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[发明专利]一种低阈值电压有机二极管及其制备方法-CN201410693810.X在审
发明人： 姬濯宇;陆丛研;王龙;王伟;刘明;李冬梅 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2014-11-26 - 公布日： 2015-03-11 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本发明公开了一种低阈值电压有机二极管，该低阈值电压有机二极管包括：下电极；形成于下电极之上的金属氧化物插层；形成于金属氧化物插层之上的有机功能材料层；形成于有机功能材料层之上的有机材料缓冲层；以及形成于有机材料缓冲层之上的上电极。本发明还公开了一种制备低阈值电压有机二极管的方法。利用本发明，以金属氧化物插层来调整下电极与有机材料层的接触势垒，从而达到调整有机二极管的阈值电压的效果，有效地降低了有机二极管的阈值电压。
一种阈值电压有机二极管及其制备方法

[发明专利]一种有机-无机异质结二极管及其制备方法-CN201410691215.2在审
发明人： 姬濯宇;陆丛研;王龙;王伟;刘明;李冬梅 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2014-11-26 - 公布日： 2015-03-04 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本发明公开了一种有机-无机异质结二极管及其制备方法，该有机-无机异质结二极管包括:下电极；形成于下电极之上的金属氧化物层；形成于金属氧化物层之上的有机功能材料层；以及形成于有机功能材料层之上的上电极。本发明提供的有机-无机异质结二极管，具有较低的阈值电压，同时具有较高的开关比及较高的工作频率，且结构简单、易集成、适用于有机电子器件集成的整流电路部分。
一种有机无机异质结二极管及其制备方法

[发明专利]一种低操作电压有机场效应晶体管及其制备方法-CN201410693819.0在审
发明人： 姬濯宇;陆丛研;王龙;王伟;刘明;李冬梅 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2014-11-26 - 公布日： 2015-02-04 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本发明公开了一种低操作电压有机场效应晶体管及其制备方法，该低操作电压有机场效应晶体管包括：衬底，具有电极引线；金属栅电极，在衬底上沉积和图案化低电阻的金属而形成，与衬底的电极引线导通；栅介质层，形成于金属栅电极之上，包括等离子体氧化层及单分子自组装材料层，其中等离子体氧化层覆盖于栅电极的表面及侧面，单分子自组装材料层形成于等离子体氧化层之上；有机半导体材料层，形成于栅介质层之上；以及图形化的源电极和漏电极，通过掩膜版形成于有机半导体材料层之上，并覆盖于有机半导体材料层和栅介质层的侧面及露出的衬底表面之上。利用本发明，降低了有机场效应晶体管的工作电压，实现了低功耗低操作电压的有机场效应晶体管。
一种操作电压有机场效应晶体管及其制备方法

[发明专利]一种获取共面型薄膜晶体管接触电阻的方法-CN201410392246.8在审
发明人：王伟;李泠;徐光伟;王龙;陆丛研;姬濯宇;刘明 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2014-08-11 - 公布日： 2014-11-19 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种获取共面型薄膜晶体管接触电阻的方法，该方法包括：在共面型薄膜晶体管沟道区和源漏电极之间建立传输线电阻网络模型；在该传输线电阻网络模型中，传输线电阻网络被分为两段，其中源电极或漏电极上方部分作为第I段，源电极或漏电极侧边部分作为第II段；计算第I段传输线电阻网络的等效电阻，以此作为第II段传输线电阻网络的边界条件，然后计算两段传输线电阻网络的总体等效电阻，作为共面型薄膜晶体管源漏电极与沟道区之间接触电阻。利用本发明，可以精确拟合计算薄膜晶体管的接触电阻，适于薄膜晶体管的模型化研究。本发明理论合理，结果精确，简单易行，有利于建立完整的薄膜晶体管模型。
一种获取共面型薄膜晶体管接触电阻方法

[发明专利]一种有机电极的制备方法-CN201310114176.5在审
发明人： 姬濯宇;郭经纬;王龙;陆丛研;王伟;李泠;刘明 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2013-04-03 - 公布日： 2014-10-15 - 主分类号： H01L51/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种有机电极的制备方法，其中该有机电极不能直接制备在介质层或绝缘层的表面，该方法包括：在介质层或绝缘层的表面生长保护层；在该保护层表面制备有机电极。利用本发明所制备的有机电极，结构完整、稳定性好、重复率高。
一种有机电极制备方法

[发明专利]一种聚合物电极的制备方法-CN201310114342.1在审
发明人： 姬濯宇;郭经纬;刘明;王龙;陆丛研;王伟;李泠 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2013-04-03 - 公布日： 2014-10-15 - 主分类号： H01L51/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种聚合物电极的制备方法，其中该聚合物电极不能直接制备于介质层或绝缘层的表面，该方法包括：对介质层或绝缘层表面进行图形化；在图形化了的介质层或绝缘层表面生长保护层；在该保护层表面制备聚合物电极。利用本发明所制备的聚合物电极，结构完整、稳定性好、重复率高。
一种聚合物电极制备方法

[发明专利]一种打印机-CN201110427633.7有效
发明人：李冬梅;刘明;谢常青;霍宗亮;姬濯宇 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-12-19 - 公布日： 2013-06-19 - 主分类号： B41J2/175 文献下载
摘要：本发明提供了一种打印机，用于有机材料的微图形化加工，包括一个喷嘴(2)和存放有不同墨水的多个储液器(1)，还包括：能够旋转的圆盘(3)，所述圆盘(3)上设置有多个放置所述储液器(1)的安放孔；不随所述圆盘(3)旋转并固定在所述圆盘(3)底部且能够与多个所述储液器(1)底端配合以导流所述墨水的导流槽(4)，所述导流槽(4)的底端与所述喷嘴(2)相连通以控制所述墨水能够进入所述喷嘴(2)中。本发明提供的打印机，保证了有机材料微图形的打印精度，也使打印过程更加方便快捷，提高了打印效率。
一种打印机

[发明专利]一种喷墨打印机-CN201110427625.2无效
发明人：李冬梅;刘明;谢常青;霍宗亮;姬濯宇 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-12-19 - 公布日： 2013-06-19 - 主分类号： B41J2/01 文献下载
摘要：本发明提供了一种喷墨打印机，用于有机材料的微图形化加工，包括打印基底(1)，还包括：能够向所述打印基底(1)发射光波(3)以固化有机材料微图形的光固化装置(2)。本发明提供的喷墨打印机将原有的加热固化方式改进为光波照射的固化方式，使得喷墨打印机可以更广泛的适用于多种不同材质的打印基底，提高了喷墨打印机的通用性，而且在喷涂打印的过程中，微图形的图形沉积和图形固化可以同时进行，提高了有机材料的微图形化加工的效率。
一种喷墨打印机

[发明专利]电容器件及其制造方法-CN201110132733.7无效
发明人：刘明;刘欣;姬濯宇;商立伟;谢常青;李冬梅;韩买兴;陈映平;王宏 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-05-20 - 公布日： 2012-11-21 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种电容器件，包括：下电极；下电极上的介质层，其中，所述介质层包括有机介质层；介质层上的上电极。通过形成包括有机介质层的介质层，有机介质层具有更好的电子俘获能力，可以减少电容器件的漏电，从而提高电容器件的性能。
电容器件及其制造方法

[发明专利]有机存储器件、阵列及其制造方法-CN201110131034.0无效
发明人：刘明;刘欣;姬濯宇;商立伟;谢常青;李冬梅;韩买兴;陈映平;王宏 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-05-19 - 公布日： 2012-11-21 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种有机存储器件，包括：衬底；衬底上的下电极；下电极上的第一有机薄膜、第一有机薄膜上的不连续的金属薄膜以及不连续的金属薄膜上的第二有机薄膜，其中，不连续的金属薄膜由岛状金属颗粒形成；第二有机薄膜上的上电极。通过在两层有机薄膜中间形成了不连续的金属薄膜，由于该金属薄膜由岛状金属颗粒形成，通过这些岛状金属颗粒来增强有机薄膜的电荷捕获能力，从而使不具备转变特性或转变特性不好的有机材料具有好的转变特性，从而提高存储器件的存储及数据保持功能。
有机存储器件阵列及其制造方法

[发明专利]基于有机场效应晶体管的存储单元、存储器及其制备方法-CN201110076733.X无效
发明人：刘明;王宏;姬濯宇;商立伟;陈映平;王艳花;韩买兴;刘欣 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-03-29 - 公布日： 2012-10-10 - 主分类号： H01L51/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于有机场效应晶体管的存储单元、存储器及其制备方法。该存储单元利用富勒烯材料独特的分子结构，以单层富勒烯薄膜同时作为存储浮栅层和隧穿介质层，避免了在存储单元制备中采用金属或者金属氧化物，降低了器件的制备成本，提高的器件的柔性性能。
基于有机场效应晶体管存储单元存储器及其制备方法

[发明专利]光存储单元、光存储器及其制备方法-CN201110076540.4无效
发明人：刘明;王宏;姬濯宇;商立伟;陈映平;王艳花;韩买兴;刘欣 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-03-29 - 公布日： 2012-10-10 - 主分类号： H01L51/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于有机场效应晶体管的光存储单元、光存储器及其制备方法。本发明中，通过对有机场效应晶体管的有机半导体层中掺杂金属或金属氧化物纳米点存储层，光照时有机场效应晶体管中产生的载流子会存储到该纳米点存储层中，当光照撤掉后载流子依然存储在纳米点层中，不会消失，因此，回滞效应在光照撤掉后依然存在，从而开发了有机场效应晶体管在光存储器方面的应用。
存储单元存储器及其制备方法

[发明专利]有机阻变型存储单元、存储器及其制备方法-CN201110076731.0无效
发明人：刘明;王宏;姬濯宇;商立伟;陈映平;王艳花;韩买兴;刘欣 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-03-29 - 公布日： 2012-10-10 - 主分类号： H01L51/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种有机阻变型存储单元、存储器及其制备方法。本发明的有机阻变型存储单元，采用高功函数的金属或导电聚合物为阳极，低功函数的金属为阴极。阳极和有机半导体层之间形成欧姆接触，而阴极和有机半导体层之间形成肖特基接触，从而使该有机阻变型存储单元具有自整流性能。本发明在不明显提高成本和工艺复杂度的前提下，消除了有机阻变型存储单元的误读现象。
有机变型存储单元存储器及其制备方法

[发明专利]铁电型存储单元、存储器及其制备方法-CN201110076414.9无效
发明人：刘明;王宏;姬濯宇;商立伟;陈映平;王艳花;韩买兴;刘欣 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-03-29 - 公布日： 2012-10-10 - 主分类号： H01L51/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于有机场效应晶体管的铁电型存储单元、存储器及其制备方法。本发明在铁电绝缘介质层和有机半导体层之间引入了一层用于改善铁电绝缘介质层界面性质的有机绝缘修饰层。该有机绝缘修饰层与有机半导体层之间的界面兼容性好，能够提高有机半导体层在其表面的结晶性，从而提高铁电型存储器的载流子迁移率。
铁电型存储单元存储器及其制备方法

[发明专利]一种制备有机场效应晶体管结构的方法-CN201110057488.8无效
发明人：商立伟;姬濯宇;刘明 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-03-10 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： H01L51/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备有机场效应晶体管结构的方法，包括：在绝缘衬底上制备图形化的栅电极层；在栅电极层上沉积栅介质层；在栅介质层表面上制备图形化的源漏金属电极；将制备有图形化源漏金属电极的样品浸泡到表面修饰溶液中，对样品表面进行修饰；在修饰好的样品表面沉积有机半导体薄膜，完成器件的制备。本发明能够在金属电极表面和栅介质层表面同时自组织生长一层单分子层薄膜，改进器件的接触界面和沟道界面，从而制备出高迁移率的器件。
一种制备有机场效应晶体管结构方法

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