栅电极，其构造为施加栅电压；源电极和漏电极，其构造为将电流输出；有源层，其设置在源电极和漏电极之间并由氧化物半导体形成；和栅极绝缘层，其设置在栅电极和有源层之间，源电极和漏电极各自包括由金属形成的金属区域和由一种或多种金属氧化物形成的氧化物区域，以及源电极和漏电极的每个中的氧化物区域的一部分与有源层接触，并且氧化物区域的其余部分与除有源层之外的一个或多个部件接触。
场效应晶体管及其制作方法显示元件图像显示装置系统

[发明专利]具有减少的漏电流的闪存编程及验证-CN200780016302.6有效
发明人： A·梅克尔-马尔-蒂罗斯安;E·朗尼;M·兰道夫;M·丁 -专利权人：斯班逊有限公司
申请日： 2007-04-05 - 公布日： 2009-05-20 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：于编程(programming)操作期间，目标存储单元(406)被正源极偏压电压予以偏压，以减少或去除可能流经该目标存储单元(406)之漏电流(leakage current)。于验证(verification)操作(编程验证、软编程验证(soft program verify)，抹除验证(erase verify))期间，亦可施加正源极偏压电压至目标存储单元(506)，以减少或去除于该验证操作中可能导致错误之漏电流
具有减少漏电闪存编程验证

[实用新型]一种AC型低压漏电保护器专用集成电路-CN201621392304.8有效
发明人：刘军 -专利权人：浙江朗威微系统有限公司
申请日： 2016-12-19 - 公布日： 2017-06-13 - 主分类号： H02H3/26 文献下载
摘要：一种AC型低压漏电保护器专用集成电路，其中毫伏级漏电信号IN1、IN2电压抬升若干倍后再经由放大电路中的三级差分运算放大器将差分信号放大并输出为差分放大输出信号OA，差分放大输出信号OA与基准电压源和稳压电源的参考电压Vref进行比较来判断漏电信号是否有效，能够检测AC交流漏电信号，可重复精确设定延时值，可输出恒定驱动电流，可保持有效输出驱动，抗干扰性能高。
一种 ac 低压漏电保护专用集成电路

[发明专利]一种配合采集终端表箱漏电监测用的无源报警电路-CN202110222747.1在审
发明人：葛玉磊;苏超;刘腾昇;赵星皓 -专利权人：青岛鼎信通讯股份有限公司
申请日： 2021-02-26 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： G01R31/52 文献下载
摘要：本发明公开了一种配合采集终端表箱漏电监测用的无源报警电路，其技术方案包括接口防护电路、阻容降压电路和电压监控与告警输出电路。接口防护电路能抑制输入端口共/差模干扰，保护后级电路，电路拓扑简单、实用；阻容降压电路采用阻容降压、半波整流、稳压管稳压的方式，将漏电时表箱金属外壳与PE保护地之间的交流电压转化为稳定的直流，电路结构简单，利用泄露的交流电提供电源，无须单独供电；电压监控与告警输出电路能实时监测，一旦漏电，能快速反应并输出变位信号给采集终端，采集终端形成告警事件上报主站，其电路简易并响应迅速。本发明电路无源、成本低，使用方便简洁，解决了台区表箱漏电发现迟滞、维护效率低且综合成本高的问题。
一种配合采集终端漏电监测无源报警电路

[发明专利]一种碳化硅半导体场效应管的驱动电路-CN201910441920.X在审
发明人：孔武斌;高学鹏;高慧达;常亮;甘醇;曲荣海 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2019-05-24 - 公布日： 2019-08-09 - 主分类号： H02M1/08 文献下载
摘要：包括：PWM控制电路、驱动信号放大电路、关断电路、栅极分流电路和电流变化率控制电路；其中，栅极分流电路在关断电路工作时开通，对SiC MOSFET的栅极电流进行分流，加快SiC MOSFET关断；并在漏源电压升到预设值时关断；电流变化率控制电路在漏源电压升到预设值时关断，降低漏电流变化率。本发明设置栅极分流电路，在SiC MOSFET关断过程中对栅极输出电流分流，加快栅源电压的下降速度，从而提高了SiC MOSFET的关断速度；另外，在SiC MOSFET关断过程中，电流变化率控制电路的关断降低了漏电流变化率，从而减小SiC MOSFET关断时的电压尖峰，两电路协同作用，实现了高栅源电压降压速度及低电压尖峰，保证了SiC MOSFET安全工作。
关断电流变化率控制分流电路碳化硅半导体电路漏电场效应管关断电路关断过程漏源电压驱动电路栅源电压流变化预设分流尖峰电路协同电压尖峰放大电路驱动信号输出电流栅极电流低电压减小降压开通安全保证

[发明专利]磁调制式直流漏电流传感器-CN201910748203.1在审
发明人：钱平;石砚秋;周易 -专利权人：上海应用技术大学
申请日： 2019-08-13 - 公布日： 2019-11-15 - 主分类号： G01R19/25 文献下载
摘要：本发明提供了一种磁调制式直流漏电流传感器，包括电流检测环A和漏电路检测电路；所述电流检测环A上缠绕有检测绕组W1和反馈绕组W2；所述漏电流检测电路包括顺次相连的方波电压源激励电路、方波有效值差电路、调零电路、积分电路和滤波电路；所述检测绕组W1的两端与所述方波电压源激励电路电连接，所述反馈绕组W2的两端与所述滤波电路电连接。本发明基于磁调制原理，与霍尔电流传感器相比，本发明提供的磁调制式直流漏电流传感器具有抗干扰能力强、稳定性高的优点。
电流检测环方波电压源直流漏电流反馈绕组激励电路滤波电路磁调制电连接传感器霍尔电流传感器漏电流检测电路磁调制原理抗干扰能力调零电路积分电路检测电路顺次相连差电路漏电路检测方波缠绕

[发明专利]氮化物系半导体装置-CN201180064459.2无效
发明人：上野胜典;贺屋秀介 -专利权人：先进动力设备技术研究协会
申请日： 2011-10-26 - 公布日： 2013-09-18 - 主分类号： H01L27/095 文献下载
摘要：设置于漏电极（26）与栅电极（28）之间的SBD金属电极（30）与AlGaN层（20）进行肖特基接合。此外，SBD金属电极（30）与源电极（24）连接，从而电短路。由此，在向栅电极（28）输入截止信号时，MOSFET部（32）变为截止状态，从而MOSFET部（32）的漏侧的电压接近漏电极（26）的电压值。在漏电极（26）的电压上升时，SBD金属电极（30）的电压值低于MOSFET部（32）的漏侧的电压值，所以通过SBD金属电极（30）对MOSFET部（32）的漏侧和漏电极（26）进行电切断。
氮化物半导体装置

[发明专利]基于n-GaN栅的p沟道GaN基异质结场效应晶体管-CN202110129625.8在审
发明人：张苇杭;刘茜;张进成;张金风;付李煜;赵胜雷;黄韧;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2021-01-29 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于n‑GaN栅的p沟道GaN基异质结场效应晶体管，自下而上包括：衬底、缓冲层、势垒层以及p‑GaN层；其中，p‑GaN层的上表面两侧设有源电极和漏电极，p‑GaN层的上表面中间刻有栅槽；栅槽被n‑GaN材料填充；n‑GaN材料高出栅槽，高出部分分别向源电极和漏电极所在方向延伸，且不与源电极、漏电极相接触；n‑GaN材料的上表面设有栅电极；p‑GaN层、n‑GaN材料、源电极、漏电极以及栅电极的上表面均覆盖有钝化层；该场效应晶体管还包括：穿过钝化层分别与源电极、漏电极以及栅电极相接的互连金属。本发明能够调控器件阈值电压，改善p沟道增强型GaN器件的功率损耗和泄漏电流。
基于 gan 沟道基异质结场效应晶体管

[发明专利]阵列基板及液晶显示装置-CN200810103735.1无效
发明人：林允植 -专利权人：北京京东方光电科技有限公司
申请日： 2008-04-10 - 公布日： 2009-10-14 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：该阵列基板包括：衬底基板、栅极线、数据线、像素电极和薄膜晶体管，薄膜晶体管包括栅电极、覆盖在栅电极之上的漏电极和源电极，其中：漏电极前端与源电极前端凹凸配合，且漏电极前端和源电极前端分别从栅电极的一侧沿伸至栅电极的另一侧本发明采用将源电极和漏电极沿伸贯穿覆盖栅电极的技术手段，能够保证源电极、漏电极与栅电极的相对位置变化时形成的叠层区域面积不改变，从而使寄生电容分布均匀，工作电压偏离值差异减小，并最终改善显示效果。
阵列液晶显示装置

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