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[发明专利]电压源电路-CN202310257947.X在审
发明人：周宁;陈涛 -专利权人：普冉半导体(上海)股份有限公司
申请日： 2023-03-16 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种电压源电路，包括：第一NMOS管，源极和地之间连接有第一下拉路径，栅极输出驱动电压，第一下拉路径具有多个二极管连接的MOS晶体管；第一NMOS管的栅极连接漏极并连接第一电流源；由第二NMOS管组成的驱动管，栅极连接所述驱动电压，源极为输出电压的输出端，源极和地之间连接有和第一下拉电路镜像的第二下拉路径。负反馈路径，包括：采样管，采样驱动管的源漏电流；第一镜像电路，提供第二输入电流输入到第一NMOS管的漏极；所述第一NMOS管的源漏电流由所述第一输入电流和所述第二输入电流叠加而成，当负载电流增加时，第二输入电流也增加并使驱动电压增加，防止输出电压降低。本发明能防止输出电压随负载电流增加而降低。
电压电路

[发明专利]电压检测电路-CN201811306886.7有效
发明人：陈柏升;洪埜泰 -专利权人：新唐科技股份有限公司
申请日： 2018-11-05 - 公布日： 2021-06-11 - 主分类号： G01R19/25 文献下载
摘要：本发明揭露一种电压检测电路，其包含临界电压检测电路、漏电补偿电路及低压检测电路。临界电压检测电路检测电压源的电压是否降低超过临界电压，进而唤醒低压检测电路。漏电补偿电路比较第一电压与第二电压的电压差是否超过预设值，产生触发信号以及时脉信号，提供最有效率及最低功耗的电压检测电路，准确检测电压偏移。
电压检测电路

[发明专利]一种带隙基准自启动电路及无源射频识别标签-CN201210101131.X有效
发明人：吴边;王兴意;韩富强;漆射虎 -专利权人：卓捷创芯科技（深圳）有限公司
申请日： 2012-04-09 - 公布日： 2012-08-29 - 主分类号： G06K19/07 文献下载
摘要：本发明适用于射频领域，提供了一种带隙基准自启动电路及无源射频识别标签，所述自启动电路包括：第一开关器件单元，用于在截止状态产生第一漏电流；第二开关器件单元，用于在截止状态产生小于第一漏电流的第二漏电流，并根据第一漏电流和第二漏电流生成控制电压；控制单元，用于根据控制电压产生启动控制信号；所述带隙基准生成单元，用于根据启动控制信号生成基准电压，并通过该基准电压控制所述第二开关器件单元休眠。本发明利用场效应管在截止时产生的漏电流升高控制电压，进而实现自启动生成基准电压，并在基准电压生成后使启动控制单元休眠以降低系统功耗。
一种基准启动电路无源射频识别标签

[实用新型]一种漏电断路器测试仪-CN200920139319.7无效
发明人：方进勇;李卫红;陈春发 -专利权人：厦门士林电机有限公司
申请日： 2009-07-07 - 公布日： 2010-05-19 - 主分类号： G01R31/327 文献下载
摘要：本实用新型涉及测试仪领域，尤其涉及用于检测漏电断路器的测试仪。本实用新型的漏电断路器测试仪，包括设置于一外壳内的电路，所述的外壳的前端面有一接线控制面板，其特征在于，所述的电路包括电压源输出支路(11)、电流源输出支路(12)、电压采样电路(13)、电流采样电路(本实用新型是一种可以测量各种规格断路器漏电流动作值、动作时间、极限不驱动时间并带有错误接线保护的多功能断路器测试仪，而且其输出电压、漏电电流连续可调，且范围较宽的漏电断路器测试仪。
一种漏电断路器测试仪

[发明专利]用于检测在电源之间的泄漏电流的方法和设备-CN201410795552.6在审
发明人： J.C.加西亚弗罗雷斯 -专利权人：大陆汽车系统公司
申请日： 2014-12-19 - 公布日： 2015-06-24 - 主分类号： G01R19/00 文献下载
摘要：用于检测在电源之间的泄漏电流的方法和设备。可通过跨越在车辆中的两个电能源连接电压分压器来检测和测量在该两个源之间的泄漏电流，该两个源之一通常与地隔离。测量跨越第一电池连接的第一电压分压器的中心节点电压。之后，两个分压器的中心节点相互连接，并且测量两个分压器的中心节点电压，并且将两个分压器的中心节点电压与从所述第一分压器获得的第一电压相比较。在两个电压之间的差指示从第二电池到地的泄漏电流。
用于检测电源之间泄漏电流方法设备

[发明专利]一种基于串联压接型IGBT的主动均压控制方法-CN201510079733.3在审
发明人：赵东元;李卫国;张雷;蔚泉清 -专利权人：国家电网公司;国网智能电网研究院
申请日： 2015-02-13 - 公布日： 2016-10-05 - 主分类号： H02M1/088 文献下载
摘要：本发明提供一种基于串联压接型IGBT的主动均压控制方法，所述方法包括：压接型IGBT源漏电压反馈控制；压接型IGBT门极电压反馈控制；压接型IGBT源漏电压变化率反馈控制。本发明提供的基于串联压接型IGBT的主动均压控制方法，通过引入多重闭环反馈，使压接型IGBT开关过程中集射极电压跟随集射极参考电压变化而变化，从而实现压接型IGBT直接串联中开通与关断暂态过程中各串联IGBT阀端电压均衡。
一种基于串联压接型 igbt 主动控制方法

[发明专利]一种漏电保护及自检装置-CN202111084639.9在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：深圳南云微电子有限公司
申请日： 2021-09-16 - 公布日： 2022-01-14 - 主分类号： G01R31/52 文献下载
摘要：本发明公开了一种漏电保护及自检装置，包括：继电器、可控电流源、自检时钟、电流检测线圈、电流传感器、处理单元和看门狗计数器，自检时钟输出自检时钟信号至可控电流源的第一输入控制端和看门狗计数器的计数输入端；电流传感器通过电流检测线圈获得表征供电系统漏电流大小的漏电电压信号，以及表征继电器中流过的自检电流大小的自检电压信号；处理单元区分电流传感器输出的电压信号性质，输出第一控制信号至可控电流源的第二输入控制端，以及第二控制信号至看门狗计数器的清零输入端，可控电流源依据第一控制信号控制继电器是否闭合，看门狗计数器依据第二控制信号控制是否输出异常信号。本发明能使得现有的漏电保护装置同时具备自检功能。
一种漏电保护自检装置

[发明专利]LDMOS晶体管的自热效应评价方法以及自热效应评价系统-CN201510547846.1有效
发明人：甘正浩;冯军宏 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2015-08-31 - 公布日： 2019-05-28 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：根据温度测量单元，能够得到温度感应器件的温度；所述自热效应评价单元根据温度测量单元得到的温度感应器件的温度作为所述LDMOS晶体管的温度，并能够根据所述LDMOS晶体管的温度以及所述LDMOS晶体管的源漏电流值、信号电压，得到所述LDMOS晶体管的源漏电流值与信号电压、温度之间的关系。因此，本发明能够模拟自热效应对LDMOS晶体管I‑V曲线的影响，在后续的电路设计中，可以根据本发明得到的LDMOS晶体管的源漏电流值与信号电压、温度之间的关系，将自热效应作为影响LDMOS晶体管的源漏电流值的参考量
ldmos 晶体管热效应评价方法以及系统

[发明专利]液晶显示装置及其驱动方法-CN96117946.5无效
发明人：高桥盛毅;大野幸治 -专利权人：先进显示股份有限公司
申请日： 1996-12-25 - 公布日： 2003-06-11 - 主分类号： G02F1/133 文献下载
摘要：在垂直和水平方向上形成多条源极和栅极布线，把薄膜晶体管连接到该源极与栅极布线的交叉部分，向薄膜晶体管的栅极输入栅压控制其导通和截止，以使源电压向其漏电极充电并用连到漏极上的保持电容和液晶电容保持漏电压来驱动液晶材料用在每一栅极选择期间使上述电压进行极性反转的线反转驱动方式驱动液晶材料，把栅电压设定为使得在上述栅极选择期间可以对漏极充电。
液晶显示装置及其驱动方法

[发明专利]MOSFET准饱和效应模型及其建模方法-CN202310796786.1在审
发明人：顾鸣远 -专利权人：苏州华太电子技术股份有限公司
申请日： 2023-06-30 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： G06F30/36 文献下载
摘要：所述建模方法包括：在满足判定条件时，以准饱和特性修正公式将MOSFET经典模型中源漏电流表达式内的Vgs修正为Vgscorr，以建立能够表征MOSFET准饱和特性的修正模型；所述判定条件为Vgs≥Vtsat，所述源漏电流表达式以Vgs和Vds作为自变量，Vgs、Vds分别为MOSFET的栅源电压、漏源电压，Vgscorr为具有准饱和特性的栅源电压，Vtsat为MOSFET的准饱和特性起始电压。
mosfet 饱和效应模型及其建模方法

[发明专利]自对准栅结构纳米场效应晶体管及其制备方法-CN200810223905.X有效
发明人：彭练矛;张志勇;王胜;梁学磊;陈清 -专利权人：北京大学
申请日： 2008-10-09 - 公布日： 2009-03-18 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种自对准栅结构纳米场效应晶体管及其制备方法，以一维半导体纳米材料作为导电通道，其两端分别是源、漏电极；用原子层沉积方式生长栅介质层，覆盖在源、漏电极之间，以及源、漏电极相对面的侧壁和部分源、漏电极上；在栅介质层上再通过蒸发或溅射方法生长栅电极层，栅介质层和栅电极层的厚度之和小于源、漏电极的厚度，源漏电极之间导电通道上的栅电极通过栅介质侧墙与源、漏电极实现电学隔离。本发明的自对准结构制作工艺简单、稳定，自由度高，源漏之间的导电通道基本被栅电极覆盖，大大提高了栅对导电通道的控制能力，而且，对于栅介质层和栅电极层的材料无限制，从而可以自由调节器件的阈值电压，满足规模集成电路设计的需要
对准结构纳米场效应晶体管及其制备方法

[发明专利]用于模数转换器输入信号驱动的高线性度源极跟随器-CN201610340878.9在审
发明人：曹淑新;张莉莉 -专利权人：英特格灵芯片（天津）有限公司
申请日： 2016-05-19 - 公布日： 2016-09-28 - 主分类号： H03M1/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于模数转换器输入信号驱动的高线性度源极跟随器。源极跟随器包括：主源极跟随器、子源极跟随器和电流源偏置电路，电流源偏置电路为主源极跟随器以及子源极跟随器提供恒定大小的电流；主源极跟随器的第一MOS管由子源极跟随器提供相应的随着输入信号变化的偏置电压，以使得第一MOS管处于饱和工作状态；主源极跟随器的第二MOS管的漏端电压受第一MOS管的控制，抵消第二MOS管相应变化的源端电压以使得第二MOS管具有恒定的源漏电压差。本发明主源极跟随器的第二MOS管的漏端电压受第一MOS管的控制，抵消第二MOS管相应变化的源端电压以使得第二MOS管具有恒定的源漏电压差，进一步地使得作为输入管的第二MOS管的跨导不受输入信号的影响，第二MOS管的跨导保持为一个固定值，进而提高了源极跟随器的线性度。
用于转换器输入信号驱动线性度源极跟随

[发明专利]一种亚阈区低功耗存算一体CMOS电路结构-CN202011260920.9有效
发明人：胡绍刚;雷谕霖;周桐;邓阳杰;刘洋;于奇 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2020-11-12 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： G11C11/419 文献下载
摘要：本发明是MOSFET工作在亚阈区时的电流‑电压指数关系，使单个MOSFEET在不同的源漏电压VDS、栅源电压VGS下，输出不同大小的源漏电流IDsub，从而实现低功耗设计的同时完成源漏电压VDS与栅源电压VGS电压所具有的指数关系,通过输入特定的Vin使其输出不同大小的电流。
一种亚阈区低功耗一体 cmos 电路结构

[发明专利]SiC MOSFET非线性器件的等效电路模型及方法-CN202010073202.4在审
发明人：余有灵;杜星;吴江枫;王翠霞;李诚瞻 -专利权人：同济大学;株洲中车时代半导体有限公司
申请日： 2020-01-22 - 公布日： 2020-06-19 - 主分类号： G06F30/3323 文献下载
摘要：本发明公开了一种SiC MOSFET非线性器件的等效电路模型及方法，将SiC MOSFET的栅漏电容CGD等效为主回路和受主回路控制选择连通的恒容支路和变容支路；主回路上串联恒值电容C0、检测主回路电流的零值电压源EC和栅漏电压VGD等效的电压源；恒容支路和变容支路上分别设置一由栅漏电压VGD控制的压控开关，其中，恒容支路上的第二压控开关与SiC MOSFET的氧化层电容Coxd串联，第一压控开关与电压控电流源GC串联。采用本发明，使原本在Simulink中不易实现的功率器件的非线性电容特性得以表征，拟合方式简单，避免了对栅漏电容物理层面的研究，与同类模型相比具有普适性，准确度高。
sic mosfet 非线性器件等效电路模型方法

[发明专利]液晶显示器的制造方法、液晶显示器、以及老化系统-CN200610078289.4有效
发明人：李禹根;全宰弘;金时烈;金彰洙;柳慧英 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2006-05-22 - 公布日： 2006-12-06 - 主分类号： G02F1/1333 文献下载
摘要：该方法包括以下步骤：提供液晶显示器，该液晶显示器包括液晶面板，该液晶面板具有多个薄膜晶体管，每个薄膜晶体管均包括栅电极、形成于栅电极上的半导体层、以及漏电极和源电极，该漏电极和源电极形成于半导体层上并与栅电极的各侧重叠，其中，向栅电极施加第一电压，向漏电极施加第二电压，并且第一电压减去第二电压小于第三电压减去第四电压，其中，第三电压是基于液晶面板的正常操作而施加给栅电极以使多个薄膜晶体管截止的电压，以及第四电压是基于液晶面板的正常操作而施加给漏电极的最大电压
液晶显示器制造方法以及老化系统