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[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201410331005.2有效
发明人：徐在禹;丁健钰;金珉修;韩相信;姜主贤;赵郁来 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2014-07-11 - 公布日： 2018-05-29 - 主分类号： H01L23/52 文献下载
摘要：该半导体器件包括：第一源电极，其配置为将第一功率轨连接至第一杂质区，所述第一功率轨结合至第一电压源；第二源电极，其配置为将第二功率轨连接至第二杂质区，所述第二功率轨结合至第二电压源，第一电压源和第二电压源不同；栅电极，其位于第一杂质区和第二杂质区上；第一漏电极，其位于第一杂质区上；第二漏电极，其位于第二杂质区上；以及互连线，其连接至第一漏电极和第二漏电极，所述互连线形成至少一个闭环。
杂质区半导体器件电压源功率轨漏电极互连线源电极闭环栅电极配置制造

[发明专利]一种低漏电放大器偏置电路-CN202111464366.0有效
发明人：马昊泽;李南;陆建华 -专利权人：南京燧锐科技有限公司
申请日： 2021-12-03 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： H03F1/02 文献下载
摘要：一种低漏电放大器偏置电路，包括，共源极偏置电路和多个共栅极偏置电路，其中，所述共源极偏置电路，为放大器的共源极晶体管提供共源偏置电压；所述共栅极偏置电路，为放大器的共栅晶体管提供偏置电压；在放大器关断状态下，所述共源极偏置电路将所述共源偏置电压拉低到地，所述共栅极偏置电路将所述偏置电压拉低至关断电压；在放大器关断开启状态下，所述共源极偏置电路将所述共源偏置电压与地之间断开，所述共栅极偏置电路将所述偏置电压拉至开启栅压本发明的低漏电放大器偏置电路，通过拉低放大器的共栅晶体管的栅极电压，使共源晶体管的漏极电压跟随降低，从而最大限度的控制漏电流，降低放大器的静态功耗。
一种漏电放大器偏置电路

[发明专利]源栅漏共控单掺杂型隧穿晶体管-CN201310508661.0有效
发明人：刘溪;靳晓诗;揣荣岩 -专利权人：沈阳工业大学
申请日： 2013-10-25 - 公布日： 2017-12-01 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种源栅漏共控单掺杂型隧穿晶体管，源电极和漏电极除与半导体薄膜接触之外，还分别附着于临近源电极和漏电极两侧的绝缘介质层的上方，使其分别对半导体薄膜的源极和漏极部分的电场和载流子分布具有一定控制作用当器件工作时，对源电极施加反向电压；对漏电极施加正向电压；并通过调节栅电极的电压，使位于栅电极下方的具有较窄禁带宽度的半导体薄膜区实现载流子的耗尽，以此实现虚拟的PIN结，避免了普通隧穿晶体管对于深纳米尺度下的重掺杂PIN结在热处理工艺过程当中会发生再次扩散的这一技术难题，还可以通过调节源电极和漏电极的电压来降低源漏接触电阻。
源栅漏共控单掺杂型隧穿晶体管

[发明专利]低供应电压逻辑电路-CN201310324496.3在审
发明人： R.卡佩尔 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2013-07-30 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： H03K19/003 文献下载
摘要：本发明涉及低供应电压逻辑电路。一种低供应电压逻辑电路包括第一电流源，所述第一电流源可用来依靠第一控制信号产生第一电流并且产生第一泄漏电流。第二电流源可操作来依靠第二控制信号产生第二电流并且产生第二泄漏电流。第三电流源具有在所述输出端子与所述第一供应电压端子之间的第三电流通路，并且可操作来产生通过所述第三电流通路的第三电流以补偿所述第二泄漏电流。第四电流源具有在所述输出端子与所述第二供应电压端子之间的第四电流通路，并且可操作来产生通过所述第四电流通路的第四电流以补偿所述第一泄漏电流。
供应电压逻辑电路

[发明专利]显示装置-CN200610110642.2无效
发明人：渡边敏光 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 2006-08-04 - 公布日： 2007-02-07 - 主分类号： G09G3/22 文献下载
摘要：本发明提供一种显示装置设置有例如每次一行地选择配置成矩阵状的多个电子源的扫描驱动器(2)。扫描驱动器对选择行供给来自第一电压源(电压源)(46)的选择电压，对非选择行供给来自第二电压源(47)的非选择电压。而且，在第二电压源(47)上连接有电阻器(49)。因此，在非选择期间，由于由电阻器(49)能够降低流过非选择行的漏电电流，所以能够降低由漏电电流所引起的电力损失。由此提供在FED等显示装置中，为了降低电力损失，特别是降低在施加非选择电压的情况下由产生的漏电电流所引起的电力损失的技术。
显示装置

[发明专利]一种锂电池漏电流的检测方法-CN201911108946.9在审
发明人：赵君义;邹浒;谢斌 -专利权人：珠海冠宇电池有限公司
申请日： 2019-11-13 - 公布日： 2020-01-14 - 主分类号： G01R31/387 文献下载
摘要：一种锂电池漏电流的检测方法，包括以下步骤：将待测电池充电至预设截止电压，然后静置；使用电流源对待测电池进行充电，充电期间采集待测电池的电压，并根据得到的电压值绘制时间‑电压曲线；获取时间‑电压曲线的斜率k，如果k＞0则调低电流源输出的充电电流，并执行下一步；如果k＜0则调高电流源输出的充电电流，并执行下一步；如果k＝0，则结束电压采集，获取电流源输出的充电电流值，将电流源输出的充电电流值作为电池漏电流的检测值；调节电流源输出的充电电流后，继续采集待测电池的电压并绘制时间‑电压曲线，然后返回上一步。本发明可以准确测得电池内部的漏电流，为准确判断电池品质提供依据。
充电电流电流源输出电压曲线漏电流电池绘制采集充电期间低电流源电池充电电池内部电池品质电压采集截止电压电流源锂电池检测调高预设充电输出返回

[发明专利]一种CML结构的驱动电路和驱动方法-CN202110495461.0有效
发明人：徐希 -专利权人：芯思原微电子有限公司
申请日： 2021-05-07 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H03K19/0185 文献下载
摘要：本发明提供一种CML结构的驱动电路和驱动方法，通过输入电压控制开关管的漏电流或通过外部电流源提供大小等于保护管的亚阈值漏电流的电流，来消除输出电压电平切换时由保护管的亚阈值漏电流带来的码间干扰；本发明仅通过控制输入电压大小或通过增加额外的电流源来消除码间干扰，不需要额外增加电路组成或仅需增加额外电流源，从而电路结构简单，成本较低。
一种 cml 结构驱动电路方法

[发明专利]半导体集成电路装置-CN200610108114.3有效
发明人：伊藤稔 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2006-07-27 - 公布日： 2007-01-31 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：半导体集成电路装置能提升漏电流检测电路的检测灵敏度和提高响应。半导体集成电路装置具有衬底电压控制块，将衬底电压提供给内部电路以及控制内部电路的NchMOS晶体管阈值电压，以及漏电流检测电路，由将高电位端电源电压提供给漏极、具有连接到恒流源的源极以及将任何稳定电位施加到栅极，以这种方式，由衬底电压控制块控制衬底电压的漏电流检测NchMOS晶体管和比较漏电流检测NchMOS晶体管的源极电位和预定参考电位的比较器构成。
半导体集成电路装置

[发明专利]一种基准电压源漏电检测电路-CN201410193233.8有效
发明人：钟书鹏 -专利权人：万高（杭州）科技有限公司
申请日： 2014-05-07 - 公布日： 2014-07-23 - 主分类号： G01R31/02 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种基准电压源漏电检测电路，包括：上门限电压和下门限电压均为正值的片内迟滞比较器；连接在基准电压源输出端与所述片内迟滞比较器的第一输入端之间的片内滤波电路；以及一端接所述基准电压源输出端，另一端分别接所述片内迟滞比较器的第二输入端和片外滤波电容的正端的片内采样电阻，以实时检测基准电压源是否漏电。
一种基准电压漏电检测电路

[发明专利]使用GIDL方法求取闪存的完整耦合系数的方法-CN01110315.9有效
发明人：蔡荣昱;黄智睦;高启弘;赵传珍 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2001-04-03 - 公布日： 2004-05-05 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：维持固定源极电压Vs与基底电压Vb并改变漏极电压Vd与控制栅电压Vcg，测量第一栅极诱导漏极漏电流的电流值以得到第一耦合系数比αd/αcg。维持固定漏极电压Vd与基底电压Vb并改变源极电压Vs与控制栅电压Vcg，测量第二栅极诱导漏极漏电流的电流值以得到第二耦合系数比αs/αcg。维持固定漏极电压Vd与源极电压Vs并改变控制栅电压Vcg与基底电压Vb，测量第三栅极诱导漏极漏电流的电流值以得到第三耦合系数比αb/αcg。再依据规则方程式αd+αs+αb+αcg＝1，求得漏极耦合系数αd、源极耦合系数αs、基底耦合系数αb与控制栅耦合系数αcg之值。
使用 gidl 方法求取闪存完整耦合系数

[发明专利]带有降漏电流装置的半导体集成电路器件-CN97102373.5无效
发明人：秋叶武定;橘川五郎 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 1997-01-29 - 公布日： 1997-10-29 - 主分类号： H01L27/00 文献下载
摘要：一种用来减小晶体管在不激活时引起的漏电流的电路和方法。在第一实施例中，电路选择性地将晶体管的栅极激励到高于源极电压的电压电平。结果，栅-源电压被反转且流过晶体管的漏电源被大大减小。在第二实施例中，电路使晶体管的阱选择性地偏置到高于正常偏置电压的电压电平。结果，晶体管的电压-电源特性得到修正以致基本上消除了漏电流。
带有漏电装置半导体集成电路器件

[发明专利]液晶显示器-CN202010264139.2在审
发明人：全映宰;姜信宅;金秀仁;朴周用;李基郑;郑松叶 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2020-04-07 - 公布日： 2020-11-17 - 主分类号： G02F1/1362 文献下载
摘要：该液晶显示器包括：栅极线；数据线，与栅极线交叉；第一电压线，与栅极线分隔开；第二电压线；第一晶体管，包括连接到栅极线的第一栅电极、连接到数据线的第一源电极以及第一漏电极；第二晶体管，包括连接到栅极线的第二栅电极、连接到数据线的第二源电极以及第二漏电极；第三晶体管，包括连接到第一电压线的第三栅电极、连接到第二漏电极的第三源电极以及连接到第二电压线的第三漏电极；第一液晶电容器，连接到第一晶体管的第一漏电极；以及第二液晶电容器，连接到第二晶体管的第二漏电极。
液晶显示器

[发明专利]一种适用于功率器件的二次击穿限测试方法及装置-CN202111003610.3有效
发明人：刘斯扬;尹储;李春晓;蒋彦博;童鑫;孙伟锋;时龙兴 -专利权人：东南大学;东南大学—无锡集成电路技术研究所
申请日： 2021-08-30 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种适用于功率器件的二次击穿限测试方法及装置，主要包括：在搭建的测试系统中，开启功率开关器件，齐纳二极管发生雪崩击穿，产生稳定电压B，使待测功率器件导通，关闭功率开关器件，待测功率器件关闭，即可观测到待测功率器件的源漏电压和漏极电流，此后，通过调节直流电压源的电压和变阻器，多次重复本操作，观察器件的工作电压和电流变化情况，调节直流电压源的电压和变阻器保证器件工作在所需要的条件下。本发明通过对直流电源电压和变阻器的调节，使得器件工作在稳定的源漏电压和漏极电流的条件下，在此过程中，通过观测器件导通过程中的源漏电压和漏极电流的变化情况，从而为器件的进一步的改进提供帮助。
一种适用于功率器件二次击穿测试方法装置

[发明专利]高压MOS器件测试方法-CN201110247687.5无效
发明人：韦敏侠 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2011-08-26 - 公布日： 2012-03-21 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：用于测试半导体晶圆上各芯片的高压MOS器件是否失效，包括：在半导体晶圆上任选若干芯片，测试其高压MOS器件；将所述各芯片的高压MOS器件的一极接地，另一极与栅极接测试端；逐步升高在所述测试端施加的测试电压，并同时测量各高压MOS器件对应的源漏电流；所述测试电压的初始值小于所述高压MOS器件的饱和电压；根据所述测试电压以及相应的源漏电流，形成各芯片的高压MOS器件的输出特性曲线；根据所述输出特性曲线判定所述高压与现有技术相比，本发明采用递增调整测试电压的方式，测试源漏电流，能够避免因寄生效应导致源漏电流过小，而发生错误判定的问题。
高压 mos 器件测试方法

[发明专利]通道开关阻抗可调节的电源电路与电子设备-CN202010348985.2有效
发明人：黄雷 -专利权人：上海爻火微电子有限公司
申请日： 2020-04-28 - 公布日： 2020-12-11 - 主分类号： H02M1/088 文献下载
摘要：本发明提供了一种通道开关阻抗可调节的电源电路与电子设备，包括：N个主通道MOS管、控制模块、执行模块与检测模块，所述执行模块包括第一MOS管；所述检测模块包括检测电阻与第二MOS管；所述主通道MOS管的栅源电压与所述第一MOS管的栅源电压被配置为保持一致，所述主通道MOS管的源漏电压与所述第二MOS管的源漏电压保持一致；所述控制模块连接所述检测电阻，用于：检测所述检测电阻两端的压降信息；所述压降信息能够表征所述负载的电流；根据所述压降信息，调节所述第一MOS管的源极与漏极之间的电流，以调节所述第一MOS管的源漏电压，使得所述主通道MOS管的栅源电压发生相应变化，所述N个主通道MOS管所形成的阻抗随之被调节。
通道开关阻抗调节电源电路电子设备