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[发明专利]一种高速高线性度的输入缓冲器-CN202010166112.X在审
发明人：唐鹤;李泽宇;曹启富;彭析竹 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2020-03-11 - 公布日： 2020-06-16 - 主分类号： H03M1/06 文献下载
摘要：本发明包括主源跟随器和辅助源跟随器，主源跟随器包括输入管和尾电流源，输入管的栅极连接输入缓冲器的输入信号，其源极作为输入缓冲器的输出端并连接尾电流源；输入管的漏极也连接输入缓冲器的输入信号，使本发明提出的输入缓冲器的输入管漏电位被输入信号直接驱动，保证输入管的源漏电压基本保持不变，能够忽略输入管源漏电阻的影响，提高了输出信号的线性度；同时使用辅助源跟随器为主源跟随器提供电流，减小了输入缓冲器对外部信号源驱动能力的要求。
一种高速线性输入缓冲器

[发明专利]同步整流控制方法、控制电路和反激式开关电源-CN202211259042.8在审
发明人：龚昌为 -专利权人：杰华特微电子股份有限公司
申请日： 2022-10-14 - 公布日： 2023-04-21 - 主分类号： H02M3/335 文献下载
摘要：公开了一种同步整流控制方法、控制电路和反激式开关电源，同步整流控制方法用于控制反激式开关电源中副边同步整流管的导通，包括：检测同步整流管漏源两端的源漏电压和开关电源的输出电压，以获得开关电源的变压器端电压；在开关电源的每个工作周期中的设定时间内，对变压器端电压持续进行伏秒积分运算，获得积分信号；设置积分阈值，当积分信号的值达到预设的积分阈值且源漏电压达到预设的第一电压阈值时，向同步整流管输出导通驱动信号
同步整流控制方法控制电路反激式开关电源

[发明专利]PMOS管衬底选择电路-CN201410325012.1有效
发明人：刘银 -专利权人：刘银
申请日： 2014-07-09 - 公布日： 2014-11-05 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本发明属于集成电路技术领域，涉及一种PMOS管衬底选择电路，该电路包括：基准电流源电路、比较器电路和高电压选择电路，其特点是自动选择两个电压源中较高的一个电压提供给PMOS管作为衬底电平，防止PMOS管关闭时在衬底端产生漏电
pmos 衬底选择电路

[发明专利]用于故障隔离和漏电流检测的系统和方法-CN200910000471.1无效
发明人：艾伯特·特伦奇斯·迈格纳;雅恩·达罗曼 -专利权人：李尔公司
申请日： 2009-01-16 - 公布日： 2009-07-22 - 主分类号： H02H7/10 文献下载
摘要：用于故障隔离和漏电流检测的系统和方法。提供了交通工具的包括壳体、初级、次级和故障检测电路的逆变器系统。初级配置成从能量功率源接收第一电压信号以产生第二电压信号。次级配置成响应于第二电压信号而产生第三电压信号。初级和次级中的至少一个限定至少一个电阻点，以响应于产生第三电压信号而释放漏电流。故障检测电路配置成电耦合初级和次级，以向次级提供第二电压信号，并测量第三电压信号的一部分，以确定通过至少一个电阻点释放的漏电流是否在预定的电流范围内。
用于故障隔离漏电检测系统方法

[发明专利]一种用于氮化镓场效应传感器的低频噪声定位方法-CN202110608495.6在审
发明人：杨树;盛况;张瀚元;周炳 -专利权人：浙江大学;宁波海特创电控有限公司
申请日： 2021-06-01 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： G01S5/18 文献下载
摘要：公开了一种用于氮化镓场效应传感器的低频噪声定位方法，所述氮化镓场效应传感器具有参比电极、源极和漏极，所述定位方法包括：检测参比电极与源极和漏极之间漏电是否小于阈值，如果超过阈值则判定由封装质量主导低频噪声来源；否则对参比电极上漏电和源极与漏极之间沟道电流做相关性检测，如果相关性大于预设值，则判定由参比电极主导低频噪声来源；否则检测不同参比电极电压下漏极和源极沟道电流的噪声频谱，如果噪声频谱与点比电极电压与开启电压的差值成正比
一种用于氮化场效应传感器低频噪声定位方法

[发明专利]一种发光晶体管及一种发光显示装置-CN201410081143.X有效
发明人：董桂芳;李晶;刘晓惠;段炼;邱勇 -专利权人：清华大学;北京维信诺科技有限公司
申请日： 2014-03-06 - 公布日： 2014-06-25 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本发明所述的发光晶体管及发光显示装置，其至少包括基底、漏电极、源电极、半导体层、栅极绝缘层和与栅极绝缘层相连的栅极层，栅极绝缘层中包括可极化并且可发光的材料，优选为发光离子型配合物。该晶体管通过栅极与源极之间的电压，在栅极绝缘层与半导体层界面处感应出载流子，在源/漏电极层中的漏极和源极之间产生导电沟道的同时，形成通过栅极绝缘层的电流并使栅极绝缘层发光。该发光晶体管改变了传统发光晶体管工作电压高、结构复杂或者只有线发光的缺点，通过栅绝缘层发光实现了晶体管的低工作电压和面发光。
一种发光晶体管显示装置

[发明专利]抑制SiC MOSFET串扰的高关断阻抗驱动电路-CN202210019989.5有效
发明人：张雷;吴典;桑顺;任磊;秦岭;黄杰杰;茅靖峰;郭晓丽;柏树根 -专利权人：南通大学
申请日： 2022-01-10 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： H03K17/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种抑制SiC MOSFET串扰的高关断阻抗驱动电路，包括互补导通的SiC MOSFET上桥臂和SiC MOSFET下桥臂，每个桥臂均分别包括基本驱动电路和钳位电路；所述基本驱动电路为被动管栅源极电容预充负电压本发明的有益效果为：通过调节栅源电压抵消栅漏电容Cgd的转移电荷。主动管开关过程中，被动管栅源极不构成回路，即高关断阻抗状态，共源寄生电感Ls引入的串扰电压不会加载在栅源两端同时解决栅漏电容Cgd和共源寄生电感Ls引入的串扰电压。
抑制 sic mosfet 高关断阻抗驱动电路

[发明专利]非依电性内存装置及其操作方法-CN201510966548.6有效
发明人：黄科颖 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2015-12-21 - 公布日： 2019-11-26 - 主分类号： G11C16/24 文献下载
摘要：非依电性内存装置包括非依电性记忆胞、程设电压产生电路、字线电压产生电路与共源线电压产生电路。非依电性记忆胞的控制端、第一端与第二端分别电性连接于字线、位线与共源线。程设电压产生电路提供程设电压至位线，以及检测位线的电流。字线电压产生电路提供字线电压至字线，其中字线电压的摆幅为字线高电压至字线低电压。共源线电压产生电路提供共源线电压至共源线。依据位线的电流，字线电压产生电路动态调整字线低电压，或是共源线电压产生电路动态调整共源线电压。本发明所提供的非依电性内存装置及其操作方法可以有效减少位线的漏电流。
产生电路字线电压线电压共源位线字线依电性内存电压产生电路动态调整低电压记忆胞电性电性连接有效减少第一端高电压控制端漏电流摆幅源线检测

[发明专利]一种检测存储单元漏电流的方法及系统-CN201110391548.X有效
发明人：龙爽;陈岚;陈巍巍;杨诗洋 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-11-30 - 公布日： 2012-04-25 - 主分类号： G11C29/02 文献下载
摘要：一种检测存储单元漏电流的方法，应用于至少包括依次相邻的且位于存储列阵同一列的第一、二、第三存储单元，上述存储单元共用同一组字线；包括：同时选通上述存储单元之间的位线以及第一存储单元的源极对应的位线；测试电路测量得到第二电压值；通过仿真获得所述第一、第二存储单元的沟道电阻；通过仿真获得读取位线的电平对应的第一电压值；通过第一电压值与第二电压值的电压差以及第二存储单元的沟道电阻计算得到流经所述第二存储单元的漏电流即第一存储单元被读取时的漏电流本发明提供一种检测存储单元漏电流的方法和系统，可以实现存储单元漏电流的有效检测。
一种检测存储单元漏电方法系统

[发明专利]一种高频有机平面结构整流二极管及其制备方法-CN202211654225.X在审
发明人：何道伟;曾俊鹏;王欣然;施毅;谢嘉诚 -专利权人：南京大学
申请日： 2022-12-22 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H10K10/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种高频有机平面结构整流二极管，包括衬底、金属背栅、介电层、半导体沟道层、源/漏电极和聚合物封装层；其中，所述半导体沟道层为带有烷基侧链的有机小分子薄膜，且成膜后烷基侧链向外暴露；所述源/漏电极接触层为金属铂；所述源/漏电极单独制备好以后，覆盖聚合物封装层，然后将聚合物封装层和源/漏金属电极无损转移到半导体沟道层上，接触层铂与半导体沟道层有机小分子烷基侧链结合；该高频有机平面结构整流二极管实现了低工作电压下的高频性能，具有64MHz的最高整流特性，电压归一化整流频率达到25.6MHz/V，理论最高整流频率为0.13GHz。
一种高频有机平面结构整流二极管及其制备方法

[发明专利]一种单型GOA电路及显示装置-CN201711069470.3在审
发明人：戴荣磊 -专利权人：武汉华星光电技术有限公司
申请日： 2017-10-31 - 公布日： 2018-02-27 - 主分类号： G09G3/36 文献下载
摘要：用于输出上拉控制信号；下拉控制单元，用于输出下拉控制信号；所述可控信号设置单元与所述上拉控制单元的输出端连接，其中，所述可控信号设置单元用于提供可控信号，可控信号在单型GOA电路正常工作时保持在恒压低电平源的电位，在单型GOA电路进入暂停传递期间保持在恒压高电平源的电位。本发明实施例通过改变漏电路径TFT的源极负载和信号在暂停传递期间的电压准位，可以实现对漏电路径的电压控制和漏电路径的杜绝，提高电路稳定性。
一种 goa 电路显示装置

[发明专利]具有高击穿电压的AlGaN高电子迁移率晶体管及其制备方法-CN202010489650.2有效
发明人：郭志友;马建铖;夏晓宇;张淼;夏凡;谭秀洋;李渊 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2020-06-02 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有高击穿电压的AlGaN高电子迁移率晶体管及其制备方法，该高电子迁移率晶体管包括依次层叠于衬底上的应力缓冲层、n‑AlGaN缓冲层、AlGaN势垒层，以及位于势垒层上的源电极、漏电极和栅电极，栅电极位于所述源电极和漏电极之间，n‑AlGaN缓冲层中设置有多层量子阱，且该多层量子阱位于源电极至栅电极下方区域，该多层量子阱的设置使得器件的漏电极上施加高压后，过剩载流子激增，该多层量子阱限制过剩载流子移动，保持过剩载流子在势阱内并进行复合，降低了泄露电流向下传导，从而提高了器件的击穿电压，提升了常关型HEMT器件的性能。
具有击穿电压 algan 电子迁移率晶体管及其制备方法

[发明专利]有机薄膜晶体管及其制备方法-CN201310583381.6无效
发明人：桂海洋;李明;王肖;王军;魏斌 -专利权人：上海大学
申请日： 2013-11-20 - 公布日： 2014-02-19 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本发明公开了一种有机薄膜晶体管，主要由基板、栅电极、栅绝缘层、源漏电极及有机半导体层组成，有机半导体层作为有源层，在源漏电极和有机半导体层之间还设有电极修饰层，电极修饰层通过在源漏电极上固定DNA分子材料自组装而形成本发明在电极表面固定DNA分子材料，在电极的表面自发形成高度有序的DNA单分子膜，从而提高了底接触OTFT的电荷注入，有效提高有机薄膜晶体管的输出电流和减小有机薄膜晶体管的阈值电压，提高器件的迁移率和开关比，降低器件的夹断电压。
有机薄膜晶体管及其制备方法

[发明专利]有机薄膜晶体管和有机薄膜发光晶体管-CN200780042288.7有效
发明人：齐藤雅俊;中野裕基;中村浩昭 -专利权人：出光兴产株式会社
申请日： 2007-11-13 - 公布日： 2009-10-07 - 主分类号： H01L51/30 文献下载
摘要：本发明涉及有机薄膜晶体管，其至少在基板上设置栅电极、源电极以及漏电极这3个端子、绝缘体层以及有机半导体层，通过向栅电极施加电压来控制源电极-漏电极间电流，所述有机半导体层含有具有在中心有菲结构的2价芳香族烃基的特定有机化合物本发明还涉及在有机薄膜晶体管中利用流过源电极-漏电极之间的电流获得发光并通过向栅电极施加电压来控制发光的有机薄膜发光晶体管，从而提供响应速度快且开/关比大的有机薄膜晶体管以及利用该有机薄膜晶体管的有机薄膜发光晶体管
有机薄膜晶体管薄膜发光晶体管

[发明专利]一种低漏电高速锁相环电荷泵电路-CN201310381514.1无效
发明人：刘雄 -专利权人：苏州苏尔达信息科技有限公司
申请日： 2013-08-29 - 公布日： 2014-01-01 - 主分类号： H02M3/07 文献下载
摘要：本发明公开了一种低漏电高速锁相环电荷泵电路，所述第一MOS管的源极连接电流源Mpcsr的漏极，栅极连接输入信号UP，漏极连接第二MOS管的源极，第二MOS管的栅极与源极连接，漏极接地；第三MOS管的源极连接电压VAA，栅极连接漏极，漏极连接第四MOS管的源极，第四MOS管漏极连接电流源Mncsr的源极，电流源Mncsr的栅极连接第五MOS管的栅极；第六MOS管的源极连接电压VAA，栅极和漏极均连接电流源Mpcsr的栅极，电流源Mpcsr的源极连接电压VAA，漏极连接开关管Mswp的源极，开关管Mswp的漏极连接开关管Mswn的源极，开关管Mswm栅极连接输入信号DN，漏极与电流源Mncsr的源极连接。这种低漏电高速锁相环电荷泵电路采用开关在上的结构，没有你想导通的危险，提高电荷泵电路的安全系数。
一种漏电高速锁相环电荷电路

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